CN105719668B - 一种基于光激励材料的光信息存储装置及其存储方法 - Google Patents

一种基于光激励材料的光信息存储装置及其存储方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105719668B
CN105719668B CN201610032647.1A CN201610032647A CN105719668B CN 105719668 B CN105719668 B CN 105719668B CN 201610032647 A CN201610032647 A CN 201610032647A CN 105719668 B CN105719668 B CN 105719668B
Authority
CN
China
Prior art keywords
information
light source
excitation light
state
storage unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610032647.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105719668A (zh
Inventor
毛启楠
季振国
吴波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Dianzi University
Original Assignee
Hangzhou Dianzi University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Dianzi University filed Critical Hangzhou Dianzi University
Priority to CN201610032647.1A priority Critical patent/CN105719668B/zh
Publication of CN105719668A publication Critical patent/CN105719668A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105719668B publication Critical patent/CN105719668B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0045—Recording
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/005—Reproducing
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0055—Erasing
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
    • G11B7/1275—Two or more lasers having different wavelengths
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

本发明公开一种基于光激励材料的光信息存储装置及其存储方法。现有氧化物基光激励材料虽具有较好的化学稳定性和热稳定性，但是其长余辉现象会对信息存储的强度和时间存在一定的负面影响。该装置包括：信息存储阵列、主激发光源、副激发光源、光传感器阵列和定位装置。其利用主激发光源和副激发光源照射存储单元中光激励材料，改变光激励材料的电子陷阱状态，从而实现信息的存储。该装置结构简单，读写迅速，能克服氧化物基光激励材料的不足之处，可成为一种新型的光存储方案。

Description

一种基于光激励材料的光信息存储装置及其存储方法
技术领域
本发明属于信息存储领域，特别涉及一种基于光激励材料的光信息存储装置及其存储方法。
背景技术
目前，光信息存储介质主要以光盘形成存在，例如：CD光盘、DVD光盘和蓝光光盘。其主要通过激光热效应对光盘中记录介质薄膜进行灼烧，使得产生的微光斑区与周围的介质存在反射率的差异，从而实现信息的写入和读出。利用该方法进行光信息存储具有存储寿命长、信息载噪比高、成本低等优点。但是，与现有的磁盘和闪存式信息存储方法相比，光盘存在读写速度较慢和可擦写次数较少的不足。
光激励材料是一种新型的光存储介质材料，其利用材料中的陷阱对光电子进行俘获以达到存储信息的目的，具有高存储密度、高存储速度和长读写循环寿命等特点，可完全弥补现有光信息存储方式的不足。在光激励材料中，研究较多的是碱土金属硫化物，但其最大的缺点是热稳定性较差，这不利于其实际应用。近年来，氧化物基光激励材料由于其较好的化学稳定性和热稳定性，受到了较大的关注。不过，氧化物基光激励材料存在的长余辉现象会对信息存储的强度和时间存在一定的负面影响。
发明内容
本发明的一个目的是针对氧化物基光激励材料所存在的问题，提出了一种基于光激励材料的光信息存储装置。
