JPS59151376A - コンテイギユアス・デイスク・バブル素子の駆動方式 - Google Patents

コンテイギユアス・デイスク・バブル素子の駆動方式

Info

Publication number
JPS59151376A
JPS59151376A JP58023931A JP2393183A JPS59151376A JP S59151376 A JPS59151376 A JP S59151376A JP 58023931 A JP58023931 A JP 58023931A JP 2393183 A JP2393183 A JP 2393183A JP S59151376 A JPS59151376 A JP S59151376A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bubble
magnetic field
rotating magnetic
pattern
plane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58023931A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Asata
麻多 進
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58023931A priority Critical patent/JPS59151376A/ja
Publication of JPS59151376A publication Critical patent/JPS59151376A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はコンティギーアス・ディスク・バブル素子の駆
動方式に関する。
従来、バブル素子にはバブル保持層の上に軟磁性体パタ
ーンを互いに間隙を設けて面内磁場回転によりバブルを
転送させる方式が採用されてきた。
しかし、前記のパターンの間隙は、バブル密度の低下、
バブルの高速度転送に対する障害そしてパターン微細加
工の限界という点で好ましくなかった。
これに対し、米国特許第3,828,329号明細書に
無間隙のパターンを用いてバブルを転送させる素子が提
示され、最近急速に開発が進められてきた。そこではパ
ターンはイオン注入法で形成されている。その素子は転
送パターンが円を連らねた形状であったことから、その
後に開発された形状のものも含めてコンティギュアス・
ディスク(以下CDと称す)素子と言われている。
現在、CD素子では大容量化が進められているが、特に
大量のバブルデータを効率よく検出することが要請され
ている。CD素子のバブル検出は第1図に示すように従
来、導体パターン等を用いてバブルを伸長し、低蚤気抵
抗効果を有する磁性体パターンによりバブル磁界を検知
することが行なわれているが、この原形及び類似例は、
ベル・システム・チク−=−ty ルージャーナル(B
e l I Sys、Tech。
J、)第59巻(1980年)第229頁に記載されて
いる。第1図において、バブル10はイオン注入により
形成さnたパターン11に沿って転送された後、導体パ
ターン12の磁界によって伸長され、長さ15のパーマ
ロイ薄膜の磁性体パターン13により磁気抵抗効果を利
用して検出される。
非イオン注入領域14は、伸長バブル磁界の検知を容易
にするため設けられている。面内回転磁界I−IRは第
1図の右側に示すように印加され、第2図の時間t(横
軸)に対し面内[61転磁界の位相角θ(縦111 )
が得られる。なお、時間の単位Tは面内回転磁界の周(
す1である。バブル10は、バブル伸長パルス22と、
バブル収縮パルス23の電流値Iにより第2図に示すよ
うに印加タイミングで伸長され、磁性体パターン13に
より検出される。
このバブルの検出はバブル伸長速度がバブル材料により
決する有限値をもつため、バブル伸長パルス幅24を一
定長さにする必要がある。例えば、周波数100キロヘ
ルツ駆動のときけ、伸長長さ15が約100μrnに対
しパルス@24を約3〜4μsec必要であることがデ
ータとして得られている。また、検出後、伸長バブルを
もとに戻すためないしけ消去するためには収縮パルスが
、伸長の場合よりは短かいながら一定幅を心安とする。
このため、従来のCD素子の駆動方式は導体電流パルス
のデユーティが隅<、導体による発熱が大きい欠点を有
していた。
本発明の目的は、従来CD素子の駆動方式の欠点を改善
し、短時間で、電流導体のデユーティが低く、かつ大出
力が得られるコンティギュアス・ディスク・バブル素子
の駆動方式を提供することにある。
更に本発明の他の目的は大量のバブルデータを検出する
に適したコンティギュアス・ディスク・バブル素子の駆
動方式を提供することにある。
本発明によれば、バブル保持層に設けられたイオン注入
領域のパターンに沿って転送されたバブルを検)Hする
だめのバブル伸長用導体パターンと磁気抵抗素子パター
ンとを設けたCD素子において1面内回転磁界の回転速
度を該導体パターンと前記回転磁界をパズル伸長方向と
ほぼ垂直な方向に向く期間減少させるかあるいは前記回
転磁界が前記垂直あるいはほぼ垂直な方向に向いた時に
一定期間停止Eさせてバブルの伸長と検出を行なうこと
を特徴とするバブル素子の駆動方式が得られる。
すなわち1本発明においては面内磁界をパズル伸長方向
に垂直にかけることにより、バブル伸長速度の増加に伴
ってバブル伸長パルス幅を減少でき、伸長導体のデー−
ティの低いCD素子の駆動方式が得られる。バブル伸長
速度すなわち、磁気ドメインウオールの速度が1面内磁
界の印加により増加し、かつ1面内磁界の印加方向がウ
オール進向方向と平行の場合より垂直の場合の方が増加
することはよく知られていることである。これは、ウオ
ール速度に関連するブロッホ・ラインの発生5− が面内磁界方向に依存するためと説明されている。
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
第3図(al(b)は本発明の実施例に適した面内磁界
駆動回路を示す。第3図において、この面内磁界駆動回
路はバブル・ストレッチャ(導体パターン12)に平行
