JPS59164635A - 高純度アルフアヨウ化第2水銀の製造方法 - Google Patents

高純度アルフアヨウ化第2水銀の製造方法

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JPS59164635A
JPS59164635A JP59035460A JP3546084A JPS59164635A JP S59164635 A JPS59164635 A JP S59164635A JP 59035460 A JP59035460 A JP 59035460A JP 3546084 A JP3546084 A JP 3546084A JP S59164635 A JPS59164635 A JP S59164635A
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sulfoxide
alpha
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methanol
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JP59035460A
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ヤン・フロ−ラン・ニコロ
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Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G13/00Compounds of mercury
    • C01G13/04Halides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/12Halides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、周囲温度で作動するX線およびガンマ−線放
射分光計および検出器の製造に用いることができるアル
ファヨウ化第2水銀単結晶の成長用出発原料として用い
る高純度アルファヨウ化第2水銀の製造方法に関する。
従来技術 □ X線およびガンマ−線放射分光光度計および検出器を製
造するには、高純度で完全に制御された成分比を有する
欠陥のないα−HgL単結晶の成長を達成する為の高純
度アルファヨウ化第2水銀が必要である。満足のいく結
果を得るためには、単結晶が禁止帯において低レベルの
捕獲中心を持たないことが重要である。なぜなら、荷電
キャリアが低レベルの中心に捕獲されてしまうからであ
る。低レベルの捕獲中心−は、一般的には単結晶の成分
比についての誤りや、塑性変形(転位)、あるいは、単
結晶の成長中に生じる不純物の含有によって生じる。
単結晶の成分比を制御し、かつ、塑性変形を最小にする
ことを可能とするα−Hg I 2単結晶の製造方法は
公知である。該方法は1979年6月26日付のフラン
ス特許出願箱7916418号に記載されているが、出
発物質としてアルファヨウ化第2水銀多結晶および、あ
らかじめ電気分解によって精製されている、有機スルフ
オキシドおよびメタノールにt1gI2を溶解した溶液
を用いる。
該方法によれば満足のいく性質の結晶を得ることができ
るが、高純度の多結晶を結晶成長用に用いて単結晶の性
質を更に一層改良することが望ましい。なぜなら、高純
度の元素から従来の合成方法によって得られる多結晶中
には、金属質、非金属質および有機質の不純物含量がま
だ多すぎるからである。
高品質の結晶成長に用いることができるα司(gI2の
精製方法も知られている。該方法はフランス特許出願第
2316192号に記載されているが、水銀とヨウ素と
からヨウ化第2水銀を合成する第1工程と、合成によっ
て得られたヨウ化第2水銀を繰り返し昇華することを含
む第2の精製工程と、昇華によって精製したヨウ化第2
水銀のゾーンメルチインクを含む第3の精製工程とを含
んでいる。
しかしながら、該方法には以下に述べるような多くの欠
