JPS5914763Y2 - イオン式煙感知器 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案はイオン式煙感知器に関し、特に、イオン室を
形成している電極間の汚染に基づく絶縁低下による誤警
報をなくすとともに、絶縁低下を検出するように構成し
たものである。

一般にイオン式煙感知器は、長期間に渡って使用してい
ると、イオン室を形成している電極間の絶縁物が汚染さ
れて絶縁が低下し、誤警報または失報などの問題が生し
る。

このことを第１図の従来例の回路図に基づいて説明する
と、イオン式煙感知器は、放射線源１を設けた内部電極
２と、中間電極３と、外部電極４とから成り、煙の侵入
しにくい内部イオン室１０と、煙の侵入しやすい外部イ
オン室２０とが直列に結合されて、電源端子ｔ１゜ｔ２
に接続されている。

そして、中間電極３がＮチャンネル形の電界効果トラン
ジスタ（以下ＦＥＴと略称する）Ｑのゲート電極に接続
されている。

これらの電極間の絶縁抵抗は、等価的にＲ１とＲ２で示
すことができ、２つの絶縁抵抗Ｒ１，Ｒ２が直列結合さ
れて各イオン室１０．２０に並列に接続された形で表わ
される。

なお、ＦＥＴＱのドレイン・ソース電路は抵抗ｒを介し
て電源端子ｔ１．ｔ２に接続され、ソース電極は出力端
子Ａに接続されている。

以上のように構成されたイオン式煙感知器において、電
極間の絶縁が汚染などで低下した場合、２つの絶縁抵抗
Ｒ１，Ｒ２が同じように低下すればゲート電極の電位は
変化しないから問題ないが、絶縁抵抗Ｒ１のみが汚れて
抵抗が低下するとゲート電極電位が上昇し、外部イオン
室２０に煙が侵入したと同様にドレイン・ソース電路間
に電流が流れ、出力端子Ａに出力が現われ、いわゆる誤
警報を起こす。

また絶縁抵抗Ｒ２のみが低下すると、ゲート電極電位が
下がり、ドレイン・ソース電路間の電流が減少し、誤警
報を起こすことはないが、しかしながらこのような絶縁
低下状態において外部イオン室２０に警報信号の発する
範囲の煙量が侵入しても警報信号が出力されず、いわゆ
る失報を起こすのである。

この考案は、上記のような誤警報および失報をなくすよ
うに構成したものであって、以下この考案の実施例を第
２図と第３図に基づいて詳細に説明する。

第２図はこの考案のイオン式煙感知器の構造を示す断面
図であって、放射線源１を設けた内部電極２と、小開口
３１を有する中間電極３と、通気口４１を設けた外部電
極４とを備え、内部イオン室１０および外部イオン室２
０を形成している。

内部電極２は、シールドケース５に当接してスプリント
基板８に取付けられた絶縁体６によって支持され、中間
電極３は、シールドケース５に着脱自在に取付けられた
絶縁体７によって支持され、外部電極４は、シールドケ
ース５に着脱自在に取付けられている。

シールドケース５は、プリント基板８を覆って設けられ
ている。

なお、中間電極３はプリント基板８にモールドして設け
られたＦＥＴＱのゲート電極に接続されている。

以上のように構成されたこの考案のイオン式煙感知器の
各電極間の絶縁抵抗を等価的に示すと、第３図の回路図
のように表わすことができる。

すなわち、絶縁抵抗Ｒ１は、各イオン室１０．２０に並
列に接続されて電源端子ｔ０．ｔ２に接続され、絶縁抵
抗Ｒ２は、中間電極３と電源端子ｔ２に接続された形で
表わすことができる。

このような２つの絶縁抵抗Ｒ１とＲ２が汚染によって低
下した場合を説明すると、絶縁抵抗Ｒ１が低下した時は
、ＦＥＴＱのゲート電位が変化せず、出力端子Ａに出力
が現われず問題ない。

次に絶縁抵抗Ｒ２が低下した時は、ゲート電位が下がり
、ドレイン・ソース電路間の電流が減少し、誤警報を起
こすことのない、いわゆる失報状態を呈する。

また二つの絶縁抵抗Ｒ１とＲ２がともに低下したとして
も絶縁抵抗Ｒ２の低下によるゲート電位の降下という現
象のみが現われる。

このように二つの絶縁抵抗Ｒ１とＲ２のいずれかが低下
しても、従来のように誤警報を発することはなく、いわ
ゆる失報状態を呈するだけである。

したがって、このゲート電極の電位降下が、煙警報信号
を処理している範囲以下になった時に、絶縁体６と７の
絶縁低下を告知するものとしてトラブル信号を発生する
ようにし、これにより失報の問題をもなくすようにする
のである。

このトラブル信号を取り出すには、第３図の回路図に一
例として示すように、煙警報信号用の第１のＦＥＴＱと
は別に、ゲート電極の電位が下がるとドレインソース電
路に電流が流れるＰチャンネル形の第２ＦＥＴＱ’を中
間電極３に接続し、出力端子Ｂに現われる電位でスイッ
チング回路（図示せず）を駆動するようすればよいので
ある。

以上で説明したように、この考案のイオン式煙感知器は
、電極間の絶縁体６と７のいずれかが汚染によって絶縁
低下しても、ＦＥＴのゲート電極電位が降下するように
して、このゲート電極電位の降下が煙警報信号を処理し
ている範囲を起えた時に、トラブル信号を発するように
構成したので絶縁低下による誤警報や失報の問題をなく
すことができるのである。

また、絶縁体６と７とは、内部電極２および中間電極３
、シールドケース５等に対して着脱自在に取付けられて
いるので、汚染されれば容易に新しいものと交換するこ
とができイオン式煙感知器の保守清掃作業が簡易化され
るなどの防災上優れた効果を奏するのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のイオン式煙感知器の電気的接続を等価的
に示す回路図、第２図はこの考案のイオン式煙感知器の
構造を示す縦断面図、第３図は第２図の感知器の電気的
接続を示す回路図である。 １・・・・・・放電線源、２・・・・・・内部電極、３
・・・・・・中間電極、４・・・・・・外部電極、５・
・・・・・シールドケース、６．７・・・・・・絶縁体
、１０・・・・・・内部イオン室、２０・・・・・・外
部イオン室、Ａ−Ｂ・・・・・・出力端子、Ｑ・・・・
・・ＦＥＴ、ｔｌ、ｔ２・・・・・・電源端子。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 放射線源を設けた内部電極と、中間電極と、外部電極と
   で内部および外部イオン室を形成し、該イオン室のイン
   ピーダンスを変換する電界効果トランジスタを有するイ
   オン式煙感知器において上記内部電極と中間電極とを各
   々の絶縁体で支持し、該各線縁体および上記外部電極を
   、プリント基板を覆って設けたシールドケースで支持し
   、上記各電極間の絶縁低下によって、上記電界効果トラ
   ンジスタのゲート電位が降下するようにし、ゲート電位
   降下が煙検出信号を処理する範囲を超えた時に、トラブ
   ル信号を発生するゲート電位降下検出回路を設けたこと
   を特徴とするイオン式煙感知器。