JPS59164952A - Ｆｅｔイオンセンサ - Google Patents
ＦｅｔイオンセンサInfo
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- JPS59164952A JPS59164952A JP58039274A JP3927483A JPS59164952A JP S59164952 A JPS59164952 A JP S59164952A JP 58039274 A JP58039274 A JP 58039274A JP 3927483 A JP3927483 A JP 3927483A JP S59164952 A JPS59164952 A JP S59164952A
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- JP
- Japan
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- ion
- sensitive
- polymer
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Molecular Biology (AREA)
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- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＦＥＴイオンセンサに係シ、特に安定なイオン
感応膜を装着したイオンセンサに関する。
感応膜を装着したイオンセンサに関する。
ＦＥＴイオンセンサは小形化、集積化に適し、生体液、
細胞液中の各種イオンを計測するのに適している。この
種のイオンセンサは感応ゲート部に夫々のイオンに選択
的に応答する感応膜を塗付して構成するが、有機高分子
膜を従来の直接キャスティング法（例： Ｓ、 Ｄ、
Ｍｏ５ｓ、 Ｊ、 Ｊａｎａｔａａｎｄ Ｃ，Ｃ，Ｊｏ
ｈｎｓｏｎ、 Ａｎａｌ、（！ｈｅｍ、 ４７．２２３
８−２２４３．１９７５）で絶縁膜に塗付したセンサは
、密着性が悪く不安定である。これは主として、イオン
感応膜を形成する可塑剤あるいはキャスティング用溶媒
などが絶縁膜との界面に残シ、特に、水溶液に接する先
端部などにおいて、界面に水分子が拡散して、センサと
しての応答を妨害することによるものと考えられている
。
細胞液中の各種イオンを計測するのに適している。この
種のイオンセンサは感応ゲート部に夫々のイオンに選択
的に応答する感応膜を塗付して構成するが、有機高分子
膜を従来の直接キャスティング法（例： Ｓ、 Ｄ、
Ｍｏ５ｓ、 Ｊ、 Ｊａｎａｔａａｎｄ Ｃ，Ｃ，Ｊｏ
ｈｎｓｏｎ、 Ａｎａｌ、（！ｈｅｍ、 ４７．２２３
８−２２４３．１９７５）で絶縁膜に塗付したセンサは
、密着性が悪く不安定である。これは主として、イオン
感応膜を形成する可塑剤あるいはキャスティング用溶媒
などが絶縁膜との界面に残シ、特に、水溶液に接する先
端部などにおいて、界面に水分子が拡散して、センサと
しての応答を妨害することによるものと考えられている
。
高分子膜形ＦＥＴセンサは、例えばＫ ＋。
ＮＨｚなとにおいて、無機材からなるイオン感応膜では
達成不可能な選択性を有しているので、経時的な安定性
が得られれは、優れたセンサができる。
達成不可能な選択性を有しているので、経時的な安定性
が得られれは、優れたセンサができる。
本発明は、安定に作動するＦＥＴイオンセンサを提供す
ることを主たる目的とする。
ることを主たる目的とする。
本発明の目的を達成するために、種々検討した結果、可
塑剤、イオン感応物質などを溶媒を用いてゲート絶縁膜
上に塗付する従来の方法は、絶縁膜と高分子膜との密着
性を低下させることが明らかになった。そこで、高分子
膜を予めドライな方法で絶縁膜上に塗付し、その上にイ
オン感応物質を含む高分子イオン感応膜を塗付する方法
により、優れたＦＥＴイオンセンサーが得られた。
塑剤、イオン感応物質などを溶媒を用いてゲート絶縁膜
上に塗付する従来の方法は、絶縁膜と高分子膜との密着
性を低下させることが明らかになった。そこで、高分子
膜を予めドライな方法で絶縁膜上に塗付し、その上にイ