点がある。
a)乾式合成では、爆発の危険があるため、大量のα−
HgLを得ることが出来ず、従って、該方法によって得
られるα−11g12の量は1回の装填で100gに限
られる。
b)昇華およびゾーンメルチインク工程の回数が多いの
で実行が困難であり、効率および収率が悪い。高純度の
ものを得る為には、6〜30回の連続的昇華および30
〜100回のゾーンメルティング操作を要する。
C)昇華工程における不純物分離の効率が低い。
なぜなら、100〜140℃の昇華温度では殆どの有機
不純物はα司1g12と安定な錯体を形成し、その錯体
の蒸気圧がα−11gI2の蒸気圧とほぼ一致するから
である。従って、これら錯体はα−Hg I 2と共に
昇華し、凝縮する。同様に、有機不純物は昇華に用いら
れる温度では部分的にしか分解しない。かくして、マス
スペクトルの分析によって、昇華の繰り返しによって精
製されかつ気相成長によって得られるアルファヨウ化第
2水銀単結晶中には、少なくとも10元素(C,N、0
.AA、Ca。
Mn、 Na、  K、 CrおよびFe)が含まれて
おり、有機不純物は7種の炭化水素基(C11,、C2
H,。
C3H5,C3H,、C,H4,C,H7およびC,H
8)に比較的高濃度で分解していることが明らかとなっ
た。なぜなら、分析値は平均して各元素および炭化水素
基あたり50〜1100pp原子を超えているからであ
る。
d)ゾーンメルティングは溶融HgI2の蒸気圧が高い
為に実施が困難である。特に、昇華によって精製したH
g12は大量の有機不純物を含んでおり、該不純物は分
解して、ゾーンメルティングによっては分離できない炭
素やタール懸濁物を生じ、また、過圧によって精製すべ
きlIgLの入っている封管を砕いてしまう恐れがある
ガス状生成物を生ずるからである。
他の精製方法も知られており、該方法はα−Hg12飽
和塩酸溶液(1:1)から約100℃で再結晶して精製
する第1工程と、パ熱化学的′”蒸留(約200℃で真
空蒸発し、400〜5(10℃で l1gI2蒸気を過
熱し、次いで40〜50℃でα−HgI2を凝縮する)
の第2工程と、120〜130℃で繰り返し昇華する第
3の精製工程から成る。
しかしながら、この方法にも以下に述べるような多くの
欠点がある。
a)生成物に塩素が混入している。
b)生成物は非化学量論的である(Hgに富むものとな
る)。
C)最後の昇華を2g/時なる極めて低い昇華速度で6
〜8回行う必要があり、全体の収率も10〜12%にと
どまる。
発明の目的 本発明の目的は、前述した従来方法の欠点を克服し、且
つ、良好な効率または収率であらゆる不純物(金属質、
非金属質および有機質の)を取り除くことを可能にし、
かつ工業的規模で実施するのに適した高純度アルファヨ
ウ化第2水銀の製造方法を提供することにある。
発明の構成 即ち更に詳しくいえば、本発明は a)アルファヨウ化第2水銀を合成し、h)得られたア
ルファヨウ化第2水銀を、少なくとも255℃で行う少
なくとも1回の真空蒸留工程から成る精製処理に付し、
該蒸留工程は、異なる温度に保たれた3つの連続した領
域を有し真空ポンプで真空に維持される反応器中で行わ
れ、第1の領域はα−f1gI2の三重点温度即ち25
5℃に保ち、その中に精製すべきアルファヨウ化第2水
銀を入れ、第2の領域は255〜300℃に保ち、第3
の領域は蒸発したアルファヨウ化第2水銀の凝縮を行う
ために他の2つの領域よりも低い温度に保ち、すなわち
該第3の領域は空冷することから構成される高純度アル
ファヨウ化第2水銀の製造方法を提供するものである。
蒸留が終了したのち、反応器の第3の領域の壁に結晶し
たα−1gI2を回収する。一般的には、数回の蒸留が
行われ、各蒸留サイクルでは前回の凝縮によって得られ
たアルファヨウ化第2水銀の結晶がそれぞれ用いられる
。蒸留回数は通常6〜12回である。
この真空蒸留工程を行うことにより、はとんどの不純物
を除去し、同時にヨウ化第2水銀の化学量論的組成を制
御することが可能となる。
かくして、HgI2 との錯体の形で存在し、11gI
