JPS5913411A - 遅延線 - Google Patents
遅延線Info
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- JPS5913411A JPS5913411A JP57122629A JP12262982A JPS5913411A JP S5913411 A JPS5913411 A JP S5913411A JP 57122629 A JP57122629 A JP 57122629A JP 12262982 A JP12262982 A JP 12262982A JP S5913411 A JPS5913411 A JP S5913411A
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- inductance element
- conductor
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- Granted
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/30—Time-delay networks
- H03H7/32—Time-delay networks with lumped inductance and capacitance
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はインダクタンス素子と容量を組合せた集中定数
型の遅延線に係り、特に立上りが極めて速く・ディジタ
ル回路等に好適する超高速遅延線に関する。
型の遅延線に係り、特に立上りが極めて速く・ディジタ
ル回路等に好適する超高速遅延線に関する。
従来、立上りの速い、例えば立上り時間がｌｎｓ以下の
遅延線としては・目的の遅延時間となる長さに切った同
軸ケーブルからなるものが主として使用されている。
遅延線としては・目的の遅延時間となる長さに切った同
軸ケーブルからなるものが主として使用されている。
しかし、形状も大きく端末処理が面倒であるし、更に遅
延時間により長さが異なるので、遅延線としての寸法が
一定でなく、従って電子部品として他の半導体部品等と
一緒に回路基板上に混在配置するには難点があった。
延時間により長さが異なるので、遅延線としての寸法が
一定でなく、従って電子部品として他の半導体部品等と
一緒に回路基板上に混在配置するには難点があった。
また一方、インダクタンス素子と容量を組合せた集中定
数型遅延線は、インダクタンス素子が高い周波数（例え
ばＩ、 ＧＨｚ以−１：、）で周波数特性を持つうえＱ
も低下して遅延特性および振幅特性が悪化することから
、立上り時間がｌｎｓ以下の高速遅延特性を得ることが
困難であった。
数型遅延線は、インダクタンス素子が高い周波数（例え
ばＩ、 ＧＨｚ以−１：、）で周波数特性を持つうえＱ
も低下して遅延特性および振幅特性が悪化することから
、立上り時間がｌｎｓ以下の高速遅延特性を得ることが
困難であった。
本発明はこのような状況の下でなされたもので、超小型
で超高速かつ安価な集中定数型の遅延線の提供を図るも
のである。
で超高速かつ安価な集中定数型の遅延線の提供を図るも
のである。
以下本発明の詳細な説明する。
第１図ＡおよびＢは本発明あ遅延線を説明する概略図で
あり、第２図は第１図に示す遅延線の等価回路図である
。
あり、第２図は第１図に示す遅延線の等価回路図である
。
第１図Ａにおいて厚さＴおよび幅Ｗの断面方形の棒状非
