JPS5916278B2 - マトリツクス型薄膜el表示装置の読出装置 - Google Patents
マトリツクス型薄膜el表示装置の読出装置Info
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- JPS5916278B2 JPS5916278B2 JP52090660A JP9066077A JPS5916278B2 JP S5916278 B2 JPS5916278 B2 JP S5916278B2 JP 52090660 A JP52090660 A JP 52090660A JP 9066077 A JP9066077 A JP 9066077A JP S5916278 B2 JPS5916278 B2 JP S5916278B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は印加電圧と発光輝度の関係においてヒステリシ
スメモリー特性をもつ三層構造薄膜EL表示装置のメモ
リー読出装置に関し、特にマトリックス電極を持つ薄膜
EL表示装置のS/Nを向5 上した読出装置に係る。
スメモリー特性をもつ三層構造薄膜EL表示装置のメモ
リー読出装置に関し、特にマトリックス電極を持つ薄膜
EL表示装置のS/Nを向5 上した読出装置に係る。
三層構造薄膜EL表示装置は第1図に一部切截斜視図を
示すように構成される。
示すように構成される。
ガラス基板1の上に透明電極2を縞状に配置し、この上
に例えばY203、Si3N4、TiO2、Al2O3
等の誘導物0 質3を更にこの上に例えばMnをドープ
したZnS(黄燈発光)等の螢光層4を、その土に更に
Y2O3、Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘導
物質3’を蒸着法、スパッタ法等の薄膜技術により50
0〜10000Aの厚さに被着して2重絶縁5 型3層
構造にして、その上に上記透明電極2と直交する方向に
縞状電極5を配置しマトリックス形電極を構成する。か
かる構造の3層構造薄膜EL表示装置において、第1の
電極群2のうちの一つと第2の電極群のうちの一つを選
び適当な交流電ワ 圧を印加すると、この両電極が交差
して挾まれた微少面積部分が発光する。これが画面の−
絵素に相当する。これの組合せによつて文字、記号模様
等を表示する。このような構造のELは輝度や寿命、安
定性の; 点で従来の分散型EL素子に比して優れた特
性を有しているが、このELは新たに印加電圧と発光輝
度の間に第2図bに示すようなヒステリシス特ハー性を
示す。
に例えばY203、Si3N4、TiO2、Al2O3
等の誘導物0 質3を更にこの上に例えばMnをドープ
したZnS(黄燈発光)等の螢光層4を、その土に更に
Y2O3、Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘導
物質3’を蒸着法、スパッタ法等の薄膜技術により50
0〜10000Aの厚さに被着して2重絶縁5 型3層
構造にして、その上に上記透明電極2と直交する方向に
縞状電極5を配置しマトリックス形電極を構成する。か
かる構造の3層構造薄膜EL表示装置において、第1の
電極群2のうちの一つと第2の電極群のうちの一つを選
び適当な交流電ワ 圧を印加すると、この両電極が交差
して挾まれた微少面積部分が発光する。これが画面の−
絵素に相当する。これの組合せによつて文字、記号模様
等を表示する。このような構造のELは輝度や寿命、安
定性の; 点で従来の分散型EL素子に比して優れた特
性を有しているが、このELは新たに印加電圧と発光輝
度の間に第2図bに示すようなヒステリシス特ハー性を
示す。
これを第2図に従い説明すると、最初第2図aの如く電
圧振幅V1のパルスを印加すると、輝度は同図B,cに
示すように輝度B1のレベルにある。ここで維持電圧V
1は発光閾値電圧VthとするとV1〉Vthである。
維持電圧V1の連続印加では輝度B1は維持される。次
に書込み電圧V2を印加すると、輝度B3まで一挙に上
昇し、以後一定時間内に電圧が維持電圧VlVC再び戻
しても輝度は先の輝度B,より大きい輝度B2に落着く
。維持電圧V1の連続印加では輝度B2は維持される。
この状態のとき、次に消去電圧V3を印加すると、輝度
レベルは急激に減少し、再び維持電圧V1まで戻すと、
輝度B1に落着く。これらの時間的な関係は第2図aに
付された記号Tl,t2,・・・・・・,T2lが同図
cの同じ記号に対応させることにより示されている。こ
の履歴現象は第2図bの細線で示したように書込み電圧
の振幅やパルス幅(図示せず)、パルス周波数に応じて
任意の小ループをとりうる。即ち中間調の表示も可能で
ある。このように一度書込み電圧、又は消去電圧を与え
ると、各絵素は維持パルスによつてそれぞれ与えられた
階調を失わずに発光し続けるのが、このEL表示装置の
他の表示装置に無い大きな特徴である。上記の各電圧は
組成や膜厚の物理条件や製造条件、印加波形により大分
異なるが、因みにある試作例ではVth=200V,.
