JPS59145558A - 半導体整流装置用積層スタツク - Google Patents
半導体整流装置用積層スタツクInfo
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- JPS59145558A JPS59145558A JP58018799A JP1879983A JPS59145558A JP S59145558 A JPS59145558 A JP S59145558A JP 58018799 A JP58018799 A JP 58018799A JP 1879983 A JP1879983 A JP 1879983A JP S59145558 A JPS59145558 A JP S59145558A
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- JP
- Japan
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- press plate
- pressure
- bolt
- spring guide
- insulating
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/117—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体整流装置に用いる平型半導体素子の積層
スタックの構造に関するものである。
スタックの構造に関するものである。
第１図および第２図は、従来から半導体整流装置に用い
られている平型半導体素子の積層スタックの構造を示す
正面図および側面図でるる。
られている平型半導体素子の積層スタックの構造を示す
正面図および側面図でるる。
これらの図において、複数の平型半導体素子１ばその両
端に配置された冷却フィン２を介して積層されると共に
、積層端部の一方の冷却フィン２は絶縁スペーサ３Ａお
よびバネガイド４を介して下押え板９との間に配置され
たバネ５により押圧され、他方の冷却フィン２は絶丁雇
スペーサ３Ｂおよびスチールボール６を介して上押え板
８の中心部分に配置された加圧ボルト７によって押圧さ
れ、上押え板８および下押え板９は絶縁ボルト１ｏによ
って適正な間隔を保ち連結固定されている。また、下押
え板９にはＬ字形の金具１２が固定されると共に、バネ
ガイド４には下押え板９の中心部分を貫通するロッド１
１が固定されており、加圧ボルト７を回転させてスチー
ルボール６を介して絶縁スペーサ３Ｂを押圧すると平型
半導体素子１および冷却フィン２はバネ５の反力によっ
て圧接され、この時の圧接力はロッド１１の先端と金具
１２との間隙１３を測ることによって検知できるように
構成されている。
端に配置された冷却フィン２を介して積層されると共に
、積層端部の一方の冷却フィン２は絶縁スペーサ３Ａお
よびバネガイド４を介して下押え板９との間に配置され
たバネ５により押圧され、他方の冷却フィン２は絶丁雇
スペーサ３Ｂおよびスチールボール６を介して上押え板
８の中心部分に配置された加圧ボルト７によって押圧さ
れ、上押え板８および下押え板９は絶縁ボルト１ｏによ
って適正な間隔を保ち連結固定されている。また、下押
え板９にはＬ字形の金具１２が固定されると共に、バネ
ガイド４には下押え板９の中心部分を貫通するロッド１
１が固定されており、加圧ボルト７を回転させてスチー
ルボール６を介して絶縁スペーサ３Ｂを押圧すると平型
半導体素子１および冷却フィン２はバネ５の反力によっ
て圧接され、この時の圧接力はロッド１１の先端と金具
１２との間隙１３を測ることによって検知できるように
構成されている。
従って、このような構成の積層スタックにおいて（・ま
、ロッド１１の先端と金具１２との間隙１３を管理する
ことにまり、平型半導体素子１の適正な圧接力を管理す
ることができる。例えば、素子１の劣化等によりこれを
交換する場合は、バネ５の反力がなくなるまで加圧ボル
トを弛めることにより素子１の交換ができる状態となり
、交換後は間隙１３が規定値に達するまで加圧ボルト７
を締付けることによυ、特別な圧力計等を用いずに素子
交換前の圧接状態と同じにすることができる。
、ロッド１１の先端と金具１２との間隙１３を管理する
ことにまり、平型半導体素子１の適正な圧接力を管理す
ることができる。例えば、素子１の劣化等によりこれを
交換する場合は、バネ５の反力がなくなるまで加圧ボル
トを弛めることにより素子１の交換ができる状態となり
、交換後は間隙１３が規定値に達するまで加圧ボルト７
を締付けることによυ、特別な圧力計等を用いずに素子
交換前の圧接状態と同じにすることができる。
しかしながら、このような構造において（は加圧ボルト
７および金具１２、ロッド１１が押え板８゜９より外側
に突出しているため、このような積層スタックを多数使
用する大容着半導体整流装置では装置全体の寸法が犬き
くなシネ経済になってしまうという欠点があった。
７および金具１２、ロッド１１が押え板８゜９より外側
