JPS59151100A - 電子線照射方法およびその装置 - Google Patents
電子線照射方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS59151100A JPS59151100A JP2485583A JP2485583A JPS59151100A JP S59151100 A JPS59151100 A JP S59151100A JP 2485583 A JP2485583 A JP 2485583A JP 2485583 A JP2485583 A JP 2485583A JP S59151100 A JPS59151100 A JP S59151100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- chamber
- curing
- processing chamber
- coating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
- B29C71/04—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. for curing or vulcanising preformed articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0866—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using particle radiation
- B29C2035/0877—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using particle radiation using electron radiation, e.g. beta-rays
Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は電子線を照射する方法およびその装置に関する
ものである。
ものである。
従来、電子線を照射して塗膜や接着剤を硬化させたり、
樹脂を改質したりすることなどが行れるが、例え・ば塗
膜を硬化させる場合は、まず高圧電源を得るのにトラン
スで１５０〜４００Ｉ（Ｖ程度の高圧に昇圧し、１Ｏ−
７ＴＯｒｒ程度の高真空室内で加熱されたフィラメント
に印加して電子線を発生させていた。従って使用される
トランスが大型で高価なものとなり、そしてフィラメン
トの予熱が必要であるとともに使用時に大きく発熱し１
寿命も短かい問題点がめった。この発熱により電子源室
が高温となり、ことにチタン薄膜からなる電子透過性隔
膜は電子線が透過する際の損失による発熱のために特に
高温となるが、薄膜なるが故に耐熱性が低く、そのため
これを冷却する必要があった。
樹脂を改質したりすることなどが行れるが、例え・ば塗
膜を硬化させる場合は、まず高圧電源を得るのにトラン
スで１５０〜４００Ｉ（Ｖ程度の高圧に昇圧し、１Ｏ−
７ＴＯｒｒ程度の高真空室内で加熱されたフィラメント
に印加して電子線を発生させていた。従って使用される
トランスが大型で高価なものとなり、そしてフィラメン
トの予熱が必要であるとともに使用時に大きく発熱し１
寿命も短かい問題点がめった。この発熱により電子源室
が高温となり、ことにチタン薄膜からなる電子透過性隔
膜は電子線が透過する際の損失による発熱のために特に
高温となるが、薄膜なるが故に耐熱性が低く、そのため
これを冷却する必要があった。
そしてこの隔膜での電子線の減挾を小さくするために膜
厚が１２〜１５μ程度とされるが、この豚犀のチタン薄
膜にはピンホールが製造工程で発生しやすく、寸た使用
中にも発生［、やすい。そしてピンホールが少しでも存
在すると電子源室を高真空に維持することが不能となり
、高品質のチタン薄膜が必要であった。更にフィラメン
トに前述のような高圧の直流電圧を印加するといたる所
で放電する危険性があり、高圧導入線のセラミック製耐
熱絶縁ブッシングの沿面距離全非常に大きくする必要が
あった。そして処理室である塗膜硬化室に酸素ガスが存
在すると塗膜の硬化が阻害されるため、その部分圧窒素
ガスを流して酸素ガスを追い出すようにして減少させ、
酸素モニターにて酸素ガスｆを測定して照射開始時期を
定めていた。従って酸素ガスの減少も不十分であって塗
膜が光合に硬化せず、そして照射を開始する１でにも長
時間を豐する不具合がめった。
厚が１２〜１５μ程度とされるが、この豚犀のチタン薄
膜にはピンホールが製造工程で発生しやすく、寸た使用
中にも発生［、やすい。そしてピンホールが少しでも存
在すると電子源室を高真空に維持することが不能となり
、高品質のチタン薄膜が必要であった。更にフィラメン
トに前述のような高圧の直流電圧を印加するといたる所
で放電する危険性があり、高圧導入線のセラミック製耐
熱絶縁ブッシングの沿面距離全非常に大きくする必要が
あった。そして処理室である塗膜硬化室に酸素ガスが存
在すると塗膜の硬化が阻害されるため、その部分圧窒素
ガスを流して酸素ガスを追い出すようにして減少させ、
酸素モニターにて酸素ガスｆを測定して照射開始時期を
定めていた。従って酸素ガスの減少も不十分であって塗
膜が光合に硬化せず、そして照射を開始する１でにも長
時間を豐する不具合がめった。
そこで本発明は安価で迅速、刀・つ確実に塗膜などの被
処理物に硬化などの処理を行うことが可能な電子線照射