2の蒸気圧に匹敵する蒸気圧を有する無機不純物のほと
んどが255〜300℃で分解し、その分解生成物の蒸
気圧はHgLの蒸気圧よりも十分低くなる。
その結果、これら不純物は反応器の底および側壁に残渣
として残る。同様に、有機不純物もこの温度で分解し、
N2. +(20,N2.NH3,CH,、Co、 C
o2等のガスは真空ポンプで排除され、炭素あるいはあ
る種のタールが残渣中に残る。更に、不純物とHg12
の分圧の差に基づく蒸留は、不純物とHg12の蒸気圧
の差のみに基づく昇華よりも有効である。
かくして、蒸留は、残渣中にヨウ化物として存1 在するしi、  Na、  K、 Mg、  Ca、 
 Cr (U)、  Mn、  Ni。
Co、 Ag、 BaおよびPh、珪酸塩として存在す
るA1およびSI、ホウ酸塩として存在するB1リン酸
塩として存在するP1ヒ酸塩として存在するAs、酸化
物として存在するTi、Zr#よび■を除去するのに極
めて有効である。
同様に、蒸留は、残渣中にヨウ化物として存在するRe
 (In)、Cu  (1)、 Zn、 Cdおよび5
n(II)。
それぞれHgSおよびHgSeとして存在するSおよび
Seを分離するためにも有効である。
リン、ホウ素およびヨウ素は極めて揮発性であるから、
これらはポンプと反応器との間にある液体窒素で冷却さ
れたトラップにそれぞれPI3、BI3およびI2とし
て凝縮される。
HgI2よりも揮発性であるハロゲン化水銀の形で存在
するフッ素、塩素および臭素はトラップ中で部分的に凝
縮する。ヨウ化物として存在するチタン、スズ(IV)
および水銀(1)についても同様である。
蒸留はヨウ化物として存在するAI、Si、 Cr (
III)、2 As、 V#よび2rの分離にはそれほど有効ではない
なぜなら、これらのヨウ化物はt1gI2に匹敵する蒸
気圧を有するからである。
かくして、本発明の方法は非常に有効である。
本発明の方法の有利な1特徴によれば、アルファヨウ化
第2水銀の合成はメタノールを含有する有機スルフオキ
シド溶液中で水銀とヨウ素とを反応させることによって
行う。
該反応は約20℃の周囲温度で半導体用の石英反応器中
で行う。高純度すなわちm7nの純度の水銀と、電子的
純度のメタノールを含む分光学的純度の有機スルフオキ
シド溶液に溶解した高純度すなわちm5N5の純度を有
するヨウ素を用いた。溶液の温度上昇を避けるために、
攪拌しながら水で冷却し、ヨウ素が消費しつくされるま
で水銀を徐々に加える。該溶液は化学量論的組成のHg
I2を得る為に必要な量に比較してヨウ素を過剰に含ん
でいることが好ましい。
該合成に用いる溶液中におけるモル比〔有機スルフオキ
シド]/([スルフオキシド〕十〔メタノール〕)は0
.6〜0,8の範囲内であることが有利である。
かくして、該操作の終了時には、11g12の飽和溶液
が得られ、該飽和溶液から、後の蒸留による精製を可能
にする為に常法、たとえば水中で沈澱させることにより
11gI2を回収することができる。
高純度のものを得るには前述した合成が望ましいが、本
発明に従って他の方法、例えば水溶液中における合成、
二重交換反応あるいは乾式合成によってもアルファヨウ
化第2水銀を合成することが可能である。
本発明によると、得られた生成物は次に少なくとも1回
の真空蒸留工程より成る精製処理を経る。
本発明に従えば、該蒸留工程を行う前に、アルファヨウ
化第2水銀は、有機スルフオキシドに溶解した状態での
中間的な電解精製工程および/またはヨウ化第2水銀の
有機スルフオキシド溶液からのアルファヨウ化第2水銀
の中間的再結晶工程を経ることが好ましい。
電解精製および再結晶に用いる溶液は、合成に用いた溶
液と同様にメタノールを含んでいる。電解精製用には、
メタノールの添加は、モル仕〔スルフオキシド〕/(〔
スルフオキシド〕十〔メタノール〕)が0.6〜0.9
の範囲となるようにする。
更に、電解精製工程は、溶液中で水銀とヨウ素とから合
成する際に得られるt1gI2飽和溶液を用いて直接行
うこともできる。
本発明に従えば、電解精製工程は、溶液の最小の伝導度
即ち20℃で100μScm−’未満となるように行う
