JPS6080799A - 電子線照射方法およびその装置 - Google Patents
電子線照射方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS6080799A JPS6080799A JP18847283A JP18847283A JPS6080799A JP S6080799 A JPS6080799 A JP S6080799A JP 18847283 A JP18847283 A JP 18847283A JP 18847283 A JP18847283 A JP 18847283A JP S6080799 A JPS6080799 A JP S6080799A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- chamber
- processing chamber
- sample stage
- source chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子線を照射する方法およびその装置に関する
ものである。
ものである。
従来、電子線を照射して塗膜や接着剤を硬化させたり、
樹脂を改質したりすることなどが行われるが、例えば塗
膜を硬化させる場合は、まず高圧電源を得るのにトラン
スで１５０〜４００１（Ｖ程度の高圧に昇圧し、１０”
−’ Ｔｏｒｒ程度の高真空室す、で加熱されたフィラ
メントに印加して電子線を発生させていた。従って使用
されるトランスが大型で高価なものとなり、そしてフィ
ラメントの予熱が必要であるとともに使用時に大きく発
熱し、寿命も短かい問題点があった。この発熱により市
、子線原案が旨温となり、ことにチタン薄膜からなる電
子線透過膜は電子線が透過する除の損失による発熱のた
めに特に高温となるが、薄膜なるが故に耐熱性が低く、
そのためこれ全冷却する必要があった。そしてこの透過
膜での電子線の減衰金車さくするために膜厚が１２〜１
５μ程度とされるが、この膜厚のチタン薄膜にはピンホ
ールが製造工程で発生しやすく、また使用中にも発生し
やすい。ゼしてピンホールが少しでも存在すると電子線
源室を筒真空に維持することが不可能となるので高品質
のチタン薄膜が必要であった。
樹脂を改質したりすることなどが行われるが、例えば塗
膜を硬化させる場合は、まず高圧電源を得るのにトラン
スで１５０〜４００１（Ｖ程度の高圧に昇圧し、１０”
−’ Ｔｏｒｒ程度の高真空室す、で加熱されたフィラ
メントに印加して電子線を発生させていた。従って使用
されるトランスが大型で高価なものとなり、そしてフィ
ラメントの予熱が必要であるとともに使用時に大きく発
熱し、寿命も短かい問題点があった。この発熱により市
、子線原案が旨温となり、ことにチタン薄膜からなる電
子線透過膜は電子線が透過する除の損失による発熱のた
めに特に高温となるが、薄膜なるが故に耐熱性が低く、
そのためこれ全冷却する必要があった。そしてこの透過
膜での電子線の減衰金車さくするために膜厚が１２〜１
５μ程度とされるが、この膜厚のチタン薄膜にはピンホ
ールが製造工程で発生しやすく、また使用中にも発生し
やすい。ゼしてピンホールが少しでも存在すると電子線
源室を筒真空に維持することが不可能となるので高品質
のチタン薄膜が必要であった。
そこでこれらの問題点を解決するために、冷陰極にパル
ス状の高電圧を印加する電界放射型の電子線照射装置が
提案され、実用化されつつある。
ス状の高電圧を印加する電界放射型の電子線照射装置が
提案され、実用化されつつある。
この電界放射型の電子線照射装置では、電子線源室内の
減圧度はフィラメントによる熱電子放射型が１０’Ｔｏ
ｒｒ程度必袂なのに比べて１０−５〜１０−’Ｔｏｒｒ
程度で良い。°まだ、パルス電圧は加速電圧を容易に高
くすることができるので、透過膜が厚くなって電子線の
減衰が少々大きくなっても十分な電子線解を確保でき、
電子線源室の減圧度が低いこととあいまって、透過膜に
少々ピンホールが存在しても使用可能であり、高品質の
チタン薄膜を必侠としない。そして、大型のトランスが
不要なだめ、コストが安く、電子線発生部の構造も簡単
で、フィラメントに比べて寿命が著しく長いなどの利点
がある。
減圧度はフィラメントによる熱電子放射型が１０’Ｔｏ
ｒｒ程度必袂なのに比べて１０−５〜１０−’Ｔｏｒｒ