磁性ボビン１に、導線２が長手方向にピッチＰで各ター
ンが少しずつ重なり合いながら単層ソレノイド状にスペ
ース巻きされ、インダクタンス素子３が形成されている
。すなわち、図中のボビン１上面における幅Ｗの任意の
１本の導ｍＷｒから・隣りの導線Ｗ２への１ターンピツ
チＰよりも、導線ＷＩから導線Ｗ２へ至る間のボビン１
下面の幅Ｗの導ｉ Ｗ３までのピッチＢ（以下便宜上半
ターンピッチとする）が長くなるように導線２が巻回さ
れている。さらに換言すれば導線２を単層ソレノイド状
に巻回した後、ボビン１の軸方向に傾けるように形成さ
れている。
磁性ボビン１に、導線２が長手方向にピッチＰで各ター
ンが少しずつ重なり合いながら単層ソレノイド状にスペ
ース巻きされ、インダクタンス素子３が形成されている
。すなわち、図中のボビン１上面における幅Ｗの任意の
１本の導ｍＷｒから・隣りの導線Ｗ２への１ターンピツ
チＰよりも、導線ＷＩから導線Ｗ２へ至る間のボビン１
下面の幅Ｗの導ｉ Ｗ３までのピッチＢ（以下便宜上半
ターンピッチとする）が長くなるように導線２が巻回さ
れている。さらに換言すれば導線２を単層ソレノイド状
に巻回した後、ボビン１の軸方向に傾けるように形成さ
れている。
なお、インダクタンス素子３の厚みＴおよび幅寸法Ｗけ
、正確にはボビン１における厚みおよび幅方向の対向面
上の導線２の中心間の距離をいう。
、正確にはボビン１における厚みおよび幅方向の対向面
上の導線２の中心間の距離をいう。
インダクタンス素子３の１ターンをインダクタンスＬと
し、各ターン毎に導ｌａ２とアース間に容量Ｃが挿入接
続され・１タ一ン分のインダクタンスＬが遅延線の１区
間となり、第２図に示すように他のインダクタンスＬと
相互誘導結合している。
し、各ターン毎に導ｌａ２とアース間に容量Ｃが挿入接
続され・１タ一ン分のインダクタンスＬが遅延線の１区
間となり、第２図に示すように他のインダクタンスＬと
相互誘導結合している。
第２図では最左端のインダクタンスしに着目し、その右
側のインダクタンスＬとの結合状態を示しているが、当
然その左側にもインダクタンスＬがあってそれらと′も
結合しており、また他のインダクタンスＬについても同
様に左右のインダクタンスＬと結合している。
側のインダクタンスＬとの結合状態を示しているが、当
然その左側にもインダクタンスＬがあってそれらと′も
結合しており、また他のインダクタンスＬについても同
様に左右のインダクタンスＬと結合している。
各インダクタンスＬは、隣りのインダクタンスＬと結合
係数８１でＳ２番目のインダクタンスとはａ２で、・・
・・・・ｎ番目のインダクタンスとは結合係数ａｆｉで
結合している。
係数８１でＳ２番目のインダクタンスとはａ２で、・・
・・・・ｎ番目のインダクタンスとは結合係数ａｆｉで
結合している。
次に・本発明の遅延線を検討する。まず、結合係数ａｈ
ａ２・・・・・’、 ａｆｉを求める・第１図への
ボビン１上面の幅Ｗの任意の１本の導線Ｗｌおよび半タ
ーンピッチＢずれたボビン１下面の導線ｗ３を基準とし
、第３図に示すように、ボビン１上面および下面それぞ
れにおける導線２間の結合係数を順次にｌ、に２．・・
・・・に。、ボビン１を挾んで上面および下面の導線２
間の結合係数を順次ＫＯ＋に１１． Ｋ１１２ 、 Ｋ
１ ｎ ＋’ Ｋ２１ ＋ Ｋ２２°パ°°°に２＋１
とする０基準となる導線ｗ、 、 ｗ３ に流れる電流
の向きを考えると、ボビン１上面および下面それぞれの
各導線間においては同方向であるのでＫｌ、に２．・・
舶「Ｋｎが正の結合となり、ボビン１を挾んだ上面およ
