JPS59139698A - 電子装置用静電障壁バツグ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、敏感な電子デバイスや部品を取扱い、貯蔵ま
たは輸送中静電界または放電から保にΦするための包囲
体に関する。特定すると、本発明は、デバイスおよび部
品を包装するだけでなく、Ａｎ擦による静電荷の発生や
その他のμに擦電気的効果に１ｙ１与することなくこれ
らを静電荷や静電界の影響から遮蔽する可撓性の透光性
包囲体に関する。

米国特許第３．８０１．４１８号には、例えばポリエス
テルのような重合体基板より成り、その外表面に、包囲
体壁中に少なくとも６０％の透光性を有するファラデー
ケージをデバイスの回りに形成するように、約１００オ
ングストロームの厚さのニッケル膜のような導電性材料
の）（１７層をＭｋして成るう４光性の可撓性包囲体が
示されている。導電層上には、核層を引掻きから保ぼう
し、導電層との組合せにより約１０４０／ｓｑ、以下の
外表面抵抗率を提供するように、耐摩滅材料の超薄Ｒ？
；（約０１５マイクロメータ厚）が被着されている。ポ
リエステルシートの内表面は、ポリエチレンのような熱
可塑性の可溶融性月４」（約１．５ミル厚）で被着され
ており、シートを折り重ねて縁部に熱および圧力を施す
ときシートの衝合する縁部表面が、熱刊着され得るよう
になっている。ポリエチレン層は、帯電防止剤で充填さ
れるか被覆され、約１０８〜１０１４Ω／ｓｑ、の内部
表面抵抗率を提供する。しかして、重合体シートそれ自
体は、少なくとも約１０１０Ω−鑞の体積抵抗率を提供
する。

従来の保穫包四体の困か４Ｆ性の１つは、製造および取
扱い中超迅形の耐磨滅性フィルムが引柿に耐えることが
できず、例えば下にある繊細な層の連続性に破断を生じ
、その結果、ファラデーケージな破ｊカしＮ　切代する
ことにあった。従来の包囲器の他の欠陥は、包囲体内の
電子デバイスに及はされる外部静屯界および放電の影ｉ
ｉ！ｔ）を最小にするに十分のインピーダンスをバッグ
壁に提供できないことにあった。

悄′明の目的 本δ、２明の目的は、包含されるデバイスを横切って賦
課される巾、圧を減衰しかつ包囲体壁中の最大放電流を
分路することによって、電子デバイスおよび部品の〕饗
適の遮ｆ！正を行なうめ光１牛の可撓性夕）囲器を提供
することである。

本発明の特定の目的は、引％きや擦傷に極度に；刷え得
る透光性保護包囲体を提供することで／！ｂる。

本発明の他の特定の目的は、包囲体の形成中またはその
利用中の磨滅または静′屯アーク発生の結末、ファラデ
ーケージ４重層の連続性に破断が生するのを完全に阻止
しイ：ノる感光性包囲体を提供することである。

本発明の仙の特定の目的は、包囲体壁を横切って印加さ
れる電圧または電界に非常に高いインピーダンスを示し
、外囲体壁に平行な電流に低抵抗を示す保護包囲体を提
供することである。

本発明のさらに他の特定の目的は、容易かつ経済的に製
造さね、構造頑強であり、動作がきわめて有効かつ効率
的な上述の特性の改良された装置を提供することである
。

発明のイ１１゛Ｌ要 本発明にしたがえば、敏感７．１：電子デバイス−や部
品をＩｆｌｆ＋送、貯蔵および取４’ｊｋい中′電界や
放電から遮１躾するための保護包囲体ないしバッグが提
供される。保ｈΦバッグは、縁部にて熱溶着される同一
の広がりをもつ一市畳部を形成するように中間の紐に沿
って１１ｉす７］４ねられた角丸性の可撓性シートを含
む。シートは、電流に対して高インピーダンスを示す非
導電件ｌｔ合体フィルム、例えは低密度ポリエチレンま
たは１号、１．ｄｕＰｏｎｔ　ｄｅ　Ｎｅｍｏｏｒｓ　
Ｃｏ、　％のｒＭｙｌａｒＪポリエステルの比較的埋い
外層を含む。