程度で良い。°まだ、パルス電圧は加速電圧を容易に高
くすることができるので、透過膜が厚くなって電子線の
減衰が少々大きくなっても十分な電子線解を確保でき、
電子線源室の減圧度が低いこととあいまって、透過膜に
少々ピンホールが存在しても使用可能であり、高品質の
チタン薄膜を必侠としない。そして、大型のトランスが
不要なだめ、コストが安く、電子線発生部の構造も簡単
で、フィラメントに比べて寿命が著しく長いなどの利点
がある。
ところで、この種の電子線照射装置の内部では電子線が
金属板に照射されたときにＸ線が発生するので、このＸ
線が外部に漏洩しないようにシールドする必要がある。
金属板に照射されたときにＸ線が発生するので、このＸ
線が外部に漏洩しないようにシールドする必要がある。
そして従来は、装置箱の外′壁に厚い鉛板を張りめぐら
し、発生したＸ線を装置の最外部でシールドしていたの
で、効率よくシールドしているとは言い難かった。
し、発生したＸ線を装置の最外部でシールドしていたの
で、効率よくシールドしているとは言い難かった。
そこで本発明は、簡単な構成で、発生したＸ線を効率よ
くシールドすることが可能な電子線照射方法とその装置
を提供することを目的とする。そして本発明の電子線照
射方法は、減圧された、または／および不活性ガスが充
填された処理室内に被処理物およびその下方の鉛似を配
置し、電子線源室より電子線透過膜を通して電子線をパ
ルス状で被処理物に照射すること（！−特徴とする。更
に、かかる方法を効果的に実施するために、本発明は電
子線をパルス状に発生させる電子線源室と、減圧用パイ
プおよびガス充填−用パイプが接続され、その開閉扉に
試料台が固定された処理室と、電子線の向う方向であっ
て試料台より下方に配置された鉛板と、霜、子線温室と
処理室とを気密に区画する１ｂ、子線透過膜とを備えた
電子線照射装置を使用する。
くシールドすることが可能な電子線照射方法とその装置
を提供することを目的とする。そして本発明の電子線照
射方法は、減圧された、または／および不活性ガスが充
填された処理室内に被処理物およびその下方の鉛似を配
置し、電子線源室より電子線透過膜を通して電子線をパ
ルス状で被処理物に照射すること（！−特徴とする。更
に、かかる方法を効果的に実施するために、本発明は電
子線をパルス状に発生させる電子線源室と、減圧用パイ
プおよびガス充填−用パイプが接続され、その開閉扉に
試料台が固定された処理室と、電子線の向う方向であっ
て試料台より下方に配置された鉛板と、霜、子線温室と
処理室とを気密に区画する１ｂ、子線透過膜とを備えた
電子線照射装置を使用する。
以下に図面に示す塗膜を硬化させるときの実施例に基い
て本発明に係る方法と装置について更に具体的に説明す
る。
て本発明に係る方法と装置について更に具体的に説明す
る。
電子線源室１を構成する真空容器２は筒状体であり、内
部を減圧するための４）［気孔２１と電子線を取出すだ
めの電子線取出口２２が設けられている。そして何方に
は樹脂製の絶縁ブツシュ６が固着され、その先端に金属
導体４が接続されている。
部を減圧するための４）［気孔２１と電子線を取出すだ
めの電子線取出口２２が設けられている。そして何方に
は樹脂製の絶縁ブツシュ６が固着され、その先端に金属
導体４が接続されている。
この金属導体４の下方には電界成形板５が固着され、そ
の平坦部は電子線取出口２２と対面している。そしてこ
の平坦部にはタンタル製の５本の電子放出用ブレイズ５
１がそれぞれ垂直に固着され、その先端縁は電子線取出
口２２の方向に伸びている。更に、電界成形板５の周縁
部には同じくタンタル製の補助プレイズ５２が固着され
、その先端縁は真空容器２の壁に向かって伸びている。
の平坦部は電子線取出口２２と対面している。そしてこ
の平坦部にはタンタル製の５本の電子放出用ブレイズ５
１がそれぞれ垂直に固着され、その先端縁は電子線取出
口２２の方向に伸びている。更に、電界成形板５の周縁
部には同じくタンタル製の補助プレイズ５２が固着され
、その先端縁は真空容器２の壁に向かって伸びている。
なお、この補助ブレイズ５２は必ずしも電界成形板５に
固着されなくてもよく、金属導体４に固着してもよい。
固着されなくてもよく、金属導体４に固着してもよい。
金属導体４は′電源部に連通しているが、この′電源部
は−２４０Ｋｖのパルス霜、圧が数１００ｎｓｅｃのパ
ルス巾で発生するようになっており、従って冷陰極型の