び下面の導線間は逆方向となるのでにｏ 、 Ｋｌｌ
＋ Ｋ１２１・・・・・・に】ｎ、に２１．に２２．・
・・・・・に２ｎは各々負の結合となる。
ａ２・・・・・’、 ａｆｉを求める・第１図への
ボビン１上面の幅Ｗの任意の１本の導線Ｗｌおよび半タ
ーンピッチＢずれたボビン１下面の導線ｗ３を基準とし
、第３図に示すように、ボビン１上面および下面それぞ
れにおける導線２間の結合係数を順次にｌ、に２．・・
・・・に。、ボビン１を挾んで上面および下面の導線２
間の結合係数を順次ＫＯ＋に１１． Ｋ１１２ 、 Ｋ
１ ｎ ＋’ Ｋ２１ ＋ Ｋ２２°パ°°°に２＋１
とする０基準となる導線ｗ、 、 ｗ３ に流れる電流
の向きを考えると、ボビン１上面および下面それぞれの
各導線間においては同方向であるのでＫｌ、に２．・・
舶「Ｋｎが正の結合となり、ボビン１を挾んだ上面およ
び下面の導線間は逆方向となるのでにｏ 、 Ｋｌｌ
＋ Ｋ１２１・・・・・・に】ｎ、に２１．に２２．・
・・・・・に２ｎは各々負の結合となる。
それら結合係数の絶対値は、導線２間の距離が長くなる
程、小さくなる。
程、小さくなる。
説明を簡単にするため、第１図゛Ｂに示す幅Ｗと厚みＴ
との関係をＷ＞＞Ｔとし、主に幅Ｗ方向の導線が特性に
影響する場合を考察すると、遅延線の各区間相互の結合
係数８１＋ ８２ ＋・・・・・ａｎは、、２にＩ
Ｋｌｌ −Ｋ２１ ａｎ＝□ ・・・・・・・・・・・・ （３）２（１
−に０ ） で示すこよができる。
との関係をＷ＞＞Ｔとし、主に幅Ｗ方向の導線が特性に
影響する場合を考察すると、遅延線の各区間相互の結合
係数８１＋ ８２ ＋・・・・・ａｎは、、２にＩ
Ｋｌｌ −Ｋ２１ ａｎ＝□ ・・・・・・・・・・・・ （３）２（１
−に０ ） で示すこよができる。
遅延線の遅延特性は、主にこれら結合係数の中のａｌ＋
８２により決定される。特にａｌの影響が大きい。ａｌ
は、一般に符号が正で、ａ２ 以下が存在しないと仮
定した場合、従来からの理論計算ではａｌ ”” ０．
１４２ （誘導ｍ型でｍ＝１．３４に相当）が最適と
されている。しかし実用上は、ａ２ 以下の存在や浮
遊容量等の影響を考慮しなければならず、結局ａｌ ＝
Ｑ、ｌ〜０．２の範囲で検討されている。
８２により決定される。特にａｌの影響が大きい。ａｌ
は、一般に符号が正で、ａ２ 以下が存在しないと仮
定した場合、従来からの理論計算ではａｌ ”” ０．
１４２ （誘導ｍ型でｍ＝１．３４に相当）が最適と
されている。しかし実用上は、ａ２ 以下の存在や浮
遊容量等の影響を考慮しなければならず、結局ａｌ ＝
Ｑ、ｌ〜０．２の範囲で検討されている。
また一方、ａ２は理論的には符号が負で、その絶対値が
０．０２〜０．０３程度が良いとされている。そしてａ
３ ＋−ａｎは、実用上はとんど無視できる程度の値上
なり、ａｌおよびａ２を上述の最適範囲に選定すること
によって遅延特性の良好な高速遅延線が得られる。
０．０２〜０．０３程度が良いとされている。そしてａ
３ ＋−ａｎは、実用上はとんど無視できる程度の値上
なり、ａｌおよびａ２を上述の最適範囲に選定すること
によって遅延特性の良好な高速遅延線が得られる。
本発明者は、ａ、およびａ２双方の最適値を求める手段
を鋭意研究した結果、インダクタンス素子３の導線２の
１ターンピツチＰおよび半ターンピッチＢＥ着目し、こ
れらのピッチＰ、Ｂを適当に選定することにより、ａｌ
およびａ２の最適値が求められることを見い出した。
を鋭意研究した結果、インダクタンス素子３の導線２の
１ターンピツチＰおよび半ターンピッチＢＥ着目し、こ