外層の厚さは、ポリエステルが使用されるときは約０５
乃至２ミル厚とすべきであり、ポリエチレンが使用され
る」８合はこの１９さの汐でよい。何故なら（Ｌ」゛、
ポリエチレンの誘？１ｊ１率はポリエステルの約半分で
ある（　２．２　：　４．４　）であるからである。

シートの内層は、１乃至２ミルｊψ、のポリエチレンま
たはポリプロピレンのような熱可塑性熱判着材料である
。こＪｌも、該シートを横切って加えられる正流または
放電に対して非常に高いインピーダンスを示す。内ｊ・
Ｊおよび外層間には、１０’　Ｑ／ｓｑ。

より小さい抵抗率を有する導電付フィルム、例えは約３
０〜２００オングストロームの厚さを有する０空蒸着ア
ルミニウムが１尼さねており、少ブＩくとも６０％の光
学的透明度を２．＋Ｈ供するようになされている。シー
トの外面および内面は、一様な表ｉｒ＋７電荷分布また
は電荷の放出をｏＪ能にしかっ斤ｑｔ、；ｓ’ｔ＋気ま
たは接触型イｄ丁の発生を減するため、帯′１１１、防
止フィルムで被覆されて℃・る。’：Ｍ　重防止フィル
ムを設ける代わりに、シート材料の内層および外層は、
／１１荷の放出の目的で帯電拐料で充填してもよい。

本発明の主要部材を示す等価回路の概略図が第２図に示
されている。電圧■が人間の等価回路ＲｏＣｏ　により
バッグ包囲体に印加さ」すると、′Ｐｂ、圧は、外部尋
ＩＶ層により表わさ第１るインピーダンスｘ１トインピ
ーダンスＺのデバイスを取り巻く並列回路に分かれてか
Ｎる。インピーダンスＸ１を増しく例えばフィルム厚さ
を」・ρすことにより）かつデバイスの回りの並列電路
のインピーダンスを減することにより（導電層Ｒと溶着
界面Ｘ３のｊｌｙさを減することにより）デバイスにか
Ｎる破壊電位を最小に減することができ、バッグによる
保護を最大にすることができる。

具体例の説明 本発明の上述および関連する目的は、図面を参照して行
なった以−ドの説明から明らかとなろう。

図面において、同じ参照番号は同じ部材を指すものとす
る。

図面には、Ａとして総括的に指示されたバッグの形式の
保護包囲体が示されている。包囲体は、敏感な電子部材
Ｂを静電界または放電から遮蔽する。包ＩＩ［１休Ａは
、同一の広がりをもつ距骨する前面部分および後面部分
１２Ａおよび１２７３を形成するように中間の純１２に
治って折り重ねられた多重のシートから形成さ」する。

Ｔ）１１面および後面部分１２Ａおよび１２Ｂは、対回
路、部１４および１５に活って熱制殖さ」する。？Ｆ子
部品Ｂは、バッグの口から挿入されるが、口自体も整列
さ、）またｔ・イ、部に沿って開口の口を熱封着するこ
とにより幾着閉成される。

外囲体の壁部の構造は、第６図および第４図にもつとも
よく見ることができる。シート自体は、比較的低Ｒ１’
ｊ　？ｈ：率を有する可撓性の非？、、！ｌ−′ｌ−（
’ｒ、性材刺の外層１８を含む。外層は、電流に対して
高インピーダンス（す〕、仁わち特に静電放電周波数に
て低容量）を提供すべきである。Ｅ、　Ｔ　、１）ｕＰ
ｏｎ　ｔ　Ｃｏ　、　　により製造された１へ、１ｙｌ
ａｒｊポリエステルフイルムのような山−合体材刺は、
高インピーダンスであり、磨滅砥抗が優れ、機械的に安
定であり、かつ光学的透過率が大きいのでａｔましい。

ポリエステルの支持体ｒｇｉ１Ｂは、最小０．５ミルの
厚さを有すべきである。ポリエステル層１日の厚さが犬
となると所望の大きなインピーダンスを提供するが、厚
さが２または３ミルを越えると、完成さハたバッグの可
撓性がかなり減する。