本发明所述的一种光信息存储装置，该装置包括：
(1)信息存储阵列，所述的信息存储阵列由至少一个以上的信息存储单元构成，信息存储单元为光激励材料，用于存储光信息；
(2)主激发光源，所述的主激发光源用于向信息存储单元中写入信息；
(3)副激发光源，所述的副激发光源用于擦除和读取信息存储单元中的信息；
(4)光传感器阵列，所述的光传感器阵列由至少一个以上的与信息存储阵列中的信息存储单元一一对应的光感应单元构成，光感应单元用于检测所对应信息存储单元的发光强度；
(5)定位装置，所述的定位装置用于将主激发光源和副激发光源定位至所选的信息存储单元，进行信息的读写操作。
所述的光激励材料为氧化物。
所述的主激发光源为X射线光源、紫外光源或可见光源。
所述的副激发光源为可见光源或红外光源。
所述的副激发光源的输出能量可变。
所述的主激发光源的发光波长小于副激发光源的发光波长。
本发明装置还包括冷却装置，用于冷却信息存储阵列，使其在低于室温的条件下进行工作。
本发明的另一个目的是提供上述装置的信息存储方法，该方法如下：
(1)信息写入方法：所述的主激发光源照射未写入信息的存储单元，将信息写入存储单元之中；
(2)信息擦除方法：所述的副激发光源照射已写入信息的存储单元，将所写入的信息从存储单元中擦除；
(3)信息读取方法：所述的光感应单元探测所对应存储单元的发光强度；所述的副激发光源照射存储单元，同时所述的光感应单元探测所对应存储单元的发光强度；对比两次探测所得的发光强度，判断存储单元中的信息状态。
在所述的方法中，副激发光源在信息擦除操作时的光脉冲能量是信息读取操作时的10～10000倍。
在所述的方法中，所述的光感应单元按一定时间间隔对所对应存储单元的发光强度进行检测，对于发光强度接近设定阈值的存储单元，执行信息写入操作。
光激励材料通常是在基质材料中掺入稀土元素作为发光中心，基质的本征缺陷或另一种掺杂元素作为陷阱。光激励材料通过陷阱状态的改变来存储二进制信息，即当陷阱内没有电子的状态可标记为“0”状态，陷阱占有电子的状态可标记为“1”状态。本发明通过主激发光源，将发光中心的基态电子激发至激发态，部分激发态电子会被陷阱俘获。此时，陷阱从没有电子状态变为电子占据状态，即此存储单元的信息由“0”状态变化“1”状态，实现了信息的写入。副激发光源的作用是使陷阱内的电子回到发光中心的激发态，并使材料发光，而并不能激发发光中心的基态电子至激发态。因此，副激发光源以较小的脉冲能量照射光激励材料，可检测陷阱是否占有电子，而对陷阱中的电子数量影响较小，从而达到信息读取的目的。副激发光源以较大的脉冲能量照射光激励材料，可将陷阱中的绝大多数或全部电子释放，最终回到发光中心的基态。此时，存储单元的信息由“1”状态变化“0”状态，实现了信息的擦除。由于氧化物基光激励材料存在长余辉现象，本发明通过光激励发光强度与背景的长余辉发光强度作差值，再同设定的阈值强度做比对，可解决氧化物基光激励材料的信息存储强度的问题，提高信息读取的准确率。同时，本发明通过在一定时间内进行信息刷新的方法，再可选择冷却装置进行辅助，可使其信息存储时间满足实际的要求。
本发明的优异效果是：本发明所述的光信息存储装置及信息存储方法普遍适用于光激励材料的信息存储，特别适用于氧化物基光激励材料的信息存储。本发明可克服氧化物基光激励材料的信息存储强度和时间的不足，提供了将光激励材料应用于光存储装置的途径。对比现有成熟的光盘信息存储的方式，本发明可大幅提高光信息存储的读写速度和读写循环寿命。
附图说明
图1为本发明所述的光信息存储装置的示意图。
具体实施方式
以下用附图说明本发明的实施例。
图1为本发明所述的光信息存储装置的示意图。信息存储阵列11由多个信息存储单元111构成，信息存储单元为光激励材料。所有信息存储单元排列在同一平面上。主激发光源12、副激发光源13位于信息存储阵列11上方。主激发光源12和副激发光源13按一定方式放置，以使两光源产生的光束121和131照射在信息存储阵列11平面上的光斑完全重合。光源12和13照射在信息存储阵列11平面上所产生的光斑面积小于信息存储单元111面积，以保证每次读写操作仅对一个单元有效，而不影响其它单元。光传感器阵列14位于信息存储阵列11的下方，光传感器阵列14中的光感应单元141与信息存储阵列中的信息存储单元111一一对应。定位装置15与主激发光源12和副激发光源13相连，其可带动光源12和13移动至所选存储单元111的正上方，从而实现主激发光源12和副激发光源13对该信息存储单元111进行读写操作。为了提高信息存储阵列11的信息存储性能，可选择增加冷却装置16对信息存储阵列11和光传感器阵列14进行冷却，以使它们在较低温度下进行工作。
