JPS59155135A - 膜形成方法およびその装置 - Google Patents
膜形成方法およびその装置Info
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- JPS59155135A JPS59155135A JP3114183A JP3114183A JPS59155135A JP S59155135 A JPS59155135 A JP S59155135A JP 3114183 A JP3114183 A JP 3114183A JP 3114183 A JP3114183 A JP 3114183A JP S59155135 A JPS59155135 A JP S59155135A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
溌明の技術分野〕
この発明は、半導体基板等にプラズマの化学反応によっ
て直接窒化嘆等の膜を速く且つ均一に形成する方法およ
びその装置に関するものである。
て直接窒化嘆等の膜を速く且つ均一に形成する方法およ
びその装置に関するものである。
（資）末技（社）
半導体装置においては、二酸化シリコン（Ｓｉｎｇ）を
中心とする絶縁物薄膜が不可欠のものとなって゛・いる
。すなわち、製造時の半導体基板への不純物拡散用マス
ク、表面保護膜、さらにＭＯ５型トランジスタのゲート
絶縁膜等として必須のものである。特にゲート絶縁膜は
、１０ ’Ｖ／ｃＩｎ 程度以上の電界印加状態で使用
されるため、構造緻密で均一なものが要求される。従来
、ゲート絶縁膜には、シリコン基板の熱酸化膜による５
ｉＯｔ力！用いられていたが、高性能なＭＩＳ型トラン
ジスタを製造しさらには大規模な集積回路を製造するた
めには、５ｉ０１膜は本質的に緻密性の点で不十分であ
る。
中心とする絶縁物薄膜が不可欠のものとなって゛・いる
。すなわち、製造時の半導体基板への不純物拡散用マス
ク、表面保護膜、さらにＭＯ５型トランジスタのゲート
絶縁膜等として必須のものである。特にゲート絶縁膜は
、１０ ’Ｖ／ｃＩｎ 程度以上の電界印加状態で使用
されるため、構造緻密で均一なものが要求される。従来
、ゲート絶縁膜には、シリコン基板の熱酸化膜による５
ｉＯｔ力！用いられていたが、高性能なＭＩＳ型トラン
ジスタを製造しさらには大規模な集積回路を製造するた
めには、５ｉ０１膜は本質的に緻密性の点で不十分であ
る。
Ｓ ｉＯ，膜に代る絶縁膜としてＣＶＤ法等の付着法に
よって形成した絶縁膜は種々あるが、シリコン基板の表
面準位密度ｆ ｌ Ｑ ” ａ−”のオーダに抑えるた
めには適当でなく、シリコン基板を直接に窒化して生成
させた窒化シリコン膜を必要とする。このようにして生
成された窒化シリコン膜は、ｓ ｔｏａに比べると５０
％以上も密度が大きく、また、誘電率も５０％程度大き
い特徴がある。さらに、この種の窒化シリコン膜は、シ
リコン基板に比較して酸化速度が極めて遅いことを利用
して、耐酸化性のマスク用の膜として重要な役割を果し
ていも第１図は、この様な特徴を有するシリコン基板を
直接窒化して窒化シリコン膜を形成する従来の装置の概
要図、第２図はそのＡ−Ａ断面図を示している。図にお
いて、内部でプラズマを発生させる円筒形の石英装反応
管（１）の内部に、シリコン基板（２）全装着するため
のポートと、このポートを反応管（１）の外部へ引き出
すための引き出し棒と、基板（２）に直流電圧を印加す
る導電性電極とをかね備えたサセプタ（３）が１反応管
（１）の１つの開口端を気密を保って閉じることができ
るように配設されたステンレス鋼からなるフランジ（４
）を介して固定されている。またプランジ（４）を介し
て反応管（１）内に窒化性ガスを供給するガス供給系が
接続されている。
よって形成した絶縁膜は種々あるが、シリコン基板の表
面準位密度ｆ ｌ Ｑ ” ａ−”のオーダに抑えるた
めには適当でなく、シリコン基板を直接に窒化して生成
させた窒化シリコン膜を必要とする。このようにして生
成された窒化シリコン膜は、ｓ ｔｏａに比べると５０