第２図に示されるように、外層１８は、電子デバイスＢ
（インピーダンスＺを有する）およびＨ亥デバイスの回
りの低インピーダンス並列路と直列に高インピーダンス
訂屯体Ｘ１を構成する。外ノ畜１８はまた、好ましくは
少なくとも０５ミル厚の低密度ポリエチレンフィルムよ
りイトシ成できる。外７ｆｉ１Ｂとして使用するのに適
当なさらに他の物質としては、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル訃よび
酢酸セルローズなどがある。これらはすべて、適当な第
９さにおいて高インピーダンス肪屯体を形成し、敏感な
装ｆｉ”ｔ　Ｂ　Ｋか又る′６Ｌ圧を減する。

高インピーダンス外ルー１１８の内面は、真空蒸着また
はその他の方法によりおｔ電層２０が被煎される。真空
蒸着またはその他の方法は、１Ｌ流に対して低抵抗（す
なわち低インピーダンス）を有ずろ約６０〜２００オン
グストロームの薄１１ａを作ることができる。適当な金
属または含金ＩＱ化合物でよいが、光学的透明度および
１１￥価なためアルミニウムが好ましい。真空蒸着金属
層２０は、第２図の概略図において参照番号Ｒにより表
わさｉｒｌ、熱融着部中の低インピーダンス枝路および
デバイスＢ自体中の電路Ｚと並列の低インピーダンス枝
路として働くファラデーケージを形成する。導電層２０
０表面抵抗率は、外）５４Ｘ　１の少なくと、も１０１
２の抵抗率に比して１０．ＯＯＯΩ／ｓｑ、以下の１ｌ
ｌｉｊ四にある。ｌ１ｗは、ＰＩ！着部中の導％、、Ｊ
：呂２０の抵抗路を表わし、Ｒの約ｔ、６である。導電
層２０の内面上には、熱封着可能な非導軍性町合体４′
Ａオニ’Ｉの可溶融層２２が適当な態様で稍層さハてお
り、非専電性外）Ｐ１１８とともにサンドウィッチを形
成している。

内層２２は、シートが折り卸ねられた後、縁部１４およ
び１５に活って該層自体に融層される。

可溶融層２２は、効ましくは、約１〜２ミルＪｐの範囲
の低密度ポリエチレン（ル５１↑し率＝　２．２　＋　
）である。可溶剤１．Ｊ？４２２の未使用の厚さを横切
る結合インピーダンスは、参照番号Ｘ２により指示され
ている。ａｆＧ　２図に訃いてＸ３として指示される融
着領域１４および１５は、融着部における／ｌｊｊさを
できるだけ大きく減じて溶着下にある表面領域を増すた
めウェッジ形式のヒータにより封着される。

すなわち、融着領域１４および１５においてポリエチレ
ン層２２を圧扁すると、融着領域におけるフィルムのＪ
ＩＩさが減ぜられ、この領域における導電フィルム層２
０がほとんど親密に接触せしめられ、それによりこの領
域における分路インピーダンスが減ぜられる。それゆえ
、融着下の飴’ｒｔｔ体厚さをδ１！２することにより
あるいは溶融面積を増すことにより融着帯域の容量を増
すことにより、岐路の実効インピーダンスならびにデバ
イスＢの回りの結合並列路の等価インピーダンスを減す
ることかできる。したがって、デバイスＺにより分割さ
れる電圧の割合は、この比により減ぜられる。

本発明の概念に固有の部分でげないが、内槽２２の内面
および夕１１ｍ１Ｂの外面は、帯電防止フィルム２４お
よび２６で被覆して、一様な表面電荷分布または電荷放
出を可能にし、ｌＱｊ時に厚搾電気または接＃、　？、
、ｊ荷の発生を最小にするようにできる。フィルム２４
および２６は、第４アンモニウム化合物のような従来形
式の帯電防止材料より成る。これは、１１１′□霧また
は積層により各内外層２２および１８に被着される。第
２図に示されろように、内部および外部帯は？防止フィ
ルム２４および２６の表面徂゛抗率は、参照打上Ｒ１お
よびＲ２により指示さハている。しかして、後者は、全
バッグの回りの電荷を接地に分路し、前者は電子デバイ
スの回りの電荷を分路する。Ｒ１および１１２の表面折
抗率は、１０８〜１０１２Ω／ｓｑ、の範囲にある。

