JPS5847714B2 - メモリパネルの消去駆動方法 - Google Patents
メモリパネルの消去駆動方法Info
- Publication number
- JPS5847714B2 JPS5847714B2 JP50011676A JP1167675A JPS5847714B2 JP S5847714 B2 JPS5847714 B2 JP S5847714B2 JP 50011676 A JP50011676 A JP 50011676A JP 1167675 A JP1167675 A JP 1167675A JP S5847714 B2 JPS5847714 B2 JP S5847714B2
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- JP
- Japan
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- point
- light
- light emitting
- thin film
- panel
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- Position Input By Displaying (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメモリ機能を有するＺｎＳ系ＥＬマトリックス
パネルに於いて、維持パルス巾を変えることによって書
き込み絵素点をライトペンによって消去を可能にする駆
動方式に関する。
パネルに於いて、維持パルス巾を変えることによって書
き込み絵素点をライトペンによって消去を可能にする駆
動方式に関する。
第１図は上記ＺｎＳ系薄膜発光素子の基本的な構造を図
示するもので、その発光機構に第２図に示す如きヒステ
リシス現象のあることが見出されている。
示するもので、その発光機構に第２図に示す如きヒステ
リシス現象のあることが見出されている。
今第１図及び第２図を用いてＺｎＳ薄膜発光素子の構造
及びそのヒステリシス現象を説明するとＺｎＳ系薄膜発
光素子は発光中心を形成する活性物質として、Ｍｎ．Ｃ
ｒ．Ｔｌ）．Ｅｒ．Ｔｍ．Ｔｂ等の遷移金属元素や希土
類元素を添加してなるＺｎＳ薄膜層１を￥３０３等の誘
電層２，３で挾持し、該誘電層２，３上からＳｎ０２等
の透明電極４、Ａ１等の背面電極５を設けた構成である
。
及びそのヒステリシス現象を説明するとＺｎＳ系薄膜発
光素子は発光中心を形成する活性物質として、Ｍｎ．Ｃ
ｒ．Ｔｌ）．Ｅｒ．Ｔｍ．Ｔｂ等の遷移金属元素や希土
類元素を添加してなるＺｎＳ薄膜層１を￥３０３等の誘
電層２，３で挾持し、該誘電層２，３上からＳｎ０２等
の透明電極４、Ａ１等の背面電極５を設けた構成である
。
図面に於いて６はガラス基板であり透明電極４側に設け
られており、このガラス基板６を通してＺｎＳ薄膜層１
からの発光が外部に導出される。
られており、このガラス基板６を通してＺｎＳ薄膜層１
からの発光が外部に導出される。
このような構造を持ったＺｎＳ薄膜発光素子に適当な交
流パルスを印加するとＥＬ発光を行なうが、その印加電
圧の波高値■と発光輝度Ｂの関係は第２図に示すような
ヒステリシス曲線となる。
流パルスを印加するとＥＬ発光を行なうが、その印加電
圧の波高値■と発光輝度Ｂの関係は第２図に示すような
ヒステリシス曲線となる。
即ち交流印加パルス電圧の波高値がＶｓ（イ点）を越え
ると発光輝度Ｂは次第に増加し、Ｖｍ （口点）で最大
となり再びＶｓ（ハ点）まで減少しても発光は持続し、
■Ｅ（二点）まで減少すると発光を停止する。
ると発光輝度Ｂは次第に増加し、Ｖｍ （口点）で最大
となり再びＶｓ（ハ点）まで減少しても発光は持続し、
■Ｅ（二点）まで減少すると発光を停止する。
このような機能を持つＺｎＳ薄膜発光素子に於いて、イ
点で安定している素子に光照射することによってイ点か
らハ点に発光輝度を移すことが可能である。
点で安定している素子に光照射することによってイ点か
らハ点に発光輝度を移すことが可能である。
従来の消去方法は維持パルス巾を変えずに電極間短絡規
間に光照射をしていたがこの方法をとるとハ点からイ点
への転移は十分に行えなかった。
間に光照射をしていたがこの方法をとるとハ点からイ点
への転移は十分に行えなかった。
本発明はその点を考慮し十分消去を可能にする駆動方式
である。
である。
第３、第４図は上記ＺｎＳ薄膜発光素子で構成したマト
リックスメモリパネルを図示するもので、第３図はパネ
ルの断面図、第４図は電極４，５の平面的な形状を示し
、この電極４，５は互いに交差する水平電極Ｈ１〜Ｈｎ