な磁界を発生する面内磁界駆動回路100(第3図(a
))とバブル・ストレッチャに垂直な磁界を発生する面
内磁界駆動回路200(第3図(b))とを含み1面内
磁界駆動回路100は4つのスイッチ105,106,
109,110と4つのダイオード107,108,1
14,115とから構成され、駆動コイル104を駆動
するようになっており、面内磁界駆動回路200け同様
に4つのスイッチ205,206,209,210と4
つのダイオード207,208,214,215とから
構成され、駆動コイル204を駆動するようになってい
る。
第4図は本発明の第1の実施例における面内磁界駆動回
路100,200のタイムチャートを示す。
この第1の実施例は面内磁界駆動回路100のス6− イッチ109 、1 f) 6.110 、 ] (1
5を駆動パルス109a。
]06a、II(la、105aにより駆動せしめコイ
ル電流を駆動コイル104に供給し、面内磁界104a
H77を作る。同様に面内磁界駆動回路200のスイッ
チ205,206,209,210を駆艷月パルス20
5a、206a、209a、210aにより駆動せしめ
、コイル′厄流を駆動コイル204に供給し1面内磁界
204a)41 を作る。
このように得ら′i″した面内磁界104a丁h/ お
よび面内磁界204al−1上は合成さ11、その面内
回転磁界を作る。
この合成された回転磁界1%は検出フェーズFにおいて
1回転磁界の回転速度を一定期間減少させるので、バブ
ル10の伸長を促進し、バブル検出を容易にする。
次に第5図は本発明の第2の実施例における面内磁界部
i!l、回路1(10,200のタイムチャートを示す
。この第2の実施例は面内磁界、駆動回路100のスイ
ッチ109,106,110,105を駆動パルス10
9b、106b、110b、105bにより駆動せしめ
コイル電流を駆動コイル1.04に供給し、面内磁界]
04bJ−11を作り、同様に面内磁界駆動回路200
のスイッチ205.20fi、209,210を、駆動
パルス205b、206b、209b、2]、Obによ
り駆動せしめ、コイル電流を駆動コイル204に供給し
5面内磁界204bHユを作る。
このように得られた面内磁界104 bH−il  お
よび面内磁界204bH上は合成され、その面内回転磁
界を作る。
この合成された回転磁界HRは第1の実施例と同様に検
出フェーズにおいて、回転磁界の回転速度を一定期間停
止させるのでバブル10の伸長を促進し、バブルの検出
を容易にする。
更に本実施例について、第6図および第7図を参照して
更に具体的に説明すると、第6図は本実施例におけるバ
ブル検出部を示し、第7図は本実施例における面内磁界
の位相角および導体電流パルスσ)時間的な関係を示す
第6図(a)(t+lにおいて、バブルの転送は通常の
ように転送さnバブル伸長パターンの下に到達した時点
で面内回転磁界11Rを方向31に一定時間印加しバブ
ルを伸長させる。このとき伸長バブル10の伸長速度3
2は面内磁界の寄与により従来より増加できる。従って
第7図のように1面内回転磁界位相θを9(ビで一定時
間4]固定し、その間バ ・プル伸長パルス22を加え
バブルを検出すれば。
伸長パルス幅24は従来より短かくできる。本実施1タ
リの場合、1μmバブルについて周期Tを10/zse
c、面内磁界の固定時間41を約5μSecとしたとこ
ろ、伸長パルス幅24は約2.5μsec と従来の約
0.6倍に減少で〜た。なお、バブルの転送は見かけ上
200キロヘルツで駆動しているが、転送路上でのバブ
ル速度は、材料定数による飽和速度よりも十分低く転送
上の問題は見ら扛なかった。この結果1本実施例による
検出用導体のデユーティは従来の約0.6倍に減少し、
低消費電力で発熱エラーの少ないバブル駆動方式が得ら
れた。
史に本実施例の1駆動刃式による検出出力は、1−IR
ノイズが少なく、シかも、■]R方向が磁気抵抗値の最
も大きい方向と一致しているため出力が従来9− よりも大きい利点があり、また1面内磁界の固定時間4
1を約3μ5ectで短かくしても十分な検出特性が得
られることも確かめられた。
また、本発明は面内回転磁界の固定方向が第1図の転送
路11がいわゆるスーパートラックの場合従来の転送の
スタートストップ方向と一致しないが、検出器を90°
傾は転送のスタートストップ方向と一致させ、転送面と
合わせて特性を改善できることも容易に類推される。
本発明は以上説明した様に、従来のCD素子の’1(流
伸長型検出器に比べ、より短時間でバブル伸長が可能で
電流導体のデー−ティも低く、かつ検出出力も太きい、
大量のバブルデータの読出しに適したバブル素子の駆動
方式で、バブル素子の大容量化を達成できるという効果
がある。(財)に1本発明は、回転磁界の回転を一時停
止する場合のほかに単に回転の速度を下げる場合も同様
の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
10− 第1図は従来のCI)素子バブル検出方式を示す図、第
2図は、従来の検出方式における′電流パルス幅と位相
との関係を示す図、第3図は本発明の実施例に用いられ
る回転磁界駆動回路を示す図、第4図は本発明の第1の
実施列におけるタイムチャートを示す図、第5図は本発
明の第2の実施例におけるタイムチャートを示す図、第
6図は本発明のバブル検出状態を示す図、第7図は本発
明の実施例の面内磁界位相角及び廊体電流パルスの印加
時間を示す図である。 1伊・・・/< 7”ル% 11・・・・・・転送路パ
ターン、12・・・・バブル伸長用導体パターン、13
・・・・・・バブル検出磁性体パターン% 14・・・
・・・非イオン注入領域。 15・・・・磁性体バクーン長、22・・・・・バブル
伸長パルス、23・・・・・・バブル収縮パルス、24
・・・・・バブル伸長パルス幅、31・・・・・バブル
伸長時の面内磁界印加方向、32・・・伸長バブルの速
度、41・・・・・面内磁界の固定時間、105,10
6,109,110゜205.206,209,210
  ・・・スイッチ、107.to8゜114.115
,207,208,214,215・・・・・・ダイオ
ード、100,200・・・・・・面内磁界発生回路、
104゜204・・・駆動コイル。 第l閏 第3国 t

