JPS59134883A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS59134883A JPS59134883A JP58009121A JP912183A JPS59134883A JP S59134883 A JPS59134883 A JP S59134883A JP 58009121 A JP58009121 A JP 58009121A JP 912183 A JP912183 A JP 912183A JP S59134883 A JPS59134883 A JP S59134883A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- submount
- emitting element
- shape
- recess
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 240000001548 Camellia japonica Species 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は光半導体装置に関し、特（こその発光素子と
ホルダー間の熱伝導率を低下させることな〔従来技術〕 従来、この極の発光素子をマウントする構造として第１
図に示すものがあった。図において、（１）は発光素子
、（２）は発光素子（１ンがボンディングされたサブマ
ウント、（３）はブロックでその上にサブマウ：／ ）
（２＋が配置されている。
ホルダー間の熱伝導率を低下させることな〔従来技術〕 従来、この極の発光素子をマウントする構造として第１
図に示すものがあった。図において、（１）は発光素子
、（２）は発光素子（１ンがボンディングされたサブマ
ウント、（３）はブロックでその上にサブマウ：／ ）
（２＋が配置されている。
ます、発光素子（１）は■−■族化合物半導体を用いて
装作される場合が多いが、これら半導体は応力の影響を
受けて発光部に転移が成長し、信頼性の劣化が生じる。
装作される場合が多いが、これら半導体は応力の影響を
受けて発光部に転移が成長し、信頼性の劣化が生じる。
従って素子に加わるあらゆる応力を最小にするための各
種方策が必要である。そのためには、サブマウント（２
）の厚みの最適化あるいは材質の選択が必須である。し
かも、熱放散の観点から言えば、独立に薄脂サブマウン
トを準備する必要もある。
種方策が必要である。そのためには、サブマウント（２
）の厚みの最適化あるいは材質の選択が必須である。し
かも、熱放散の観点から言えば、独立に薄脂サブマウン
トを準備する必要もある。
ところで、これらパラメータを一応満足する形の、ブロ
ック、サブマウント、チップの各構造が決定したとして
も、ハンドリング、即ち取扱いの間融が残る。つまり、
サブマウント厚みが例えは５０μｍとなれは、量産性の
ある発光素子を作る事は相当に困難である。
ック、サブマウント、チップの各構造が決定したとして
も、ハンドリング、即ち取扱いの間融が残る。つまり、
サブマウント厚みが例えは５０μｍとなれは、量産性の
ある発光素子を作る事は相当に困難である。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、サブマウントの形状を凹形ある
いは凸ノｅとし、その厚みの薄い部分に発光素子をマウ
ントすることにより、発光素子にかかる応力の緩和なら
ひに良好な熱放散を満足さゼながら、しかも量産性のあ
る構造の光半導体装置を提供するものである。
ためになされたもので、サブマウントの形状を凹形ある
いは凸ノｅとし、その厚みの薄い部分に発光素子をマウ
ントすることにより、発光素子にかかる応力の緩和なら
ひに良好な熱放散を満足さゼながら、しかも量産性のあ
る構造の光半導体装置を提供するものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第２図は、本発明の一実施例による光半導体装置の構造
を示す。図において、（１１、（２＋ 、 （：Ｊ＋は
従来のものと同じく、それぞれ発光素子、サブマウント
、およびブロックであり、本実施例ではサブマウント（
２）は凹形の形状で、側壁（２ａ）、（２ｂ）を有して
おり、このサブマウント（２）の厚みの納、い中央＠１
５（２Ｃ）に上記発光素子（１）がマウントされている
。
を示す。図において、（１１、（２＋ 、 （：Ｊ＋は
従来のものと同じく、それぞれ発光素子、サブマウント
、およびブロックであり、本実施例ではサブマウント（
２）は凹形の形状で、側壁（２ａ）、（２ｂ）を有して
おり、このサブマウント（２）の厚みの納、い中央＠１
５（２Ｃ）に上記発光素子（１）がマウントされている
。
まずザブマウント（２）の最適厚み、ここではその中央
部（２Ｃ）の最適厚みは、装厘椿造を有限要素法で評価
すること等により決定する事が可能である。その最適厚
みは、装置［ｋ［造、材質によって異なるが、普通、５
０〜２００１ｂｍ程度である。そして５０μｍの厚みの
サブマウント伐）であっても、第２図に示したように両
側に３００μｍ以上の側壁（２ａＬ（２ｂ）があれば、
ハンドリングに支障をきたす恐れはない。そしてサブマ
ウント（２）か薄いことから、ブロック（３）を通して
の基板側への熱放散に、とっても有利である。
部（２Ｃ）の最適厚みは、装厘椿造を有限要素法で評価
すること等により決定する事が可能である。その最適厚
みは、装置［ｋ［造、材質によって異なるが、普通、５
０〜２００１ｂｍ程度である。そして５０μｍの厚みの
サブマウント伐）であっても、第２図に示したように両
側に３００μｍ以上の側壁（２ａＬ（２ｂ）があれば、
ハンドリングに支障をきたす恐れはない。そしてサブマ
ウント（２）か薄いことから、ブロック（３）を通して
の基板側への熱放散に、とっても有利である。
なお、上記実施例では、凹形のサブマウント（２）のみ
を示したが、これは凸形にして両横に素子を設置しても