。該精製は、1979年6月26日にC,E、A。
によって出願されたフランス特許出願箱7916418
号に記載された条件下で行うのが有利である。
本発明の変形に従えば、合成で得たl1gI2飽和溶液
から沈澱により回収したアルファヨウ化第2水銀単結晶
を有機スルフオキシドおよびメタノールに溶解すること
によって調製したアルファヨウ化第2水銀溶液を電解精
製用に用いることが可能である。この場合、l1gI2
を沈澱させる為に該飽和溶液に伝導度水を加える。沈澱
を濾過して分離し、半導体用の石英容器を用いて例えば
80℃で真5 空乾燥する。
電気分解は、溶液中に電解的に解離しているあらゆる不
純物を取り除くことによりHgI2を精製するのに有効
な方法である。ヨウ素合成に由来する有機不純物は電気
分解では解離しないので、それらは電気分解で分離する
ことはできない。
電解精製工程の終了時に満足のいく純度を達成する為に
は、数回のカチオン分離操作および数回のアニオン分離
操作、すなわち8〜24回のカチオン分離操作および2
〜6回のアニオン分離操作を行うことが望ましい。該電
解精製工程に次いで、α−Hglz は前述したように
水を用いて沈澱させることにより回収する。
該α−HgI2は次いで真空蒸留工程を経るが、この工
程はメタノールを含む有機スルフオキシド溶液から再結
晶することからなる中間的精製処理の後に行うことが望
ましい。モル比〔スルフオキシド〕/(〔スルフオキシ
ド〕十〔メタノール〕)は0.1〜0.2の範囲である
ことが望ましい。再結晶は通常65℃〜15℃の範囲内
で行われる。温度の6 関数としての溶液中におけるl1gI2の溶解度の増加
が制限されるいう事実から、該再結晶は異なる温度に保
たれた2つの領域をもつ容器、すなわち第1の溶解領域
は60〜65℃に熱せられ、第2の再結晶領域は約15
〜20℃以下に保たれた反応器中で行われる。使用され
る反応器は半導体用の石英反応器で二重壁を有している
ものでよい。該反応器の底には再結晶さるべきアルファ
ヨウ化第2水銀を入れて、これを水で熱し、一方、該反
応器の側壁上部を冷水で冷却する。すると、α−Hg 
I 2の結晶が底部では溶解しており、また平均2〜3
mmの大きさの多結晶の密なかたまりとなって側壁部で
は結晶化する。熱対流によって物質の移動が自然に起こ
るのである。
HgLが)1g2I 2に還元されるのを防ぐ為、ヨウ
素を再結晶溶液に過剰に加えるのが好ましい。
かくして、溶液中で濃縮される可溶性不純物が除去され
る。しかしながら、Cu、 Ag、 BrおよびCdを
除去することはもっと困難である。ヨウ素合成(または
出発物質として用いたHgL)に由来する重質有機ヨウ
化物についても同様のことが言える。純度を高める為に
通常数回の再結晶を行い、一般的にはその回数は3〜6
回である。
本発明に従えば、合成用溶液、電解精製用溶液および再
結晶精製用溶液で用いることのできる有機スルフオキシ
ドは、ジメチルスルフオキシド(DMSO)、メチルエ
チルスルフオキシド、ジエチルスルフオキシド、テトラ
メチレンスルフオキシド等のジアルキルスルフオキシド
である。通常は、ジメチルスルフオキシドを用いる。
実施例 本発明を、以下に添付図面を参照しつつ記載する実施例
により更に具体的に説明する。しかし、本発明はこれら
実施例により何隻制限されない。
本実施例は、ヨウ化第2水銀溶液中で最初の合成工程を
行い、スルフオキシド中におけるアルファヨウ化第2水
銀の電解精製、l1g I 2の有機スルフオキシド溶
液からのα−HgI2の再結晶および真空蒸留より成る
三つの精製工程を行うことによって高純度のアルファヨ
ウ化第2水銀を得ることに関する。
a)α−11gI2の合成 α−HgLの合成は、軸方向の攪拌器と反応器のふたま
たはキャップを貫通する滴下ロートとを備えた3リツト
ルの石英反応器中で行う。
6.5モルの電子的純度のメタノール(MeOII )
で希釈した分光用のDMSO(AIdrich製)26
.5モルを反応器中に入れる。このときモル比CDMS
O1/(CDMSO) +[:Meol−1])は0.