オン感応物質を含む高分子イオン感応膜を塗付する方法
により、優れたＦＥＴイオンセンサーが得られた。
さらに他の方法として絶縁膜の処理と、２層構造のイオ
ン感応膜を採用することとした。即ち、絶縁膜を高分子
膜の保持に適するよう表面処理し、その上部には絶縁膜
と密度しやすい材料からなる高分子膜を塗付する。更に
、目的とするイオン感応膜を該高分子膜上に形成するこ
とにより、全体としての密着性を高め九ＦＥＴイオンセ
ンサーを得た。
ン感応膜を採用することとした。即ち、絶縁膜を高分子
膜の保持に適するよう表面処理し、その上部には絶縁膜
と密度しやすい材料からなる高分子膜を塗付する。更に
、目的とするイオン感応膜を該高分子膜上に形成するこ
とにより、全体としての密着性を高め九ＦＥＴイオンセ
ンサーを得た。
本発明を実施例に基づき、以下、詳細に説明する。本発
明によるＦＥＴイオンセンサの基本的な構成を第１図に
示す。この実施例では、シリコン基板上 からなるゲート領域を設けたＦＥＴを用いている。
明によるＦＥＴイオンセンサの基本的な構成を第１図に
示す。この実施例では、シリコン基板上 からなるゲート領域を設けたＦＥＴを用いている。
ゲート上には酸化膜３、絶縁膜４が形成されている。更
に、絶縁膜４の上に、イオン感応物質を含まぬ第１の高
分子膜５が形成されておシ、該高分子膜上にイオン感応
物質を含む第２の高分子膜を塗付した構造としたつ上記
第１の高分子膜は絶縁膜との密着性を高めるために真空
蒸着法、プラズマ重合法などの方法により降成し、ポリ
プロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化
ビニリチン、ポリスチレン、ポリカーボネートなど、各
種の材料が使用できる。第１の高分子膜は、可塑剤を含
まぬものであることが好ましい。また、第２の高分子膜
には、ポリ塩化ビニル中に可塑剤と共に第４級アンモニ
ウム塩などのイオン交換物質、パリノマイシン、ノナク
チン／モナクチンなどのニュートラルキャリアーを分散
したもの、シリコン、エポキシ、ポリカーボネートなど
の樹脂に上記イオン感応物質を分散させたものなどが使
用できる。これらのイオン感応膜は第１の高分子膜上に
直接キャスティングすふか、あるいは高分子膜上で重合
させる方法などで形成する。特に、ディップコート法な
どを採用する際には、第１の高分子膜材料が第２高分子
膜のキャスティング溶媒に溶解するものであることが望
ましい。更に、望１しくけ、第１高分子膜と第２高分子
膜の母材が同種のものであることである。
に、絶縁膜４の上に、イオン感応物質を含まぬ第１の高
分子膜５が形成されておシ、該高分子膜上にイオン感応
物質を含む第２の高分子膜を塗付した構造としたつ上記
第１の高分子膜は絶縁膜との密着性を高めるために真空
蒸着法、プラズマ重合法などの方法により降成し、ポリ
プロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化
ビニリチン、ポリスチレン、ポリカーボネートなど、各
種の材料が使用できる。第１の高分子膜は、可塑剤を含
まぬものであることが好ましい。また、第２の高分子膜
には、ポリ塩化ビニル中に可塑剤と共に第４級アンモニ
ウム塩などのイオン交換物質、パリノマイシン、ノナク
チン／モナクチンなどのニュートラルキャリアーを分散
したもの、シリコン、エポキシ、ポリカーボネートなど
の樹脂に上記イオン感応物質を分散させたものなどが使
用できる。これらのイオン感応膜は第１の高分子膜上に
直接キャスティングすふか、あるいは高分子膜上で重合
させる方法などで形成する。特に、ディップコート法な
どを採用する際には、第１の高分子膜材料が第２高分子
膜のキャスティング溶媒に溶解するものであることが望
ましい。更に、望１しくけ、第１高分子膜と第２高分子
膜の母材が同種のものであることである。
本発明の具体的な実施例を第２図に示す。素子の構成は
第１図同様に、シリコン基板上に形成したゲート、酸化
膜３、Ｓｉ３Ｎ４絶縁膜４などから構成される。この実
施例では、耐水性忙高めるために、５ｊａＮ４膜上にＴ
ａ’２０５膜１０を形成した。
第１図同様に、シリコン基板上に形成したゲート、酸化
膜３、Ｓｉ３Ｎ４絶縁膜４などから構成される。この実