・・・・・・と垂直電極ｖ０〜ｖｍ・・・・・・に対応
して示されている。
リックスメモリパネルを図示するもので、第３図はパネ
ルの断面図、第４図は電極４，５の平面的な形状を示し
、この電極４，５は互いに交差する水平電極Ｈ１〜Ｈｎ
・・・・・・と垂直電極ｖ０〜ｖｍ・・・・・・に対応
して示されている。
今第５図に書き込みを行う場合のマトリックスメモリパ
ネルの各電極の印加波形を示すが全電極に同様の波形が
印加される。
ネルの各電極の印加波形を示すが全電極に同様の波形が
印加される。
Ｔ１の期間ライトペンによる書き込みは行なわれないが
Ｔ２の期間光照射を受けた絵素点は第２図のイ点からノ
・点へ移行し書き込みが行なわれるのである。
Ｔ２の期間光照射を受けた絵素点は第２図のイ点からノ
・点へ移行し書き込みが行なわれるのである。
尚垂直電極から水平電極を見た場合の波形を第６図に示
す。
す。
次に書き込み絵素点を消去する場合、印加波形は第７図
ａに示される。
ａに示される。
これは従来の方式で全電極とも同様の波形が印加される
。
。
書き込み絵素点ハと消去絵素点イとの相違は一度増加し
たＥＬ層での分極電荷が保持されることである。
たＥＬ層での分極電荷が保持されることである。
そこでライトペンによって、ｔ２の期間に光緩和を利用
して分極電荷を消滅させるのが消去方法で、第５図の書
き込みモードから第７図ａの消去モードに移した場合に
十分、分極電荷が緩和されず、その為ハ点からイ点への
移動が行なわれなかった。
して分極電荷を消滅させるのが消去方法で、第５図の書
き込みモードから第７図ａの消去モードに移した場合に
十分、分極電荷が緩和されず、その為ハ点からイ点への
移動が行なわれなかった。
そのためにａの維持パルス巾ｐｗからより巾の狭い維持
パルス巾ＰＷ’にすることによって十分消去を可能にす
るのが本発明方式である。
パルス巾ＰＷ’にすることによって十分消去を可能にす
るのが本発明方式である。
第７図ａ，ｂで印加電圧を変化させると第２図と同様に
ヒステリシス現象を示し、それぞれ第９図のＬｏｏＰ
１ ， ＬｏｏＰ ２に対応している。
ヒステリシス現象を示し、それぞれ第９図のＬｏｏＰ
１ ， ＬｏｏＰ ２に対応している。
すなわちａなる印加波形のもとでＢ１点にある書き込み
絵素点は光照射によって短い時間ではＣ点に転移するが
Ｂ点．Ｃ点ではコントラストがとれず十分消去したよう
には見えない。
絵素点は光照射によって短い時間ではＣ点に転移するが
Ｂ点．Ｃ点ではコントラストがとれず十分消去したよう
には見えない。
そこで消去モードにした場合印加パルス巾を狭めｂなる
波形をマトリックスメモリパネルの各水平電極、垂直電
極に加え、印加パルスの零電位の時に光照射をすると短
い時間でもＢ２点から殆どＡ２点に転移してくれる。
波形をマトリックスメモリパネルの各水平電極、垂直電
極に加え、印加パルスの零電位の時に光照射をすると短
い時間でもＢ２点から殆どＡ２点に転移してくれる。
それはＬＯＯＰ２ではＬＯＯＰ１に較べ分極電荷が少く
、十分緩和されるからである。
、十分緩和されるからである。
このようにするとＢ２点とＡ２点とのコントラストがと
れ十分消去が可能になる。
れ十分消去が可能になる。
尚、第８図に第７図に示す波形の信号を加えた時の、垂
直電極から水平電極を見た場合の波形を示す。
直電極から水平電極を見た場合の波形を示す。
このような印加方法をとるとマトリックスメモリパイ・
ルの絵素数が多くなっても各水平電極、垂直電極にそれ
ぞれ同時に同様の波形が印加されるためちらつき現象が
全くない利点をもっている。
ルの絵素数が多くなっても各水平電極、垂直電極にそれ
ぞれ同時に同様の波形が印加されるためちらつき現象が
全くない利点をもっている。
この発明方式によって他点を消去することなく、マトリ
ックスメモリパネル上の書き込み絵素点を光学的に任意
に十分のコントラストをもって消去できるというマトリ
ックスディスプレイに優れたディスプレイ機能を附与す
るための有用な１駆動方式であって実用効果が大きい。
ックスメモリパネル上の書き込み絵素点を光学的に任意
に十分のコントラストをもって消去できるというマトリ
ックスディスプレイに優れたディスプレイ機能を附与す
るための有用な１駆動方式であって実用効果が大きい。
第１図はＺｎＳ系薄膜発光素子の断面図。
第２図は第１図に示す素子のヒステリシス曲線を示す図
。 第３図はマトリックスパネルの断面図。第４図は第３図
に示すパネルの電極形状を示すための構或平面図。 第５図は書き込みモードでの各電極の印加波形。 Ｌはライトペンによる照射を示す。第６図は第５図によ