方法とその装置を提供すること金目的とする。そして本
発明の電子線照射方法は、減圧された、または／および
不活性ガスが充填された処理室内に被処理物を配置し、
電子線源室よりを 電子線透過性隔膜を通して電子線Ｚ（ルス状で被処理物
に照射することを特徴とする。更に、がヵ為る方法を効
果的に実施するために、本発明は、電子ｍをパルス状に
発生させる電子線源室と、減圧用排気パイプおよびガス
充填用パイプが接続され、その開閉扉に試料台が固定さ
れた処理室と、電子線源室と処理室とを気密に区画する
電子線透過性隔膜とを備えた電子線照射装置を用いるも
のである。
処理物に硬化などの処理を行うことが可能な電子線照射
方法とその装置を提供すること金目的とする。そして本
発明の電子線照射方法は、減圧された、または／および
不活性ガスが充填された処理室内に被処理物を配置し、
電子線源室よりを 電子線透過性隔膜を通して電子線Ｚ（ルス状で被処理物
に照射することを特徴とする。更に、がヵ為る方法を効
果的に実施するために、本発明は、電子ｍをパルス状に
発生させる電子線源室と、減圧用排気パイプおよびガス
充填用パイプが接続され、その開閉扉に試料台が固定さ
れた処理室と、電子線源室と処理室とを気密に区画する
電子線透過性隔膜とを備えた電子線照射装置を用いるも
のである。
以下に図面に示す塗膜を硬化させるときの実施例に基い
て本発明に係る方法と装置について更に具体的に説明す
る。
て本発明に係る方法と装置について更に具体的に説明す
る。
電子線源室１を構成する本体２は筒状体であり、電子線
源室１を減圧するだめの排気孔２１が設けられている。
源室１を減圧するだめの排気孔２１が設けられている。
そして側方にね樹脂製の絶縁ブツシュ３が固着され、そ
の先端に金属導体４が接続されてその下方には電子線放
射板５が固着妊れでいる。この金属導体４は電源部に連
通しているが、この電源部は第３図に示すようにコンデ
ンサー３個を抵抗を介して並列に接続し、それぞれが８
０ＫＶで蓄！てれると３個のスイッチが同時に閉じらね
、てこれらが直列回路となり、−２４０ＫＶのパルス電
圧が１ｏｏｎａθＣのパルス巾で発生するようになって
いる。従って冷陰極型の電子線放射板５にこのパルス電
圧が印加され、電子線が下方に照射される。この本体２
の下方には処理室である塗膜硬化室６を構成する箱体７
が連設され、その側壁の一面が開閉扉８であり、開閉可
能となっている。
の先端に金属導体４が接続されてその下方には電子線放
射板５が固着妊れでいる。この金属導体４は電源部に連
通しているが、この電源部は第３図に示すようにコンデ
ンサー３個を抵抗を介して並列に接続し、それぞれが８
０ＫＶで蓄！てれると３個のスイッチが同時に閉じらね
、てこれらが直列回路となり、−２４０ＫＶのパルス電
圧が１ｏｏｎａθＣのパルス巾で発生するようになって
いる。従って冷陰極型の電子線放射板５にこのパルス電
圧が印加され、電子線が下方に照射される。この本体２
の下方には処理室である塗膜硬化室６を構成する箱体７
が連設され、その側壁の一面が開閉扉８であり、開閉可
能となっている。
そしてこの開閉Ｍ１８の内面には試料台９の一端か固定
されており、開閉扉８′ｆｔ引き出すと試料台９も引き
出されて被処理物１０を取出すことができる。そして箱
体７の側壁には減圧用排気バイス７１とカス充填用バイ
グア２が連設され、それぞれが減圧装置およびガス供給
装置に接続されている。
されており、開閉扉８′ｆｔ引き出すと試料台９も引き
出されて被処理物１０を取出すことができる。そして箱
体７の側壁には減圧用排気バイス７１とカス充填用バイ
グア２が連設され、それぞれが減圧装置およびガス供給
装置に接続されている。
箱体７の天井の開口部にはｖＩ数個の棧が配設されてお
り、この開口部が本体１底部の開口部と一致して電子線
の通路を構成しているが、この棧の下方から厚さ２５μ
で従来何の２倍の厚さのチタン薄膜からなる電子線透過
性隔ｍ１１が配設され、電子線源室１と塗膜硬化室６と
を気密に区画している。そしてこの隔膜１１には冷却装
置が接続されていない。
り、この開口部が本体１底部の開口部と一致して電子線
の通路を構成しているが、この棧の下方から厚さ２５μ
で従来何の２倍の厚さのチタン薄膜からなる電子線透過
性隔ｍ１１が配設され、電子線源室１と塗膜硬化室６と
を気密に区画している。そしてこの隔膜１１には冷却装
置が接続されていない。
而して上記構成の装ｆを用いて塗膜を硬化させるには、
まず塗膜が塗布された被処理物１０を試料台９上に載置
Ｌ１開閉扉８が閉じられる。そして減圧装置を作動させ
て電子線源室１内を１０−５〜ＩＱ−”ｌ’ｏｒｒ、
塗膜硬化室６内を１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度に減圧される。
まず塗膜が塗布された被処理物１０を試料台９上に載置
Ｌ１開閉扉８が閉じられる。そして減圧装置を作動させ
て電子線源室１内を１０−５〜ＩＱ−”ｌ’ｏｒｒ、
塗膜硬化室６内を１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度に減圧される。
このとき塗膜硬化室６内の酸素＃度はおおよそＩＯＰＩ
）ｍ以下となり、酸素が塗膜の硬化を１肘害することが
ない。次にカス充填用バイグア２より窒素ガスを充填す
るとともに電子線放射敬５に前述のパルス電圧を印加す
ると電子線は隔膜１１を透過して被処理物１０に照射さ
れ、塗膜が硬化する。
）ｍ以下となり、酸素が塗膜の硬化を１肘害することが
