JPS5913746B2 - 三層構造薄膜ｅｌ素子のメモリ−消去法 - Google Patents
三層構造薄膜ｅｌ素子のメモリ−消去法Info
- Publication number
- JPS5913746B2 JPS5913746B2 JP52016353A JP1635377A JPS5913746B2 JP S5913746 B2 JPS5913746 B2 JP S5913746B2 JP 52016353 A JP52016353 A JP 52016353A JP 1635377 A JP1635377 A JP 1635377A JP S5913746 B2 JPS5913746 B2 JP S5913746B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- memory
- erasing
- luminance
- pulse voltage
- Prior art date
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- Expired
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光輝度Ｂと印加電圧Ｖａｐ間にヒステリシス
特性を有する三層構造薄膜ＥＬ素子に対し、光、電界、
熱等の照射又は印加を行なつたため発光輝度が高くなつ
たＥＬ素子を元の発光輝度状態に戻すメモリー消去方法
に関するものでより少な５ い消去パルス数及び消去時
間でメモリー消去を行なう三層構造薄膜ＥＬ素子のメモ
リー消去法を提供することを目的とする。
特性を有する三層構造薄膜ＥＬ素子に対し、光、電界、
熱等の照射又は印加を行なつたため発光輝度が高くなつ
たＥＬ素子を元の発光輝度状態に戻すメモリー消去方法
に関するものでより少な５ い消去パルス数及び消去時
間でメモリー消去を行なう三層構造薄膜ＥＬ素子のメモ
リー消去法を提供することを目的とする。
ＭｎをドープしたＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の半導体発光薄膜
をＹ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の誘電体薄膜でサンド１０イツ
チした三層構造ＺｎＳ−Ｍｎ（又はＺｎＳｅ・Ｍｎ）薄
膜ＥＬ素子は数ｋＨ２のＡＣ電圧印加によつて高輝度発
光し、しかも長寿命であるという特徴を有している。
をＹ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の誘電体薄膜でサンド１０イツ
チした三層構造ＺｎＳ−Ｍｎ（又はＺｎＳｅ・Ｍｎ）薄
膜ＥＬ素子は数ｋＨ２のＡＣ電圧印加によつて高輝度発
光し、しかも長寿命であるという特徴を有している。
またこの薄膜ＥＬ素子の発光に関しては印加電圧Ｖａｐ
を昇圧していく過程と高１５電圧側より降圧していく過
程で、同じＶａｐに対して発光輝度Ｂが異なるといつた
ヒステリシス特性を有していることが発見された。そし
てこのヒステリシス特性を有するＥＬ素子に印加電圧を
昇圧する過程に於いて、光、電界、熱等が付与される２
０とＥＬ素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励
起され、光、電界、熱等を除去して元の状態に戻しても
発光輝度が高くなつた状態に留まるといつたメモリー現
象が存在することが知られている。そしてこのメモリー
現象を有効に活用して！５ＥＬ素子をメモリ素子に利用
するＥＬ素子応用技術が現在産業界で研究開発されてい
る。この薄膜ＥＬ素子をメモリー素子として利用する場
合、書き込み手段としては、光、電界（パルス印加）、
熱等の照射又は印加によつて比較的簡！０ 単に書き込
むことができるが、一度書き込んだ内容を消去してメモ
リー素子を元の状態に戻すメモリー消去手段に於いては
非常に困難な技術を必要とする。
を昇圧していく過程と高１５電圧側より降圧していく過
程で、同じＶａｐに対して発光輝度Ｂが異なるといつた
ヒステリシス特性を有していることが発見された。そし
てこのヒステリシス特性を有するＥＬ素子に印加電圧を
昇圧する過程に於いて、光、電界、熱等が付与される２
０とＥＬ素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励
起され、光、電界、熱等を除去して元の状態に戻しても
発光輝度が高くなつた状態に留まるといつたメモリー現
象が存在することが知られている。そしてこのメモリー
現象を有効に活用して！５ＥＬ素子をメモリ素子に利用
するＥＬ素子応用技術が現在産業界で研究開発されてい
る。この薄膜ＥＬ素子をメモリー素子として利用する場
合、書き込み手段としては、光、電界（パルス印加）、
熱等の照射又は印加によつて比較的簡！０ 単に書き込
むことができるが、一度書き込んだ内容を消去してメモ
リー素子を元の状態に戻すメモリー消去手段に於いては
非常に困難な技術を必要とする。
従来実施されているメモリー消去方法としては”５ 発
光消滅電圧（後述する第１図のＶＲに相当）程度又はそ
れ以下のパルス電圧を印加する方法がある。
光消滅電圧（後述する第１図のＶＲに相当）程度又はそ
れ以下のパルス電圧を印加する方法がある。
この方法によればメモリー素子をある程度元の状態に戻
すことができる。
すことができる。
しかし充分に消去するためには極性の反転した消去パル
ス電圧を数回印加する必要が有り、書き込み、消去を高
速度で行なう必要がある場合には上記方法は適用するこ
とができなくなる。従つて情報処理の増大にともなう処
理能力の迅速化が要求される現在、簡単で短時間に完全
なメモリー消去を行なうことができる新たな技術の開発
が切望されている。本発明は消去パルス数を少なくし、
短時間により完全なメモリー消去を行なうメモリー消去
法を完成させることにより産業界よりの要請に応えたも
のである。
ス電圧を数回印加する必要が有り、書き込み、消去を高
速度で行なう必要がある場合には上記方法は適用するこ
とができなくなる。従つて情報処理の増大にともなう処
理能力の迅速化が要求される現在、簡単で短時間に完全
なメモリー消去を行なうことができる新たな技術の開発
が切望されている。本発明は消去パルス数を少なくし、
短時間により完全なメモリー消去を行なうメモリー消去
法を完成させることにより産業界よりの要請に応えたも
のである。
以下本発明及び本発明の完成に至るまでの研究開発過程
につ（・て詳説する。第１図は薄膜ＥＬ素子の発光輝度
Ｂと印加ＡＣ電圧Ｖａｐの関係を示す特性図で横軸は印
加ＡＣ電圧Ｖａｐ、縦軸は発光輝度Ｂを表わす。
につ（・て詳説する。第１図は薄膜ＥＬ素子の発光輝度
Ｂと印加ＡＣ電圧Ｖａｐの関係を示す特性図で横軸は印
加ＡＣ電圧Ｖａｐ、縦軸は発光輝度Ｂを表わす。
また第２図ａは駆動電圧波形、書き込みパルス電圧波形
及び従来の消去パルス電圧波形を表わす。第２図ｂは第
２図ａに対応するＥＬ素子の発光輝度波形を表わす。あ
る一定の電界を印加されたＥＬ素子に書き込み手段とし
て光、熱、又は電界が照射又は印加されるとＺｎＳ−Ｍ
ｎ発光層中の電子トラツブ準位に捕獲されていた電子が
各強度に相当する数だけ伝導帯中に励起され伝導電子と
なつてＺｎＳ−Ｍｎ層を走行する。
及び従来の消去パルス電圧波形を表わす。第２図ｂは第
２図ａに対応するＥＬ素子の発光輝度波形を表わす。あ
る一定の電界を印加されたＥＬ素子に書き込み手段とし
て光、熱、又は電界が照射又は印加されるとＺｎＳ−Ｍ
ｎ発光層中の電子トラツブ準位に捕獲されていた電子が
各強度に相当する数だけ伝導帯中に励起され伝導電子と
なつてＺｎＳ−Ｍｎ層を走行する。
そしてその途中でＭｎ発光センターを励起、発光させる
為ＥＬ素子の発光輝度は増加する。これを図面について
説明すると第１図のＡに相当する１駆動電圧を印加する
ことにより、ＥＬ素子はＢＡに相当する発光輝度で発光
する。駆動電圧は第２図ａに示す如くパルス状に交番電
圧が印加される。またこの駆動電圧に対応するＥＬ素子
の発光は第２図ｂに示す如く駆動電圧印加に同期する。
次に書き込み手段として書き込み電圧Ｂをパルス状に１
回又は複数回交番印加すると前述した理由により発光輝
度はＢＢに増加する。発光状態は同様に書き込み電圧Ｖ
Ｂに同期してパルス状となる。次に光、熱、電界を除去
してもＺｎＳ−Ｍｎ層と誘電体膜の界面近傍に掃引され
た伝導電子は界面近傍の界面準位に捕獲されており次の
駆動電圧印加によつて界面準位より伝導帯に抜け出しＺ
ｎＳ・Ｍｎ層を走行して他方の界面に達する。
為ＥＬ素子の発光輝度は増加する。これを図面について
説明すると第１図のＡに相当する１駆動電圧を印加する
ことにより、ＥＬ素子はＢＡに相当する発光輝度で発光
する。駆動電圧は第２図ａに示す如くパルス状に交番電
圧が印加される。またこの駆動電圧に対応するＥＬ素子
の発光は第２図ｂに示す如く駆動電圧印加に同期する。
次に書き込み手段として書き込み電圧Ｂをパルス状に１
回又は複数回交番印加すると前述した理由により発光輝
度はＢＢに増加する。発光状態は同様に書き込み電圧Ｖ
Ｂに同期してパルス状となる。次に光、熱、電界を除去
してもＺｎＳ−Ｍｎ層と誘電体膜の界面近傍に掃引され
た伝導電子は界面近傍の界面準位に捕獲されており次の
駆動電圧印加によつて界面準位より伝導帯に抜け出しＺ
ｎＳ・Ｍｎ層を走行して他方の界面に達する。
その際ＺｎＳ−Ｍｎ層中のもとの電子トラツプ近傍を通
過する伝導電子に対してはもとのトラツブ準位に再トラ
ツプされる確率よりも他方の界面に掃引される確率の方
が高い。これは駆動電圧による電界によつて伝導電子が
高速度となつているためである。このため発光輝度は元
の状態に戻らずメモリー現象を呈することとなる。これ
を図面について説明すると、書き込み電圧Ｂを除去した
時発光輝度ＢＢはわずかに減少するがＢＢ′の発光輝度
で保持され結果的に書き込み電圧Ｂにより電圧書込みが
行なわれたことになる。従つて次の駆動電圧。印加によ
りＥＬ素子の発光は第２図ｂに示す如く最初の１駆動電
圧印加時よりもはるかに高い発光輝度を呈する。上記メ
モリーを消去するためには伝導電子をＺｎＳ−Ｍｎ層中
のもとの電子トラツブ準位に再トラツプさせることが必
要である。
過する伝導電子に対してはもとのトラツブ準位に再トラ
ツプされる確率よりも他方の界面に掃引される確率の方
が高い。これは駆動電圧による電界によつて伝導電子が
高速度となつているためである。このため発光輝度は元
の状態に戻らずメモリー現象を呈することとなる。これ
を図面について説明すると、書き込み電圧Ｂを除去した
時発光輝度ＢＢはわずかに減少するがＢＢ′の発光輝度
で保持され結果的に書き込み電圧Ｂにより電圧書込みが
行なわれたことになる。従つて次の駆動電圧。印加によ
りＥＬ素子の発光は第２図ｂに示す如く最初の１駆動電
圧印加時よりもはるかに高い発光輝度を呈する。上記メ
モリーを消去するためには伝導電子をＺｎＳ−Ｍｎ層中
のもとの電子トラツブ準位に再トラツプさせることが必
要である。
そこで伝導電子を有効に再トラツプさせるためには、電
子トラツプ準位近傍を通過する伝導電子の速度を低下さ
せ印加電界によつて他方の界面に掃引される確率よりも
再トラツプされる確率が高くなるようにすることが必要
である。伝導電子の掃引速度を低くするためには消去用
のパルス電圧の電圧印加を低くすれば良いことになるが
あまり低くすると界面準位からＺｎＳ−Ｍｎ層の伝導体
に励起される確率が低下し、ＺｎＳ−Ｍｎ層中の電子ト
ラツプ準位近傍を走行する伝導電子の数が減少し、伝導
電子は界面準位に多くトラツプされた状態で残り、次の
駆動パルスで励起され再びＺｎＳ−Ｍｎ層中を掃引され
るため充分発光輝度が減少しない状態で残ることになる
。以上の点を勘案してメモリー消去を完全に行なうため
には、界面準位からＺｎＳ−Ｍｎ層中にトンネル効果、
プールプレンゲル効果等により伝導電子が励起されてい
る状態では充分高電界が印加されておりかつＺｎＳ−Ｍ
ｎ層中を他方の界面に掃引されている状態では低い電界
が印加されるような外部電圧を消去パルス電圧として印
加すれば完全なメモリー消去を行なうことができると考
察される。第３図ａはＥＬ素子が矩形波パルス（立上が
り時間Ｔｒ≦２μ秒）の印加電圧で駆動されている時の
ＺｎＳ−Ｍｎ層中を流れる伝導電流波形を示したもので
図中印加電圧即の電圧値ａ及びＶｂは第３図ｂに示すＥ
Ｌ素子の発光輝度Ｂ一印加電圧ｖ即特゛性図中のＶａ，
ｂに相当する。
子トラツプ準位近傍を通過する伝導電子の速度を低下さ
せ印加電界によつて他方の界面に掃引される確率よりも
再トラツプされる確率が高くなるようにすることが必要
である。伝導電子の掃引速度を低くするためには消去用
のパルス電圧の電圧印加を低くすれば良いことになるが
あまり低くすると界面準位からＺｎＳ−Ｍｎ層の伝導体
に励起される確率が低下し、ＺｎＳ−Ｍｎ層中の電子ト
ラツプ準位近傍を走行する伝導電子の数が減少し、伝導
電子は界面準位に多くトラツプされた状態で残り、次の
駆動パルスで励起され再びＺｎＳ−Ｍｎ層中を掃引され
るため充分発光輝度が減少しない状態で残ることになる
。以上の点を勘案してメモリー消去を完全に行なうため
には、界面準位からＺｎＳ−Ｍｎ層中にトンネル効果、
プールプレンゲル効果等により伝導電子が励起されてい
る状態では充分高電界が印加されておりかつＺｎＳ−Ｍ
ｎ層中を他方の界面に掃引されている状態では低い電界
が印加されるような外部電圧を消去パルス電圧として印
加すれば完全なメモリー消去を行なうことができると考
察される。第３図ａはＥＬ素子が矩形波パルス（立上が
り時間Ｔｒ≦２μ秒）の印加電圧で駆動されている時の
ＺｎＳ−Ｍｎ層中を流れる伝導電流波形を示したもので
図中印加電圧即の電圧値ａ及びＶｂは第３図ｂに示すＥ
Ｌ素子の発光輝度Ｂ一印加電圧ｖ即特゛性図中のＶａ，
ｂに相当する。
第３図ａより明らかな如くパルス電圧印加後５〜１５μ
秒後に伝導電流は最大値となり５０〜６０μ秒後には程
んど減衰してしまう。このことよりパルス印加後５〜１
５μ秒以下の時間で大部分の電子は界面近傍のトラツプ
準位からＺｎＳ−Ｍｎ層の伝導帯中に励起され、その後
５０〜６０μ秒間で伝導帯を掃引されるものと考えられ
る。従つて消去パルス電圧としては立ち上がりより５〜
１０μ秒以下では充分高電圧であり５〜１０μ秒以上５
０〜６０μ秒以下の間では低電圧であるような外部電圧
が最適の消去パルス電圧となる。ここで第１図及び第２
図に戻つて再度従来のメモリー消去法を考察する。
秒後に伝導電流は最大値となり５０〜６０μ秒後には程
んど減衰してしまう。このことよりパルス印加後５〜１
５μ秒以下の時間で大部分の電子は界面近傍のトラツプ
準位からＺｎＳ−Ｍｎ層の伝導帯中に励起され、その後
５０〜６０μ秒間で伝導帯を掃引されるものと考えられ
る。従つて消去パルス電圧としては立ち上がりより５〜
１０μ秒以下では充分高電圧であり５〜１０μ秒以上５
０〜６０μ秒以下の間では低電圧であるような外部電圧
が最適の消去パルス電圧となる。ここで第１図及び第２
図に戻つて再度従来のメモリー消去法を考察する。
書き込み電圧Ｂにより電圧書き込みが行なわれたメモリ
素子は発光輝度ＢＢ′に保持されており、これを消去パ
ルス電圧ｃによつて消去し、もとの発光輝度ＢＡに戻す
ことになるが、従来の消去パルス電圧Ｖｃの印加では発
光輝度はＢｃ程度にしか消去できずＢＡにするには５〜
８回の消去パルス電圧印加を必要とした。
素子は発光輝度ＢＢ′に保持されており、これを消去パ
ルス電圧ｃによつて消去し、もとの発光輝度ＢＡに戻す
ことになるが、従来の消去パルス電圧Ｖｃの印加では発
光輝度はＢｃ程度にしか消去できずＢＡにするには５〜
８回の消去パルス電圧印加を必要とした。
なお上記に於いて消去パルス電圧ｄの値はＥＬ素子を高
電圧側から降圧していく過程に於いてＥＬ素子が発光を
呈しなくなる時の電圧即ち発光消滅電圧ＶＲ以下の一定
電圧値であり、消去パルス電圧はメモリー消去時にパル
ス状に交番印加される。以上詳述した系統的理論体系に
基いて本発明は技術的構成を完成させた新規有用なメモ
リー消去法を提唱するものであり以下その実施例につい
て詳説する。
電圧側から降圧していく過程に於いてＥＬ素子が発光を
呈しなくなる時の電圧即ち発光消滅電圧ＶＲ以下の一定
電圧値であり、消去パルス電圧はメモリー消去時にパル
ス状に交番印加される。以上詳述した系統的理論体系に
基いて本発明は技術的構成を完成させた新規有用なメモ
リー消去法を提唱するものであり以下その実施例につい
て詳説する。
書き込み手段により発光輝度ＢＢ′に保持されたメモリ
ー素子は第４図ａに示す駆動パルス電圧ＶＡが印加され
ると第４図ｂに示す如く高輝度発光する。
ー素子は第４図ａに示す駆動パルス電圧ＶＡが印加され
ると第４図ｂに示す如く高輝度発光する。
次に第４図ａに示す本発明の第１実施例としての２段消
去パルス電圧を印加する。２段消去パルス電圧は高電圧
値を有する１段目のパルス電圧と低電圧値を有する２段
目のパルス電圧で構成される２値電圧値を有する消去パ
ルス電圧である。
去パルス電圧を印加する。２段消去パルス電圧は高電圧