％以上も密度が大きく、また、誘電率も５０％程度大き
い特徴がある。さらに、この種の窒化シリコン膜は、シ
リコン基板に比較して酸化速度が極めて遅いことを利用
して、耐酸化性のマスク用の膜として重要な役割を果し
ていも第１図は、この様な特徴を有するシリコン基板を
直接窒化して窒化シリコン膜を形成する従来の装置の概
要図、第２図はそのＡ−Ａ断面図を示している。図にお
いて、内部でプラズマを発生させる円筒形の石英装反応
管（１）の内部に、シリコン基板（２）全装着するため
のポートと、このポートを反応管（１）の外部へ引き出
すための引き出し棒と、基板（２）に直流電圧を印加す
る導電性電極とをかね備えたサセプタ（３）が１反応管
（１）の１つの開口端を気密を保って閉じることができ
るように配設されたステンレス鋼からなるフランジ（４
）を介して固定されている。またプランジ（４）を介し
て反応管（１）内に窒化性ガスを供給するガス供給系が
接続されている。
さらにフランジ（４）は水冷される構成（図示せず）に
なっておフサセプタ（３）等の過熱を防止することがで
きる゛。サセプタ（３）は、高周波電源（図示せず）に
接続された上部サセプタ（３ａ）、下部サセプタ（３ｂ
）ｄ＞ら構成され、上部および下部サセプタ（３ａ）（
３ｂ）には、反応管（１）内に導入されるガスのプラズ
マ発生のための円板状電極（５）が、反応管（１）の軸
方向に沿って対向配列して設けられている。これらの電
極（５）間には、それぞれ基板（２）が互に対向して固
定される。また反応管（１）の他方の開口端を気密封止
°できるように配設されたフランジ（６）を介して反応
管（１）内を所定の真空度に保つ排気系が固定されてい
る。さらに反応管（１）の外周の一部に沿うように１反
応管（１）の内部を加熱する外部熱源（７）が配置され
ている。この外部熱源（７）は、外部ヒータ、赤外線な
どの外部ブラン、高周波加熱源であってよい。
なっておフサセプタ（３）等の過熱を防止することがで
きる゛。サセプタ（３）は、高周波電源（図示せず）に
接続された上部サセプタ（３ａ）、下部サセプタ（３ｂ
）ｄ＞ら構成され、上部および下部サセプタ（３ａ）（
３ｂ）には、反応管（１）内に導入されるガスのプラズ
マ発生のための円板状電極（５）が、反応管（１）の軸
方向に沿って対向配列して設けられている。これらの電
極（５）間には、それぞれ基板（２）が互に対向して固
定される。また反応管（１）の他方の開口端を気密封止
°できるように配設されたフランジ（６）を介して反応
管（１）内を所定の真空度に保つ排気系が固定されてい
る。さらに反応管（１）の外周の一部に沿うように１反
応管（１）の内部を加熱する外部熱源（７）が配置され
ている。この外部熱源（７）は、外部ヒータ、赤外線な
どの外部ブラン、高周波加熱源であってよい。
上記のように構成された窒化シリコン膜形成装置を用い
た窒化シリコン膜形成方法を以下に示す。
た窒化シリコン膜形成方法を以下に示す。
まずサセプタ（３）上の’Ｅ ｉ （５）の表面にシリ
コン基板（２）を互に対向させてそれぞれ装着し、反応
管（１）の中に入れてフランジ（４）を閉じる。次に排
気系によッテ反応管（１）内ｆ、ＩＱ−’ １０ ’Ｔ
Ｏｒｒ程度の高真空にした後、例えば馬、 ＮＨ８，Ｎ
！Ｈ，などの窒化性ガスをガス供給系から反応管（１）
に導入してｌＯ〜１０ Ｔｏｒｒ程度の真空度に保つ
。そして外部熱源（７）によって反応管（１）内のシリ
コン基板（２）を６００〜１１００℃の範囲の温度に加
熱し、高周波電源から周波数にして５０Ｈ２〜１＆５６
ＭＨ２＋１７）範囲内の高周波電力をプラズマ発生用電
極（５）間に供給すると、これにより発生した高周波電
界により反応管（１）内の窒化性ガスがプラズマ化され
る。このガスプラズマがシリコン基板（２）の表面部を
直接に窒化させて、その表面部に窒化シリコン基を形成
させるようになっている。この方法は、例えば伊藤、半
導体研究１９超ＬＳＩ技術６半導体プロセスその２工業
調査会（１９８２）Ｐ、１７４に記されている。
コン基板（２）を互に対向させてそれぞれ装着し、反応
管（１）の中に入れてフランジ（４）を閉じる。次に排