本発明の動作の原理は第２図にもつともよく示されてい
る。等価回路１１ｏｃｏにより限定される′１ｂ、圧■
に荷電された人間は、外部表面上の点Ｐにて包囲体Ａと
接触すると、この電圧は、非漕７区性外層１８　（Ｘｌ
　）により表わされるインピーダンスおよび保護される
べき装置Ｂを囲む並列？ｊｌ：路により分割せしめられ
る。外層１日のインピーダンスＸを＋＋！！　Ｌ　（Ｈ
１１３の厚さを増し低部１１１率の材料を使用すること
（でより）包囲体の回りの並列電路のインピーダンスを
減することにより、装［ｒ　ＢにかＮる破壊的電位は最
小に減じられる。すなわち、バッグにか又る電圧は、イ
ンピーダンスＸ１（点ＰＱ間）および点Ｑおよび接地間
の並列路で分割される。参照文字Ｒ２により表わされる
帯電フィルム２６は、接触点Ｐに発生ずる電荷が、接地
に迅速に放出されることを保証する。Ｑおよび接地間の
並列回路の右側の枝路は一点Ｑ（点Ｐの下）からバッグ
の鼻部１２を回って部分１２Ｂ上の反対の点に至る非格
に似い抵抗路Ｒにより形成される導１１４）ｑ’ｊ２０
のみを含む。並列回路の左枝路−一、導電層２０による
非常に低い抵抗路Ｒならひに圧縮融着界面層２２のイン
ピーダンスＸ３を含む。

並列回路の中心枝路は、内層２２の２重の未圧縮の厚さ
を表わすインピーダンスＸ２および１１丁子部品自体の
インピーダンスＺを含む。それゆえ、ファン’　　Ｊ＋
・ｉ　２０の導電率を増し融着界面における帯域のイン
ピーダンスを減することにより、γ１′３１重の回りの
並列回路の総インビーｌ“ンスは相応にＲ９，ぜらＪｌ
ろ。デバイスＢ自体のインピーダンスＺに比して非導電
（＜Ｊ−内層の２重の未圧糸、；１領域におけるインピ
ーダンスＸ２を大きり−（ることにより、デバイスＢに
か（ろ電圧はさらに比例的に分１で１１さｈる。層１８
のインピーダンスＸ１および）１７７２２のＸ２をｊ曽
ずことにより（ｊ帛さのｊ臂力目すなわち導電率の減少
）、デバイスＢを横切る電圧分割回路網は、×１および
Ｘ２に力弓る電圧部分を増すことｉＣよってデバイスに
印加される電圧部分を比例的に減することができる。ま
た、融泊゛部界面下の層２２の厚さを減じ界面の面積を
拡大することによってＸ５のインピーダンスを減じ　’
ｒ、ｒ４電層２０の抵抗Ｒを最小にすることによって、
電圧分圧回路は最適化される。

上述の説明から、製ノ・＾、上の観１点および貯１戒お
よび輸送中の利用性から見て、用丈な可撓性の升合体材
ネ」の比較的厚い外層１８を有するノ（ラグを提供し、
外層と接触下にある下にある導電性のフイルムに対して
高インピーダンスならびに摩耗抵抗を生するようにする
のが好ましい。光学的透明度を保掲しながら導電層のイ
ンピーダンスな減すれば、包囲される電子デバイスに対
して賦与されるイλ゛、１φはさらに最適化される。内
デバイスＢを横切るｊｉｉ；　２２の厚さを増し融着部
界面の厚さを減ずれば、デバイスの回りの並列電路のイ
ンピーダンスを減じデバイスと直列に作用する電圧を比
例的に減することによって、外力により賦課される電圧
はさらに減ぜられる。本発明にした潮って作ら」また障
壁バッグは、電子デバイスの特性にしたがい約２５．０
００〜４０．０００　Ｖ以上の電位に対して保護を与え
る従来の外囲器に比して、５０．０００Ｖ以上に荷電さ
れる人間から電子部品を保護することが分った。

本発明の実用性をさらに増すため、帯′亀防止フィルム
２４および２６が設けられており、電荷を接触点Ｐから
接地へ迅速に放出することができ、また摩ａ’ｒｔ気的
荷電を抑止する作用をする。代りに、内層および外層１
８および２２をフィルムまたはＸｉｔ層で４覆する代わ
りに、旭４アンモニウム塩のような帯？ＩＩ、防止月で
層１８および２２を充ノ１αし、摩擦電気作用を最小に
し電荷の放出を増大することができる。