对一信息存储单元111进行信息存储和读取过程中，定位装置15将主激发光源12和副激发光源13移动至所选信息存储单元111的正上方，以保证激发光源可照射到存储单元111表面。信息存储之前，首先对存储单元111进行信息读取操作以确定其信息存储状态。信息读取操作具体为：与存储单元111所对应的光感应单元141探测该单元的发光强度I1；探测完毕后，副激发光源13通过低能量光脉冲照射该单元，同时利用光感应单元141探测存储单元111的发光强度I2；将I2与I1作差，并将差值与预先设定值I0进行比较。如果I2-I1＜I0，则说明存储单元111未写入光信息，其本质是光激励材料中的陷阱没有电子，处于“0”状态；如果I2-I1＞I0，则说明存储单元111已写入光信息，其本质是光激励材料中的陷阱占有电子，处于“1”状态。完成读取操作后，根据反馈所得的存储单元111状态来执行信息存储。对存储单元111进行信息写入操作，如果存储单元111处于“0”状态，则主激发光源12采用光脉冲照射存储单元111，使其转变为“1”状态；如果存储单元111处于“1”状态，则主激发光源12无需进行写入步骤。对存储单元111进行信息擦除操作，如果存储单元111处于“1”状态，则副激发光源13采用高能量光脉冲照射存储单元111，使其转变为“0”状态；如果存储单元111处于“0”状态，则副激发光源13无需进行擦除步骤。在信息存储操作之后，可再次对存储单元111中信息进行读取操作以验证写入操作或擦除操作的正确性。
另外，信息存储单元111处于空闲状态，即不进行读写操作的状态时，所对应的光感应单元141每隔一定时间对处于空闲状态的信息存储单元111的发光强度进行检测。这一时间间隔具体可根据存储单元111中光激励材料的长余辉特性所决定。如果存储单元处于“1”状态，则在无外界光激发条件下，光感应单元所探测到的发光强度信号It是逐渐减弱的。当光感应单元141所探测的发光强度It低于设定值It0时，主激发光源12对存储单元111进行写入操作，以延长其信息存储时间。如果存储单元处于“0”状态，则在无外界光激发条件下，光感应单元141所探测到的发光强度低于设定值It0或为0，且发光强度基本不变，处于此状态的存储单元111无需进行任何读写操作。通过间隔固定时间对光存储阵列11中信息刷新的方法，可使本发明所述的光信息存储装置的信息存储时间完全达到实际的需求。
上述实施例并非是对于本发明的限制，本发明并非仅限于上述实施例，只要符合本发明要求，均属于本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种基于光激励材料的光信息存储装置，其特征在于该装置包括：
信息存储阵列，所述的信息存储阵列由至少一个的信息存储单元构成，信息存储单元为光激励材料，用于存储光信息；
主激发光源，所述的主激发光源用于向信息存储单元中写入信息；
副激发光源，所述的副激发光源用于擦除和读取信息存储单元中的信息；
光传感器阵列，所述的光传感器阵列由与信息存储单元一一对应的光感应单元构成，光感应单元用于检测所对应信息存储单元的发光强度；
定位装置，所述的定位装置用于将主激发光源和副激发光源定位至所选的信息存储单元，进行信息的读写操作；
信息读取操作具体为：与信息存储单元所对应的光感应单元探测该信息存储单元的发光强度I1；探测完毕后，副激发光源通过低能量光脉冲照射上述信息存储单元，同时利用上述光感应单元探测上述信息存储单元的发光强度I2；将I2与I1作差，并将差值与预先设定值I0进行比较；如果I2-I1＜I0，则说明上述信息存储单元未写入光信息，光激励材料中的陷阱没有电子，处于“0”状态；如果I2-I1＞I0，则说明上述信息存储单元已写入光信息，光激励材料中的陷阱占有电子，处于“1”状态；完成读取操作后，根据反馈所得的上述信息存储单元状态来执行信息存储；
信息写入操作具体为：如果信息存储单元处于“0”状态，则主激发光源采用光脉冲照射上述信息存储单元，使其转变为“1”状态；如果信息存储单元处于“1”状态，则主激发光源无需进行信息写入步骤；
信息擦除操作具体为：如果信息存储单元处于“1”状态，则副激发光源采用高能量光脉冲照射存储单元，使其转变为“0”状态；如果信息存储单元处于“0”状态，则副激发光源无需进行信息擦除步骤；
所述的光激励材料为氧化物；
所述的主激发光源为X射线光源、紫外光源或可见光源；
所述的副激发光源为可见光源或红外光源；
所述的副激发光源的输出能量可变；
所述的主激发光源的发光波长小于副激发光源的发光波长。
2.如权利要求1所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置，其特征在于还包括冷却装置，用于冷却信息存储阵列，使其在低于室温的条件下进行工作。
3.利用如权利要求1或2所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置进行信息存储的方法，其特征在于该方法包括：
信息写入：采用主激发光源照射未写入信息的存储单元，将信息写入存储单元；
信息擦除：采用副激发光源照射已写入信息的存储单元，将所写入的信息从存储单元中擦除；
信息读取：采用光感应单元探测所对应存储单元的发光强度；探测后采用副激发光源照射存储单元，同时光感应单元再次探测所对应存储单元的发光强度；对比两次探测所得的发光强度，判断该存储单元中的信息状态；