値を有する１段目のパルス電圧と低電圧値を有する２段
目のパルス電圧で構成される２値電圧値を有する消去パ
ルス電圧である。
また２段消去パルス電圧の印加時間（２段消去パルス電
圧の幅）Ｔｐは６０μ秒程度以下であり、１段目のパル
ス電圧印加時間ｔ１は５〜１０μ秒又電圧値は書き込み
電圧ＶＢ程度あるいはそれ以下に設定することとする。
２段目のパルス電圧の印加時間Ｔ２は５０〜５５μ秒で
ある。
圧の幅）Ｔｐは６０μ秒程度以下であり、１段目のパル
ス電圧印加時間ｔ１は５〜１０μ秒又電圧値は書き込み
電圧ＶＢ程度あるいはそれ以下に設定することとする。
２段目のパルス電圧の印加時間Ｔ２は５０〜５５μ秒で
ある。
又その電圧値は従来に於ける消去パルス電圧ｃよりも低
く設定できる。この２段消去パルス電圧を印加すると発
光輝度は第１図に於けるＢＤにまで低下する。これを３
〜４回印加すると次の駆動パルス電圧Ａ印加時に発光輝
度は第４図ｂに示す如く程んどＢＡと等しくなる。次に
本発明の第２実施例を第５図に基いて説明する。
く設定できる。この２段消去パルス電圧を印加すると発
光輝度は第１図に於けるＢＤにまで低下する。これを３
〜４回印加すると次の駆動パルス電圧Ａ印加時に発光輝
度は第４図ｂに示す如く程んどＢＡと等しくなる。次に
本発明の第２実施例を第５図に基いて説明する。
メモリー素子は第１実施例と同様に発光輝度ＢＢ′に保
持されているものとする。このメモリー素子に印加され
る消去パルス電圧は第１実施例と同様に２値電圧値を有
する２段消去パルス電圧であるが２段目のパルス電圧が
第１実施例に対し逆極性となつている。この２段消去パ
ルス電圧を印加すると、発光輝度は第１図に於けるＢＤ
よりもさらに低輝度のＢＥまで低下する。これを２〜３
回印加すると次の駆動パルス電圧ＶＡ印加時に発光輝度
は第５図ｂに示す如くＢＡと等しくなつてさらにメモリ
ー消去効果が大となる。これは高電圧値である１段目の
パルス電圧印加により界面準位より励起され伝導帯中を
走行している電子の速度が逆極性の低電圧値を有する２
段目のパルス電圧印加により減速されたためである。書
き込み手段で伝導帯に励起された伝導電子は熱エネルギ
ーの付加によるＥＬ素子の温度上昇によつても元の電子
トラツプに再トラツプされやすくなる。
持されているものとする。このメモリー素子に印加され
る消去パルス電圧は第１実施例と同様に２値電圧値を有
する２段消去パルス電圧であるが２段目のパルス電圧が
第１実施例に対し逆極性となつている。この２段消去パ
ルス電圧を印加すると、発光輝度は第１図に於けるＢＤ
よりもさらに低輝度のＢＥまで低下する。これを２〜３
回印加すると次の駆動パルス電圧ＶＡ印加時に発光輝度
は第５図ｂに示す如くＢＡと等しくなつてさらにメモリ
ー消去効果が大となる。これは高電圧値である１段目の
パルス電圧印加により界面準位より励起され伝導帯中を
走行している電子の速度が逆極性の低電圧値を有する２
段目のパルス電圧印加により減速されたためである。書
き込み手段で伝導帯に励起された伝導電子は熱エネルギ
ーの付加によるＥＬ素子の温度上昇によつても元の電子
トラツプに再トラツプされやすくなる。
第６図はＥＬ素子温度に付する伝導電流値の変化をあら
れしたものである。またこの時のＥＬ素子は書き込み手
段としてパルス電圧Ｖａｐが印加されたものでありＶａ
ｐの値は第３図のＶａ及びＶｂに相当する。第６図から
明らかな如く低温で伝導体に励起された電子はＥＬ素子
温度が上昇するに伴なつて再トラツプされ減少していく
。これはＥＬ素子温度が上昇するに従つてＺｎＳ−Ｍｎ
層の格子振動等が活発化し、伝導電子の易動度が減少し
て再トラツプされる確率が増すためであると考えられる
。この現象を利用すればメモリー消去が可能となる。即
ちＥＬ素子に熱線等のエネルギー光線を照射することに
より素子温度を一時的に上昇させることによりメモリー
消去を行なうことができる。以上詳説した如く本発明は
２値電圧値を有する２段消去パルス電圧を印加すること
によりメモリー消去を行なうものであり、簡単な操作で
短時間にしかも確実にメモリー消去をすることができる
という非常に優れた効果を奏する。
れしたものである。またこの時のＥＬ素子は書き込み手
段としてパルス電圧Ｖａｐが印加されたものでありＶａ
ｐの値は第３図のＶａ及びＶｂに相当する。第６図から