れらのピッチＰ、Ｂを適当に選定することにより、ａｌ
およびａ２の最適値が求められることを見い出した。
すなわち、インダクタンス素子３０幅Ｗを１０間・厚み
Ｔを１．４＋ｎ＋ｎ 、１ターンピツチＰを２問そして
導線２の線径を０．２５ｍｍとした場合、１ターンピツ
チＰと半ターンピッチＢとの関係Ｂ／Ｐを０．５〜２２
程度の範囲で変化させると、第４図に示すように、ａｌ
は正の領域においてＢ／Ｐの増加に伴なって一度減少し
てから増加し・また一方ａ２はＢ／Ｐの増加に伴なって
正の領域から減少して負の領域へ変化し再び増加して正
領域へ達することが、理論的に確認された。
Ｔを１．４＋ｎ＋ｎ 、１ターンピツチＰを２問そして
導線２の線径を０．２５ｍｍとした場合、１ターンピツ
チＰと半ターンピッチＢとの関係Ｂ／Ｐを０．５〜２２
程度の範囲で変化させると、第４図に示すように、ａｌ
は正の領域においてＢ／Ｐの増加に伴なって一度減少し
てから増加し・また一方ａ２はＢ／Ｐの増加に伴なって
正の領域から減少して負の領域へ変化し再び増加して正
領域へ達することが、理論的に確認された。
従って、ａｌを０．１〜０．２ 、 ａ２を−０，０２
〜−０，０３の範囲に各々選定するには、第４図からＢ
／Ｐ の値を１０〜・２０程度に選定すればよいこと
が判る。しかし、実際上は導線２の線径、厚みＴ・幅Ｗ
、１ターンピッチＰその他諸要素の存在によって０５〜
２２程度が選択される。もっとも、Ｂ／Ｐが２０程度以
上になるとインダクタンス素子３の製造が困難となるの
で、単純にＢ／Ｐ＞０．５の範囲と考えてよい。なおａ
２を負にすることができる理由は、上記（２）式および
第３図から明らかなように、に１２に関する導体間の距
離を短くしてＫＩ２の値を大きくできるからであり、本
発明の特徴である。
〜−０，０３の範囲に各々選定するには、第４図からＢ
／Ｐ の値を１０〜・２０程度に選定すればよいこと
が判る。しかし、実際上は導線２の線径、厚みＴ・幅Ｗ
、１ターンピッチＰその他諸要素の存在によって０５〜
２２程度が選択される。もっとも、Ｂ／Ｐが２０程度以
上になるとインダクタンス素子３の製造が困難となるの
で、単純にＢ／Ｐ＞０．５の範囲と考えてよい。なおａ
２を負にすることができる理由は、上記（２）式および
第３図から明らかなように、に１２に関する導体間の距
離を短くしてＫＩ２の値を大きくできるからであり、本
発明の特徴である。
そして、第１図に示す遅延線は、このような条件に基づ
いて構成されたものである。第１図に示すようにインダ
クタンス素子３において各ターンが各々隣り合うターン
に少しずつ重なり合うように巻回形成されることにより
、ボビン１の寸法・材料や導体２の線径に係わらすａｌ
およびａ２ともに最適値が得られ、高周波領域において
も立上りの速い高速遅延線ができる。
いて構成されたものである。第１図に示すようにインダ
クタンス素子３において各ターンが各々隣り合うターン
に少しずつ重なり合うように巻回形成されることにより
、ボビン１の寸法・材料や導体２の線径に係わらすａｌ
およびａ２ともに最適値が得られ、高周波領域において
も立上りの速い高速遅延線ができる。
上述した遅延線に係る理論的検討をふまえ、以下本発明
の遅延線の具体的実施例を説明する。
の遅延線の具体的実施例を説明する。
第５図において、インダクタンス素子３は・幅Ｗの方が
厚みＴよりも長い断面長方形の棒状非磁性ボビン１の外
周に、銀メツキ裸導線２を１ターンピツチＰ、半ターン
ピッチＢで各ターンが隣合うターンに僅ずつ重なり合う
ように単層ソレノイド状に巻回して構成されている。す