以上、本発明の詳細な説明したが、本発明はその技術思
想から逸脱することフｒ　＜　２ｍ々具体化できるもの
であるから、上の訳述はｆｉｉｌｌ限として見られるべ
きものでなく単なる例示である°ことを理解さ牙またい
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の透光性の町４・１性シートより形成さ
Ｊｌた？Ｊｊ子部品用保１〜包囲体の１視＋ｑ＜＋　、
　ｐ＋：　２図は本発明の保勃包団体の必須の部品を示
ず′眠気回路図、第６図は保護包囲体の一部除去のが１
ネμ図、第４１ｃｄは本発明によって作らハたシートの
１共体１タ｛１を示す保増包囲体の断面図である。 １８：　外層 ２０：　導電層 ２２：　内層 ２４、２６：帯Ｔ扛防止フイルム 代叩人の氏名　　行　内　ノＪ＋弓ム　１゛しー，１ 同　　　　　　　倉　　槁　　　　　暎　　　　）丁　
　糸７２　　　ｆ山　　”　　　１！：（方〒ぐ）昭和
５９４１３　月１２１．−１ 特許庁長官　若　杉　和　夫　１１７り’ＩＩ　ｆ’ｌ
の人生　　１１ｉ′仔１１５８イ１１１′ｔ１幀第　２
２９２６６　　；。 発明の名［１、電子装置用静７１１．障壁バッグ抽（１
をする古 １＋　１１との関ｆ４　　　　　　　　　　　　＋４“
−１−出１．（！１１人名ｆｆ１、ザ・シムコ・カンパ
ニー・インコーホ゛レイテッド代、ｌ−１ｌｊ人 会ｆｊ、’ｓ ｊ 同 イ１　所　　　　　　　　　　同　　　　　１゛１．ベ ニ］ ｒｌｌｉ　１Ｉｉ７ｉｒ　令、＋ＬＱ知ノＩ　ｌ　（ｌ
昭４１Ｊ　５９　年２　月２８　日−ネ市・［１侃てｔ
±−１′７−Ｊ曽カート１−老４づ芒１シｊシｙ茗攻コ
ー１山１１の対９．！ ・−嘲゛１書の発１す１者−世願ｌ！−の一欄−−−＝
−・明細書１−６’）検力の名称−１竹！１・請求の範
１ｊ１４づｄ明の詳姉ト鱈見明の冊−一−−−委イーＦ
゛１犬紛びぞのｉｌ（文−−−−−一−−−・−−−−
−−−・−−一・−一−−−−各一−１−誦・−一区画
　　　　　　　　　１．１ｌｒｉ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）内表面および外表面を有する重畳部分を形成する
   ように中間の線に活って重ねられた透光性の可撓性シー
   トより成る敏感な電子部品用保護障壁包囲体において、
   約４５以下の誘電率を有し少なくとも０．５ミル〜約６
   ミルの厚さ範囲を有する非導電性重合体フィルムの外層
   と、約１〜２ミル範囲の厚さ範囲を有する熱可塑性、熱
   封着性フィルムの内層と、前記夕）層と非導電性外層間
   に挾まれ、約６０〜２００オングストロームのＪ早さを
   有し、約１０．０００Ω／ｓｑ、を越えない抵抗率を有
   する金属膜の中間４電層と、できるだけ薄い厚さの浴着
   界面層を提供するように前記重畳部分の縁部を熱融着す
   るだめの手段とを有する保瞳障壁包囲体。
2. （２）内層および外層が約１０８〜１０１４Ω／ｓｑ、
   の表面抵抗率を有する特許請求の範囲第１項記載の包囲
   体。
3. （３）内・外層がポリエチレンより成る特許請求の範囲
   第１項記載の包囲体。
4. （４）外層がポリエステル樹脂より成る特許請求の範囲
   第１項記載の包囲体。
5. （５）内層がポリエチレンより成る特許請求の範囲第４
   項記戦の包囲体。
6. （６）内・外層が帯電防止材を包む特許請求のＢ・ｉ〕
   、間第５項に記載の包囲体。