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. バブル保持層に設けられたイオン注入領域のパターンに
    沿って転送されたバブルを検出するためのバブル伸長用
    導体パターンと、磁気抵抗素子パターンとを設けたコン
    ティギーアス・ディスク・バブル素子の駆動方式におい
    て、面内回転磁界の回転速度を前記回転磁界がバブル伸
    長方向にほぼ垂直な方向に向く一定期間減少させるかあ
    るいは前記回転磁界が前記垂直あるいはほぼ垂直な方向
    に向いた時に一定期間停止させてバブルの伸長と検出を
    行なうようにしたことを特徴とするバブル素子の駆動方
    式。
JP58023931A 1983-02-16 1983-02-16 コンテイギユアス・デイスク・バブル素子の駆動方式 Pending JPS59151376A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58023931A JPS59151376A (ja) 1983-02-16 1983-02-16 コンテイギユアス・デイスク・バブル素子の駆動方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58023931A JPS59151376A (ja) 1983-02-16 1983-02-16 コンテイギユアス・デイスク・バブル素子の駆動方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59151376A true JPS59151376A (ja) 1984-08-29

Family

ID=12124266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58023931A Pending JPS59151376A (ja) 1983-02-16 1983-02-16 コンテイギユアス・デイスク・バブル素子の駆動方式

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59151376A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4086571A (en) Magnetic bubble domain generator and annihilator
JP2619365B2 (ja) ブロッホラインメモリの書き込み方法
Urai et al. 4Mb on-chip-cache bubble memory chips with 4 µm period ion-implanted propagation patterns
JPS59151376A (ja) コンテイギユアス・デイスク・バブル素子の駆動方式
JPS5824868B2 (ja) 磁気バブルメモリ
CA1046635A (en) Disk generator
JPS59151383A (ja) コンテイギユアス・デイスク・バブル素子の駆動方式
US3996573A (en) Bubble propagation circuits and formation thereof
JPS59151382A (ja) コンテイギユアス・デイスク・バブル素子の駆動方式
JPH0359519B2 (ja)
US4142247A (en) Conductor-driven magnetic bubble memory with an expander-detector arrangement
US4357683A (en) Magnetic bubble memory with ion-implanted layer
US4578775A (en) Magnetic bubble memory device
JP2726290B2 (ja) ブロッホラインメモリデバイス
JPS6118275B2 (ja)
JPS623513B2 (ja)
JPS6037547B2 (ja) イオン注入磁気バブルメモリ素子のゲ−ト駆動方法
JPS60229294A (ja) 磁気バブル分割器
JPS5810793B2 (ja) スイツチ装置
Kryder et al. Dynamic formation of diffuse boundaries and quasi-static domain growth in magnetic thin films
JPS613387A (ja) 磁気バブルメモリ素子
JPS623506B2 (ja)
JPS6343837B2 (ja)
JPS622388B2 (ja)
JPS6032192A (ja) 磁気バブルメモリ素子