ない。次にカス充填用バイグア２より窒素ガスを充填す
るとともに電子線放射敬５に前述のパルス電圧を印加す
ると電子線は隔膜１１を透過して被処理物１０に照射さ
れ、塗膜が硬化する。
このように本発＃３１廿、フィラメントによる熱電子放
射型ではなく、冷陰極にパルス電圧を印加する電界放射
型であるので、予熱が不要であるとともに高熱が発生す
ることがない。従って、絶縁ブツシュ３が合成樹脂製で
よく、隔膜１１の冷却も必要がない。そして放電の危険
性が少なく、更に電子線源室１内の減圧度は熱電子放射
型の１０ＴＯｒｒに比べて１０−５〜１０−”ｌ’ｏｒ
ｒ程度で良い。また、ノ（ルス電圧は加速電圧を容易に
高くすることができるので、隔膜１１が厚くなって電子
線の減衰が少々大きくなっても十分な電子線量を発生で
き、従ってチタン薄膜の隔膜１１の厚さを十分に取るこ
とが可能であり、電子線源室１の減圧度が低いこととあ
い１つて、隔膜１１に少々ピンホールが存在しても使用
可能でめ９、高品質のチタン薄膜を必要としない。更に
品玉の直流電圧を得るための大型のトランスが不要なた
め、コストが安く、電子線発生部の構造も簡単で、フィ
ラメントに比べて寿命が著、Ｌ＜’長い。そして塗＃硬
化室６内を減圧するので塗膜の硬化を阻害する酸素ガス
を迅：Ａ確実に除去することができ、直ちに電子線の照
射を開始することが可能であるとともに短時間で硬化式
せることができる。そして、不活性ガス全充填せずに減
圧下で硬化させる場合は、不活性ガスによＶ電子線が吸
収てれることがなく、照射エネルギーが減衰しないため
同一加速電圧でエリ効果的に塗膜深部１で硬化はせるこ
とができる。
射型ではなく、冷陰極にパルス電圧を印加する電界放射
型であるので、予熱が不要であるとともに高熱が発生す
ることがない。従って、絶縁ブツシュ３が合成樹脂製で
よく、隔膜１１の冷却も必要がない。そして放電の危険
性が少なく、更に電子線源室１内の減圧度は熱電子放射
型の１０ＴＯｒｒに比べて１０−５〜１０−”ｌ’ｏｒ
ｒ程度で良い。また、ノ（ルス電圧は加速電圧を容易に
高くすることができるので、隔膜１１が厚くなって電子
線の減衰が少々大きくなっても十分な電子線量を発生で
き、従ってチタン薄膜の隔膜１１の厚さを十分に取るこ
とが可能であり、電子線源室１の減圧度が低いこととあ
い１つて、隔膜１１に少々ピンホールが存在しても使用
可能でめ９、高品質のチタン薄膜を必要としない。更に
品玉の直流電圧を得るための大型のトランスが不要なた
め、コストが安く、電子線発生部の構造も簡単で、フィ
ラメントに比べて寿命が著、Ｌ＜’長い。そして塗＃硬
化室６内を減圧するので塗膜の硬化を阻害する酸素ガス
を迅：Ａ確実に除去することができ、直ちに電子線の照
射を開始することが可能であるとともに短時間で硬化式
せることができる。そして、不活性ガス全充填せずに減
圧下で硬化させる場合は、不活性ガスによＶ電子線が吸
収てれることがなく、照射エネルギーが減衰しないため
同一加速電圧でエリ効果的に塗膜深部１で硬化はせるこ
とができる。
以上、本発明を塗膜を硬化孕せる場合の実施例に基いて
説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、樹
脂の改質、接着剤の硬化、殺菌、半導体表面の加熱処理
、そして発生するオソンによる有機物や無機物の酸化な
どにも利用することができる。
説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、樹
脂の改質、接着剤の硬化、殺菌、半導体表面の加熱処理
、そして発生するオソンによる有機物や無機物の酸化な
どにも利用することができる。
この様に本発明によれば安価で迅速、かつ確実に被処理
ｖｌを処理することが可能な電子線照射方法とその装置
を揚倶することができる。
ｖｌを処理することが可能な電子線照射方法とその装置
を揚倶することができる。
第１図は本発明実施例の断面図、第２図は第１図ＩＩ−
ｎ線での断面図、第３図は電源部の配線図を示す。 ｌ・・・電子源室 ３・・・絶縁ブツシュ５・・・電
子線放射板 ６・・・処理室（塗膜硬化室）８・・・開
閉扉 ９・・・試料台 工０・・・被処理物１１・・・
隔膜 ７１・・・排気パイプ７２・・・ガス充填用
バイブ 出願人 ウシオ電機株式会社 日本バーカライジング株式会社 代理人 弁理士 出 趣 貞之助
ｎ線での断面図、第３図は電源部の配線図を示す。 ｌ・・・電子源室 ３・・・絶縁ブツシュ５・・・電
子線放射板 ６・・・処理室（塗膜硬化室）８・・・開
閉扉 ９・・・試料台 工０・・・被処理物１１・・・
隔膜 ７１・・・排気パイプ７２・・・ガス充填用
バイブ 出願人 ウシオ電機株式会社 日本バーカライジング株式会社 代理人 弁理士 出 趣 貞之助
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １６ 減圧式れた、またけ／および不活性ガスが充填
された処理室内に被処理物を配置し、電子線源室エリ電
子線透過性隔膜を通して電子線をパルス状で被処理物に
照射することを特徴とする電子線照射方法。 ２、Ｍ子＃ｌパルス状に発生はせる電子線源室と、減圧
用排気バイグお工びガス充填用バイブが接続され、その
開閉扉に試料台が固定された処理室と、電子線源室と処
理室とを気密に区画する電子線透過性隔膜とを備えた電