V1=210V,.V2−210〜280V,.V3−
190Vである。この三層構造薄膜EL表示装置は上記
のように印加電圧、パルス幅、パルス周波数によつて書
込み、消去、メモリーが行える外に、メモリー状態を電
気的に読出すことができる。
圧振幅V1のパルスを印加すると、輝度は同図B,cに
示すように輝度B1のレベルにある。ここで維持電圧V
1は発光閾値電圧VthとするとV1〉Vthである。
維持電圧V1の連続印加では輝度B1は維持される。次
に書込み電圧V2を印加すると、輝度B3まで一挙に上
昇し、以後一定時間内に電圧が維持電圧VlVC再び戻
しても輝度は先の輝度B,より大きい輝度B2に落着く
。維持電圧V1の連続印加では輝度B2は維持される。
この状態のとき、次に消去電圧V3を印加すると、輝度
レベルは急激に減少し、再び維持電圧V1まで戻すと、
輝度B1に落着く。これらの時間的な関係は第2図aに
付された記号Tl,t2,・・・・・・,T2lが同図
cの同じ記号に対応させることにより示されている。こ
の履歴現象は第2図bの細線で示したように書込み電圧
の振幅やパルス幅(図示せず)、パルス周波数に応じて
任意の小ループをとりうる。即ち中間調の表示も可能で
ある。このように一度書込み電圧、又は消去電圧を与え
ると、各絵素は維持パルスによつてそれぞれ与えられた
階調を失わずに発光し続けるのが、このEL表示装置の
他の表示装置に無い大きな特徴である。上記の各電圧は
組成や膜厚の物理条件や製造条件、印加波形により大分
異なるが、因みにある試作例ではVth=200V,.
V1=210V,.V2−210〜280V,.V3−
190Vである。この三層構造薄膜EL表示装置は上記
のように印加電圧、パルス幅、パルス周波数によつて書
込み、消去、メモリーが行える外に、メモリー状態を電
気的に読出すことができる。
薄膜EL素子は二重の絶縁層で螢光層を挟むので、容量
性素子と考えることができ、維持電圧印加の際には変位
電流が流れるが、この素子が発光状態をメモリしている
ときには、維持電圧の印加により変位電流に更に発光輝
度の大きさに応じた電流が重畳して流れる。
性素子と考えることができ、維持電圧印加の際には変位
電流が流れるが、この素子が発光状態をメモリしている
ときには、維持電圧の印加により変位電流に更に発光輝
度の大きさに応じた電流が重畳して流れる。
この電流を分極電流と呼ぶ。実際には消去状態時に於て
も多少のバツクグランドの浮上りがあるので、それに対
応してわずかの分極電流が流れる。例えば第3図aに示
すような維持電圧パルスがEL素子に印加されたとき、
該素子を流れる電流は消去状態のときは、第3図bに実
線11で示すように変位電流の波形を示すが、発光状態
のときは破線12で示すようにこれに分極電流を重畳し
た波形を示す。分極電流を判別するために、本件発明者
等は特願昭49−101718号「発光素子のメモリー
内容検出方法」(特開昭51−28446号公報参照)
によつてEL素子に流れる電流がある特定の時点(例え
ば分極電流がある場合、そのピークを与える時点)で、
変位電流にノイズマージンを加えたある所定レベルを越
えるか否かで、発光状態が消去状態かを検出する方法及
び回路を提案した。
も多少のバツクグランドの浮上りがあるので、それに対
応してわずかの分極電流が流れる。例えば第3図aに示
すような維持電圧パルスがEL素子に印加されたとき、
該素子を流れる電流は消去状態のときは、第3図bに実
線11で示すように変位電流の波形を示すが、発光状態
のときは破線12で示すようにこれに分極電流を重畳し
た波形を示す。分極電流を判別するために、本件発明者
等は特願昭49−101718号「発光素子のメモリー
内容検出方法」(特開昭51−28446号公報参照)
によつてEL素子に流れる電流がある特定の時点(例え
ば分極電流がある場合、そのピークを与える時点)で、
変位電流にノイズマージンを加えたある所定レベルを越
えるか否かで、発光状態が消去状態かを検出する方法及
び回路を提案した。
しかし、この方法は特定レベルで変位電流と分極電流を