8に相当する。m5N5の純度を有するヨウ素8g原子
を該溶液に溶解する。次いで、m7Nの純度を有する水
銀4g原子を攪拌しながら徐々に加える。水銀は反応器
の底でヨウ素と反応して8gI2を生じ、これは溶液中
に溶解する。反応は2つの元素のうちのいずれかが消費
されつくすと終了する。しかる後少量の追加の水銀を添
加し、反応の終点は溶液の色が茶色から麦わらの黄色に
変化することにより示される。
その後、8g原子のヨウ素と4g原子の水銀とを9 再度添加し、該反応の終了時に更に8g原子のヨウ素お
よび4g原子の水銀を添加する。24時間後には12モ
ルのHgI2を含有する溶液が得られる。
かくして得られたHg12の化学量論比を制御又は点検
する為に、該操作の最後に少量の追加のヨウ素(0,5
〜Ig)を添加する。グリースのような外観を有して表
面に浮いている痕跡の白色不純物(有機生成物)を除去
する為に、該溶液を石英の濾過板を有し、多孔度4のフ
ィルター上で濾過する。
250モルの伝導度水を添加して沈澱させることによっ
て、該溶液から固体のα−f1gIzを回収することが
可能である。容易に沈降する沈澱物は、250モルの伝
導度水で6回、石英の濾過板を有するフィルター上に滴
下しながら洗浄し、1350Paの真空下に80℃のオ
ーブン内で48時間乾燥する。添付した表の第1欄は、
かくして得られたアルファヨウ化第2水銀の不純物含量
を表している。
0 b)電気分解による精製 α−HgI2結晶を木精製工程のためにDMSOおよび
MeOH溶液に再度溶解する。前記合成工程の終了時に
得られたヨウ化第2水銀の飽和溶液を直接用いることも
可能である。
精製は、第1図に示す器具中で行う。該器具は、電解溝
の陽極空間を構成する10リツトルの球形フラスコ1′
J3よび電解溝の陰極空間を構成する容積100rr+
j!の石英管2より成る。陽極室には、石英の攪拌器3
を設け、陰極室にはグラファイトの陰極4を設ける。
陽極室の陽極は、フラスコ1の底部におかれた過剰の水
銀5より成り、タングステンワイヤで直流発電機と接続
されている。陰極空間は、隔壁を形成するフリット化石
英板7によって陽極空間と連結されている。精製すべき
ヨウ化第2水銀溶液を陽極空間に導入し、200■の電
圧を両電極間にかけ、一方、温度を20℃に制限する為
に、球形フラスコを横切る石英コイル8に冷水を循環さ
せて該溶液を冷却する。上記電流は20〜loomAの
間で変化する。
このような条件下で、電流は、ヨウ化第2水銀アニオン
[Hgl。]−1不純物のカチオンおよびある程度はカ
チオンl:l1gI]+によって運ばれる。
これらすべてのイオンは、次のようなタイプの一般的反
応、例えばヨウ化ナトリウムの場合には反応: Nal +  11g12−  Na” +[:lIg
L :l −に従って、不純物のヨウ化物がヨウ化第2
水銀と錯体を形成するとか、あるいは、反応;28g1
2−CI−1にI〕“+〔l(glJ−に従ってヨウ化
第2水銀がある種の自己錯化を行うことによって生じる
陽極では、ヨウ化第2水銀アニオンが放電して、ヨウ素
を供給する。ヨウ素の集積を防ぐ為に、馬刺の高純度の
7N水銀が球形フラスコの底部に置かれており、これが
ヨウ素と反応して、ヨウ化第2水銀を再度形成する。溶
液はこの場合、過飽和を避ける為にしばしば希釈される
陰極では、不純物のカチオン、すなわちNa”、K” 
 、 Re”、 N12+、Cu”  、Cu”、 C
r3+、Ca 2 +、Ag”などが陰極空間2に集積
する。CflgD”カチオンは放電し、不溶性ヨウ化第
1水銀泥9となって沈澱する。ある種の不純物カチオン
はヨウ化第1水銀泥と同時に沈澱するかもしくはヨウ化
第1水銀に吸収される。陰極空間の導電率は、イオン化
した不純物の集積によって1ないしは2桁増加する。次
いで、加圧下で空間2をからにして、電気分解を続行す
る。陽極空間の導電率は、精製の結果として次第に減少
し、20℃では110μScm−’で一定となるが、こ
の値は近似的である。1(、ぜなら、導電率は活性ヨウ
化第2水銀の自己解離のみならず、例えば他のハロゲン
化物、硝酸塩、硫酸塩およびシアン化物等の不純物とし