気系によッテ反応管（１）内ｆ、ＩＱ−’ １０ ’Ｔ
Ｏｒｒ程度の高真空にした後、例えば馬、 ＮＨ８，Ｎ
！Ｈ，などの窒化性ガスをガス供給系から反応管（１）
に導入してｌＯ〜１０ Ｔｏｒｒ程度の真空度に保つ
。そして外部熱源（７）によって反応管（１）内のシリ
コン基板（２）を６００〜１１００℃の範囲の温度に加
熱し、高周波電源から周波数にして５０Ｈ２〜１＆５６
ＭＨ２＋１７）範囲内の高周波電力をプラズマ発生用電
極（５）間に供給すると、これにより発生した高周波電
界により反応管（１）内の窒化性ガスがプラズマ化され
る。このガスプラズマがシリコン基板（２）の表面部を
直接に窒化させて、その表面部に窒化シリコン基を形成
させるようになっている。この方法は、例えば伊藤、半
導体研究１９超ＬＳＩ技術６半導体プロセスその２工業
調査会（１９８２）Ｐ、１７４に記されている。
しかるに上記の装置を用いて上記の方法で窒化シリコン
膜を形成する場合は、第３図の窒化速度図に示すように
、高周波電力１０ＫＷ、基板温度１０５０℃、ＮＨ，流
量Ｉ Ｌ／ｍ ｉ ｎ、圧力ｔ’ｒｏｒｒの条件のとき
窒化時間に１５０分かけても１００八程度の膜厚しか得
られない。すなわちシリコン基板（２）表面部の窒化速
度が遅く、シたがって処理能力が低く、またプラズマ濃
度が基板表面で必らずしも一様でなく、窒化シリコン膜
厚が基板（２）内あるいは基板（２）間でばらつくとい
う欠点があった。
膜を形成する場合は、第３図の窒化速度図に示すように
、高周波電力１０ＫＷ、基板温度１０５０℃、ＮＨ，流
量Ｉ Ｌ／ｍ ｉ ｎ、圧力ｔ’ｒｏｒｒの条件のとき
窒化時間に１５０分かけても１００八程度の膜厚しか得
られない。すなわちシリコン基板（２）表面部の窒化速
度が遅く、シたがって処理能力が低く、またプラズマ濃
度が基板表面で必らずしも一様でなく、窒化シリコン膜
厚が基板（２）内あるいは基板（２）間でばらつくとい
う欠点があった。
口切の′Ａ、ｔｈ偲
この発明は、かかる欠点を改養する目的でなされたもの
で、所定温度で膜形成の性質を有するガスプラズマを制
御された。磁場によって集束させて密度を高く且つ均一
にし、この集束させたプラズマに所定温度に加熱した基
板を晒らして基板の表面にプラズマによる膜を形成する
ことにょシ、膜形成速度を速くすることができ、したが
って処理能力を向上させることができ、また膜厚を均一
にすることができる膜形成方法およびその装置を提案す
るものである。
で、所定温度で膜形成の性質を有するガスプラズマを制
御された。磁場によって集束させて密度を高く且つ均一
にし、この集束させたプラズマに所定温度に加熱した基
板を晒らして基板の表面にプラズマによる膜を形成する
ことにょシ、膜形成速度を速くすることができ、したが
って処理能力を向上させることができ、また膜厚を均一
にすることができる膜形成方法およびその装置を提案す
るものである。
溌明の実施側り
第４図はこの発明の膜形成装置の一実施例を示す概要図
、第５図はそのＢ−Ｂｌ所面図であり、以下膜形成親竹
の構成およびこの膜形成装置を用いて膜を形成する方法
を説明する。図において、（１）〜（７）は第１図に示
す従来の装置と同じ構成であり基板（２）を含む所定空
間の磁束密度が均一に１万ガウス程度になるように制御
装置（９）によって制御された磁石（８）が、反応管（
１）の外周の一部に沿って配置されている。ここでまず
サセプタ（３）上の電ＩＩ （５）にシリコン基板（２
）全装着し、従来と同じ方法で反応管（１）内に窒化性
ガスのプラズマを発生させる。
、第５図はそのＢ−Ｂｌ所面図であり、以下膜形成親竹
の構成およびこの膜形成装置を用いて膜を形成する方法
を説明する。図において、（１）〜（７）は第１図に示
す従来の装置と同じ構成であり基板（２）を含む所定空
間の磁束密度が均一に１万ガウス程度になるように制御
装置（９）によって制御された磁石（８）が、反応管（
１）の外周の一部に沿って配置されている。ここでまず
サセプタ（３）上の電ＩＩ （５）にシリコン基板（２
）全装着し、従来と同じ方法で反応管（１）内に窒化性
ガスのプラズマを発生させる。