に突出しているため、このような積層スタックを多数使
用する大容着半導体整流装置では装置全体の寸法が犬き
くなシネ経済になってしまうという欠点があった。
本発明の目的は、半導体整流装置全体の形状を小形化し
得る遺ノ耐スタックを提供することにある。
得る遺ノ耐スタックを提供することにある。
本発明は加圧ボルトおよび隙間測定部を押え板の内側に
自装置するようにしたものである。
自装置するようにしたものである。
第３図〜第５図は本発明の一実施例を示す図であって、
第３図は積層スタックの正面図、第４図はその側面図、
第５図はバネガイドの平面図をそれぞれ示している。
第３図は積層スタックの正面図、第４図はその側面図、
第５図はバネガイドの平面図をそれぞれ示している。
第３図および第４図において、平型半導体素子１、冷却
フィン２、絶縁スペーサ３Ａ、３Ｂは、従来と同様に上
押え板８と下押え板９との間に絶縁ボルト１０によって
一直線上に積層され、絶縁スペーサ３Ａ、３Ｂはバネガ
イド４およびスチールボール６を介して加圧ボルト７と
バネ５とによって押圧されている。
フィン２、絶縁スペーサ３Ａ、３Ｂは、従来と同様に上
押え板８と下押え板９との間に絶縁ボルト１０によって
一直線上に積層され、絶縁スペーサ３Ａ、３Ｂはバネガ
イド４およびスチールボール６を介して加圧ボルト７と
バネ５とによって押圧されている。
しかし、ここでの加圧ボルト７はその頭部が上押え板８
の内側になるように紋押え板８に螺合され、かつその頭
部には円錐状の切込みが設けられてスチールボール６を
絶縁スペーサ３Ｂとの間で確実に挾持するように構成さ
れている。
の内側になるように紋押え板８に螺合され、かつその頭
部には円錐状の切込みが設けられてスチールボール６を
絶縁スペーサ３Ｂとの間で確実に挾持するように構成さ
れている。
一方、バネガイド４には第３図および第５図で示すよう
にその中心部分を軸方向に貫通ずる貫通孔１４が設けら
れ、下押え板９に固定されかつ載板９の内側に突出した
ロッド１１をこの貫通孔１４に貫通させ、バネガイド４
の中心部分に形成された凹部１５においてロッド１１の
先端と絶縁スペーサ３Ａとの間隙１３を測定できるよう
に構成されている。
にその中心部分を軸方向に貫通ずる貫通孔１４が設けら
れ、下押え板９に固定されかつ載板９の内側に突出した
ロッド１１をこの貫通孔１４に貫通させ、バネガイド４
の中心部分に形成された凹部１５においてロッド１１の
先端と絶縁スペーサ３Ａとの間隙１３を測定できるよう
に構成されている。
従って、このような構造においては加圧ボルト７を回転
させることによって素子１および冷却フィン２をバネ５
の反力によって適切な圧接力で圧接させることができる
。そして、その圧接力は下押え板９の内側に突出したロ
ッド１１の先端と絶縁スペーサ３Ａとの間隙１３を測定
することによって検知でき、また圧接力は上押え板８の
内側にある加圧ボルト７の頭部を回転させることによっ
て調整できる。すなわち、従来と同様の機能を得ること
ができる。しかし、ここでは加圧ボルト７およびバネ５
のたわみ量測定部に相当する１…隙測測定を上押え板８
と下押え板９の内側に配置したため、長軸方向の最大寸
法を小さくすることができる。
させることによって素子１および冷却フィン２をバネ５
の反力によって適切な圧接力で圧接させることができる
。そして、その圧接力は下押え板９の内側に突出したロ
ッド１１の先端と絶縁スペーサ３Ａとの間隙１３を測定
することによって検知でき、また圧接力は上押え板８の
内側にある加圧ボルト７の頭部を回転させることによっ
て調整できる。すなわち、従来と同様の機能を得ること
ができる。しかし、ここでは加圧ボルト７およびバネ５
のたわみ量測定部に相当する１…隙測測定を上押え板８
と下押え板９の内側に配置したため、長軸方向の最大寸
法を小さくすることができる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、積層ス
タックの長軸方向の最大寸法を小さくすることができ、
半導体整流装置における取付は占有空間は小さくて済み
、装置全体の形状を小形化することができる。また、長
袖方向の最大寸法はバネの圧接力にばらつきがあっても
上押え板と下押え板との距離によって定まるため、取付
は位置の設計に際してバネの圧接力のばらつきを考慮し
なくて済み、設計時の取扱いが便利になるなどの効果が
ある。
タックの長軸方向の最大寸法を小さくすることができ、
半導体整流装置における取付は占有空間は小さくて済み
、装置全体の形状を小形化することができる。また、長
袖方向の最大寸法はバネの圧接力にばらつきがあっても
上押え板と下押え板との距離によって定まるため、取付
は位置の設計に際してバネの圧接力のばらつきを考慮し
なくて済み、設計時の取扱いが便利になるなどの効果が
ある。
第１図および第２図は従来における積層スタックの構造
を示す正面図および側面図、第３図および第４図は本発
明による積層スタックの一実施例を示す正面図および側
