JPS59143073A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS59143073A JPS59143073A JP1635883A JP1635883A JPS59143073A JP S59143073 A JPS59143073 A JP S59143073A JP 1635883 A JP1635883 A JP 1635883A JP 1635883 A JP1635883 A JP 1635883A JP S59143073 A JPS59143073 A JP S59143073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- etching
- dry etching
- electrodes
- chloride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子の製造装置、特に微細加工全必侠
とする半導体素子の製造に用いられるドライエツチング
装置に関するものでるる。
とする半導体素子の製造に用いられるドライエツチング
装置に関するものでるる。
一般に半導体素子の製造方法ｖｃシいで半導体基板に所
望のパターン全形成するエツチングという工程があるが
、これには２種類の方法かある。
望のパターン全形成するエツチングという工程があるが
、これには２種類の方法かある。
一つは、薬液を用いて化学的反応によシエッチングする
いわゆるウェットエツチング、例えばシリコン酸化膜全
弗酸−弗酸アンモニウム系液でエツチングする方法等、
又もう一つは、ガスを放電によジ解ｍ−ａせプラズマ状
態にして化学的反応あるいは物理的反応にＬクエツチン
グするいわゆるドライエツチングである。
いわゆるウェットエツチング、例えばシリコン酸化膜全
弗酸−弗酸アンモニウム系液でエツチングする方法等、
又もう一つは、ガスを放電によジ解ｍ−ａせプラズマ状
態にして化学的反応あるいは物理的反応にＬクエツチン
グするいわゆるドライエツチングである。
ウェットエツチングは従来より広く使わレタ方法である
が、エツチングが化学的反応のため寺号的でろるのでサ
イドエッチ童が大きく、微細加工には適さない。それに
対して、ドライエツチングは異方性エツチングが可能で
あるので最近特に使われ始め、ｖｉ、細加工を必要とす
る半導体素子の製造には不可欠の物となりつつある。
が、エツチングが化学的反応のため寺号的でろるのでサ
イドエッチ童が大きく、微細加工には適さない。それに
対して、ドライエツチングは異方性エツチングが可能で
あるので最近特に使われ始め、ｖｉ、細加工を必要とす
る半導体素子の製造には不可欠の物となりつつある。
しかしながら、このドライエツチング伍に、もイ重種の
問題がある。その一つに、エツチング後ノカス状反応物
がエツチングチャンバーの内壁や’Ｕｆｆ１等に付着し
、女定したエツチング全阻害するという問題がある。特
に、アルミニウムのドライエツチングにおいてはエツチ
ングガスとして塙累系ガスが良く用いられるが、この時
反応ＶＣ，ｒ、ｐ生じたアルミニウム塩化物は容易にチ
ャンバーｎ１−ｔの他に付着し、チャンバー内の真空度
等全低下させ、またひどい場合（Ｃは基板自身への再付
漕も起り得る。これを防ぐために、通常１日１回乃至数
日に１回チーヤンバー１７ｊを開けて内壁や電極等全り
ＩＪ−ニングし２なけわ、ばならない。これはその手間
も大震であるが、エツチングチャンバー全大気に開放す
るため、空気中のゴミやスく分がチャンノく一円に入り
エツチング特性に悪影響を及ぼすという入点がある。消
ｌ常のウエノ・−出し入れについては、ロードロック機
構（具朶予備室）がついているのでエラチングチへ・ン
バー全人気に戻すことなく行′）＄がで′きる。又、ク
リーニングは一般ＶＣ純水を含１せ７ｂイ１」等を用い
でふき取９で行うが、クリーニング後にこの水分がチャ
ンバー内から完全に無くなる１てエツチングはできない
。水分が残っているとエツチング特性に悪影響を及ぼす
ばかりでなく、装置そのものにもｊに食等の害を与える
からである。
問題がある。その一つに、エツチング後ノカス状反応物
がエツチングチャンバーの内壁や’Ｕｆｆ１等に付着し
、女定したエツチング全阻害するという問題がある。特
に、アルミニウムのドライエツチングにおいてはエツチ
ングガスとして塙累系ガスが良く用いられるが、この時
反応ＶＣ，ｒ、ｐ生じたアルミニウム塩化物は容易にチ
ャンバーｎ１−ｔの他に付着し、チャンバー内の真空度
等全低下させ、またひどい場合（Ｃは基板自身への再付
漕も起り得る。これを防ぐために、通常１日１回乃至数
日に１回チーヤンバー１７ｊを開けて内壁や電極等全り
ＩＪ−ニングし２なけわ、ばならない。これはその手間
も大震であるが、エツチングチャンバー全大気に開放す
るため、空気中のゴミやスく分がチャンノく一円に入り
エツチング特性に悪影響を及ぼすという入点がある。消
ｌ常のウエノ・−出し入れについては、ロードロック機
構（具朶予備室）がついているのでエラチングチへ・ン
バー全人気に戻すことなく行′）＄がで′きる。又、ク
リーニングは一般ＶＣ純水を含１せ７ｂイ１」等を用い
でふき取９で行うが、クリーニング後にこの水分がチャ
ンバー内から完全に無くなる１てエツチングはできない
。水分が残っているとエツチング特性に悪影響を及ぼす
ばかりでなく、装置そのものにもｊに食等の害を与える
からである。
本発明は上記入点を無くし１手間をかけず、又チャンバ
ーも人気に開放することなくチャンノく一円をクリーニ
ングすることを目的とするものである。
ーも人気に開放することなくチャンノく一円をクリーニ
ングすることを目的とするものである。
本発明の特徴はチャンバークリーニング時に、チャンバ
ー内に温めた不活性ガスを一定時間、注入排気し、チャ
ンバー内壁等に付着した反応物を蒸発でせ、取シ除くも
のでめる。
ー内に温めた不活性ガスを一定時間、注入排気し、チャ
ンバー内壁等に付着した反応物を蒸発でせ、取シ除くも
のでめる。
以下に本発明の原理ｔアルεニウムのドライエツチング
金側にとって説明する。
金側にとって説明する。
アルミニウムの一ドライエツチングは第１図のように、