電界成形板５にこのパルス状の高電圧が印加され、電子
線はブレイズ５１．５２の先端縁より下方に照射される
。
は−２４０Ｋｖのパルス霜、圧が数１００ｎｓｅｃのパ
ルス巾で発生するようになっており、従って冷陰極型の
電界成形板５にこのパルス状の高電圧が印加され、電子
線はブレイズ５１．５２の先端縁より下方に照射される
。
真空容器２の電子線取出口２２の下方には処理室６であ
る塗膜硬化室全構成する箱体７が連設され、その側壁の
一面が開閉扉８であり、開閉可能となっている。この開
閉扉８の内面にはステンレス製の試料台９の一端が固定
され、試料台９の裏面には厚さ数岨の鉛板１２が張りイ
」けられている。
る塗膜硬化室全構成する箱体７が連設され、その側壁の
一面が開閉扉８であり、開閉可能となっている。この開
閉扉８の内面にはステンレス製の試料台９の一端が固定
され、試料台９の裏面には厚さ数岨の鉛板１２が張りイ
」けられている。
′もっとも鉛板１２は直接試料台９に張り付けずに、電
子線の向う方向であって、試料台９の下方の箱体７の床
上に配置してもよい。そして箱体／の側壁には減圧用排
気バイグア１とガス充填用パイプ７２が連設され、それ
ぞれが減圧装置およびガス供給装置に接続されている。
子線の向う方向であって、試料台９の下方の箱体７の床
上に配置してもよい。そして箱体／の側壁には減圧用排
気バイグア１とガス充填用パイプ７２が連設され、それ
ぞれが減圧装置およびガス供給装置に接続されている。
箱体７の天井の開口部には複数個の棧が配設されており
、この開口部が電子線取出口２２と一致して電子線の通
路を構成しているが、この棧の下方から厚さ・が２５μ
で、従来の熱電子放射型で使用されるものの２倍の厚さ
のチタン薄膜からなる電子線透過膜１１が配設され、電
子線分室１と処理室６とを気密に区画している。
、この開口部が電子線取出口２２と一致して電子線の通
路を構成しているが、この棧の下方から厚さ・が２５μ
で、従来の熱電子放射型で使用されるものの２倍の厚さ
のチタン薄膜からなる電子線透過膜１１が配設され、電
子線分室１と処理室６とを気密に区画している。
しかして、上記構成の装置を用いて塗膜を硬化妊せるに
は、まず塗膜が塗布された被処理物１０を試料台９上に
載置し、開閉扉８が閉じられる。
は、まず塗膜が塗布された被処理物１０を試料台９上に
載置し、開閉扉８が閉じられる。
そして減圧装置を作動させて電子線源室１を１０−５〜
１０ Ｔｏｒｒ、処理室６を１０−’ 〜１０−２Ｔｏ
ｒｒ程度に減圧される。このとき処理室６内の酸素濃度
はおよそ１０ ｐｐｍ以下となシ、酸素が塗膜の硬化を
阻害することがない。次にガス充填用パイプ７２よシ窒
素ガスを充填するとともに電界成形板５に前述のパルス
電圧を印加すると電子線は、主として電子放出用ブレイ
ズ５１の先端縁より被処理物１０に照射され、塗膜が硬
化する。
１０ Ｔｏｒｒ、処理室６を１０−’ 〜１０−２Ｔｏ
ｒｒ程度に減圧される。このとき処理室６内の酸素濃度
はおよそ１０ ｐｐｍ以下となシ、酸素が塗膜の硬化を
阻害することがない。次にガス充填用パイプ７２よシ窒
素ガスを充填するとともに電界成形板５に前述のパルス
電圧を印加すると電子線は、主として電子放出用ブレイ
ズ５１の先端縁より被処理物１０に照射され、塗膜が硬
化する。
このとき、電子線が金属板である被処理物１゜や試料台
９に照射されているのでＸｉが発生し、・このＸ線の放
出方向は電子線の向う方向と一致してその大部分は試料
台９の下方に放出される。ところが、試料台９の下方に
は鉛板１２が配置されているので、Ｘ線ｅよ四方に拡散
する前に大部分がこの鉛ｊｆｉ１２に吸収されてしまう
。この様にＸ線は発生した直後に鉛板１２に吸収される
ので非常に効率が良く、真空容器２や箱体７の外部に放
出されるＸ線前はわずかとなり、装置箱の外壁に貼られ
る鉛板は従来に比べて薄いものでよいので軽知、化を達
成することができる。
９に照射されているのでＸｉが発生し、・このＸ線の放
出方向は電子線の向う方向と一致してその大部分は試料
台９の下方に放出される。ところが、試料台９の下方に
は鉛板１２が配置されているので、Ｘ線ｅよ四方に拡散
する前に大部分がこの鉛ｊｆｉ１２に吸収されてしまう
。この様にＸ線は発生した直後に鉛板１２に吸収される
ので非常に効率が良く、真空容器２や箱体７の外部に放
出されるＸ線前はわずかとなり、装置箱の外壁に貼られ
