JPS6010630B2 - 薄膜el表示装置の消去方法 - Google Patents
薄膜el表示装置の消去方法Info
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- JPS6010630B2 JPS6010630B2 JP7811677A JP7811677A JPS6010630B2 JP S6010630 B2 JPS6010630 B2 JP S6010630B2 JP 7811677 A JP7811677 A JP 7811677A JP 7811677 A JP7811677 A JP 7811677A JP S6010630 B2 JPS6010630 B2 JP S6010630B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光輝度の対印加電圧特性に於いてヒステリシ
ス現象を呈する三層構造薄膜EL素子において、該薄膜
EL素子に電子ビームによる表示パターンの部分消去す
ることに特徴を有する薄膜EL表示の消去方法に関する
ものである。
ス現象を呈する三層構造薄膜EL素子において、該薄膜
EL素子に電子ビームによる表示パターンの部分消去す
ることに特徴を有する薄膜EL表示の消去方法に関する
ものである。
MnをドープしたZnS,ZnSe等の半導体発光薄膜
をY203,Si3N4,Ti02等の誘電体薄膜でサ
ンドイッチした三層構造ZnS:Mm(又はZnSe:
Mn)薄膜EL素子は数KHZのAC電圧印加によって
高輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有して
いる。
をY203,Si3N4,Ti02等の誘電体薄膜でサ
ンドイッチした三層構造ZnS:Mm(又はZnSe:
Mn)薄膜EL素子は数KHZのAC電圧印加によって
高輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有して
いる。
またこの薄膜EL素子の発光に関しては印加電圧を昇圧
していく過程と高電圧側より降圧していく過程で同じ印
加電圧値に対して発光輝度が異なるといったヒステリシ
ス特性を有していることが発見され、このヒステリシス
特性を有するEL素子に印加電圧を昇圧する過程に於い
て、光、電界、熱等が付与されるとEL素子はその強度
に対応した発光輝度の状態に励起され、光、電界、熱等
を除去して元の状態に戻しても発光輝度が高くなった状
態に留まるといったメモリー現象が存在することが知ら
れている。そしてこのメモリー現象を有効に活用してE
L素子をメモリー素子として利用するEL素子応用技術
が現在産業界等で研究開発されている。第1図は本発明
の1実施例として使用するZnS薄膜EL素子の構造を
示す一部切教斜視図である。
していく過程と高電圧側より降圧していく過程で同じ印
加電圧値に対して発光輝度が異なるといったヒステリシ
ス特性を有していることが発見され、このヒステリシス
特性を有するEL素子に印加電圧を昇圧する過程に於い
て、光、電界、熱等が付与されるとEL素子はその強度
に対応した発光輝度の状態に励起され、光、電界、熱等
を除去して元の状態に戻しても発光輝度が高くなった状
態に留まるといったメモリー現象が存在することが知ら
れている。そしてこのメモリー現象を有効に活用してE
L素子をメモリー素子として利用するEL素子応用技術
が現在産業界等で研究開発されている。第1図は本発明
の1実施例として使用するZnS薄膜EL素子の構造を
示す一部切教斜視図である。
通常、ガラス基板1上にln203又はSn02よりな
る下部電極Z,Y2Q,Si3N4又はTi02よりな
る薄膜絶縁層3,Mnがドープされ、発光層となる薄膜
2nS層4,Y2Q,Si3N4又はTj02よりなる
上部薄膜絶縁層5,AI等の金属より成る背面電極6が
蒸着法等により【頂次積層形成されている。透明電極2
及び背面電極6はリード線で電源部7に接続されている
。図より分るように電極2及び6は全面に形成されてお
り、セグメント又はパターン形状に形成されていない。
薄膜EL素子の1例としてMnをドープしたZnS:M
n薄膜EL素子の印加電圧に対する発光輝度特性を第2
図に示す。
る下部電極Z,Y2Q,Si3N4又はTi02よりな
る薄膜絶縁層3,Mnがドープされ、発光層となる薄膜
2nS層4,Y2Q,Si3N4又はTj02よりなる
上部薄膜絶縁層5,AI等の金属より成る背面電極6が
蒸着法等により【頂次積層形成されている。透明電極2
及び背面電極6はリード線で電源部7に接続されている
。図より分るように電極2及び6は全面に形成されてお
り、セグメント又はパターン形状に形成されていない。
薄膜EL素子の1例としてMnをドープしたZnS:M