なわちＢ／Ｐが幅Ｗ、厚Ｔ、ピッチＰおよび導体の線径
等により最適値に選定されている。
厚みＴよりも長い断面長方形の棒状非磁性ボビン１の外
周に、銀メツキ裸導線２を１ターンピツチＰ、半ターン
ピッチＢで各ターンが隣合うターンに僅ずつ重なり合う
ように単層ソレノイド状に巻回して構成されている。す
なわちＢ／Ｐが幅Ｗ、厚Ｔ、ピッチＰおよび導体の線径
等により最適値に選定されている。
インダクタンス素子３の各ターン毎に導線２とアース間
には容量素子７が挿入接続されている。
には容量素子７が挿入接続されている。
この容量素子子は・ボビン１の下部に長手方向に延びる
誘電体板５と・この誘電体板５上面に形成され導線２に
接続した容量電極４と・誘電体板５の下面に形成された
アース電極６から形成きれている。インダクタンス素子
３下部の導線２と、容量電極４とは・半田リフロー法等
によって接続して遅延線８が構成されている。
誘電体板５と・この誘電体板５上面に形成され導線２に
接続した容量電極４と・誘電体板５の下面に形成された
アース電極６から形成きれている。インダクタンス素子
３下部の導線２と、容量電極４とは・半田リフロー法等
によって接続して遅延線８が構成されている。
このような構成の遅延線８は・インダクタンス素子３の
導線２０大部分がアース電極６から離れているため、過
電流によるインダクタンス素子３の損失が少なく、かつ
遅延線を部品として組立てた場合に非常に高さの低い遅
延線を構成することができる。
導線２０大部分がアース電極６から離れているため、過
電流によるインダクタンス素子３の損失が少なく、かつ
遅延線を部品として組立てた場合に非常に高さの低い遅
延線を構成することができる。
このように本発明の遅延線は・種々のボビンや導線の組
合せにあっても超小型で簡単な構造にもかかわらず、超
高速のものが得られ、従来の集中定数型遅延線において
は得られなかった良好な特性を実現することができる。
合せにあっても超小型で簡単な構造にもかかわらず、超
高速のものが得られ、従来の集中定数型遅延線において
は得られなかった良好な特性を実現することができる。
これは、インダクタンス素子３の各ターンのインダクタ
ンス１間の結合係数ａ、およびａ２が、１ターンピツチ
Ｐと半ターンピッチＢの関係を適当に選定することによ
り、最適値を得ることが可能となったものである。
ンス１間の結合係数ａ、およびａ２が、１ターンピツチ
Ｐと半ターンピッチＢの関係を適当に選定することによ
り、最適値を得ることが可能となったものである。
なお・本発明は・第６図に示すように、インダクタンス
素子３の各ターン毎に半田付は固定されて自立可能にな
っているので、遅延線８から非磁性ボビン１を引抜くよ
うな空心自立構造で用いるならば、超高周波におけるボ
ビン１の誘電体損失を更に低減可能となる。
素子３の各ターン毎に半田付は固定されて自立可能にな
っているので、遅延線８から非磁性ボビン１を引抜くよ
うな空心自立構造で用いるならば、超高周波におけるボ
ビン１の誘電体損失を更に低減可能となる。
第６図Ｖよ本発明の他の実施例を示すものであり、断面
長方形り非磁性ボビン１に導体条２′をＢ／Ｐを最適値
に選定してインダクタンス素子３を構成［７、ボビン１
の下面の導体条２′を容量電極４′に兼用するとともに
、誘電体板５を挾んでアース電極６に対向させて容量素
子７と組合せてなるものである。
長方形り非磁性ボビン１に導体条２′をＢ／Ｐを最適値
に選定してインダクタンス素子３を構成［７、ボビン１
の下面の導体条２′を容量電極４′に兼用するとともに
、誘電体板５を挾んでアース電極６に対向させて容量素