チャンバー内］のｌ［ｆｆ１１’と２の間にウエノ・−
６全１枚乃至数枚並べ、エツチングガス４と５と６とし
て塩水系カス、例えば四塩化炭蓄や三塩化ホウ累等を注
入し、ポンプで制気しながら竜杉１゜２間に高周波電力
を印加してエツチングすえ。々２る程度処理しで行くと
、第２図のよりにチャンバー内にアルミニウム、頃化４
勿９が１１看し７てくる。一定時間あるいは一定回数処
理したグこ、このアルミニウム塩化物を取り除く女の、
第１図のヒーター７に電力を加えながら、）（−ジガス
８全−足時間流す。例えばガスは、蟹素又１はアルゴン
、温度は７０〜１００℃程度で時間は１０分から１時間
程度で良い。すると、内壁面や電極じ付着したアルミニ
ウム塩化物９は、温風により蒸発し除去される。又、こ
の時ヒーター７のスイッチ、及びパージガス８のパルプ
にタイマーを接続しておけば作業者はスタートのスイッ
チを押すだけで、後は目動的に一定時間クリーニングが
行なわれることになる。又、この方法によれば温風でク
リーニングを行うのであるから、手の届かない場所や、
排気系の方に付着した反応物１で容易に除去できること
になる。その上、自動でクリーニングが行なわれる事か
ら、処理ロットが空いた空白時間に、クリーニング１口
す事も可能であυ、装置の稼動率金工げることもない。
チャンバー内］のｌ［ｆｆ１１’と２の間にウエノ・−
６全１枚乃至数枚並べ、エツチングガス４と５と６とし
て塩水系カス、例えば四塩化炭蓄や三塩化ホウ累等を注
入し、ポンプで制気しながら竜杉１゜２間に高周波電力
を印加してエツチングすえ。々２る程度処理しで行くと
、第２図のよりにチャンバー内にアルミニウム、頃化４
勿９が１１看し７てくる。一定時間あるいは一定回数処
理したグこ、このアルミニウム塩化物を取り除く女の、
第１図のヒーター７に電力を加えながら、）（−ジガス
８全−足時間流す。例えばガスは、蟹素又１はアルゴン
、温度は７０〜１００℃程度で時間は１０分から１時間
程度で良い。すると、内壁面や電極じ付着したアルミニ
ウム塩化物９は、温風により蒸発し除去される。又、こ
の時ヒーター７のスイッチ、及びパージガス８のパルプ
にタイマーを接続しておけば作業者はスタートのスイッ
チを押すだけで、後は目動的に一定時間クリーニングが
行なわれることになる。又、この方法によれば温風でク
リーニングを行うのであるから、手の届かない場所や、
排気系の方に付着した反応物１で容易に除去できること
になる。その上、自動でクリーニングが行なわれる事か
ら、処理ロットが空いた空白時間に、クリーニング１口
す事も可能であυ、装置の稼動率金工げることもない。
以上はアルミニウムのドライエツチングについて述べた
が、本発明は他のドライエツチングの場合にも適用可能
でめる。
が、本発明は他のドライエツチングの場合にも適用可能
でめる。
以上説明したように、本発明によればドラ、イエッチン
グのチャンバー全大気ｖｃ［Ｊ放する事なく、自動的に
クリーニングする事ができエツチング特性の安定及び装
置の稼動率向上に大いに寄与できるものである。
グのチャンバー全大気ｖｃ［Ｊ放する事なく、自動的に
クリーニングする事ができエツチング特性の安定及び装
置の稼動率向上に大いに寄与できるものである。
第１図及び第２図は本発明によるドラ・・［エツチング
装置の構造図でめる。 １．２・・・・・・電極 ３・・・・・・つ：Ｌ バ
ー４．５．６・・・・・・エツチング用ガス７・・・・
・・ヒーター ８・・・・・・パージガス９・・・・
・・アルミニウム塩化物 思 上 出願人 体式会付 第二謂工舎 代理人弁理士最上 務
装置の構造図でめる。 １．２・・・・・・電極 ３・・・・・・つ：Ｌ バ
ー４．５．６・・・・・・エツチング用ガス７・・・・
・・ヒーター ８・・・・・・パージガス９・・・・
・・アルミニウム塩化物 思 上 出願人 体式会付 第二謂工舎 代理人弁理士最上 務
Claims (1)
- 反応チャンバー内に、１種類Ｆ１よ数椹のガス’Ｃ２Ｎ
人し、高周波電力を印力口しガスをプラズマ化させ、エ
ツヂング金行９ドライエツチング装置において、加熱さ
汎ブと不活性ガス全注入する機構全備えることを特徴と
したドライエツチングｉｔ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1635883A JPS59143073A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1635883A JPS59143073A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143073A true JPS59143073A (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=11914117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1635883A Pending JPS59143073A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143073A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1167568A1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-01-02 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
-
1983
- 1983-02-03 JP JP1635883A patent/JPS59143073A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1167568A1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-01-02 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
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