分離するものであるから、上記特定レベルの設定には慎
重な配慮が必要であるばかりでなく、変位電流の大きさ
が分極電流の大きさに比べて大きくなると、それにつれ
てS/Nが悪くなる。また上記変位電流に相似な電流を
コンデンサ、抵抗等のアナログ素子を用いて消去時等価
回路を構成したり、消去時の波形そのものをROM等に
メモリーすることにより消去時電流を除くことが考えら
れる。しかし、この方法もEL素子が単体である場合に
は消去時波形は一つであり、上記考えを適用し得るが、
マトリツクス素子では次のような問題がある。1マトリ
ツクス駆動の場合、駆動方法によつてはマトリツクス数
が多くなるに従い廻りこみ等の原因のため、変位電流の
大きさが大幅に増大する。
分離するものであるから、上記特定レベルの設定には慎
重な配慮が必要であるばかりでなく、変位電流の大きさ
が分極電流の大きさに比べて大きくなると、それにつれ
てS/Nが悪くなる。また上記変位電流に相似な電流を
コンデンサ、抵抗等のアナログ素子を用いて消去時等価
回路を構成したり、消去時の波形そのものをROM等に
メモリーすることにより消去時電流を除くことが考えら
れる。しかし、この方法もEL素子が単体である場合に
は消去時波形は一つであり、上記考えを適用し得るが、
マトリツクス素子では次のような問題がある。1マトリ
ツクス駆動の場合、駆動方法によつてはマトリツクス数
が多くなるに従い廻りこみ等の原因のため、変位電流の
大きさが大幅に増大する。
このためS/Nよく分極電流を検出するのは困難である
。2薄膜EL素子の発光を効率よく外部へ導出するため
、少くとも表示側の電極は透明電極で構成されるが、こ
の電極の抵抗がマトリツクス表示のように表示密度を高
くする必要がある場合には電極幅が狭く高抵抗となり、
リード線引出部近くとリード線引出部から離れた表示電
極先端部とでは抵抗値に大きな差が現われ、実効印加電
圧が大きく変化する。
。2薄膜EL素子の発光を効率よく外部へ導出するため
、少くとも表示側の電極は透明電極で構成されるが、こ
の電極の抵抗がマトリツクス表示のように表示密度を高
くする必要がある場合には電極幅が狭く高抵抗となり、
リード線引出部近くとリード線引出部から離れた表示電
極先端部とでは抵抗値に大きな差が現われ、実効印加電
圧が大きく変化する。
従つて外部から同一パルスを加えても読出し位置に応じ
て電気波形が大きく変化し、それに応じた数だけの消去
時等値回路を備え、また消去時波形を用意しておくこと
は装置を複雑で大型にし、経済的でない。前記廻りこみ
容量CMは、m行n列のマトリツクスであり、1絵素当
りの容量がCである場合、選択点以外の電極が全てフロ
ーテイング状態にされているとすると、第4図に示す回
路のように表わすことができ、廻りこみ容量CMは、と
なる。
て電気波形が大きく変化し、それに応じた数だけの消去
時等値回路を備え、また消去時波形を用意しておくこと
は装置を複雑で大型にし、経済的でない。前記廻りこみ
容量CMは、m行n列のマトリツクスであり、1絵素当
りの容量がCである場合、選択点以外の電極が全てフロ
ーテイング状態にされているとすると、第4図に示す回
路のように表わすことができ、廻りこみ容量CMは、と
なる。
240X18マトリツクスパネルではCMは、CM〜1
02Cとなり、廻りこみ容量は1絵素容量の102倍も
の大きさになる。
02Cとなり、廻りこみ容量は1絵素容量の102倍も
の大きさになる。
理想的な状態では、この場合でも書込時と消去時のレベ
ル比は両者で変位電流の大きさが同じであるため変わら
ないが、実際には所要信号と不要信号の比があまり小さ
くなると雑音、レベルのドリフト等が信号分に重畳し、
信号分の検出は困難になる。単体絵素の場合でも最良の
書込時分極電流と消去時変位電流の比はせいぜい1であ
るから、上記のような廻りこみ容量が存在するとマトリ
ツクス素子での読出しは不可能に近い。本発明は以上の
点に鑑みて、マトリツクス型薄膜EL表示装置において
、表示装置の一部分に参照電極を用意しておき、この参