子７と組合せてなるものである。
この構成においても１ターンピツチＰと半ターンピッチ
Ｂとの関係をＢ／Ｐ＞０．５の範囲で選定すれば、良好
な遅延特性が得られるし、容量素子７の構成の簡素化を
図ることができる。
Ｂとの関係をＢ／Ｐ＞０．５の範囲で選定すれば、良好
な遅延特性が得られるし、容量素子７の構成の簡素化を
図ることができる。
以上本発明を１ターンピツチＰと半ターンピッチＢの関
係が幅Ｗの側の導線のみについて効果を発揮させるよう
に説明したが、第１図Ｂでボビン断面の対角線方向へイ
ンダクタンス素子を傾けるように形成すれは幅Ｗと厚さ
Ｔの全ての導線に関して本発明の効果を得ることができ
る。
係が幅Ｗの側の導線のみについて効果を発揮させるよう
に説明したが、第１図Ｂでボビン断面の対角線方向へイ
ンダクタンス素子を傾けるように形成すれは幅Ｗと厚さ
Ｔの全ての導線に関して本発明の効果を得ることができ
る。
さらに本発明は、断面長方形のボビン１を用いる例に限
らず、例えば、第７図に示すような断面円形や断面楕円
形のボビンを用いることが可能である。これらのボビン
においてもＢ／Ｐ＞０．５の関係でインダクタンス素子
３を構成すればよい。
らず、例えば、第７図に示すような断面円形や断面楕円
形のボビンを用いることが可能である。これらのボビン
においてもＢ／Ｐ＞０．５の関係でインダクタンス素子
３を構成すればよい。
第８図は本発明の更に他の実施例を示すものである。図
における遅延ｍｔ／′ｉ、非磁性ボビン１′として第５
図に示す如き棒状ボビ／１に代えてトロイダル状ボビン
（図中２点鎖線で示す）を用い、このトロイダル状の非
磁性ボビン１′に導線２を単層ソレノイド状にスペース
巻きした（図中３ターンを示す）インダクタンス素子３
を備えてなるものである。この遅延線は、ボビン１′の
内周側ピッチＰ１と外周側ピッチＰ２が異なり、当然ｐ
、＜ｐ２となるが、この場合のピッチＰは、平均ピンチ
すなわち、Ｐ”” （Ｐｔ ＋Ｐ２ ）／２ として
半ターンピッチＢとの関係を考慮すればよい。
における遅延ｍｔ／′ｉ、非磁性ボビン１′として第５
図に示す如き棒状ボビ／１に代えてトロイダル状ボビン
（図中２点鎖線で示す）を用い、このトロイダル状の非
磁性ボビン１′に導線２を単層ソレノイド状にスペース
巻きした（図中３ターンを示す）インダクタンス素子３
を備えてなるものである。この遅延線は、ボビン１′の
内周側ピッチＰ１と外周側ピッチＰ２が異なり、当然ｐ
、＜ｐ２となるが、この場合のピッチＰは、平均ピンチ
すなわち、Ｐ”” （Ｐｔ ＋Ｐ２ ）／２ として
半ターンピッチＢとの関係を考慮すればよい。
このような構成の遅延線は・インダクタンス素子３の形
状を枠形等の環状にしても実施できるが、特にトロイダ
ル状のボビンを用いるならば、円弧状の固定接点列の形
成が可能となり、ボビンの中心を支点として可動接点が
その固定接点列上を極めて容易に摺動できるので、小型
で操作の簡単な可変遅延線を実現することができる。
状を枠形等の環状にしても実施できるが、特にトロイダ
ル状のボビンを用いるならば、円弧状の固定接点列の形
成が可能となり、ボビンの中心を支点として可動接点が
その固定接点列上を極めて容易に摺動できるので、小型
で操作の簡単な可変遅延線を実現することができる。
以上説明したように本発明の遅延線は、構造簡単で、形
状や導体線径等の設計上の自由度が太きく・かつ超高速
でしかも任意の遅延特性が得られるが、本発明はこれに
Ｌどまらず、次の大きい特徴を有する。
状や導体線径等の設計上の自由度が太きく・かつ超高速