てヨウ化第2水銀を同伴する他のイオン化した水銀塩の
量によっても影響を受けるからである。
精製は、陰極空間の導電率がもはや増加しないか、ある
いは非常にゆっくりと増加するようになるまで続行する
。その後、不純物カチオンを溶液から除去すると、純度
はm6−7Nに達する。不純物3 アニオンをも除去する為に、補足的な精製がおこなわれ
、上記と同様の手法を行い得る。ただし、極性を逆にす
る。
このようにして、良好な精製度を達成するためには、カ
チオンを除去する為に24回の精製操作を行い、アニオ
ンを除去する為に6回の精製操作を行う。他の実施例に
おいては、カチオンを除去するのに8回の精製操作を行
い、アニオンを除去するのに2回の精製操作を行う。こ
こで精製操作という用語は、カチオンおよびアニオン除
去の両方の場合において、1回電気分解を行ない、次い
で隔室2をからにすることに対応する操作を意味すると
いうことを指摘しておく。これらの実施例においては、
各操作は約7日間続けられ、各操作の終了時には、隔室
2をからにすることによって、65m1の不純物溶液が
得られる。
これら種々の電解精製操作の後、溶液中のヨウ化第2水
銀を前述したように伝導度水によって沈澱させる。かく
して得られたα−Hglaの不純物含量は添付した表に
示しである(第2欄および第34 欄)。
c)Hg12の再結晶工程 本工程は第2図に示す反応容器を用いて行う。
該反応容器は、石英容器10を含み、反応器中の10a
および10bの領域は水の循環によって異なる温度に上
げることができるように設計された二重壁を備えている
。反応器の上部には還流冷却器11が設けられている。
工程a)において得られたα−11g1210モルと、
モJL/上ヒ[DMSO:] / ([DMSO] +
[MeOH] )が0.1のDMSOおよびMeOH溶
液40モル(1740m Il )を反応器中にいれる
。反応器の下部10aを熱水循環によって65℃に保つ
と、HgI2の結晶が領域10aで溶解する。反応器の
上部10bは冷水循環によって15℃に保つ。
こうして、α−11gLが5日後には反応器の領域10
bの壁上に密なかたまりとして再結晶する。
再結晶操作の効率は約95%である。該再結晶が終了し
たら、領域10aに残っている溶液を除去し、領域10
bの側壁上で再結晶したヨウ化第2水銀を回収する。こ
れらの結晶を再度反応器の下部に入れる。新しいDMS
O/ MeOH溶液を加え、更に再結晶を行う。本実施
例では、4回の再結晶操作を行った。かくして精製され
たα−11g12の不純物含量は添付した表の第4欄に
示されている。
最後の再結晶操作の後、反応器の領域10bの側壁で回
収されたα−Hg12の結晶は、真空蒸留による最終精
製工程を行う前に、80℃のオーブン中で1350Pa
の真空下で乾燥する。
d)真空蒸留工程 本工程は、3つの連続した領域12a、12b、おび1
2cを有する3リツトルの石英反応器12を含む第3図
に図示した装置を用いて行う。反応器の下部に位置する
領域12aは電気的加熱によって255℃の温度まで上
げることができる。領域12bは電気加熱によって30
0℃に保たれ、第3の領域12cは自然対流により空冷
される。上部13に連結した真空ポンプによって反応器
中を真空にする。
α−Hg125kgを反応器の底の領域12aに入れ、
連続排気により10−’Paの真空状態にする。結晶は
溶けて、255℃で蒸留が起こる。HgI2の蒸気は上
部領域12cの壁上で凝縮し、そこでα−11gI2の
結晶が形成される。蒸留は約4時間続ける。該蒸留が終
わるとすぐに、領域12cの壁上で再結晶化した結晶層
を取除き、反応器の底および中間領域12bの器壁に残
っている第1回目の蒸留の残渣を除去した後、第2回目
の蒸留操作を行う為に、前記結晶層を反応器の底に容れ
る。各蒸留操作の効率は約99%であり、約12回の蒸
留精製操作を行う。
添付した表には、12回の蒸留精製操作で得られたα−
HgLの不純物含量が示しである。
7 9 8 1:カチオン精製操作8回およびアニオン精製操作2回
2:カチオン精製操作24回およびアニオン精製操作6