同じ効果が期待できる。又複数個の凹形溝をｊｂ成し、
複数個の発光素子を設置しても同様である。さらに発光
領域が例えば赤外域であれは、この光に対し５ｉサブマ
ウントはほぼ透明と−１えるから、発光面に対峙してサ
ブマウント側壁を設置してもよい。このように発光素子
をのせるサブマウントのｊＦ２状に自由度をもたせる事
をこより、例えば、光学フィルターを素子前面をこ設置
する事も可能であり、狭帯域発光装置への転用も可能で
あるＯ 〔発明の効果〕 以上のように、不発明番こよれば、マウントの形状を凹
形あるいは凸ｊｌ？とじ厚みの薄い部分をこ発光素子を
ツウ２ン卜するようにしたので、発光素子１Ｃ７Ｊ１自
つる応力を緩和でき、また熱放散をよくし、かつ１産性
のある発光装置を作成することが可能である。又、狭帯
域発光装置への応用も容易である。
を示したが、これは凸形にして両横に素子を設置しても
同じ効果が期待できる。又複数個の凹形溝をｊｂ成し、
複数個の発光素子を設置しても同様である。さらに発光
領域が例えば赤外域であれは、この光に対し５ｉサブマ
ウントはほぼ透明と−１えるから、発光面に対峙してサ
ブマウント側壁を設置してもよい。このように発光素子
をのせるサブマウントのｊＦ２状に自由度をもたせる事
をこより、例えば、光学フィルターを素子前面をこ設置
する事も可能であり、狭帯域発光装置への転用も可能で
あるＯ 〔発明の効果〕 以上のように、不発明番こよれば、マウントの形状を凹
形あるいは凸ｊｌ？とじ厚みの薄い部分をこ発光素子を
ツウ２ン卜するようにしたので、発光素子１Ｃ７Ｊ１自
つる応力を緩和でき、また熱放散をよくし、かつ１産性
のある発光装置を作成することが可能である。又、狭帯
域発光装置への応用も容易である。
第１図は従来の光半導体装置における発光設置部のａ帖
斜視図、第２図は本発明の一実施例による光半導体装置
における発光素子設置部の概略斜視図である。 図において、（１）は発光素子、（２）はサブマウント
である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 昭和 年 月 日 持許庁長宮殿 １、事件の表示 特願昭５８−９１２１号３、補正
をする者 １５Ｂ、−・ ゛ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面の簡単な説明
の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁第３行の「転移」を「転位」に訂正
する。 （２）同第５頁第５行の「発光設置」を「発光素子設置
」に訂正する。 以 上
斜視図、第２図は本発明の一実施例による光半導体装置
における発光素子設置部の概略斜視図である。 図において、（１）は発光素子、（２）はサブマウント
である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 昭和 年 月 日 持許庁長宮殿 １、事件の表示 特願昭５８−９１２１号３、補正
をする者 １５Ｂ、−・ ゛ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面の簡単な説明
の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁第３行の「転移」を「転位」に訂正
する。 （２）同第５頁第５行の「発光設置」を「発光素子設置
」に訂正する。 以 上
Claims (1)
- （ｌｊ 問ルあるいは凸形のマウントと、該マウント
の厚みの薄い部分にマウントされポンディングされた発
光素子とを備えたことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009121A JPS59134883A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009121A JPS59134883A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59134883A true JPS59134883A (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=11711799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58009121A Pending JPS59134883A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59134883A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995004376A1 (es) * | 1993-07-30 | 1995-02-09 | Tau Promociones, S.A. | Dispositivo iluminador por infrarrojos |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546068B2 (ja) * | 1975-04-03 | 1979-03-24 |
-
1983
- 1983-01-20 JP JP58009121A patent/JPS59134883A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546068B2 (ja) * | 1975-04-03 | 1979-03-24 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995004376A1 (es) * | 1993-07-30 | 1995-02-09 | Tau Promociones, S.A. | Dispositivo iluminador por infrarrojos |
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