照電極に流れる電流を上記した消去時電流として用い、
これによつて変位電流を相殺して分極電流のみを取出そ
うとするものである。
ル比は両者で変位電流の大きさが同じであるため変わら
ないが、実際には所要信号と不要信号の比があまり小さ
くなると雑音、レベルのドリフト等が信号分に重畳し、
信号分の検出は困難になる。単体絵素の場合でも最良の
書込時分極電流と消去時変位電流の比はせいぜい1であ
るから、上記のような廻りこみ容量が存在するとマトリ
ツクス素子での読出しは不可能に近い。本発明は以上の
点に鑑みて、マトリツクス型薄膜EL表示装置において
、表示装置の一部分に参照電極を用意しておき、この参
照電極に流れる電流を上記した消去時電流として用い、
これによつて変位電流を相殺して分極電流のみを取出そ
うとするものである。
また本発明は、廻りこみ容量を除去し、消去時電流、即
ち変位電流に対する書込時電流、即ち分極電流の比を著
しく改善することができ、読出しも大いに容易になる。
ち変位電流に対する書込時電流、即ち分極電流の比を著
しく改善することができ、読出しも大いに容易になる。
廻りこみを除去するためには、フローテイング状態に放
置していた非選択点の電極のレベルを全て固定すればよ
い。
置していた非選択点の電極のレベルを全て固定すればよ
い。
レベルを固定する際に最も簡単なのは、接地することで
ある。接地する電極は、水平及び垂直電極を共に接地す
るのが望ましいが、実際には読出回路を接続する水平走
査側電極だけを接他すれば選択絵素点の電極以外の垂直
走査側電極はフローティング状態でもアース電位に対す
る電位変化はなくなるので、廻り込みは生じない。以下
実施例を用いて本発明を説明する。第5図に本発明の一
実施例の回路図を掲げる。
ある。接地する電極は、水平及び垂直電極を共に接地す
るのが望ましいが、実際には読出回路を接続する水平走
査側電極だけを接他すれば選択絵素点の電極以外の垂直
走査側電極はフローティング状態でもアース電位に対す
る電位変化はなくなるので、廻り込みは生じない。以下
実施例を用いて本発明を説明する。第5図に本発明の一
実施例の回路図を掲げる。
本実施例は大きく6つのプロツクからなる。第1プロツ
クは維持駆動回路10である。第5図には3相共振維持
1駆動回路を示しているが、4相またはそれ以上の多相
でもよい。2つの維持電圧源E1と−E2を用意し、3
つのスイツチSWl,SW2,SW3が順次動作してE
L表示装置50に3つの電圧、即ちEl,O,−E2を
供給する。
クは維持駆動回路10である。第5図には3相共振維持
1駆動回路を示しているが、4相またはそれ以上の多相
でもよい。2つの維持電圧源E1と−E2を用意し、3
つのスイツチSWl,SW2,SW3が順次動作してE
L表示装置50に3つの電圧、即ちEl,O,−E2を
供給する。
トランスTはEL表示装置50の容量成分とともに直列
共振回路を構成し、効率の高い電圧供給をする。第2フ
ロツクは書込み及び読出しスイツチ回路20で、書込位
相において書込みたいラインYに書込電圧Vwを電源E
wよりスイツチWsk(k=l−m)を介して印加する
回路である。
共振回路を構成し、効率の高い電圧供給をする。第2フ
ロツクは書込み及び読出しスイツチ回路20で、書込位
相において書込みたいラインYに書込電圧Vwを電源E
wよりスイツチWsk(k=l−m)を介して印加する
回路である。
また読出しをしたい場合に読出位相時に読出しをするラ
インYに読出1駆動回路ErよりスイツチRSを介して
読出し電圧Vrを印加するスイツチ回路である。読出駆
動回路Erは維持電圧Vsに等しい電圧を加えるための
回路である。第3プロツクはEL表示素子の水平走査電
極を構成する透明電極に設けたスイツチ群30である。
インYに読出1駆動回路ErよりスイツチRSを介して
読出し電圧Vrを印加するスイツチ回路である。読出駆
動回路Erは維持電圧Vsに等しい電圧を加えるための
回路である。第3プロツクはEL表示素子の水平走査電
極を構成する透明電極に設けたスイツチ群30である。