る各絵素点での垂直電極から水平電極を見た場合の波形
。 第７図ａは消去モードでの印加波形、ｂは本発明方式の
印加波形。 第８図ａ，ｂは第７図ａ，ｂによる各絵素点での垂直電
極から水平電極を見た場合のそれぞれの波形。 第９図は第７図による素子のヒステリシス曲線を示す図
。 Ｐｗ・・・・・・書込みモードでの維持パルス巾、Ｐｗ
’・・・・・・消去モードでの維持パルス巾。
。 第３図はマトリックスパネルの断面図。第４図は第３図
に示すパネルの電極形状を示すための構或平面図。 第５図は書き込みモードでの各電極の印加波形。 Ｌはライトペンによる照射を示す。第６図は第５図によ
る各絵素点での垂直電極から水平電極を見た場合の波形
。 第７図ａは消去モードでの印加波形、ｂは本発明方式の
印加波形。 第８図ａ，ｂは第７図ａ，ｂによる各絵素点での垂直電
極から水平電極を見た場合のそれぞれの波形。 第９図は第７図による素子のヒステリシス曲線を示す図
。 Ｐｗ・・・・・・書込みモードでの維持パルス巾、Ｐｗ
’・・・・・・消去モードでの維持パルス巾。
Claims (1)
- １ 交流パルスの印加によりＥＬ発光を呈する発光層を
１対の電極間に介設して成り、印加電圧対発光輝度間に
ヒステリシス特性の付与された薄膜発光素子に、電圧上
昇時の低発光輝度と電圧降下時の高発光輝度との差が大
きい電圧値を基準電位からの振幅とする維持パルス列を
印加することにより、前記高発光輝度を呈する前記薄膜
発光素子の書込み点が表示駆動されるメモリパネルに於
いて、消去駆動期間で印加される前記維持パルス列のパ
ルス幅を狭く設定するとともに印加される電位が前記基
準電位となる期間に呼応して前記書込み点を光照射し、
前記書込み点の発光輝度を前記低発光輝度へ転移せしめ
ることを特徴とするメモリパネルの消去駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50011676A JPS5847714B2 (ja) | 1975-01-27 | 1975-01-27 | メモリパネルの消去駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50011676A JPS5847714B2 (ja) | 1975-01-27 | 1975-01-27 | メモリパネルの消去駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5186327A JPS5186327A (ja) | 1976-07-28 |
| JPS5847714B2 true JPS5847714B2 (ja) | 1983-10-24 |
Family
ID=11784585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50011676A Expired JPS5847714B2 (ja) | 1975-01-27 | 1975-01-27 | メモリパネルの消去駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5847714B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61155916A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Chino Works Ltd | 記録計 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4894362A (ja) * | 1972-03-13 | 1973-12-05 |
-
1975
- 1975-01-27 JP JP50011676A patent/JPS5847714B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4894362A (ja) * | 1972-03-13 | 1973-12-05 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61155916A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Chino Works Ltd | 記録計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5186327A (ja) | 1976-07-28 |
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