明らかな如く低温で伝導体に励起された電子はＥＬ素子
温度が上昇するに伴なつて再トラツプされ減少していく
。これはＥＬ素子温度が上昇するに従つてＺｎＳ−Ｍｎ
層の格子振動等が活発化し、伝導電子の易動度が減少し
て再トラツプされる確率が増すためであると考えられる
。この現象を利用すればメモリー消去が可能となる。即
ちＥＬ素子に熱線等のエネルギー光線を照射することに
より素子温度を一時的に上昇させることによりメモリー
消去を行なうことができる。以上詳説した如く本発明は
２値電圧値を有する２段消去パルス電圧を印加すること
によりメモリー消去を行なうものであり、簡単な操作で
短時間にしかも確実にメモリー消去をすることができる
という非常に優れた効果を奏する。
従つて情報処理等の迅速化という社会的二ーズに適合し
た産業的利用価値の高いメモリー消去法である。
た産業的利用価値の高いメモリー消去法である。
第１図は薄膜ＥＬ素子の発光輝度Ｂと印加ＡＣ電圧Ａｐ
の関係を示す特性図で横軸は印加ＡＣ電圧Ｖ卵縦軸は発
光輝度Ｂを表わす。
の関係を示す特性図で横軸は印加ＡＣ電圧Ｖ卵縦軸は発
光輝度Ｂを表わす。
Claims (1)
- １ 誘電体膜−半導体発光層−誘電体膜より成る三層構
造薄膜ＥＬ素子のメモリー消去法に於いて、誘電体膜−
半導体発光層の界面近傍の電子トラップ準位に捕獲され
た伝導電子が半導体発光層の伝導帯に励起されている状
態で高電界を印加し、伝導電子が半導体発光層を他方の
界面に掃引されている状態で半導体発光層中の電子トラ
ップ準位に充分捕獲される低電界を前記高電界と順極性
又は逆極性で印加する少なくとも２値電圧値を有する消
去パルス電圧の１回又は複数回印加によりメモリー消去
を行なうことを特徴とする三層構造薄膜ＥＬ素子のメモ
リー消去法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52016353A JPS5913746B2 (ja) | 1977-02-16 | 1977-02-16 | 三層構造薄膜ｅｌ素子のメモリ−消去法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52016353A JPS5913746B2 (ja) | 1977-02-16 | 1977-02-16 | 三層構造薄膜ｅｌ素子のメモリ−消去法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53101235A JPS53101235A (en) | 1978-09-04 |
| JPS5913746B2 true JPS5913746B2 (ja) | 1984-03-31 |
Family
ID=11913982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52016353A Expired JPS5913746B2 (ja) | 1977-02-16 | 1977-02-16 | 三層構造薄膜ｅｌ素子のメモリ−消去法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913746B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2616663B2 (ja) * | 1993-07-20 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
| EP1199698B1 (en) | 1998-09-04 | 2007-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A plasma display panel driving method and apparatus |
-
1977
- 1977-02-16 JP JP52016353A patent/JPS5913746B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53101235A (en) | 1978-09-04 |
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