このスイツチ群30は維持駆動のとき全て短絡され、書
込み及び消去駆動のとき希望するXラインのみオンされ
、その他はオフにされる。読出駆動のときは逆に希望す
るYラインのみオフにされ、その他はオンにされてアー
スされる。第4プロツクは書込み及び読出し分離と、維
持振幅保持回路40である。
込み及び消去駆動のとき希望するXラインのみオンされ
、その他はオフにされる。読出駆動のときは逆に希望す
るYラインのみオフにされ、その他はオンにされてアー
スされる。第4プロツクは書込み及び読出し分離と、維
持振幅保持回路40である。
書込みラインと非書込みラインを分離するためと同時に
共振1駆動振幅保持のためのダイオード回路である。第
5プロツクは第1図に示すマトリツクス型3層構造EL
表示装置であり、この図では電極のみを示す。
共振1駆動振幅保持のためのダイオード回路である。第
5プロツクは第1図に示すマトリツクス型3層構造EL
表示装置であり、この図では電極のみを示す。
透明電極側のパネルの一番端の電極を参照電極rとして
用意する。第6プロツクは水平走査電極の中から読出絵
素点を選択するスイツチ群60で、読出したい絵素点を
含む電極のスイツチをオンにし、その他をオフにする。
用意する。第6プロツクは水平走査電極の中から読出絵
素点を選択するスイツチ群60で、読出したい絵素点を
含む電極のスイツチをオンにし、その他をオフにする。
第7プロツクは本発明の特徴をなす読出回路70で、水
平走査電極コ〜nに共通に接続した抵抗R1と参照電極
rに接続した抵抗R2に現われる電圧を同相信号除去ア
ンプ61で相殺して分極電流のみを取出して出力する。
平走査電極コ〜nに共通に接続した抵抗R1と参照電極
rに接続した抵抗R2に現われる電圧を同相信号除去ア
ンプ61で相殺して分極電流のみを取出して出力する。
発明者等が試作した6吋ELパネルの仕様は次の通りで
ある。
ある。
線ピツチ:2本/Mm
Xライン(透明電極)240本
Yライン(AI電極)180本
表示文字:5×7ドツト構成、64種類のローマ字、ア
ラビア数字、記号の表示及び始点終点を指定し、間を直
線補間したベクトル方式のグラフ表示さて、第5図に於
て、第1タイミングφ1で第1維持スイツチSWlが閉
成されると、第3保持電位VHと第1電源電位E1との
差が容量性素子(本図においてELパネル全体を近似的
に一定容量の容量素子Ctと考える。
ラビア数字、記号の表示及び始点終点を指定し、間を直
線補間したベクトル方式のグラフ表示さて、第5図に於
て、第1タイミングφ1で第1維持スイツチSWlが閉
成されると、第3保持電位VHと第1電源電位E1との
差が容量性素子(本図においてELパネル全体を近似的
に一定容量の容量素子Ctと考える。
)に印加され、第1保電位はで保持される。
同様に第2タイミングφ2で第2維持スイツチSW2が
閉成されると、第2保持電位はになり、その後第3タイ
ミングφ3で第3維持スイツチSW3が閉成されると、
第3保持電位はになる。
閉成されると、第2保持電位はになり、その後第3タイ
ミングφ3で第3維持スイツチSW3が閉成されると、
第3保持電位はになる。
このようにして3相維持,駆動が実現される。3相維持
駆動は、中間保持電位(この実施例では第3保持電位V
H)で書込みを行なうことによつてスイツチDsl〜n
の耐圧要求を軽減することができる。
駆動は、中間保持電位(この実施例では第3保持電位V
H)で書込みを行なうことによつてスイツチDsl〜n
の耐圧要求を軽減することができる。
書込みは、中間保持電位(VH期間)中に、書込み絵素
M(1.j)のX,.Y側を夫々書込み及び読出スイッ
チ回路20及びスイツチ回路30で選択して書込み電圧
Vwを印加して行う。
M(1.j)のX,.Y側を夫々書込み及び読出スイッ
チ回路20及びスイツチ回路30で選択して書込み電圧
Vwを印加して行う。
消去も書込みと同じ要領で行われるが、但し消去電圧(
図示せず)Veが選択された絵素に供給される。
図示せず)Veが選択された絵素に供給される。
次に本発明の要旨である読出し駆動について説明する。