施例では、耐水性忙高めるために、５ｊａＮ４膜上にＴ
ａ’２０５膜１０を形成した。
Ｔａ２０５形成後、表面を十分に洗浄し、その後プラズ
マ重合法で素子の表、裏面にポリ塩化ビニルを厚さ５〜
２０μｍ程度形成し、第１の高分子膜５とした。この膜
は極めて緻密であるため、シリコン基板裏面の耐水性を
高めるのにも役立つ。第１の高分子膜を塗付した素子の
ゲート部分をイオン感応物質を含む高分子膜のキャスト
液中に浸漬し、ディップコート法で第２の高分子膜を形
成した。このキャスト液はＣｔ−イオン用として、第４
級アンモニウム塩の塩化トリメチルトリドデシルアンモ
ニウム、可１ｕｌｌの５−フェニールペンタノール、母
材のポリ塩化ビニルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に
溶解したものを用いた。溶媒を蒸発させた後の第１高分
子嘆と第２高分子膜の厚さの和は５０μｍ以下とするよ
う調節した。
マ重合法で素子の表、裏面にポリ塩化ビニルを厚さ５〜
２０μｍ程度形成し、第１の高分子膜５とした。この膜
は極めて緻密であるため、シリコン基板裏面の耐水性を
高めるのにも役立つ。第１の高分子膜を塗付した素子の
ゲート部分をイオン感応物質を含む高分子膜のキャスト
液中に浸漬し、ディップコート法で第２の高分子膜を形
成した。このキャスト液はＣｔ−イオン用として、第４
級アンモニウム塩の塩化トリメチルトリドデシルアンモ
ニウム、可１ｕｌｌの５−フェニールペンタノール、母
材のポリ塩化ビニルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に
溶解したものを用いた。溶媒を蒸発させた後の第１高分
子嘆と第２高分子膜の厚さの和は５０μｍ以下とするよ
う調節した。
従来の絶縁膜上にイオン感応膜を直接キャスティングし
て成形する方法に比較し、本発明による方法でイオン感
応膜を塗付したセンサは、絶縁膜との密着性が良いため
、安定に動作する。第３図に、本ｉ明によるＣｔ−セン
サ（〜と従来法によるもの■について、スロープ感度の
経日変化を比較した結果を示す。図よシ明らかなように
、従来のセンサは短期間安定に動作するのみであるのに
対し、本発明のセンサは従来の１０倍以上の安定性を有
する。
て成形する方法に比較し、本発明による方法でイオン感
応膜を塗付したセンサは、絶縁膜との密着性が良いため
、安定に動作する。第３図に、本ｉ明によるＣｔ−セン
サ（〜と従来法によるもの■について、スロープ感度の
経日変化を比較した結果を示す。図よシ明らかなように
、従来のセンサは短期間安定に動作するのみであるのに
対し、本発明のセンサは従来の１０倍以上の安定性を有
する。
第４図は本発明をシリコンオンサファイア（ＳＯ８）基
板を利用するイオンセンサに適用した実施例である。サ
ファイア基板１１上のエピシリコン層に不純物を拡散し
ドレン２、ソース２′を形成した。その上に酸化膜３、
絶縁膜４を被せた構造となっている。該絶縁膜上にポリ
塩化ビニルからなる第１高分子膜５を蒸着法で塗付し、
更に、パリノマイシン、ジオクチルアジペート、ポリ塩
化ビニルからなる第２高分子膜材料をテトラヒドロフラ
ンとシクロペンタノンからなる混合溶媒に溶解した液を
スピンナー塗付してに＋センサとしたものである。この
勇施例でも、センサ出力は長期に百り、安定であった。
板を利用するイオンセンサに適用した実施例である。サ
ファイア基板１１上のエピシリコン層に不純物を拡散し
ドレン２、ソース２′を形成した。その上に酸化膜３、
絶縁膜４を被せた構造となっている。該絶縁膜上にポリ
塩化ビニルからなる第１高分子膜５を蒸着法で塗付し、
更に、パリノマイシン、ジオクチルアジペート、ポリ塩
化ビニルからなる第２高分子膜材料をテトラヒドロフラ
ンとシクロペンタノンからなる混合溶媒に溶解した液を
スピンナー塗付してに＋センサとしたものである。この
勇施例でも、センサ出力は長期に百り、安定であった。
”０第５図は、本発明による他の実施例
のＦＥＴイオンセンサのゲート部断面図である。この実
施例はサファイア基板１１上にｎシリコン５２．５２’
及びｐシリコン５３からなるゲートを形成したシリコン
オンサファイア（ＳＯ’Ｓ）形のセンサ素子である。通
常のＦＥＴと同様に、ゲートの上部には酸化膜５４、絶