回表中の元素のリストは、使用した分析では定量するこ
とができないC10、N、Hを除いて、α11gL中に
含まれる全ての不純物を表している(表参照)。
該表に与えられた結果からすると、本発明方法の各工程
はアルファヨウ化第2水銀中の不純物含量を減少するの
に非常に有効であるといえる。
かくして、溶液中の合成で得られたアルファヨウ化第2
水銀の全不純物含量は376ppmであったが、この不
純物含量はa)電気分解による10回の精製操作の後に
は83ppmに、そして30回の電気分解による精製操
作後には19ppmに減少し、b)再結晶による4回の
精製操作後には53ppmに減少し、C)12回の蒸留
操作後には9 ppmに減少する。
マス・スペクトルで定量できなかった不純物のうちでは
、Cが圧倒的に多い。合成したα−Hg I 2結晶中
のC含量は約500ppmである。それが4回の再結晶
操作後には約200ppmに減少し、12回の蒸留操作
後にはわずかに数ppmとなる。
本発明の方法の異なる工程を連続して行った場合には、
電気分解10回、再結晶4回および真空蒸留12回の後
に、α−11g12の不純物含量を1 ppm以下にす
ることが可能である。
本発明による精製方法は、前記3つの精製工程を組み合
せることにより、α−11g12の全ての不純物を除去
することができる。かくして、有機不純物は電気分解で
は除去できないが、再結晶および蒸留によって除去する
ことができる。Cu、 Ag。
8rおよびCdは再結晶によっては効果的に除去するこ
とができないが、電気分解および蒸留によって除去する
ことができる。A1、Si、 Cr(II[)、As。
■およびZrは蒸留によっては効果的に除去できないが
、電気分解および再結晶によって除去することができる
本発明による方法で得られた精製α−Hg I 2結晶
は、不活性ガス雰囲気中で、石英、ポリエチレンまたは
テフロンのびんに入れて保存する。
該結晶は、核検出に要求される品質にみあうアルファヨ
ウ化第2水銀の単結晶を液相または気相中で成長させる
ことによって得る為の、十分な純1 度および成分比を備えた出発原料として用いることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、電解精製に用いる器具を説明するための図で
あり、第2図は、再結晶による精製に用いる器具を説明
するための図であり、 第3図は、11g1.の真空蒸留による精製に用いる反
応器を説明するための図である。 (主な参照番号) 1:球形フラスコ 2:石英管 3:攪拌器 4:グラファイト陰極 5:水銀 6:タングステンワイア 7:フリット化石英板 8:石英コイル 9:ヨウ化第1水銀泥 2 IO110a110b=石英容器 11:還流冷却器 12.12a、12b、12c :石英反応器13:真
空ポンプ接続用排気口 特許出願人  コミサリアタ レネルジーアトミック 代理人 弁理士新居正彦

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)a)アルファヨウ化第2水銀を合成し、b)かく
    して得られたアルファヨウ化第2水銀を少なくとも25
    5℃で少なくとも1回の真空蒸留工程より成る精製処理
    に付し、該蒸留工程は、異なる温度に保たれた3つの連
    続した領域を有し、真空ポンプで真空に維持される反応
    器中で行い、第1の領域はα−HgLの三重点温度即ち
    255℃に保ち、その中に精製すべきアルファヨウ化第
    2水銀を入れ、第2の領域は255〜300℃に保ち、
    第3の領域は蒸発したアルファヨウ化第2水銀の凝縮を
    行うために他の2つの領域よりも低い温度に保ち、すな
    わち該第3領域は空冷することを特徴とする高純度アル
    ファヨウ化第2水銀の製造方法。 (2)前記アルファヨウ化第2水銀を、水銀とヨウ素と
    をメタノール含有有機スルフオキシド溶液中で反応させ
    ることにより合成することを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の方法。 (3)該有機スルフオキシド−メタノール溶液が過剰の