子線照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2485583A JPS59151100A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 電子線照射方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2485583A JPS59151100A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 電子線照射方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151100A true JPS59151100A (ja) | 1984-08-29 |
Family
ID=12149825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2485583A Pending JPS59151100A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 電子線照射方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59151100A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999052650A1 (de) * | 1998-04-11 | 1999-10-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur elektronenbestrahlung von schichten auf oberflächen von objekten sowie einrichtung zur durchführung des verfahrens |
| JP2000340556A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Sony Corp | 絶縁物の表面処理方法 |
| WO2002017371A1 (fr) * | 2000-08-24 | 2002-02-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Procede de reduction de resistance de semi-conducteur, dispositif pour reduire la resistance d'un semi-conducteur et element semi-conducteur |
| WO2002092639A1 (en) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | 3M Innovative Properties Company | Pulsed electron beam polymerization |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846799A (ja) * | 1971-10-13 | 1973-07-03 | ||
| JPS5034718U (ja) * | 1973-07-27 | 1975-04-14 | ||
| JPS50146799A (ja) * | 1974-05-20 | 1975-11-25 |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP2485583A patent/JPS59151100A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPS5034718U (ja) * | 1973-07-27 | 1975-04-14 | ||
| JPS50146799A (ja) * | 1974-05-20 | 1975-11-25 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1999052650A1 (de) * | 1998-04-11 | 1999-10-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur elektronenbestrahlung von schichten auf oberflächen von objekten sowie einrichtung zur durchführung des verfahrens |
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| US6943128B2 (en) | 2000-08-24 | 2005-09-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for reducing semiconductor resistance, device for reducing semiconductor resistance and semiconductor element |
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| CN1319997C (zh) * | 2001-05-11 | 2007-06-06 | 3M创新有限公司 | 脉冲电子束聚合 |
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