読畠駆動時には読出し選択点M(1.j)に相当する側
スイツチWSiが選択されて閉成され、X側スイツチ群
30ではスイツチDSj/)4−オフにされ、その他は
オンにされ、スイツチ群60ではスイツチRSjがオン
にされその他はオフにされる。
スイツチWSiが選択されて閉成され、X側スイツチ群
30ではスイツチDSj/)4−オフにされ、その他は
オンにされ、スイツチ群60ではスイツチRSjがオン
にされその他はオフにされる。
このスイツチ状態を第5図に示す。しかしてこ娶?占1
11f誌申17くN7マ苧匝1T−ぷ口柄六詰1そして
水平走査電極のその他の電極はスイツチ群30でアース
される。読出しパルス電圧Vrによるパルス電流が抵抗
R1に現われてアンプ71の+端子に供給される。同時
に参照電極rの参照点P(1.r)の参照電流が抵抗R
2に現われる。参照ラインrは書込まれることがないの
で、常に消去電流、つまり変位電流のみを出力する。こ
れがアンプ71の一端子に供給される。しかしてアンプ
71では読出し絵素点の変位電流のみが抵抗R2に現わ
れる電流によつて相殺されて、即ち差の電圧が導出され
て、読出し絵素点が書込み状態のときは分極電流だけを
出力する。読出し絵素点が消去状態のときは全て相殺さ
れてしまうので出力はOとなる。そして読出し選択点M
以外の水平走査電極はスイツチ群30によつてアースさ
れているので、零電位に固定されており、廻りこみ容量
を生ぜず、容易に読出しすることができる。
11f誌申17くN7マ苧匝1T−ぷ口柄六詰1そして
水平走査電極のその他の電極はスイツチ群30でアース
される。読出しパルス電圧Vrによるパルス電流が抵抗
R1に現われてアンプ71の+端子に供給される。同時
に参照電極rの参照点P(1.r)の参照電流が抵抗R
2に現われる。参照ラインrは書込まれることがないの
で、常に消去電流、つまり変位電流のみを出力する。こ
れがアンプ71の一端子に供給される。しかしてアンプ
71では読出し絵素点の変位電流のみが抵抗R2に現わ
れる電流によつて相殺されて、即ち差の電圧が導出され
て、読出し絵素点が書込み状態のときは分極電流だけを
出力する。読出し絵素点が消去状態のときは全て相殺さ
れてしまうので出力はOとなる。そして読出し選択点M
以外の水平走査電極はスイツチ群30によつてアースさ
れているので、零電位に固定されており、廻りこみ容量
を生ぜず、容易に読出しすることができる。
なお第5図の実施例では参照電極は1本だけ用意されて
いるが、薄膜EL表示装置において、水平走査電極の引
出電極は電極密度のため上側と下側に交互に導出されて
いるので、引出電極の方向に合わせ得るように参照電極
を2本用意して、引出電極の方向と同じ方向の参照電極
より得られる電流を用いるよう構成することができる。
いるが、薄膜EL表示装置において、水平走査電極の引
出電極は電極密度のため上側と下側に交互に導出されて
いるので、引出電極の方向に合わせ得るように参照電極
を2本用意して、引出電極の方向と同じ方向の参照電極
より得られる電流を用いるよう構成することができる。
本発明の他の実施例を第6図に示す。
これは読出速度を向上させるものであり、前記実施例の
如く、読出時に水平走査側電極では、絵素選択電極と非
選択電極は全てアース電位に導くので、1度に最大1列
の内容を読出そうとするものである。この実施例は水平
走査電極数をn、1度に読出す読出電極数をlとするも
のであり、l倍にスピードアツプするものである。第6
図において、20,30,50,Erは第5図と同じ部
分を示すので説明を省略する。
如く、読出時に水平走査側電極では、絵素選択電極と非
選択電極は全てアース電位に導くので、1度に最大1列
の内容を読出そうとするものである。この実施例は水平
走査電極数をn、1度に読出す読出電極数をlとするも
のであり、l倍にスピードアツプするものである。第6
図において、20,30,50,Erは第5図と同じ部
分を示すので説明を省略する。
そしてこの回路ではプロツク10,40を省略しており