面図、第５図はバネガイドの構造を示す平面図である。 １・・・平型半導体素子、２・・・冷却フィン、３Ａ。
を示す正面図および側面図、第３図および第４図は本発
明による積層スタックの一実施例を示す正面図および側
面図、第５図はバネガイドの構造を示す平面図である。 １・・・平型半導体素子、２・・・冷却フィン、３Ａ。
Claims (1)
- 工、平型半導体素子と冷却フィンを介して積層し、この
積層体を所定間隔で対向配置された２つの押え板の間に
加圧ボルトおよび圧接バネを用いて圧接し、その圧接力
を前記圧接バネのたわみ量によって測定するｔ１１１１
定部を備えた半導体整流装置用積層スタックにおいて、
前記加圧ボルトの頭部および前記測定部を前記２つの押
え板の内側に配設したことを特徴とする半導体整流装置
用積層スタック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018799A JPS59145558A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 半導体整流装置用積層スタツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018799A JPS59145558A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 半導体整流装置用積層スタツク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145558A true JPS59145558A (ja) | 1984-08-21 |
| JPH0320902B2 JPH0320902B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=11981632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58018799A Granted JPS59145558A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 半導体整流装置用積層スタツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145558A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512931A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-12 | Hitachi Ltd | Seiryusochi |
| JPS56108265U (ja) * | 1980-01-21 | 1981-08-22 | ||
| JPS5712748U (ja) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | ||
| JPS596851U (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | 日本電気株式会社 | 平形半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1488664A (en) * | 1973-11-24 | 1977-10-12 | British Industrial Plastics | Liquid storage installations |
| GB1513631A (en) * | 1976-02-17 | 1978-06-07 | Gallardo Antonio Sa | Piperidine derivatives |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP58018799A patent/JPS59145558A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512931A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-12 | Hitachi Ltd | Seiryusochi |
| JPS56108265U (ja) * | 1980-01-21 | 1981-08-22 | ||
| JPS5712748U (ja) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | ||
| JPS596851U (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | 日本電気株式会社 | 平形半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0320902B2 (ja) | 1991-03-20 |
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