n薄膜EL素子の印加電圧に対する発光輝度特性を第2
図に示す。
機軸は印加交流電圧パルスの振幅(ピーク値)Vを、縦
軸は発光輝度Bを表わしている。この第2図から明らか
な様に、印加パルスの電圧を上昇していくときのEL素
子の発光輝度(曲線1で示す)と、電圧を降下していく
ときのEL素子の発光輝度(曲線0で示す)との間には
、顕著なヒステリシス現象が存在する。又、第3図は第
2図に於ける薄膜虫L素子に印加される印加交流電圧パ
ルスの電圧波形を示すものである。第4図は薄膜EL素
子の発光波形図を示す。ある一定の電界を印加されたE
L素子に書き込み手段として光、熱、又は電界が照射あ
るいは印加されるとZnS:Mn発光層中の電子トラツ
プ準位に捕獲されていた電子が各強度に相当する数だけ
伝導帯中に励起され伝導電子となってZnS:Mn層を
走行する。
軸は発光輝度Bを表わしている。この第2図から明らか
な様に、印加パルスの電圧を上昇していくときのEL素
子の発光輝度(曲線1で示す)と、電圧を降下していく
ときのEL素子の発光輝度(曲線0で示す)との間には
、顕著なヒステリシス現象が存在する。又、第3図は第
2図に於ける薄膜虫L素子に印加される印加交流電圧パ
ルスの電圧波形を示すものである。第4図は薄膜EL素
子の発光波形図を示す。ある一定の電界を印加されたE
L素子に書き込み手段として光、熱、又は電界が照射あ
るいは印加されるとZnS:Mn発光層中の電子トラツ
プ準位に捕獲されていた電子が各強度に相当する数だけ
伝導帯中に励起され伝導電子となってZnS:Mn層を
走行する。
そしてその途中でMn発光センタ−を励起、発光させる
為EL素子の発光輝度は増加する。従って、今、同一印
加電圧値に於いて電圧上昇時の発光輝度技と、電圧下降
時の発光輝度Bwとの差が十分に大きい点の電圧値Vs
(維持電圧)を選び、第3図に示す如く、Vsを振幅と
する交流パルス列Psで上記EL素子を駆動するときE
L素子は発光輝度氏をこのパルス刃肥sに依って維持す
る。
為EL素子の発光輝度は増加する。従って、今、同一印
加電圧値に於いて電圧上昇時の発光輝度技と、電圧下降
時の発光輝度Bwとの差が十分に大きい点の電圧値Vs
(維持電圧)を選び、第3図に示す如く、Vsを振幅と
する交流パルス列Psで上記EL素子を駆動するときE
L素子は発光輝度氏をこのパルス刃肥sに依って維持す
る。
次に、交流パルス列Psの振幅を第3図に示すように瞬
間的に変調して電圧値の高い書き込み電圧Vwを持つパ
ルスのPwをEL素子に印加すると、素子は書き込み電
圧Vwに対する発光輝度則ち第2図に於けるP点の瞬間
輝度虫′wで発光した後、次の交流維持パルスにて曲線
川こより書き込み輝度Bwの点Qで安定となり、この輝
度Bwを維持する(発光メモリー状態)。一方、このよ
うにして書き込み状態を維持している交流維持パルス乳
肥sの振幅をさらに変調して十分に低い消去電圧Veを
持つパルスPeをEL素子に印加すると、EL素子は瞬
間、消去輝度技の点Rを通過した後、次の交流維持パル
ス列Psにて消去輝度Beに落ちつき、この輝度茂を維
持して、消去及び消去状態を維持する(消去メモリー状
態)。
間的に変調して電圧値の高い書き込み電圧Vwを持つパ
ルスのPwをEL素子に印加すると、素子は書き込み電
圧Vwに対する発光輝度則ち第2図に於けるP点の瞬間
輝度虫′wで発光した後、次の交流維持パルスにて曲線
川こより書き込み輝度Bwの点Qで安定となり、この輝
度Bwを維持する(発光メモリー状態)。一方、このよ
うにして書き込み状態を維持している交流維持パルス乳
肥sの振幅をさらに変調して十分に低い消去電圧Veを
持つパルスPeをEL素子に印加すると、EL素子は瞬
間、消去輝度技の点Rを通過した後、次の交流維持パル
ス列Psにて消去輝度Beに落ちつき、この輝度茂を維
持して、消去及び消去状態を維持する(消去メモリー状
態)。
また上記書き込み、消去にあたって書き込み、あるいは
消去電圧yw,Veを任意に選択すると、輝度Bw,B
eの間での上記電圧に対応した任意中間調の輝度が得ら
れる。書き込み電圧Vw,消去電圧Veの印加によりE
L素子の発光輝度が書き込み輝度Bw‘こ維持され、あ
るいは書き込み輝度虫wが消去される原因は次の理由に
よるものと考えられる。
消去電圧yw,Veを任意に選択すると、輝度Bw,B
eの間での上記電圧に対応した任意中間調の輝度が得ら
れる。書き込み電圧Vw,消去電圧Veの印加によりE
L素子の発光輝度が書き込み輝度Bw‘こ維持され、あ
るいは書き込み輝度虫wが消去される原因は次の理由に
よるものと考えられる。
即ち、書き込み手段として照射あるいは印加された光、
熱、又は電界を除去してもZnS:Mm層と誘電体膜の
界面近傍に掃引された伝導電子は界面近傍の界面準位に
捕獲されており次の維持パルス印加によって界面準位よ
り伝達帯に抜け出しZnS:Mn層を走行して他方の界
面に達する。その際ZnS:Mn層中のもとの電子トラ
ップ近傍を通過する伝導電子に対してはもとのトラツプ
準位に再トラツプされる確率よりも他方の界面に掃引さ
れる確率の方が高い。これは維持パルスによる電界によ
って伝導電子が高速度となっているためである。このた
め発光輝度は元の状態に戻らずメモリー現象を呈するこ
ととなる。次に消去電圧を印加すると電子トラップ準位
近傍を通過する伝導電子の掃引速度が低くなり、印加電
界によって他方の界面に掃引される確率よりもZnS:
Mn層中のもとの電子トラップ準位に再トラップされる
確率が高くなる。
熱、又は電界を除去してもZnS:Mm層と誘電体膜の
界面近傍に掃引された伝導電子は界面近傍の界面準位に
捕獲されており次の維持パルス印加によって界面準位よ
り伝達帯に抜け出しZnS:Mn層を走行して他方の界
面に達する。その際ZnS:Mn層中のもとの電子トラ
ップ近傍を通過する伝導電子に対してはもとのトラツプ
準位に再トラツプされる確率よりも他方の界面に掃引さ
れる確率の方が高い。これは維持パルスによる電界によ
って伝導電子が高速度となっているためである。このた
め発光輝度は元の状態に戻らずメモリー現象を呈するこ
ととなる。次に消去電圧を印加すると電子トラップ準位
近傍を通過する伝導電子の掃引速度が低くなり、印加電
界によって他方の界面に掃引される確率よりもZnS:
Mn層中のもとの電子トラップ準位に再トラップされる
確率が高くなる。
従ってメモリー消去が行なわれることになる。以上詳説
した事項は従来薄膜EL素子の駆動方式に於いて一般的
に利用されているものであり、上記方式によりEL素子
をメモリー機能を有するEL素子として応用することが
できる。
した事項は従来薄膜EL素子の駆動方式に於いて一般的
に利用されているものであり、上記方式によりEL素子
をメモリー機能を有するEL素子として応用することが
できる。
本発明は薄膜EL素子が外部からの電子ビーム照射によ
り、照射強度に対応して励起発光し、また緩和消去する
という薄膜EL素子の特性を利用することにより新規か
つ有用な薄膜由L素子の表示装置を提供することを目的
とするものである。
り、照射強度に対応して励起発光し、また緩和消去する
という薄膜EL素子の特性を利用することにより新規か
つ有用な薄膜由L素子の表示装置を提供することを目的
とするものである。
特に本発明は電子ビームにより任意v点の消去又は全面
書込み後任意の部分消去を行って反転像の表示を可能に
するものである。本発明者等は電子ビーム照射により書
込む装置及び方法を侍磯昭52−27777号(特開昭
53−1120斑号公報参照)で出願しているので、こ
れを説明する。
書込み後任意の部分消去を行って反転像の表示を可能に
するものである。本発明者等は電子ビーム照射により書
込む装置及び方法を侍磯昭52−27777号(特開昭
53−1120斑号公報参照)で出願しているので、こ
れを説明する。
上記第1図に示した構造の薄膜EL素子に背面電極6
側より電子ビーム8を照射する。この時薄膜EL素子は
真空容器内に置かれている。電子ビームのZnS層4に
到達する電子数、及び発生電圧を電子ビームの加速電圧
を変えて計算した結果についてここで述べる。山層等か
ら成る背面電極6の表面より深さdに於ける一次電子の
数は次式で与えられる。但し、散乱による効果は試料が
薄膜であること、及び最小値を計算すればよいことなど
の条件から省略した。
側より電子ビーム8を照射する。この時薄膜EL素子は
真空容器内に置かれている。電子ビームのZnS層4に
到達する電子数、及び発生電圧を電子ビームの加速電圧
を変えて計算した結果についてここで述べる。山層等か
ら成る背面電極6の表面より深さdに於ける一次電子の
数は次式で与えられる。但し、散乱による効果は試料が
薄膜であること、及び最小値を計算すればよいことなど
の条件から省略した。
n(pd)=〆(1一4×1び×ZI/2・p・dノE
。
。
1‐7)‐・イー)
ここで、n(pd)は深さdに於ける一次電子の数、n
oは背面電極6表面における一次電子の数、pは薄膜の
密度(gr/塊),Eoは初期加速電圧(KV),Zは
薄膜の原子番号(但し、化合物ABC…の場合、Z=Z
;Z Ci2i,Ciは重量%)1=nである。
oは背面電極6表面における一次電子の数、pは薄膜の
密度(gr/塊),Eoは初期加速電圧(KV),Zは
薄膜の原子番号(但し、化合物ABC…の場合、Z=Z
;Z Ci2i,Ciは重量%)1=nである。
また薄膜層のある深さdでの電圧Eは次式で与えられる
。
。
7.斑×1ぴ8
pd=N。
2にizi/Mi)〔Eo2F(Eo′Z)1=n
一E2F(E/Z)〕………(2}但し、F(E′
Z)=ラ(1十三十も…)■・・.・・・・・・(3)
y=2.1n(17の/Z) ………(4)ここで、N
oはアボガドロ数6.022×1ぴ3mol‐1,Mi
は原子量である。
一E2F(E/Z)〕………(2}但し、F(E′
Z)=ラ(1十三十も…)■・・.・・・・・・(3)
y=2.1n(17の/Z) ………(4)ここで、N
oはアボガドロ数6.022×1ぴ3mol‐1,Mi
は原子量である。
第1図の薄膜EL素子に於いて背面電極6はAI薄膜、
上部薄膜絶縁層5はY203薄膜で形成されている場合
について以下に説明する。
上部薄膜絶縁層5はY203薄膜で形成されている場合
について以下に説明する。
oN:Z=13 膜厚1500A
M=26.98
P=2.69g/地
oY203:p35g/の膜厚2000AY:Z=39
M=88.91
○:Z=8
M=16
式{1}〜【4’を用いて加速電圧Eoを変えたときの
上部絶縁層5及びZ船層4での一次電子の数及び発生電
圧を計算した結果を各々第5図及び第6図に示す。
上部絶縁層5及びZ船層4での一次電子の数及び発生電
圧を計算した結果を各々第5図及び第6図に示す。
第5図に於いて横軸は山薄膜から成る背面電極6表面か
らの深さdを単位りmで示す。縦軸は最初の一次電子の
数で正規化した電子数を示す。Eoは加速電圧である。
又、第6図に於いて横軸は電子ビームの加速電圧Eo,
縦軸は電子ビーム照射により生じた発生電圧Eを各々単
位KVで示す。9はZnS層4表面での発生電圧、10
はY203薄膜(上部絶縁層6)表面での発生電圧、1
1は初期加速電圧を示す。
らの深さdを単位りmで示す。縦軸は最初の一次電子の
数で正規化した電子数を示す。Eoは加速電圧である。
又、第6図に於いて横軸は電子ビームの加速電圧Eo,
縦軸は電子ビーム照射により生じた発生電圧Eを各々単
位KVで示す。9はZnS層4表面での発生電圧、10
はY203薄膜(上部絶縁層6)表面での発生電圧、1
1は初期加速電圧を示す。
加速電圧虫。
ミ7KVではZnS:Mn層4に到達する一次電子の数
はほとんど零である。又、Z鷹:Nhのエネルギー帯が
約2瓜VであることよりEo2舵VでZnS:Mn層4
を十分励起することができる。以上の計算結果より、最
加速電圧により電子ビームを加速して薄膜EL素子の背
面電極6側から照射することにより、第2図の維持パル
ス列Psに書き込み電圧Vwを重畳させることなく、電
子ビームにより生じたZ船:Mn層の内部分極効果によ
り、外部維持電圧パルス列Psで発光維持させることが
でき、このときのEり発光をIQ03等の透明電極2を
介して、ガラス基板1側から観測することができる。E
L素子に維持パルスを印加しておき、電子ビームをある
速度で掃引、強度変調して、EL素子に照射することに
より、電子ビームの変調信号に応じて文字、図形をEL
素子の発光で描くことができる。
はほとんど零である。又、Z鷹:Nhのエネルギー帯が
約2瓜VであることよりEo2舵VでZnS:Mn層4
を十分励起することができる。以上の計算結果より、最
加速電圧により電子ビームを加速して薄膜EL素子の背
面電極6側から照射することにより、第2図の維持パル
ス列Psに書き込み電圧Vwを重畳させることなく、電
子ビームにより生じたZ船:Mn層の内部分極効果によ
り、外部維持電圧パルス列Psで発光維持させることが
でき、このときのEり発光をIQ03等の透明電極2を
介して、ガラス基板1側から観測することができる。E
L素子に維持パルスを印加しておき、電子ビームをある
速度で掃引、強度変調して、EL素子に照射することに
より、電子ビームの変調信号に応じて文字、図形をEL
素子の発光で描くことができる。
又電子ビーム照射により書き込まれた書き込み輝度を消
去する場合は前述した如く第2図、第3図に於ける維持
電圧パルスを消去電圧パルスV8に下げて消去を行なう
。又、電子線による書込み時維持電圧を印加せずEL素
子の両端電極を電気的に短絡して電子線で照射した後、
維持電圧を印加して任意V点の書き込み維持も行ない得
る。以上詳説した事項を基にして、電子ビーム書込み、
全面同時消去する装置を第7図とともに説明する。
去する場合は前述した如く第2図、第3図に於ける維持
電圧パルスを消去電圧パルスV8に下げて消去を行なう
。又、電子線による書込み時維持電圧を印加せずEL素
子の両端電極を電気的に短絡して電子線で照射した後、
維持電圧を印加して任意V点の書き込み維持も行ない得
る。以上詳説した事項を基にして、電子ビーム書込み、
全面同時消去する装置を第7図とともに説明する。
第7図は薄膜EL表示装置の構成図及びブロック回路で
ある。ブラウン管(CRT)12内の表示部相当領域に
第1図に示す構造を有する薄膜EL素子を配置する。
ある。ブラウン管(CRT)12内の表示部相当領域に
第1図に示す構造を有する薄膜EL素子を配置する。
即ちガラス基板1がブラウン管12の表示部に相当する
。またブラウン管12外周部の薄膜EL素子配置位置と
対向する位置にホーカス用電磁コイル13及びXY方向
偏向コイル14を設ける。ホーカス用電磁コイル13は
電子ビームホーカス信号15と接続され、XY方向偏向
コイル14は×方向偏向増幅器16,Y方向偏向増幅器
17と接続されている。又XY方向偏向コイル14は外
部変調信号18と接続されるスキャンニング信号発生器
19により偏向増幅器16,17を介して電子ビームの
偏向制御を行なう。薄膜EL素子の透明電極2及び背面
電極6は維持パルス信号発生器20を介して消去信号発
生器21と接続され維持及び消去用のパルス電圧が印加
される。維持パルス信号発生器20及び消去信号発生器
21はスキャンニング信号発生器19と接続され、スキ
ャンニング信号発生器19よりの同期信号供給される。
ブラウン管12内の薄膜EL素子配置位置と対向する位
置には電子ビーム発生装置22が実装され、スキャンニ
ング信号発生器19により輝度制御用信号が供給される
。上記緩成より成る薄膜EL表示装置の動作は次の要領
で行なわれる。
。またブラウン管12外周部の薄膜EL素子配置位置と
対向する位置にホーカス用電磁コイル13及びXY方向
偏向コイル14を設ける。ホーカス用電磁コイル13は
電子ビームホーカス信号15と接続され、XY方向偏向
コイル14は×方向偏向増幅器16,Y方向偏向増幅器
17と接続されている。又XY方向偏向コイル14は外
部変調信号18と接続されるスキャンニング信号発生器
19により偏向増幅器16,17を介して電子ビームの
偏向制御を行なう。薄膜EL素子の透明電極2及び背面
電極6は維持パルス信号発生器20を介して消去信号発
生器21と接続され維持及び消去用のパルス電圧が印加
される。維持パルス信号発生器20及び消去信号発生器
21はスキャンニング信号発生器19と接続され、スキ
ャンニング信号発生器19よりの同期信号供給される。
ブラウン管12内の薄膜EL素子配置位置と対向する位
置には電子ビーム発生装置22が実装され、スキャンニ
ング信号発生器19により輝度制御用信号が供給される
。上記緩成より成る薄膜EL表示装置の動作は次の要領
で行なわれる。
、スキャンニソグ信号発生器19より発生する信号に同
期した維持パルス信号発生器20より薄膜EL素子に維
持パルス電圧が印加される。
期した維持パルス信号発生器20より薄膜EL素子に維
持パルス電圧が印加される。
この時の発光輝度は第2図に於けるBeとなるように維
持パルス電圧値を設定する。次に表示を希望するパター
ンの電気信号を外部変調信号18で発生させスキャンニ
ング信号発生器19を介して電子ビーム発生装置22に
供V給し、電子ビーム発生装置22より電子ビームをブ
ラウン管12内でブラウン管12の表示領域に位置する
薄膜EL素子に照射する。澄子ビームはホーカス用電磁
コイル14の作用でホーカスされ、鋭い1本のビームと
なって薄膜EL素子に照射される。またこの時スキャン
ニング信号発生器19で電子ビームの強度調整が行なわ
れ薄膜EL素子の発光輝度が制御される。この場合に、
電子ビームを照射するタイミングと維持パルスのタイミ
ングの関係は第8図a,b,cに示す通りで、第8図a
に示すように電子ビームは、第8図bに示す維持パルス
Psのピーク電圧が加わっているときに同期して照射さ
れる。電子ビームは維持パルスの正及び負の何れで照射
されても書込みが可能である。電子ビームは薄膜EL素
子の背面電極6側より照射されることになるが、この状
態で、XY方向偏向コイル14により電子ビームを背面
電極6の表面上のXY方向に掃引すると1回の輝度変調
された電子ビームの励起により薄膜EL素子は電子ビー
ム照射部分が第2図に於ける点Pを経て点Qの輝度Bw
で維持され、輝度Bwの発光表示を行なうことになる。
持パルス電圧値を設定する。次に表示を希望するパター
ンの電気信号を外部変調信号18で発生させスキャンニ
ング信号発生器19を介して電子ビーム発生装置22に
供V給し、電子ビーム発生装置22より電子ビームをブ
ラウン管12内でブラウン管12の表示領域に位置する
薄膜EL素子に照射する。澄子ビームはホーカス用電磁
コイル14の作用でホーカスされ、鋭い1本のビームと
なって薄膜EL素子に照射される。またこの時スキャン
ニング信号発生器19で電子ビームの強度調整が行なわ
れ薄膜EL素子の発光輝度が制御される。この場合に、
電子ビームを照射するタイミングと維持パルスのタイミ
ングの関係は第8図a,b,cに示す通りで、第8図a
に示すように電子ビームは、第8図bに示す維持パルス
Psのピーク電圧が加わっているときに同期して照射さ
れる。電子ビームは維持パルスの正及び負の何れで照射
されても書込みが可能である。電子ビームは薄膜EL素
子の背面電極6側より照射されることになるが、この状
態で、XY方向偏向コイル14により電子ビームを背面
電極6の表面上のXY方向に掃引すると1回の輝度変調
された電子ビームの励起により薄膜EL素子は電子ビー
ム照射部分が第2図に於ける点Pを経て点Qの輝度Bw
で維持され、輝度Bwの発光表示を行なうことになる。
以後は維持パルス電圧の印加により輝度Bwの発光表示
状態を持続する。即ち薄膜EL素子は電子ビーム照射対
応領域が高輝度値Bwを有し電子ビームの照射されてい
ない他の領域は低輝度値B8を有するため薄膜EL素子
のガラ基板1側より高輝度発光を呈する表示パターンが
観察される。表示パターンは文字、図形、記号、連続模
様を希望する態様で広範囲に選択できる。薄膜EL素子
の発光スベクトラムのピークは6000A付近にあり、
一方書込み時の波長依存性のピークは3500A付近に
あるので、表面側電極及び背面側電極が一面の電極であ
っても自己発光による光書込みはなく、従って高解像度
の光書込みが得られる。又表示面全域を高輝度発光させ
ることも可能である。
状態を持続する。即ち薄膜EL素子は電子ビーム照射対
応領域が高輝度値Bwを有し電子ビームの照射されてい
ない他の領域は低輝度値B8を有するため薄膜EL素子
のガラ基板1側より高輝度発光を呈する表示パターンが
観察される。表示パターンは文字、図形、記号、連続模
様を希望する態様で広範囲に選択できる。薄膜EL素子
の発光スベクトラムのピークは6000A付近にあり、
一方書込み時の波長依存性のピークは3500A付近に
あるので、表面側電極及び背面側電極が一面の電極であ
っても自己発光による光書込みはなく、従って高解像度
の光書込みが得られる。又表示面全域を高輝度発光させ
ることも可能である。
発光輝度BWを有する発光表示は消去信号発生器21に
より消去パルス電圧yeを印加することにより全面同時
消去される。
より消去パルス電圧yeを印加することにより全面同時
消去される。
上記薄膜EL表示装贋はブラウン管12内に真空封入さ
れているため外気の湿気、塵、挨等の影響を受けること
なく長時間安定して使用することができる。
れているため外気の湿気、塵、挨等の影響を受けること
なく長時間安定して使用することができる。
従ってメモリー管等の記憶表示に応用0することが可能
である。以上説明した書込み装置及び方法は、薄膜EL
素子のメモリー書込み手段として電子ビームを使用した
ものであり、従って従来の如く維持パルス列に書込み電
圧を重畳させる必要がなく、電子ビタームの照射手段は
EL素子駆動回路と独立して別個に設けることができ、
EL素子駆動回路が簡素化されることとなる。
である。以上説明した書込み装置及び方法は、薄膜EL
素子のメモリー書込み手段として電子ビームを使用した
ものであり、従って従来の如く維持パルス列に書込み電
圧を重畳させる必要がなく、電子ビタームの照射手段は
EL素子駆動回路と独立して別個に設けることができ、
EL素子駆動回路が簡素化されることとなる。
書込み電圧を印加してEL素子にメモリーを書込む従来
の書込み手段ではEL素子の透明電極及0び背面電極を
帯状に成形して互いに直交する格子状のマトリックス型
電極とする必要があった。
の書込み手段ではEL素子の透明電極及0び背面電極を
帯状に成形して互いに直交する格子状のマトリックス型
電極とする必要があった。
そしてこのマトリックス型電極の交点位置が1絵素に相
当し、メモリーはマトリックス型に表示されることにな
り、表示パターンの細部に不鮮明さがタ残るという欠点
がある。しかしながら本発明による表示装置を実施すれ
ば、透明電極、背面電極ともに一枚の平板状に成形する
ことができ、電極の製作が容易となるのみならず、亀極
取出しは一箇所でよく、またメモリ0一はEL素子表面
適宜位置に電子ビームを連続照射走行させることにより
EL素子全面に一様な連続模様、図形、文字、記号等を
描くことができ、表示パターンは絵素単位の表示パター
ンに比較してはるかに鮮明である。
当し、メモリーはマトリックス型に表示されることにな
り、表示パターンの細部に不鮮明さがタ残るという欠点
がある。しかしながら本発明による表示装置を実施すれ
ば、透明電極、背面電極ともに一枚の平板状に成形する
ことができ、電極の製作が容易となるのみならず、亀極
取出しは一箇所でよく、またメモリ0一はEL素子表面
適宜位置に電子ビームを連続照射走行させることにより
EL素子全面に一様な連続模様、図形、文字、記号等を
描くことができ、表示パターンは絵素単位の表示パター
ンに比較してはるかに鮮明である。
又表示パターンの適用範園が飛躍的に向上することとな
る。表示パターンの制御は電子ビームの強調変調を調整
してBL素子に照射することにより容易に制御可能であ
る。以上の通り、電子ビーム照射による書込みは非常に
有益で広範囲な利用分野を開拓するが、本発明は更にこ
の利用分野を拡げるためのものであり、電子ビーム照射
による部分消去及び反転像の表示を可能にするものであ
る。本発明において、薄膜EL素子及び電子ビーム照射
部分を含む薄膜EL表示装置の横成は上述した遮りで第
1図、第7図に示す通りに構成される。
る。表示パターンの制御は電子ビームの強調変調を調整
してBL素子に照射することにより容易に制御可能であ
る。以上の通り、電子ビーム照射による書込みは非常に
有益で広範囲な利用分野を開拓するが、本発明は更にこ
の利用分野を拡げるためのものであり、電子ビーム照射
による部分消去及び反転像の表示を可能にするものであ
る。本発明において、薄膜EL素子及び電子ビーム照射
部分を含む薄膜EL表示装置の横成は上述した遮りで第
1図、第7図に示す通りに構成される。
そして本発明においては上記のように電子ビームを照射
してパターンの書込み又は全面発光させて、これを維持
パルスにて表示状態を維持した状態において、部分消去
するときには、第9図に示すタイミングで動作を行う。
即ち第9図bに示す維持パルスPsが零電圧にあるとき
に(休止期間)、第9図aに示すように電子ビームを消
去パターンに合わせて掃引及び制御し、薄膜EL素子に
鰭子ビ−ムを照射する。電子ビームが照射された部分の
領域では光緩和作用を生じ、第9図cに示すように消去
動作が行われ、この領域では、薄膜EL素子の両端が電
気的に短絡されているときに電子ビームを部分的に照射
して、書込みメモリーにより界面に蓄積された分極電荷
を薄膜2盃層の電子線励起により緩和させることでメモ
リー消去を行うものである。本発明は上述したように表
示パターンの一部消去が行えるとともに、全面書込み後
に所要パターンに電子ビームを掃引照射して消去像、い
わゆる反転像を表示することもできる。
してパターンの書込み又は全面発光させて、これを維持
パルスにて表示状態を維持した状態において、部分消去
するときには、第9図に示すタイミングで動作を行う。
即ち第9図bに示す維持パルスPsが零電圧にあるとき
に(休止期間)、第9図aに示すように電子ビームを消
去パターンに合わせて掃引及び制御し、薄膜EL素子に
鰭子ビ−ムを照射する。電子ビームが照射された部分の
領域では光緩和作用を生じ、第9図cに示すように消去
動作が行われ、この領域では、薄膜EL素子の両端が電
気的に短絡されているときに電子ビームを部分的に照射
して、書込みメモリーにより界面に蓄積された分極電荷
を薄膜2盃層の電子線励起により緩和させることでメモ
リー消去を行うものである。本発明は上述したように表
示パターンの一部消去が行えるとともに、全面書込み後
に所要パターンに電子ビームを掃引照射して消去像、い
わゆる反転像を表示することもできる。
以上のよう本発明によれば、電子ビーム照射して部分消
去することができ、電子ビーム照射による書込みと相戻
って応用範囲を著しく拡大するものである。
去することができ、電子ビーム照射による書込みと相戻
って応用範囲を著しく拡大するものである。
第1図は薄膜EL素子の一部切戦斜視図、第2図は薄膜
由L素子の印加電圧に対する発光輝度特性を示すヒステ
リシス特性図、第3図は第2図に於ける薄膜EL素子に
印加される印加交流電圧パルスの電圧波形を示す電圧波
形図、第4図は第3図の電圧印加に対する発光波形図、
第5図は第1図に於ける薄膜EL素子に鶴子ビームを照
射した時の背面電極よりの深さと到達した一次電子の数
の関係を示すグラフ、第6図は第3図に於ける薄膜EL
素子に電子ビームを照射した時の電子ビーム加速電圧と
EL素子内の発生電圧との関係を示すグラフ、第7図は
本発明に於ける薄膜EL表示装置の1実施例を示すブロ
ック構成図、第8図は電子ビーム照射による書込みをす
る場合の電子ビーム照射と、維持パルス波と、発光、状
態とのタイムチャート、第9図は本発明の方法に従い電
子ビーム照射による消去をする場合の電子ビーム照射と
、維持パルス波と、発光状態のタイムチャートである。 12はブラウン管、13はホーカス用電磁コイル、14
はXY方向偏向コイル、20は維持パルス信号発生器、
21は消去信号発生器、22は電子ビーム発生装置。第
1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図
由L素子の印加電圧に対する発光輝度特性を示すヒステ
リシス特性図、第3図は第2図に於ける薄膜EL素子に
印加される印加交流電圧パルスの電圧波形を示す電圧波
形図、第4図は第3図の電圧印加に対する発光波形図、
第5図は第1図に於ける薄膜EL素子に鶴子ビームを照
射した時の背面電極よりの深さと到達した一次電子の数
の関係を示すグラフ、第6図は第3図に於ける薄膜EL
素子に電子ビームを照射した時の電子ビーム加速電圧と
EL素子内の発生電圧との関係を示すグラフ、第7図は
本発明に於ける薄膜EL表示装置の1実施例を示すブロ
ック構成図、第8図は電子ビーム照射による書込みをす
る場合の電子ビーム照射と、維持パルス波と、発光、状
態とのタイムチャート、第9図は本発明の方法に従い電
子ビーム照射による消去をする場合の電子ビーム照射と
、維持パルス波と、発光状態のタイムチャートである。 12はブラウン管、13はホーカス用電磁コイル、14
はXY方向偏向コイル、20は維持パルス信号発生器、
21は消去信号発生器、22は電子ビーム発生装置。第
1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図
Claims (1)
- 1 少なくとも一方が透明な電極間に、少なくとも一方
が透明な薄膜誘電体で挟持された薄膜EL層を有し、印
加電圧に対する発光輝度特性にヒステリシス現象を呈す
る薄膜EL素子に、上記両電極間電圧が零とき電子ビー
ムを照射することにより、上記薄膜EL素子の電子ビー
ム照射対応位置での発光を消去することを特徴とする薄
膜EL表示装置の消去方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7811677A JPS6010630B2 (ja) | 1977-06-29 | 1977-06-29 | 薄膜el表示装置の消去方法 |
US05/919,960 US4207617A (en) | 1977-06-29 | 1978-06-28 | Memory erase and memory read-out in an EL display panel controlled by an electron beam |
GB7828352A GB2002573B (en) | 1977-06-29 | 1978-06-29 | Memory erase and memory read-out in an el display panel controlled by an electron beam |
DE2828660A DE2828660C2 (de) | 1977-06-29 | 1978-06-29 | Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit einer Steuerschaltung zum Löschen und/ oder Auslesen der Anzeigezustände mittels eines gesteuerten Elektronenstrahls |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7811677A JPS6010630B2 (ja) | 1977-06-29 | 1977-06-29 | 薄膜el表示装置の消去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5412583A JPS5412583A (en) | 1979-01-30 |
JPS6010630B2 true JPS6010630B2 (ja) | 1985-03-19 |
Family
ID=13652904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7811677A Expired JPS6010630B2 (ja) | 1977-06-29 | 1977-06-29 | 薄膜el表示装置の消去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6010630B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5854813A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-03-31 | オリエンタルチエン工業株式会社 | ケ−ブル支持チエ−ン |
JPS58121129U (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-18 | 株式会社椿本チエイン | ケ−ブルドラツグチエ−ン |
-
1977
- 1977-06-29 JP JP7811677A patent/JPS6010630B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5412583A (en) | 1979-01-30 |
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