このときガスプラズマ中のイオンおよび電子は。
磁石（８）による強い磁束密度の磁力線にまきつがれる
ので、基板（２）ヲ含む所定空間に集束されたガスプラ
ズマが形成される。この集束されたガスプラズマは、従
来の反応管（１）内部全体に分散したガスプラズマと比
べてプラズマの密度が高く且つ均一になっており、この
集束された、ガスプラズマに晒らされているシリコン基
板（２）の表面部の窒化速度が増速されると共に、窒化
膜の膜厚は均一になる。
ので、基板（２）ヲ含む所定空間に集束されたガスプラ
ズマが形成される。この集束されたガスプラズマは、従
来の反応管（１）内部全体に分散したガスプラズマと比
べてプラズマの密度が高く且つ均一になっており、この
集束された、ガスプラズマに晒らされているシリコン基
板（２）の表面部の窒化速度が増速されると共に、窒化
膜の膜厚は均一になる。
ス−１，わち、゛シリコン基板（２）の表面を窒化性ガ
スプラズマの化学反応によって窒化させた後、厘素を拡
散させて窒化膜を得る方法では、窒化膜中を拡散する窒
素の量によって窒化速度が決まるが、磁石（８）および
制御装置（９）による制御された磁場を用いてプラズマ
をシリコン基板（２）近傍に集束させてプラズマ密度を
高く且つ均一にすることで、形成される窒化膜がシリコ
ン基板（２）の禾窒化部と接する面とプラズマと接する
外面との蟹素の濃度差が大きくまた一定になシ、したが
って菫素が拡散する量が多くなるので、シリコンの窒化
速度を向上させることができ、また窒化膜の膜厚を均一
にすることができる。この発明の方法によると、窒化速
度は、従来の方法と比べて２〜１０倍に増加さ−せるこ
とかできる。また、従来より基板温度を下げて窒化させ
ることができる。しかしこのときは窒化速度は遅くなる
。なお従来の方法では窒化膜厚が１２０鳩上では膜形成
に長時間かかつてしまい実用的でなかったが、この発明
によれば２００腺上の厚みの窒化シリコン膜を実用的時
間内に形成することが期待できる。
スプラズマの化学反応によって窒化させた後、厘素を拡
散させて窒化膜を得る方法では、窒化膜中を拡散する窒
素の量によって窒化速度が決まるが、磁石（８）および
制御装置（９）による制御された磁場を用いてプラズマ
をシリコン基板（２）近傍に集束させてプラズマ密度を
高く且つ均一にすることで、形成される窒化膜がシリコ
ン基板（２）の禾窒化部と接する面とプラズマと接する
外面との蟹素の濃度差が大きくまた一定になシ、したが
って菫素が拡散する量が多くなるので、シリコンの窒化
速度を向上させることができ、また窒化膜の膜厚を均一
にすることができる。この発明の方法によると、窒化速
度は、従来の方法と比べて２〜１０倍に増加さ−せるこ
とかできる。また、従来より基板温度を下げて窒化させ
ることができる。しかしこのときは窒化速度は遅くなる
。なお従来の方法では窒化膜厚が１２０鳩上では膜形成
に長時間かかつてしまい実用的でなかったが、この発明
によれば２００腺上の厚みの窒化シリコン膜を実用的時
間内に形成することが期待できる。
なお上記実施例では、膜は窒化性ガスプラズマを用いて
形成する窒化膜であったが、酸化性ガスプラズマを用い
て形成する酸化膜であっても同様に膜形成速度を速く且
つ均一にすることができる。
形成する窒化膜であったが、酸化性ガスプラズマを用い
て形成する酸化膜であっても同様に膜形成速度を速く且
つ均一にすることができる。
また上記実施例では、基板はシリコンであったが、ガリ
ウム・砒累等の他の基板であってもよへさらに上記実施
例では、膜は基板の表面部に直接形成する膜であったが
、例えば５ｉＨ４−Ｎヨ系ガスプラズマＣＶＤによる基
板の表面上に堆積させるシリコン窒化膜等の膜であって
もよい。このプラズマＣＶＤによる膜形成の機構は熱分
解によって膜を生長させる化学反応であり、プラズマを
集束させてプラズマ密度を高く且つ均一にすることによ
り化学反応速度を高めることができるので、同様に膜形
成速度を速くすることができまた膜厚を一定にすること
ができる。
ウム・砒累等の他の基板であってもよへさらに上記実施