る鉛板は従来に比べて薄いものでよいので軽知、化を達
成することができる。
以上説明した＠（に本発明によれば、パルスＴＩＥ圧を
印加する電界放射型であるので、安価で迅速に被処理物
を処理でさるとどもに、Ｘ線をその発生面接に吸収する
のでＸ線を効率よくシールドすることが−ＢＪ能な電子
線照射方法とその装置産金提供することができる。
印加する電界放射型であるので、安価で迅速に被処理物
を処理でさるとどもに、Ｘ線をその発生面接に吸収する
のでＸ線を効率よくシールドすることが−ＢＪ能な電子
線照射方法とその装置産金提供することができる。
第１図は本発明実施例の正凹断面図、第２図は同じく側
面断面図である。 １・・・電子線源室 ２・・・真空容器４・・・金属導
体 ５・・・電界成形板６・・・処理室 ８・・・開閉
扉 ９・・・試料台１０・・・被処理物 １１・・・１
．子線透過膜１２・・・鉛板
面断面図である。 １・・・電子線源室 ２・・・真空容器４・・・金属導
体 ５・・・電界成形板６・・・処理室 ８・・・開閉
扉 ９・・・試料台１０・・・被処理物 １１・・・１
．子線透過膜１２・・・鉛板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、減圧された、または／および不活性ガスが充填され
た処理室内に被処理物とその下方に鉛板を配置し、電子
線源室より電子線透過膜を通して電子線をパルス状で被
処理物に照射することを特徴とする電子線照射方法。 Ｚ 電子線をパルス状に発生させる電子線源室と、減圧
用排気パイプおよびガス充填用パイプが接続され、その
開閉扉に試料台が固定された処理室と、電子線の向う方
向であって試料台より下方に配置した鉛板と、電子線源
室と処理室とを気密に区画する１￥Ｃ子線透過膜とを備
えた電子線照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18847283A JPS6080799A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 電子線照射方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18847283A JPS6080799A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 電子線照射方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080799A true JPS6080799A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=16224317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18847283A Pending JPS6080799A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 電子線照射方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080799A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003075599A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバ用電子線照射装置及び硬化方法 |
| JP2009068973A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子線照射装置 |
-
1983
- 1983-10-11 JP JP18847283A patent/JPS6080799A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003075599A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバ用電子線照射装置及び硬化方法 |
| JP2009068973A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子線照射装置 |
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