JPS59145953A - 熱間渦流探傷方法 - Google Patents
熱間渦流探傷方法Info
- Publication number
- JPS59145953A JPS59145953A JP1963683A JP1963683A JPS59145953A JP S59145953 A JPS59145953 A JP S59145953A JP 1963683 A JP1963683 A JP 1963683A JP 1963683 A JP1963683 A JP 1963683A JP S59145953 A JPS59145953 A JP S59145953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flaw
- descaling
- flaw detection
- eddy current
- temperature difference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/72—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables
- G01N27/82—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables for investigating the presence of flaws
- G01N27/90—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables for investigating the presence of flaws using eddy currents
Landscapes
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
流探傷方法に関A一る。
周知の様に渦流探傷器は、高周波電流を流したコイル(
探傷コイル)を被検材にほぼ一定ギャップを保って配置
し、被検材の表面に渦電流を発生さゼ、表面疵があると
該部位表面を流11る渦電流に変化がおこりコイルのイ
ンピーダンス、又ハコイルに誘起される電圧に変化が生
じ、変化した電気G4号が得られる。この信号の振巾お
よび位相などから表面疵の存在とその程度を判断する事
が出来るものである。
探傷コイル)を被検材にほぼ一定ギャップを保って配置
し、被検材の表面に渦電流を発生さゼ、表面疵があると
該部位表面を流11る渦電流に変化がおこりコイルのイ
ンピーダンス、又ハコイルに誘起される電圧に変化が生
じ、変化した電気G4号が得られる。この信号の振巾お
よび位相などから表面疵の存在とその程度を判断する事
が出来るものである。
この場合被検材表面に誘起される渦電流は、被検材上探
傷コイルとの間のギャップ量変化、被検材の導電率の変
化、被検材の透磁率の変化等により変動するが、ほぼ同
一ギャップ量で同一被検材であれば、表面疵がある部位
以外では信号が急変することはなく、信号の急変(微分
@)を検出することにより表面疵を検出出来る。
傷コイルとの間のギャップ量変化、被検材の導電率の変
化、被検材の透磁率の変化等により変動するが、ほぼ同
一ギャップ量で同一被検材であれば、表面疵がある部位
以外では信号が急変することはなく、信号の急変(微分
@)を検出することにより表面疵を検出出来る。
ところが現実には鋼材表面に製造過程で生じた一次スケ
ールがまばらに浮き上がっていたり、疵でない表面凹凸
(例えば連続鋳造スラブのオルーションマーク)があっ
たりする表面凹凸については、周知の技術である位相別
弁により探傷時のノイズを除去する事が可能であるが、
浮き上りスケールについては形状、形態が一定しなし・
ため表面疵との位相別弁は出来ない。そのためにワイヤ
ーブラシ、エアーブロー、ショットブラスト等を行なっ
て浮き上りスケールを取る必要があるが、被検材が熱間
の場合ワイヤープランは損耗がはげしく、エアーブロー
は十分にデスケール出来ず又ショツトブラストの場合は
設備費,運転費共に高価である事から、発明者等は簡単
な設備でデスケールが出来る高圧水による方法を採用し
種々テストをくり変えした結果、高圧水は50 kg/
cm2以上の圧力であれば、デスケールはほぼ完全に出
来、探傷に影響がないことがわかった。
ールがまばらに浮き上がっていたり、疵でない表面凹凸
(例えば連続鋳造スラブのオルーションマーク)があっ
たりする表面凹凸については、周知の技術である位相別
弁により探傷時のノイズを除去する事が可能であるが、
浮き上りスケールについては形状、形態が一定しなし・
ため表面疵との位相別弁は出来ない。そのためにワイヤ
ーブラシ、エアーブロー、ショットブラスト等を行なっ
て浮き上りスケールを取る必要があるが、被検材が熱間
の場合ワイヤープランは損耗がはげしく、エアーブロー
は十分にデスケール出来ず又ショツトブラストの場合は
設備費,運転費共に高価である事から、発明者等は簡単
な設備でデスケールが出来る高圧水による方法を採用し
種々テストをくり変えした結果、高圧水は50 kg/
cm2以上の圧力であれば、デスケールはほぼ完全に出
来、探傷に影響がないことがわかった。
父、高圧水で被検材をデスケールすると表層部が急冷さ
れ、表面疵部位と庇部以外の母材表面部位間に大きな温
度差が生じる事が確認出来た。鋼材の温度と透磁率、導
電率とは密接な関係があり、温度差がη−じているとい
う事は透磁率、導電率に差があると云う事であり、電気
信号の5旬変を検出するには極めて有利となることから