例では、膜は基板の表面部に直接形成する膜であったが
、例えば５ｉＨ４−Ｎヨ系ガスプラズマＣＶＤによる基
板の表面上に堆積させるシリコン窒化膜等の膜であって
もよい。このプラズマＣＶＤによる膜形成の機構は熱分
解によって膜を生長させる化学反応であり、プラズマを
集束させてプラズマ密度を高く且つ均一にすることによ
り化学反応速度を高めることができるので、同様に膜形
成速度を速くすることができまた膜厚を一定にすること
ができる。
さらにまた上記実施例では、制御装置（９）によって制
御される磁石（８）は反応管（１）の外周の一部に沿う
構造になっていたが、反応管（１）の全局に沿って取り
巻いている構造であってもよく、また磁石は分割構造に
して個々に制御装Ｎ（９）で制御、す−・る、構造であ
っても同様に所期の目的ｆ！：達し得る。
御される磁石（８）は反応管（１）の外周の一部に沿う
構造になっていたが、反応管（１）の全局に沿って取り
巻いている構造であってもよく、また磁石は分割構造に
して個々に制御装Ｎ（９）で制御、す−・る、構造であ
っても同様に所期の目的ｆ！：達し得る。
帥明の効列
以上のようにこの発明によれば、所定温度で膜を形成さ
せる性質を有するガスプラズマを制御された磁場によっ
て集束させ、この集束させたガスプラズマに所定温度に
加熱した基板金 らして基板の表面にプラズマによる膜
を形成するようにしたので１．＠束させない場合と比べ
て基板表面近傍のプラズマの密度を置く且つ均一にする
ことができ、したがって膜表面の化学反応が速くなり、
膜形成速度を速くすることができるので、処理能力を向
上させることができ、また膜厚を均一にすることができ
るという効果がある。
せる性質を有するガスプラズマを制御された磁場によっ
て集束させ、この集束させたガスプラズマに所定温度に
加熱した基板金 らして基板の表面にプラズマによる膜
を形成するようにしたので１．＠束させない場合と比べ
て基板表面近傍のプラズマの密度を置く且つ均一にする
ことができ、したがって膜表面の化学反応が速くなり、
膜形成速度を速くすることができるので、処理能力を向
上させることができ、また膜厚を均一にすることができ
るという効果がある。
第１図は従来のプラズマ直接窒化シリコン膜形成装置の
概要図、第２ＮはそのＡ−Ａ断面図、第３図は従来の装
置による窒化速度を示す図、第４図はこの発明の一実施
例による；拠形成方法およびその装置を示す概要図、第
５図はそのＢ−Ｂ断面図である。 図において、（１）は反応管、（２）は基板、（３）〜
（６）はプラズマ発生手段、（７）は加熱手段、（８）
は磁石％（９）は制御装置である。 なお１図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛野信− 第１図 第２図 第３図 １Ｅイ乙 五今、陽り （＃） 第４図 手続補正書 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−８１１４１号２、発
明の名称 膜形成方法およびその装置 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第８頁第１９行の「石英製反応管」を「石
英製反応管」と訂正する。 （２）明細書第１０頁第１４行の「基板を らして」を
「基板を晒らして」と訂正する。 以上
概要図、第２ＮはそのＡ−Ａ断面図、第３図は従来の装
置による窒化速度を示す図、第４図はこの発明の一実施
例による；拠形成方法およびその装置を示す概要図、第
５図はそのＢ−Ｂ断面図である。 図において、（１）は反応管、（２）は基板、（３）〜
（６）はプラズマ発生手段、（７）は加熱手段、（８）
は磁石％（９）は制御装置である。 なお１図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛野信− 第１図 第２図 第３図 １Ｅイ乙 五今、陽り （＃） 第４図 手続補正書 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−８１１４１号２、発