信息读取操作具体为：与信息存储单元所对应的光感应单元探测该信息存储单元的发光强度I1；探测完毕后，副激发光源通过低能量光脉冲照射上述信息存储单元，同时利用上述光感应单元探测上述信息存储单元的发光强度I2；将I2与I1作差，并将差值与预先设定值I0进行比较；如果I2-I1＜I0，则说明上述信息存储单元未写入光信息，光激励材料中的陷阱没有电子，处于“0”状态；如果I2-I1＞I0，则说明上述信息存储单元已写入光信息，光激励材料中的陷阱占有电子，处于“1”状态；完成读取操作后，根据反馈所得的上述信息存储单元状态来执行信息存储；
信息写入操作具体为：如果信息存储单元处于“0”状态，则主激发光源采用光脉冲照射上述信息存储单元，使其转变为“1”状态；如果信息存储单元处于“1”状态，则主激发光源无需进行信息写入步骤；
信息擦除操作具体为：如果信息存储单元处于“1”状态，则副激发光源采用高能量光脉冲照射存储单元，使其转变为“0”状态；如果信息存储单元处于“0”状态，则副激发光源无需进行信息擦除步骤；
信息存储单元处于空闲状态时，所述空闲状态为不进行读写操作的状态，所对应的光感应单元每隔一定时间对处于空闲状态的信息存储单元的发光强度进行检测；如果信息存储单元处于“1”状态，则在无外界光激发条件下，其光感应单元所探测到的发光强度It是逐渐减弱的，若It低于设定值It0时，主激发光源对上述信息存储单元进行写入操作，以延长其信息存储时间；如果信息存储单元处于“0”状态，则在无外界光激发条件下，其光感应单元所探测到的发光强度It低于设定值It0或为0，且发光强度不变，处于此状态的It无需进行任何读写操作。
4.如权利要求3所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置的信息存储方法，其特征在于副激发光源在信息擦除操作时的光脉冲能量是信息读取操作时的10～10000倍。
CN201610032647.1A 2016-01-18 2016-01-18 一种基于光激励材料的光信息存储装置及其存储方法 Active CN105719668B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610032647.1A CN105719668B (zh) 2016-01-18 2016-01-18 一种基于光激励材料的光信息存储装置及其存储方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610032647.1A CN105719668B (zh) 2016-01-18 2016-01-18 一种基于光激励材料的光信息存储装置及其存储方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105719668A CN105719668A (zh) 2016-06-29
CN105719668B true CN105719668B (zh) 2018-11-13

Family

ID=56147453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610032647.1A Active CN105719668B (zh) 2016-01-18 2016-01-18 一种基于光激励材料的光信息存储装置及其存储方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105719668B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1191035A (zh) * 1995-05-23 1998-08-19 奥普蒂科姆公司 光学数据存储装置
CN1281216A (zh) * 2000-09-01 2001-01-24 清华大学 多层三维存储光学头
CN1343972A (zh) * 2000-09-15 2002-04-10 中国科学技术大学 对偶氮液晶聚合物进行数据记录、擦除和读取的方法
CN1392543A (zh) * 2001-06-14 2003-01-22 中国科学院化学研究所 用于超高密度信息存储介质的光学存读方法
CN1602519A (zh) * 2001-12-14 2005-03-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 光学读取设备
CN1662973A (zh) * 2002-06-19 2005-08-31 皇家飞利浦电子股份有限公司 在玻璃基体中使用预先取向的多层光学存储器
CN1716394A (zh) * 2005-06-03 2006-01-04 清华大学 用于双光子三维盘式存储的自动调焦和道跟踪装置和方法
CN101346764A (zh) * 2005-11-28 2009-01-14 梅姆派尔有限公司 多层三维非线性光学数据载体以及在其中记录/读取数据的方法