縁膜５５が形成されている。この実施例ではＳｉ３Ｎ＜
膜を絶縁膜とした。Ｓｉ３Ｎ４膜形成後、不活性ガスを
用いるスパッタリングあるいは化学的エツチング法によ
ｊｌ）Ｓ１ａＮ４の表面を不均一にエツチングし、凹凸
を生じさせる。表面に凹凸が生じた素子に第１の高分子
膜５６を真空蒸着法、プラズマ蒸着法などの気相成長法
で塗付する。ここで用いる高分子膜は、例えばポリ塩化
ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレンなどが適してお
り、イオン感応物質は含まない。また、この高分子膜層
の厚さは数μあるいはそれ以下でよい。最終的には、該
高分子膜層の上にイオン感応物質を含む第２の高分子膜
５７を塗付する。この高分子膜は通常行なわれているよ
うに、イオン感応物質、可塑性、膜母材などを適当な溶
媒に溶解し、これを第１の高分子膜上に塗付する方法が
採用できる。この際、第１の高分子膜と第２のイオン感
応高分子膜母材とは同じ材料であることが望ましく、ま
たＱま、異る材質の場合には、・イオン感応、漠の溶媒
が第１の高分子族の溶剤として働くことが望ましい。同
種の材料を用いれば、第１の高分子膜と第２の高分子膜
は連続的な組成変化を示し、完全に接着できる。また、
異種材料を用い、共通溶媒を用いた場合でも、接着層の
強度は十分に高くすることができる。
のＦＥＴイオンセンサのゲート部断面図である。この実
施例はサファイア基板１１上にｎシリコン５２．５２’
及びｐシリコン５３からなるゲートを形成したシリコン
オンサファイア（ＳＯ’Ｓ）形のセンサ素子である。通
常のＦＥＴと同様に、ゲートの上部には酸化膜５４、絶
縁膜５５が形成されている。この実施例ではＳｉ３Ｎ＜
膜を絶縁膜とした。Ｓｉ３Ｎ４膜形成後、不活性ガスを
用いるスパッタリングあるいは化学的エツチング法によ
ｊｌ）Ｓ１ａＮ４の表面を不均一にエツチングし、凹凸
を生じさせる。表面に凹凸が生じた素子に第１の高分子
膜５６を真空蒸着法、プラズマ蒸着法などの気相成長法
で塗付する。ここで用いる高分子膜は、例えばポリ塩化
ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレンなどが適してお
り、イオン感応物質は含まない。また、この高分子膜層
の厚さは数μあるいはそれ以下でよい。最終的には、該
高分子膜層の上にイオン感応物質を含む第２の高分子膜
５７を塗付する。この高分子膜は通常行なわれているよ
うに、イオン感応物質、可塑性、膜母材などを適当な溶
媒に溶解し、これを第１の高分子膜上に塗付する方法が
採用できる。この際、第１の高分子膜と第２のイオン感
応高分子膜母材とは同じ材料であることが望ましく、ま
たＱま、異る材質の場合には、・イオン感応、漠の溶媒
が第１の高分子族の溶剤として働くことが望ましい。同
種の材料を用いれば、第１の高分子膜と第２の高分子膜
は連続的な組成変化を示し、完全に接着できる。また、
異種材料を用い、共通溶媒を用いた場合でも、接着層の
強度は十分に高くすることができる。
第６図は本発明のさらに他の実施例である。第５図の実
施例では、ゲート形成面にのみ高分子膜を塗付していた
が、第６図の実施例では、ゲート而からサファイア基板
全面にまで高分子膜を塗付した。この場合、イオン感応
物質を含まぬ第１の高分子膜５６は蒸着法、特にプラズ
マ重合法あるいは化学的蒸右法（Ｃ’Ｖ Ｄ法）などで
形成し、素子全面に塗付した。また、イオン感応物質を
含む第２の高分子膜５７は、素子をキャスティング溶液
中に浸漬するディップコート法で形成した。具体的には
、第１の高分子膜層はポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）であり
、第２の高分子膜層は母材がポリ塩化ビニルで、可塑剤
、パリノマイシンあるいは第４級アンモニウムなどのイ
オン感応物質と共にテトラヒドロンラン（ＴＨ，Ｆ）に
溶解したキャスティング液から形成した。
施例では、ゲート形成面にのみ高分子膜を塗付していた
が、第６図の実施例では、ゲート而からサファイア基板
全面にまで高分子膜を塗付した。この場合、イオン感応
物質を含まぬ第１の高分子膜５６は蒸着法、特にプラズ
マ重合法あるいは化学的蒸右法（Ｃ’Ｖ Ｄ法）などで
形成し、素子全面に塗付した。また、イオン感応物質を
含む第２の高分子膜５７は、素子をキャスティング溶液
中に浸漬するディップコート法で形成した。具体的には
、第１の高分子膜層はポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）であり
、第２の高分子膜層は母材がポリ塩化ビニルで、可塑剤
、パリノマイシンあるいは第４級アンモニウムなどのイ
オン感応物質と共にテトラヒドロンラン（ＴＨ，Ｆ）に
溶解したキャスティング液から形成した。
本発明のさらに他の実施例を第７図に示す。この実施例
では、シリコン基板１を用いておシ、ドレン、ソース用
ゲー）７１．７１’が基板１内に形成されている。前記
した実施例と同様に、ゲート上には酸化膜７２及び第１
の絶縁膜７３が形成されており、更に第２の絶縁膜７４
で覆われている。第１の絶縁膜は８１３Ｎ４であり、第
２の絶縁膜はＴａ２０５である。Ｔａ２０５膜は形成後
、ドライエツチング法で表面を粗らし、その表面に第１
高分子膜７５．７５’としてプラズマ重合で、ポリ塩化
ビニリデン膜を形成した。該第１高分子膜上にテトラヒ
ドロフランに溶解したイオン感応物質ヲ含むイオン感応
膜７６をキャスティング法により形成した。
では、シリコン基板１を用いておシ、ドレン、ソース用
ゲー）７１．７１’が基板１内に形成されている。前記
した実施例と同様に、ゲート上には酸化膜７２及び第１
の絶縁膜７３が形成されており、更に第２の絶縁膜７４
で覆われている。第１の絶縁膜は８１３Ｎ４であり、第
２の絶縁膜はＴａ２０５である。Ｔａ２０５膜は形成後
、ドライエツチング法で表面を粗らし、その表面に第１
高分子膜７５．７５’としてプラズマ重合で、ポリ塩化
ビニリデン膜を形成した。該第１高分子膜上にテトラヒ
ドロフランに溶解したイオン感応物質ヲ含むイオン感応
膜７６をキャスティング法により形成した。
第６図の実施例でに＋センサを作成し、その特性を従来
のセンサと比較した結果を第８図に示す。
のセンサと比較した結果を第８図に示す。
試料溶液のに＋濃度を１０倍変化させた際の出力電位の
差分をスロープ感度とし、その経時変化を調べた。従来
のセンサは、絶縁膜の表面を処理せず、直接イオン感応
膜を塗付したものである。これを図中Ｂで示した。従来
のセンサは経時的にスロープ感度が低下するのに対し、
本発明のセンサ囚は長時間に渡り、安定な感度を示した
。
差分をスロープ感度とし、その経時変化を調べた。従来
のセンサは、絶縁膜の表面を処理せず、直接イオン感応
膜を塗付したものである。これを図中Ｂで示した。従来
のセンサは経時的にスロープ感度が低下するのに対し、
本発明のセンサ囚は長時間に渡り、安定な感度を示した
。
本発明は、前記した高分子膜以外にも、ポリカーボネー
ト、シリコン、セルロース、テフロン管種々の材質の膜
にそのまま利用できる。また、イオンセンサ以外にも、
ガスセンサ、醪素センサなどにも適用可能である。
ト、シリコン、セルロース、テフロン管種々の材質の膜
にそのまま利用できる。また、イオンセンサ以外にも、
ガスセンサ、醪素センサなどにも適用可能である。
本発明によれば、ＦＥＴの絶縁膜とイオン感応膜との密
着度が高まシ、長期に渡り安定な出力を得られるなどの
効果がある。また、不完全な接合に起因するヒステリシ
スなどが解消され、短時間内の繰返し再現性も向上する
。
着度が高まシ、長期に渡り安定な出力を得られるなどの
効果がある。また、不完全な接合に起因するヒステリシ
スなどが解消され、短時間内の繰返し再現性も向上する
。
第１図は、本発明の詳細な説明する第１の実施例を示す
概略図、第２図は、第２の実施例を示す概略図、第３図
は、本発明の詳細な説明する図、第４図、第５図、第６
図及び第７図は、池の実施例を示す概略図、第８図は、
本発明の詳細な説明する図である。 １・・・シリコン基板、２・・・ドレン、２′・・・ノ
ース、３・・・酸化膜、４・・・絶縁膜、５・・・第１
の高分子膜、６・・・第２の高分子膜、１０・・・Ｔａ
２ｅｓ膜、１１・・・サファイア基板、５２．５２’・
・・ｎシリコン、５３・・・ｐシリコン、５４・・・酸
化膜、５５・・・絶縁膜、５６・・・第１の高分子膜、
５７・・・第２の高分子膜、７１．７１’・・・ドレン
、ノース用ゲート、７２・・・酸化膜、７３・・・第１
の絶縁膜、７４・・・第２の絶縁膜 １ ｎ 第 ２ 図 ￥ｉ ３ 図 日 数 第４図 Ｎｓ図 ｖｉ ｂ 薗
概略図、第２図は、第２の実施例を示す概略図、第３図
は、本発明の詳細な説明する図、第４図、第５図、第６
図及び第７図は、池の実施例を示す概略図、第８図は、
本発明の詳細な説明する図である。 １・・・シリコン基板、２・・・ドレン、２′・・・ノ
ース、３・・・酸化膜、４・・・絶縁膜、５・・・第１
の高分子膜、６・・・第２の高分子膜、１０・・・Ｔａ
２ｅｓ膜、１１・・・サファイア基板、５２．５２’・
・・ｎシリコン、５３・・・ｐシリコン、５４・・・酸
化膜、５５・・・絶縁膜、５６・・・第１の高分子膜、
５７・・・第２の高分子膜、７１．７１’・・・ドレン
、ノース用ゲート、７２・・・酸化膜、７３・・・第１
の絶縁膜、７４・・・第２の絶縁膜 １ ｎ 第 ２ 図 ￥ｉ ３ 図 日 数 第４図 Ｎｓ図 ｖｉ ｂ 薗
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＦＥＴのゲート上に有機高分子中にイオン感応物質
を分散させたイオン感応膜を塗付して形成するイオンセ
ンサにおいて、ＦＥＴゲート部絶縁膜上にイオン感応物
質を含まぬ第１の高分子膜を形成し、更に、その上にイ
オン感応物質を含む第２の高分子膜を形成してなること
を特徴とするＦＥＴイオンセンサ。 ２、ＦＥＴの感応ゲート部に有機高分子中にイオン感応
物質を分散させたイオン感応膜を塗付して形成するイオ
ンセンサにおいて、ＦＥＴゲート部の絶縁膜を不均質に
エツチングし、その上にイオン感応物質を含まぬ高分子
材料を形成し、更に、その上にイオン感応物質が分散さ
れた高分子膜を形成してなることを特徴とするイオンセ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58039274A JPS59164952A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | Ｆｅｔイオンセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58039274A JPS59164952A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | Ｆｅｔイオンセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59164952A true JPS59164952A (ja) | 1984-09-18 |
Family
ID=12548577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58039274A Pending JPS59164952A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | Ｆｅｔイオンセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59164952A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61191955A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-26 | Toshiba Corp | 半導体センサ及びその製造方法 |
| US4798664A (en) * | 1985-12-25 | 1989-01-17 | Terumo Kabushiki Kaisha | Ion sensor |
| US4816118A (en) * | 1986-01-24 | 1989-03-28 | Terumo Corporation | Ion-sensitive FET sensor |
| US4839020A (en) * | 1986-05-26 | 1989-06-13 | Terumo Kabushiki Kaisha | Gas sensor |
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