、積極的に温度差を伺けて探傷する方法に思い至った。
れ、表面疵部位と庇部以外の母材表面部位間に大きな温
度差が生じる事が確認出来た。鋼材の温度と透磁率、導
電率とは密接な関係があり、温度差がη−じているとい
う事は透磁率、導電率に差があると云う事であり、電気
信号の5旬変を検出するには極めて有利となることから
、積極的に温度差を伺けて探傷する方法に思い至った。
すなわち一本発明の要旨とするところは、表面温度が6
00℃以上の鋼片を渦流探傷するにあたり、5 o k
g/cm2以上の高圧水で鋼片表面をデスケールし、デ
スケール後3分以内に渦流探傷することを特徴とする熱
間渦流探傷方法にある。
00℃以上の鋼片を渦流探傷するにあたり、5 o k
g/cm2以上の高圧水で鋼片表面をデスケールし、デ
スケール後3分以内に渦流探傷することを特徴とする熱
間渦流探傷方法にある。
以下本発明を図面により詳細に説明する。
第1図は被検拐として表面の平均温度が約700℃の連
続鋳造スラブを用いてデスケール効果を調査したもので
あり、デスケール水圧を変えてそれぞれ同一条件でデス
ケール後ずぐに熱間渦流探傷を行ない、その時のノイズ
レベルを調査した。デスケール水圧を増加させていくと
、50 kg/crn2まではほぼ直線的にノイズレベ
ルが低下する効果が生じる。5.0 kg/cwL2以
上では少しずつ改善されるが、50 kg/cm2まで
の様な大きな改善率は期待出来ない。このような事から
50 kg/ls2以」二のデスケール水圧を確保すれ
ば、探傷にさしつかえない範囲までデスケールが出来、
ノイズレベルも04V以下に抑えられ、十分な効果が期
待出来ることが判った。これはスラブの表面温度が60
0〜1100℃の間であればほぼ同様な傾向を示す。
続鋳造スラブを用いてデスケール効果を調査したもので
あり、デスケール水圧を変えてそれぞれ同一条件でデス
ケール後ずぐに熱間渦流探傷を行ない、その時のノイズ
レベルを調査した。デスケール水圧を増加させていくと
、50 kg/crn2まではほぼ直線的にノイズレベ
ルが低下する効果が生じる。5.0 kg/cwL2以
上では少しずつ改善されるが、50 kg/cm2まで
の様な大きな改善率は期待出来ない。このような事から
50 kg/ls2以」二のデスケール水圧を確保すれ
ば、探傷にさしつかえない範囲までデスケールが出来、
ノイズレベルも04V以下に抑えられ、十分な効果が期
待出来ることが判った。これはスラブの表面温度が60
0〜1100℃の間であればほぼ同様な傾向を示す。
第2図は同じく表面温度約700℃の熱片連続鋳造スラ
ブ表面に、疵開口巾約4 mm、疵深さ約5騙のタガネ
疵を付けて50kg/Crn2の水圧でデス゛ケールし
た後、母材部(正常な表面部)と人工疵部の表面温度を
時間と共に測定し、母祠部と人工疵部の温度差をプロッ
トした図である。図から明らかな様にデスケールにより
スラブ表層部が急冷されて疵部分は、冷却表面積大のた
め母材部より温度が壬がるが、時間と共に母材内部の復
熱により約:3〜4分でほぼデスケールの冷却による温
度差は無くなって行くことが判った。この復熱の傾向は
、疵の状態やスラブ温度によって異なるが、Iよぼ同様
の傾向を示すものである。
ブ表面に、疵開口巾約4 mm、疵深さ約5騙のタガネ
疵を付けて50kg/Crn2の水圧でデス゛ケールし
た後、母材部(正常な表面部)と人工疵部の表面温度を
時間と共に測定し、母祠部と人工疵部の温度差をプロッ
トした図である。図から明らかな様にデスケールにより
スラブ表層部が急冷されて疵部分は、冷却表面積大のた
め母材部より温度が壬がるが、時間と共に母材内部の復
熱により約:3〜4分でほぼデスケールの冷却による温
度差は無くなって行くことが判った。この復熱の傾向は
、疵の状態やスラブ温度によって異なるが、Iよぼ同様
の傾向を示すものである。
父、第3図は50 kg、/Cm、’の水圧でデスケ−
/L、後復熱するまでの第2図の温度差に対応させて、
時間経過と共に人工疵探傷信号とノイズ出力の状態変化
をプロットした図であり、温度差針大の場合疵信号も犬
で、温度差が小になるにしたがい疵信号出力も小になる
。又ノイズレベルは時間とともにわずかずつ上昇する傾
向を示すが、3分以内て、lbれば探傷にさしつかえな
い程度である。以上の事から調料を熱間渦流探傷する場
合に50 kg/cfn2以上の水圧でデス゛ケールし
、デスケール後3分以内で出来るだけ早い時点で探傷す
れば極めて良好な探傷が行なえることが判る。又、本発
明は連続鋳造スラブに限るものではなく、分塊圧延した
スラブにも適用出来るものである。
/L、後復熱するまでの第2図の温度差に対応させて、
時間経過と共に人工疵探傷信号とノイズ出力の状態変化
をプロットした図であり、温度差針大の場合疵信号も犬
で、温度差が小になるにしたがい疵信号出力も小になる
。又ノイズレベルは時間とともにわずかずつ上昇する傾
向を示すが、3分以内て、lbれば探傷にさしつかえな
い程度である。以上の事から調料を熱間渦流探傷する場
合に50 kg/cfn2以上の水圧でデス゛ケールし
、デスケール後3分以内で出来るだけ早い時点で探傷す
れば極めて良好な探傷が行なえることが判る。又、本発
明は連続鋳造スラブに限るものではなく、分塊圧延した
スラブにも適用出来るものである。
次に本発明の実施例による探傷結果につし・て述べる。
第4図は本発明になる実施例であり、熱間状態(表面温
度約700℃)の連続鋳造スラブ表面にタガネで約疵開
口巾4.mmで疵深さ5闘、長さ50TInのタガネ疵
を付け、B □ kg/art2の高圧水でデスケール
した後1分以内に探傷した結果である。縦軸に信号出力