明の名称 膜形成方法およびその装置 ３、補正をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第８頁第１９行の「石英製反応管」を「石
英製反応管」と訂正する。 （２）明細書第１０頁第１４行の「基板を らして」を
「基板を晒らして」と訂正する。 以上
Claims (5)
- （１）膜を形成させる性質を有するガスプラズマを制御
された磁場によって所定空間内で集束させ、所定温度に
加熱されている基板を前記所定空間内のガスプラズマに
晒らして、前記基板の表面部に前記ガスプラズマによる
膜を形成する膜形成方法。 - （２）基板はシリコン半導体基板である特許請求の範囲
第１項に記載の膜形成方法。 - （３）ガスプラズマは窒化性ガスのプラズマであり、膜
は上記プラズマでシリコン半導体基板を直接窒化して形
成された窒化シリコン膜である特許請求の範囲第２項に
記載の膜形成方法。 - （４）膜はプラズマＣＶＤ膜である特許請求の範囲第１
項または第２項に記載の膜形成方法。 - （５）基板を装着するホートラ内部に収容する反応管と
、この反応管内を所定の真空度に保つ排気手段と、前記
反応管内にガスを供給するガス供給手段と、前記反応管
内に前記ガスのプラズマを発生させる手段と、前記ボー
トに装着される基板を所定温度に加熱可能な加熱手段と
、前記ガスプラズマを前記基板を含む所定空間内に集束
させる磁石とを備えた膜形成装着。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3114183A JPS59155135A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 膜形成方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3114183A JPS59155135A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 膜形成方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155135A true JPS59155135A (ja) | 1984-09-04 |
Family
ID=12323155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3114183A Pending JPS59155135A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 膜形成方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155135A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933553A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-03-28 | ||
| JPS5483376A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-03 | Fujitsu Ltd | Plasma treatment equipment |
-
1983
- 1983-02-23 JP JP3114183A patent/JPS59155135A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933553A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-03-28 | ||
| JPS5483376A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-03 | Fujitsu Ltd | Plasma treatment equipment |
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