    ヨウ素を含有していることを特徴とする特許請求の範囲
    第2項記載の方法。 (4)モル比〔スルフオキシド]/([:スルフォキシ
    ド]十〔メタノール〕)が0.6〜0.8であることを
    特徴とする特許請求の範囲第2項記載の方法。 (5)前記有機スルフオキシドがジメチルスルフオキシ
    ドである特許請求の範囲第2項または第3項記載の方法
    。 (6)前記精製処理が、有機スルフオキシド中に溶解し
    たアルファヨウ化第2水銀の電解精製工程からなる第1
    段階と真空蒸留工程からなる第2段階を含む特許請求の
    範囲第1項記載の方法。 (7)前記アルファヨウ化第2水銀の精製処理が、ヨウ
    化第2水銀の有機スルフオキシド溶液からアルファヨウ
    化第2水銀を再結晶させる第1の工程と、真空蒸留から
    なる第2の工程とを含むことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 (8)前記アルファヨウ化第2水銀の精製処理が、有機
    スルフオキシド中に溶解したヨウ化第2水銀の電解精製
    からなる工程と、斯くして精製されたアルファヨウ化第
    2水銀を有機スルフオキシド中に溶解した溶液から再結
    晶させる第2工程と、真空蒸留からなる第3工程を含む
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 (9)前記の電解精製からなる第1工程に用いるアルフ
    ァヨウ化第2水銀溶液がメタノールを含有していること
    を特徴とする特許請求の範囲第6項または第8項に記載
    の方法。 00  モル比〔スルフオキシド〕/(〔スルフオキシ
    ド〕十〔メタノール〕)が、電解精製に用いるヨウ化第
    2水銀溶液において0.6〜0.9であることを特徴と
    する特許請求の範囲第9項記載の方法。 (11)  前記再結晶工程に用いるアルファヨウ化第
    2水銀溶液がメタノールを含有していることを特徴とす
    る特許請求の範囲第7項または第8項に記載の方法。 (12)  前記再結晶工程に用いるヨウ化第2水銀溶
    液中のモル比〔スルフオキシド:]/([スルフオキシ
    ド〕十〔メタノール〕)が0.1〜0.2であることを
    特徴とする特許請求の範囲第11項記載の方法。 (13)  前記再結晶に用いるアルファヨウ化第2水
    銀溶液が過剰のヨウ素を含有することを特徴とする特許
    請求の範囲第7項または第8項記載の方法。 (14)  前記再結晶が、異なる温度に保持された2
    つの領域を有する反応器、即ち第1の溶解領域を60〜
    65℃に加熱し、第2の結晶化領域を20℃以下に保持
    した反応器中で行われることを特徴とする特許請求の範
    囲第7項または第8項に記載の方法。 (15)  前記有機スルフオキシドがジメチルスルフ
    オキシドであることを特徴とする特許請求の範囲第6項
    〜第8項のいずれか1項に記載の方法。 (16)  前記電解精製が水銀陽極およびグラファイ
    ト陰極を用いて行われることを特徴とする特許請求の範
    囲の第7項または第8項に記載の方法。
JP59035460A 1983-02-28 1984-02-28 高純度アルフアヨウ化第2水銀の製造方法 Pending JPS59164635A (ja)

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FR8303262 1983-02-28

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FR2541668A1 (fr) 1984-08-31
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FR2541668B1 (fr) 1985-06-07
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