電圧、横軸に時間軸をとった場合の探傷結果のアナログ
チャート例であり、疵信号Sは約2vであり、ノイズレ
ベルは約Q、4Vとなり、SlN比としては約5倍程度
である・ 第5図はsokg/σ2の高圧水で前述の様にデスケー
ルした後5分間経過した後に探傷した結果である。縦軸
に探傷結果信号出力、横軸に時間を第4図と同様に表示
してあり、疵信号Sは約1,5V、ノイズ信号Nは約Q
、7Vであり、SlN比は約2倍となっている。以上説
明した様に高圧水デスケール直後に熱間探傷をすれば、
良好にS/N良く探傷する事が可能である。
度約700℃)の連続鋳造スラブ表面にタガネで約疵開
口巾4.mmで疵深さ5闘、長さ50TInのタガネ疵
を付け、B □ kg/art2の高圧水でデスケール
した後1分以内に探傷した結果である。縦軸に信号出力
電圧、横軸に時間軸をとった場合の探傷結果のアナログ
チャート例であり、疵信号Sは約2vであり、ノイズレ
ベルは約Q、4Vとなり、SlN比としては約5倍程度
である・ 第5図はsokg/σ2の高圧水で前述の様にデスケー
ルした後5分間経過した後に探傷した結果である。縦軸
に探傷結果信号出力、横軸に時間を第4図と同様に表示
してあり、疵信号Sは約1,5V、ノイズ信号Nは約Q
、7Vであり、SlN比は約2倍となっている。以上説
明した様に高圧水デスケール直後に熱間探傷をすれば、
良好にS/N良く探傷する事が可能である。
第1図は被検材(連鋳スラブ)のデスケール効果を示す
ものである3、第2図はデスケ−/L、後の母イ〕部と
人]L疵との温度差を示すものである。第3図はデスケ
ール後の母材部と人工疵との温度差に対応した人工疵検
出信号レベルとノイズレベルの変化を示すものである。 第4図及び第5図は本発明と比較例による探傷結果を表
わしたグラフである。 特許出願人代理人 弁理士 矢 葺 知 之 (ほか]名) 第1図 第2図 1 23 4 5 5゛スケ−+t//f灸り瑣l^ (4子)第3図 子゛左1−1ゾ稜り照明(騨) 第4図 第5図 /
ものである3、第2図はデスケ−/L、後の母イ〕部と
人]L疵との温度差を示すものである。第3図はデスケ
ール後の母材部と人工疵との温度差に対応した人工疵検
出信号レベルとノイズレベルの変化を示すものである。 第4図及び第5図は本発明と比較例による探傷結果を表
わしたグラフである。 特許出願人代理人 弁理士 矢 葺 知 之 (ほか]名) 第1図 第2図 1 23 4 5 5゛スケ−+t//f灸り瑣l^ (4子)第3図 子゛左1−1ゾ稜り照明(騨) 第4図 第5図 /
Claims (1)
- 表面湯度が600℃以上の鋼片を渦流探傷するにあたり
、5 Q kg/C1rt2以上の高圧水で鋼片表面を
デスケールし、デスケール後3分以内に渦流探傷するこ
とを特徴とする熱間渦流探傷方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1963683A JPS59145953A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 熱間渦流探傷方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1963683A JPS59145953A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 熱間渦流探傷方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59145953A true JPS59145953A (ja) | 1984-08-21 |
Family
ID=12004696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1963683A Pending JPS59145953A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 熱間渦流探傷方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59145953A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105241923A (zh) * | 2015-10-08 | 2016-01-13 | 电子科技大学 | 倒装焊焊点缺陷检测方法 |
CN113804727A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-17 | 电子科技大学 | 一种基于电阻抗成像的涡流热成像缺陷重构方法 |
-
1983
- 1983-02-10 JP JP1963683A patent/JPS59145953A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105241923A (zh) * | 2015-10-08 | 2016-01-13 | 电子科技大学 | 倒装焊焊点缺陷检测方法 |
CN113804727A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-17 | 电子科技大学 | 一种基于电阻抗成像的涡流热成像缺陷重构方法 |
CN113804727B (zh) * | 2021-08-30 | 2022-06-14 | 电子科技大学 | 一种基于电阻抗成像的涡流热成像缺陷重构方法 |
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