CN101456677A (zh) * 2008-12-30 2009-06-17 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 光储存纳米复合薄膜的制备及读写方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1191035A (zh) * 1995-05-23 1998-08-19 奥普蒂科姆公司 光学数据存储装置
CN1281216A (zh) * 2000-09-01 2001-01-24 清华大学 多层三维存储光学头
CN1343972A (zh) * 2000-09-15 2002-04-10 中国科学技术大学 对偶氮液晶聚合物进行数据记录、擦除和读取的方法
CN1392543A (zh) * 2001-06-14 2003-01-22 中国科学院化学研究所 用于超高密度信息存储介质的光学存读方法
CN1602519A (zh) * 2001-12-14 2005-03-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 光学读取设备
CN1662973A (zh) * 2002-06-19 2005-08-31 皇家飞利浦电子股份有限公司 在玻璃基体中使用预先取向的多层光学存储器
CN1716394A (zh) * 2005-06-03 2006-01-04 清华大学 用于双光子三维盘式存储的自动调焦和道跟踪装置和方法
CN101346764A (zh) * 2005-11-28 2009-01-14 梅姆派尔有限公司 多层三维非线性光学数据载体以及在其中记录/读取数据的方法
CN101456677A (zh) * 2008-12-30 2009-06-17 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 光储存纳米复合薄膜的制备及读写方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105719668A (zh) 2016-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001522119A (ja) 多層フォトクロミック光データディスク
JPH10134409A (ja) 光学データ記憶装置
CN105719668B (zh) 一种基于光激励材料的光信息存储装置及其存储方法
JP4538330B2 (ja) 多光子記録方法及び多層光記録媒体
CN101114467A (zh) 记录策略决定方法、光盘记录方法、光盘及光盘装置
CN111696588B (zh) 一种基于熔融石英荧光信号的光存储方法及系统
TWI336885B (en) Method and device for recording marks representing data in an information layer of an optical record carrier
CN104051021A (zh) 一种相变存储器热串扰测试方法
US6728154B2 (en) Three-dimensional optical memory medium and process for producing same
WO2001035398A1 (en) Near-field crystal optical memory
CN104157298B (zh) 荧光读出的可擦重写相变光盘
JP2008545225A (ja) 多光子励起可能媒体におけるデータ記録および読み取りのための方法ならびにシステム
CN101479793B (zh) 用于以不同读取速度从光学记录载体读取信息的方法与设备
JP2004095158A (ja) ルミネセンスに基づくデータ記憶装置
CN114621395B (zh) 用于单光束超分辨光存储的荧光聚合材料及其光存储方法
Jia et al. Deep-trap persistent materials for future rewriteable optical information storage
Goldsmith et al. Electron trapping: a new approach to rewritable optical data storage
JP2011076701A (ja) 超解像の光ディスク読み取り装置及び反射率測定を通じて最適化された読み取り方法
Jones Exploring the Depths of the Archival Data Storage Industry
US10388342B2 (en) 3D storage cells
JP2819763B2 (ja) 光学的再生方法およびこれに用いる装置
CN100377223C (zh) 用于在可重写记录载体上读取和记录信息的方法和装置
JP2010102752A (ja) 磁気ディスクの特性評価方法、および、その特性評価装置
CN101246708B (zh) 改善类摆动干扰方法
JP2964692B2 (ja) 光記録再生方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant