JPS59136927A - 露光処理方法 - Google Patents
露光処理方法Info
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- JPS59136927A JPS59136927A JP1169983A JP1169983A JPS59136927A JP S59136927 A JPS59136927 A JP S59136927A JP 1169983 A JP1169983 A JP 1169983A JP 1169983 A JP1169983 A JP 1169983A JP S59136927 A JPS59136927 A JP S59136927A
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- JP
- Japan
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- test pattern
- stage
- pattern
- sample
- electron beam
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半導体装置、・特に超大規模果績回路装置等の
製造工程におけるパターン形成のための露光処理の際の
破処理試料の弾性変形に起因するパターンの歪の補正方
法に関する。゛ （ｂ） 技術の背景 半導体集積回路装置の大規模化のために、そのパターン
の微細化と高密度化が推進されているが、このパターン
を実現する微細加工技術は、レジストをパターニングす
る技術と、これをマスクとして半導体基体等をエツチン
グする技術との複合技術である。
製造工程におけるパターン形成のための露光処理の際の
破処理試料の弾性変形に起因するパターンの歪の補正方
法に関する。゛ （ｂ） 技術の背景 半導体集積回路装置の大規模化のために、そのパターン
の微細化と高密度化が推進されているが、このパターン
を実現する微細加工技術は、レジストをパターニングす
る技術と、これをマスクとして半導体基体等をエツチン
グする技術との複合技術である。
光の波長（約０５〔μｍ））による制約を超える超微細
なバターニングを実現する技術として電子ビーム露光方
法が実用化されつつある。電子ビーム露光方法は、（イ
）解像力が光に比べて茜く、ノー小線幅０．１ Ｃμｍ
″１程度までの＃細図形を描画することことができる。
なバターニングを実現する技術として電子ビーム露光方
法が実用化されつつある。電子ビーム露光方法は、（イ
）解像力が光に比べて茜く、ノー小線幅０．１ Ｃμｍ
″１程度までの＃細図形を描画することことができる。
（ロ）パターンの位Ｉｔ ｆｔ１（度が高く、視野或い
はストライプの継ぎ精度が尚い。（ハ）前記（ロ）の特
徴によって視野を・継いで大きなパターンを描画するこ
とができる。に）コンピュータ処理で入力データを加工
できる。Ｈ光露光に比較して工４’Ｈ９が少ない。なぎ
の長所をゼして、単に旨屏ｌ家力であるのみならず、パ
ターンジェネレータとしての機能及び製作時間が短縮さ
れる利点を向えている。
はストライプの継ぎ精度が尚い。（ハ）前記（ロ）の特
徴によって視野を・継いで大きなパターンを描画するこ
とができる。に）コンピュータ処理で入力データを加工
できる。Ｈ光露光に比較して工４’Ｈ９が少ない。なぎ
の長所をゼして、単に旨屏ｌ家力であるのみならず、パ
ターンジェネレータとしての機能及び製作時間が短縮さ
れる利点を向えている。
半導体装１ｄの製造工程において電子ビーム露光方法は
前述の利点から、（１）レチクル描画（拡大）。
前述の利点から、（１）レチクル描画（拡大）。
（１１）マスターマスク描画（等倍）及び（ｉｉｉ）ウ
ェーハ「接描画の倒れにも適用される。
ェーハ「接描画の倒れにも適用される。
（ｃ） 従来技術と問題点
電子ビーム露光方法によるパターニングの一例トシテ、
マスタマスクのパターニングを検討する。
マスタマスクのパターニングを検討する。
通常マスクブランクとしては、シリコン等の半導体ウェ
ーハより２５［＋ｍ］程度大きい寸法の、ノｌさ例えば
２．３ＣＭ）もしくはｆ、ｓｃｍｍ）程度の低膨張率ガ
ラスもしくは合成石英板面に、金属クロム（Ｃｒ）を６
０乃至９０ ［ｍ〕程度の膜厚にスパッタし、史に取子
ビームレジストを塗布した材料が用いられる。
ーハより２５［＋ｍ］程度大きい寸法の、ノｌさ例えば
２．３ＣＭ）もしくはｆ、ｓｃｍｍ）程度の低膨張率ガ
ラスもしくは合成石英板面に、金属クロム（Ｃｒ）を６
０乃至９０ ［ｍ〕程度の膜厚にスパッタし、史に取子
ビームレジストを塗布した材料が用いられる。
電子ビーム露光装置の描画室にはマスクブランク或いは
ウェーハを載せるステージが水平に設置されている。′
電子ビーム描画はビームの偏向だけで試料全面を覆うこ
とができないので、試料を機械的に移動させて全面に描
画する。このために、ステージはＸ ＋ｌＧｌ＋及びＹ
軸方向にパルスモータ等によって移動できる構造とし、
その位置測定には例えばヘリウムネオンレーザ２用いた
干渉計が用いられて、誤差０．１〔ｔｔＪ以下の精度で
ｔｌｌｌＩＩＸさ）しる。
ウェーハを載せるステージが水平に設置されている。′
電子ビーム描画はビームの偏向だけで試料全面を覆うこ
とができないので、試料を機械的に移動させて全面に描
画する。このために、ステージはＸ ＋ｌＧｌ＋及びＹ
軸方向にパルスモータ等によって移動できる構造とし、
その位置測定には例えばヘリウムネオンレーザ２用いた
干渉計が用いられて、誤差０．１〔ｔｔＪ以下の精度で
ｔｌｌｌＩＩＸさ）しる。
マスクブランクｋ ｉ：ｎＪ記ステージにＪｌｉ人・固
定した場合に、マスクブランクはその自１４（にょって
変形し、また固定点の高さの変動によってもねじれが発
生し易い。第１図は３点で支持され／こマスクブランク
の変形を（゛ｖ式的に示す斜視図である。また第２図は
一辺の長６約１３０（ｍＪの正方形のマスクブランクを
図中Δ印で示す４点で固＞１工して、その表面の高さを
図中十印で示す位置についでマスクブランクの中央を基
４としでイ則定した一列を示し、図中の曲巌は１〔μｍ
〕間隔の等１０Ｉ Ａ’Ｍを示す。
定した場合に、マスクブランクはその自１４（にょって
変形し、また固定点の高さの変動によってもねじれが発
生し易い。第１図は３点で支持され／こマスクブランク
の変形を（゛ｖ式的に示す斜視図である。また第２図は
一辺の長６約１３０（ｍＪの正方形のマスクブランクを
図中Δ印で示す４点で固＞１工して、その表面の高さを
図中十印で示す位置についでマスクブランクの中央を基
４としでイ則定した一列を示し、図中の曲巌は１〔μｍ
〕間隔の等１０Ｉ Ａ’Ｍを示す。
以上の例に見られる如く、マスクブランクは固定点に対
してその中央部分或いは自由端が垂下し、−辺の長さ約
１３０ （ｍ）のマスクブランクの４隅を固定した場合
においては、そのＪ１φ″大変位喰は５〔μｍ〕程度で
ある。
してその中央部分或いは自由端が垂下し、−辺の長さ約
１３０ （ｍ）のマスクブランクの４隅を固定した場合
においては、そのＪ１φ″大変位喰は５〔μｍ〕程度で
ある。
との変形したマスクブランクの断…１を第３図に示す。
図において１はマスクブランク、２は固雉点、３はマス
クブランクのす１＃性変形の中立軸を示す。この弾性変
形によってマスクブランクの電子ビーム描画面に圧縮も
しくは引張り変形を生ずる。
クブランクのす１＃性変形の中立軸を示す。この弾性変
形によってマスクブランクの電子ビーム描画面に圧縮も
しくは引張り変形を生ずる。
図示した状態において電子ビーム描画面の縮み量又は伸
び一喰△Ｌは、Ｌを固定点間隔、ｔをマスクブランクの
厚さ、ｂを中央の変位楚とするとき、近似的に次式で示
される。
び一喰△Ｌは、Ｌを固定点間隔、ｔをマスクブランクの
厚さ、ｂを中央の変位楚とするとき、近似的に次式で示
される。
△Ｌ＝ ４ ｂ ｔ／Ｌ （１）第２図
（ａ）及び（ｂ）に示した例においては、Ｌ＃１２０［
＋＋＋ｍ〕、 ｂＬ：、５［μｍ：］、 ｔ＃２．
３ 〔ｎｏ＋＋）であって、△Ｌ勢０３８〔μｍ〕であ
る。
（ａ）及び（ｂ）に示した例においては、Ｌ＃１２０［
＋＋＋ｍ〕、 ｂＬ：、５［μｍ：］、 ｔ＃２．
３ 〔ｎｏ＋＋）であって、△Ｌ勢０３８〔μｍ〕であ
る。
以上の様に表面が伸縮した状態のマスクブランクに電子
ビーム描画を実施するならば、前記の縮み量又は伸び量
ΔＬはパターンのピッチエラーとなシ、パターンに歪を
生ずる。
ビーム描画を実施するならば、前記の縮み量又は伸び量
ΔＬはパターンのピッチエラーとなシ、パターンに歪を
生ずる。
従来は０．５〔μｍ〕程度以内のピッチエラーは特に問
題とはされず見過されていた。しかしながら集積回路パ
ターンの微細化と集積規模の拡大を目的として、位置合
せ精度の許容誤差が厳しくなり、現在は前記ピッチエラ
ーを０．１〔μｍ〕以内に抑制することが要求されてい
る。
題とはされず見過されていた。しかしながら集積回路パ
ターンの微細化と集積規模の拡大を目的として、位置合
せ精度の許容誤差が厳しくなり、現在は前記ピッチエラ
ーを０．１〔μｍ〕以内に抑制することが要求されてい
る。
（ｄ） 発明の目的
本発明は電子ビーム露光その他の半導体装置のパターン
形成処理に際して、被処理試料をステージに固定した状
態における該試料の弾性変ノヒによる被処理面の伸縮に
よるピッチエラーを防止することを目白りとする。
形成処理に際して、被処理試料をステージに固定した状
態における該試料の弾性変ノヒによる被処理面の伸縮に
よるピッチエラーを防止することを目白りとする。
（ｅ） 発明の構成
本発明の前記目的は、複数の被処理体を代表する試料を
露光装置のステージに固定して該試料にテストパターン
を形成する段階、前記ステージに固定された該試料の弾
性変形による岐処理面の伸び量又は、縮み量の分布を前
記テストパターンによって検出する段階、前記複処理体
を前記ステージに固定し、該被処理体に前記伸びＩψ及
びＩ４ｈみ量の分布に基づいて補正された新帝のパター
ンを形成する段階を含む露光処理方法により達成される
。
露光装置のステージに固定して該試料にテストパターン
を形成する段階、前記ステージに固定された該試料の弾
性変形による岐処理面の伸び量又は、縮み量の分布を前
記テストパターンによって検出する段階、前記複処理体
を前記ステージに固定し、該被処理体に前記伸びＩψ及
びＩ４ｈみ量の分布に基づいて補正された新帝のパター
ンを形成する段階を含む露光処理方法により達成される
。
（ｆ）発１３ηの実施ｕ１
以下本発明を実施例により図面を参ＩＦ＜ｊ、して風体
的に説明する。
的に説明する。
本発明をマスタマスクの亀子ビームｊ−・ル光によるパ
ターニングに１社用する１局合には、まずテストパター
ンを設定する。テストパターンとして本実症例において
は、第４図（ａ）に示す＋マーク４を１０〔關〕′間隔
で平面上に行及び列方向に直交配列したパターン６を一
採用している。しかしながら描画されたテストパターン
の位置測定を正確に行なうのに適した形状のマークが、
電子ビーム走査制御プログラム中で正確に表現し易い位
置に配設されたパターンであれば同様にテストパターン
として用いることができる。
ターニングに１社用する１局合には、まずテストパター
ンを設定する。テストパターンとして本実症例において
は、第４図（ａ）に示す＋マーク４を１０〔關〕′間隔
で平面上に行及び列方向に直交配列したパターン６を一
採用している。しかしながら描画されたテストパターン
の位置測定を正確に行なうのに適した形状のマークが、
電子ビーム走査制御プログラム中で正確に表現し易い位
置に配設されたパターンであれば同様にテストパターン
として用いることができる。
本発明の実施に当っては第１にマスクブランクの代表試
料のσ〈択を行なう。この選択は例えば同一製造ロフト
に属するなどの相互に近似すると予想され、る複数のマ
スクブランクから抜取られた試料を電子ビーム露光装置
のステージに順次固定し、マスクブランク中央部分等の
変位（垂下）月を測定して、その測定値の分布の平均値
に近い値を示したマスクブランクを代表試料とするなど
、被処理試料のばらつきの実状に即して効果的に選択決
定することが必要である。また代表試料は拍数に限定さ
れず複数であってもよい。
料のσ〈択を行なう。この選択は例えば同一製造ロフト
に属するなどの相互に近似すると予想され、る複数のマ
スクブランクから抜取られた試料を電子ビーム露光装置
のステージに順次固定し、マスクブランク中央部分等の
変位（垂下）月を測定して、その測定値の分布の平均値
に近い値を示したマスクブランクを代表試料とするなど
、被処理試料のばらつきの実状に即して効果的に選択決
定することが必要である。また代表試料は拍数に限定さ
れず複数であってもよい。
上述の如く選択さルた代表試料を電子ビームリ６光装附
のステージに固定して前尤己のテストパターン５を描画
する。代表試料はステージｔ・′（固定されることによ
って弾性変形を生じているが、このテストパターン５の
描画はパターンの設計ＪＩＦ（りに行なわれる。
のステージに固定して前尤己のテストパターン５を描画
する。代表試料はステージｔ・′（固定されることによ
って弾性変形を生じているが、このテストパターン５の
描画はパターンの設計ＪＩＦ（りに行なわれる。
次いで通常の現１家処理、エツチング処理等を実施して
前記描画を行なった代表試料を、クロム皮膜によるテス
トパターン５を有するテストパターン板６とする。
前記描画を行なった代表試料を、クロム皮膜によるテス
トパターン５を有するテストパターン板６とする。
このテストパターン板６を平…ｉ板上にｔｆｆ ｉＡ、
Ｌ／て弾性変形を生じていない状態とし、レーザ干渉
計等によって各マーク４の位置を測定して、各マーク４
のテストパターン板６上の（１ｌｃと設Ｍｌ値とのずれ
と求める。
Ｌ／て弾性変形を生じていない状態とし、レーザ干渉
計等によって各マーク４の位置を測定して、各マーク４
のテストパターン板６上の（１ｌｃと設Ｍｌ値とのずれ
と求める。
例えばマスクブランクがステージに固定された状態が第
２図に示した状態であるとすｉｔば、このマスクブラン
クを用いて形成されたテストパターン板６においては、
第４図（ｂ）に模式的に示す如く各マーク４の位置が外
側にずれる歪を生じている、テストパターンの中心を原
点Ｏとして第４図（ａ）に示す如＜ＸＩ！ＩＩＩ］及び
Ｙ軸を設定すれば、この例において６オ座標Ｘ及びＹの
増大とともに位置のずれが増大しているが、この各テス
トパターンの位置を測定して、各テストパターンの位置
のずれのＸ成分αＸ及びＹ成分αｙを求めで、これらを
位置の関数としてαｘ（ｘ、 ｙ）及びαｙ（Ｘ、Ｙ）
と表現することができる。このαＸ （Ｘ、 Ｙ）及び
αｙ （Ｘ、 Ｙ）を一枚の代表試料によって、もしく
は核敢枚の代表試料についての平均値として設定する。
２図に示した状態であるとすｉｔば、このマスクブラン
クを用いて形成されたテストパターン板６においては、
第４図（ｂ）に模式的に示す如く各マーク４の位置が外
側にずれる歪を生じている、テストパターンの中心を原
点Ｏとして第４図（ａ）に示す如＜ＸＩ！ＩＩＩ］及び
Ｙ軸を設定すれば、この例において６オ座標Ｘ及びＹの
増大とともに位置のずれが増大しているが、この各テス
トパターンの位置を測定して、各テストパターンの位置
のずれのＸ成分αＸ及びＹ成分αｙを求めで、これらを
位置の関数としてαｘ（ｘ、 ｙ）及びαｙ（Ｘ、Ｙ）
と表現することができる。このαＸ （Ｘ、 Ｙ）及び
αｙ （Ｘ、 Ｙ）を一枚の代表試料によって、もしく
は核敢枚の代表試料についての平均値として設定する。
電子ビーム露光装置のデータ転送系が第５図に例示する
如く構成されているとする。ただし、１１は１．大気テ
ープ記憶装置、１２は中央処理装置、１３（オ磁気ディ
スク記憶装置、１４は半導体記憶装置ｉ１゜１５は高速
制御装置、１６は歪補正装置、１７はデータ制御装置、
１８はデジタル／アナログコンバータ、１９は電子ビー
ム偏向電極である。従来の方法に必要とされるプログラ
ム及びデータに加えて、所要のパターン形成の本来の位
置座標Ｘ及びＹをそｉＬそれ ｘ’＝ｘ−αｘ（Ｘ、Ｙ） Ｙ’＝Ｙ−αｙ（Ｘ、Ｙ） に座標変換するプログラム及びデータをイ１へ気テープ
等により前記システムに入力することによって電子ビー
ム蕗光処理位置が補正されて、マスクブランクがステー
ジから取外され弾性変形から回復した状態においてピッ
チエラーを０，１〔μｍ〕以内にとどめることができる
。
如く構成されているとする。ただし、１１は１．大気テ
ープ記憶装置、１２は中央処理装置、１３（オ磁気ディ
スク記憶装置、１４は半導体記憶装置ｉ１゜１５は高速
制御装置、１６は歪補正装置、１７はデータ制御装置、
１８はデジタル／アナログコンバータ、１９は電子ビー
ム偏向電極である。従来の方法に必要とされるプログラ
ム及びデータに加えて、所要のパターン形成の本来の位
置座標Ｘ及びＹをそｉＬそれ ｘ’＝ｘ−αｘ（Ｘ、Ｙ） Ｙ’＝Ｙ−αｙ（Ｘ、Ｙ） に座標変換するプログラム及びデータをイ１へ気テープ
等により前記システムに入力することによって電子ビー
ム蕗光処理位置が補正されて、マスクブランクがステー
ジから取外され弾性変形から回復した状態においてピッ
チエラーを０，１〔μｍ〕以内にとどめることができる
。
先に説明した実施、例はマスタマスクのＩ；）、子ビー
ム９ｊ九処牌の１９１１であるプバ、ウェハに直Ｆ４７
’ ′ｒ１ｊ’、子ビーム露光ビーム露光処理台、もし
くはリピータによりマスクを製作するＳ合にもウエノ・
もしくはマスクの変形の補正に本発明を両用して正確な
パターンの製品を供給することができる。
ム９ｊ九処牌の１９１１であるプバ、ウェハに直Ｆ４７
’ ′ｒ１ｊ’、子ビーム露光ビーム露光処理台、もし
くはリピータによりマスクを製作するＳ合にもウエノ・
もしくはマスクの変形の補正に本発明を両用して正確な
パターンの製品を供給することができる。
（ｇ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、マスクもしくはウェハ
へのパターン形成のだめの露光処理に際して、被処理試
料の弾性変形に起因するパターンの歪すなわちピッチエ
ラーを充分に補正することが可能となり、超大規模集積
回路装置などの最も梢密で微細な処理を必要とする半導
体装置の実現に大きい効果が得られる。
へのパターン形成のだめの露光処理に際して、被処理試
料の弾性変形に起因するパターンの歪すなわちピッチエ
ラーを充分に補正することが可能となり、超大規模集積
回路装置などの最も梢密で微細な処理を必要とする半導
体装置の実現に大きい効果が得られる。
第１図は従来技術の問題の原因である仮処理試料の状態
を示す模式斜視図、第２図は被処理試料の表面の尚さの
分布例を示す図、第３図は被処理試料の形状の断面図、
第４図（ａ）は本発明の一実施例のテストパターンを示
す図、第４図（ｂ）は本実施例のテストパターン板に形
成されるパターンの位ＩＩ′＃を示す模式図、第５図は
本発明の実施例の電子ビーム露光装置のデータ転送系の
ブロックダイヤグラムである。 図において、１はマスクブランク、２は固定点。 ３は中立ＩＩｑｌｌ、４は＋マーク、５はテストパター
ン。 ６はテストパターン板、 １１は磁気テープ記憶装Ｒ
，１２は中央処理装置、１３はイＩｋｋ気ディスク記憶
装置、１４は半導体記憶装置、１５は高速制御装置、１
６は歪補正装置、１７はデータ７１ｔ制御装置。 １８はデジタル／アナログコンバータ、１９は電子ビー
ム偏向区似を示す〇 代理人 弁理士 松 岡 光陽ｉ、ｊ、゛’、：、、
）゛ニー’（ｊ。 、□ 茅 １ 閏 ！、４ ７．３ ２３ ３．６ ｊ
、５￥ ３ 図 串 ４図と４〕
を示す模式斜視図、第２図は被処理試料の表面の尚さの
分布例を示す図、第３図は被処理試料の形状の断面図、
第４図（ａ）は本発明の一実施例のテストパターンを示
す図、第４図（ｂ）は本実施例のテストパターン板に形
成されるパターンの位ＩＩ′＃を示す模式図、第５図は
本発明の実施例の電子ビーム露光装置のデータ転送系の
ブロックダイヤグラムである。 図において、１はマスクブランク、２は固定点。 ３は中立ＩＩｑｌｌ、４は＋マーク、５はテストパター
ン。 ６はテストパターン板、 １１は磁気テープ記憶装Ｒ
，１２は中央処理装置、１３はイＩｋｋ気ディスク記憶
装置、１４は半導体記憶装置、１５は高速制御装置、１
６は歪補正装置、１７はデータ７１ｔ制御装置。 １８はデジタル／アナログコンバータ、１９は電子ビー
ム偏向区似を示す〇 代理人 弁理士 松 岡 光陽ｉ、ｊ、゛’、：、、
）゛ニー’（ｊ。 、□ 茅 １ 閏 ！、４ ７．３ ２３ ３．６ ｊ
、５￥ ３ 図 串 ４図と４〕
Claims (1)
- 複数の被処理体を代表する試料を露光装置のステージに
固定して該試料にテストパターンを形成する段階、前記
ステージに固定された該試料の弾性変形による被処理面
の坤び量又は縮み量の分布を前記テストパターンによっ
て検出する段階、前記被処理体を前記ステージに固定し
、該被処理体に前記伸び用及び縮み量の分布に基づいて
補正された所要のパターンを形成する段階を有すること
を特徴とする露光処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169983A JPS59136927A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | 露光処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169983A JPS59136927A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | 露光処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59136927A true JPS59136927A (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=11785281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1169983A Pending JPS59136927A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | 露光処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59136927A (ja) |
-
1983
- 1983-01-27 JP JP1169983A patent/JPS59136927A/ja active Pending
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