、図面を簡単にしている。この実施例において、スイツ
チ群80は前記スイツチ群60に相当するが、この実施
例では走査電極1個を1組とし、この1組の中の1個の
スイツチがオンになるよう構成されている。上記各組毎
に出力が導出され、読出回路70/の抵抗Rとダイオー
ドの逆並列接続回路を介してそれぞれのアンプ71a1
,71a2,71a1の十端子に接続される。上記各ア
ンプ71aの一端子には参照電極rより得られる電圧が
印加されている。従つて、この実施例では第6図に示す
ように1個のプロツクの最初の電極を選択する場合には
、スイツチ群30の水平走査電極1に接続されたスイツ
チをオフにし、他の全てをオンにしてアースする。
、図面を簡単にしている。この実施例において、スイツ
チ群80は前記スイツチ群60に相当するが、この実施
例では走査電極1個を1組とし、この1組の中の1個の
スイツチがオンになるよう構成されている。上記各組毎
に出力が導出され、読出回路70/の抵抗Rとダイオー
ドの逆並列接続回路を介してそれぞれのアンプ71a1
,71a2,71a1の十端子に接続される。上記各ア
ンプ71aの一端子には参照電極rより得られる電圧が
印加されている。従つて、この実施例では第6図に示す
ように1個のプロツクの最初の電極を選択する場合には
、スイツチ群30の水平走査電極1に接続されたスイツ
チをオフにし、他の全てをオンにしてアースする。
このときスイツチ群80のスイツチCSlをオンにして
、その他をオフにする。この出力は各アンプ71aに供
給されるので1個の水平走査電極の読出しが同時に行え
る。この読出しの場合、抵抗Rに現われる分極電流が互
いに干渉するのを防止するため、抵抗Rには低抵抗のも
のを使用しなければならない。そのため読出電極数1が
大きい場合には、抵抗Rとダイオードの逆並列接続との
並列回路は、第7図に示す回路のように変更するのが望
ましい。第7図において、91は電流電圧変換回路、9
2は反転増幅器である。本発明は以上のようにして廻り
こみ容量の影響を除去するので、読出しが容易になる。
、その他をオフにする。この出力は各アンプ71aに供
給されるので1個の水平走査電極の読出しが同時に行え
る。この読出しの場合、抵抗Rに現われる分極電流が互
いに干渉するのを防止するため、抵抗Rには低抵抗のも
のを使用しなければならない。そのため読出電極数1が
大きい場合には、抵抗Rとダイオードの逆並列接続との
並列回路は、第7図に示す回路のように変更するのが望
ましい。第7図において、91は電流電圧変換回路、9
2は反転増幅器である。本発明は以上のようにして廻り
こみ容量の影響を除去するので、読出しが容易になる。
また読出し速度を高めることができる。
第1図はマトリツクス型薄膜EL表示装置の一部切截斜
視図、第2図は該装置の動作を説明するための印加電圧
と発光輝度の特性曲線図、第3図は該装置の読出し動作
の際の電流波形図、第4図は廻りこみ容量を説明するた
めの等価回路図、第5図は本発明の→実施例の読出装置
のプロツク回路図、第6図は同じく他の実施例のプロツ
ク回路図、第7図は更に他の実施例における要部回路図
を示す。 20は書込み及び読出しスイツチ回路、30はスイツチ
回路、50はマトリツクス型薄膜EL表示装置、60は
スイツチ回路、70は読出し回路、80はスイツチ回路
、71,71a1,71a2・・・・・・はアンプ、r
は参照電極。
視図、第2図は該装置の動作を説明するための印加電圧
と発光輝度の特性曲線図、第3図は該装置の読出し動作
の際の電流波形図、第4図は廻りこみ容量を説明するた
めの等価回路図、第5図は本発明の→実施例の読出装置
のプロツク回路図、第6図は同じく他の実施例のプロツ
ク回路図、第7図は更に他の実施例における要部回路図
を示す。 20は書込み及び読出しスイツチ回路、30はスイツチ
回路、50はマトリツクス型薄膜EL表示装置、60は
スイツチ回路、70は読出し回路、80はスイツチ回路
、71,71a1,71a2・・・・・・はアンプ、r
は参照電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 少くとも一方が透明電極であるマトリックス形状に
配置した電極間に、誘電層で挾まれた螢光 層を介在せ
しめ、印加電圧と発光輝度特性にヒステリシス現象を現
わす薄膜EL表示装置において、上記薄膜EL表示装置
に設けた少くとも一本の参照電極と、読出選択電極の出
力を導出する回路と、該読出選択電極以外の全ての走査
電極を接地電位 に導く回路と、上記出力と上記参照電
極より得られる出力との差の出力を導出する回路とから
なることを特徴とするマトリックス型薄膜EL表示装置
の読出装置。 2 少くとも一方が透明電極であるマトリックス 形状
に配置した電極間に、誘電層で挾まれた螢光層を介在せ
しめ、印加電圧と発光輝度特性にヒステリシス現象を現
わす薄膜EL表示装置において、上記薄膜EL表示装置
に設けた少くとも一本の参照電極と、読出しをする走査
電極を複数個の組に分割し、該組の一の電極の出力を導
出する回路と、該電極の他の全てを接地電位に導く回路
と、上記各出力と上記参照電極より得られる出力との差
の出力をそれぞれ導出する回路とからなることを特徴と
するマトリックス型薄膜EL表示装置の駆動回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52090660A JPS5916278B2 (ja) | 1977-07-27 | 1977-07-27 | マトリツクス型薄膜el表示装置の読出装置 |
US05/923,646 US4225807A (en) | 1977-07-13 | 1978-07-11 | Readout scheme of a matrix type thin-film EL display panel |
DE2830872A DE2830872C3 (de) | 1977-07-13 | 1978-07-13 | Anzeigeanordnung mit einer Elektrolumineszenz-Anzeigetafel |
FR7821023A FR2397696A1 (fr) | 1977-07-13 | 1978-07-13 | Dispositif d'affichage electroluminescent |
GB7829700A GB2002561B (en) | 1977-07-13 | 1978-07-13 | Readout scheme of a matrix type thin-film el display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52090660A JPS5916278B2 (ja) | 1977-07-27 | 1977-07-27 | マトリツクス型薄膜el表示装置の読出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5425126A JPS5425126A (en) | 1979-02-24 |
JPS5916278B2 true JPS5916278B2 (ja) | 1984-04-14 |
Family
ID=14004677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52090660A Expired JPS5916278B2 (ja) | 1977-07-13 | 1977-07-27 | マトリツクス型薄膜el表示装置の読出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5916278B2 (ja) |
-
1977
- 1977-07-27 JP JP52090660A patent/JPS5916278B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5425126A (en) | 1979-02-24 |
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