でしかも任意の遅延特性が得られるが、本発明はこれに
Ｌどまらず、次の大きい特徴を有する。
遅延線の遅延特性を決定する結合係数がすべて遅延線を
構成する寸法の絶対値ではなく・寸法の比で決定される
とともに、遅延線を構成する寸法と緒特性の関係が明快
に得られる。すなわち・遅延線を構成する諸寸法をすべ
て１／Ｓに比例して小さくする（但Ａ、容量Ｃも１／８
の値にする）と、特性インピーダンスは変らず、遅延時
間と立−Ｌり時間はｌ／５（−３ｄＢ通過帯域は８倍）
に、取付面積は１／Ｓ２に、体積はｌ ／ Ｓ ３にな
る。
構成する寸法の絶対値ではなく・寸法の比で決定される
とともに、遅延線を構成する寸法と緒特性の関係が明快
に得られる。すなわち・遅延線を構成する諸寸法をすべ
て１／Ｓに比例して小さくする（但Ａ、容量Ｃも１／８
の値にする）と、特性インピーダンスは変らず、遅延時
間と立−Ｌり時間はｌ／５（−３ｄＢ通過帯域は８倍）
に、取付面積は１／Ｓ２に、体積はｌ ／ Ｓ ３にな
る。
このこ々は、本発明の遅延線は微細化することにより・
飛躍的に高速化と高密度化か実現できることを意味する
。そして、本発明の遅延線に用いるインダクタンス素子
３は、非常に単純な構造を有し微細加工に適するもので
ある。例えば導線の巻回のほか、アルミナ磁器等の非磁
性ボビンの表面にメッキ加工等によって導体層を形成し
た後、ボビン表面を機械的精密研削・フォトエツチング
もしくけレーザービーム加工等、従来知られた手段ニよ
って単層ソレノイド状のインダクタンス素子を形成する
ことも可能であり、導線等の導体の断面形状も任意であ
る。さらに容は素子７もインダクタンス素子３の上に誘
電体および電極を高速スパッタリング等で容易に形成す
ることが可能である。
飛躍的に高速化と高密度化か実現できることを意味する
。そして、本発明の遅延線に用いるインダクタンス素子
３は、非常に単純な構造を有し微細加工に適するもので
ある。例えば導線の巻回のほか、アルミナ磁器等の非磁
性ボビンの表面にメッキ加工等によって導体層を形成し
た後、ボビン表面を機械的精密研削・フォトエツチング
もしくけレーザービーム加工等、従来知られた手段ニよ
って単層ソレノイド状のインダクタンス素子を形成する
ことも可能であり、導線等の導体の断面形状も任意であ
る。さらに容は素子７もインダクタンス素子３の上に誘
電体および電極を高速スパッタリング等で容易に形成す
ることが可能である。
また・本発明の遅延線は、非磁性ボビン」−の導体条に
固定接点列を形成し、この上を可動接点を摺動させるな
らば、超高速の可変遅延線が得られる０ 以」二説明したように本発明の遅延線は、インダクタン
ス素子が・導線や導体条等の導体をピッチＰのスペース
で単層ソレノイド状に巻回しかつインダクタンス素子の
軸方向に傾けるように形成されてなるので、インダクタ
ンス素子における各ターン間の結合係数ａＩ ＋ ８２
の最適値の選定が容易となり、広い周波数領域特に超高
周波帯においても立上りが速く、遅延特性の高速化およ
び構造の小型化・高密度化を図ることができる。
固定接点列を形成し、この上を可動接点を摺動させるな
らば、超高速の可変遅延線が得られる０ 以」二説明したように本発明の遅延線は、インダクタン
ス素子が・導線や導体条等の導体をピッチＰのスペース
で単層ソレノイド状に巻回しかつインダクタンス素子の
軸方向に傾けるように形成されてなるので、インダクタ
ンス素子における各ターン間の結合係数ａＩ ＋ ８２
の最適値の選定が容易となり、広い周波数領域特に超高
周波帯においても立上りが速く、遅延特性の高速化およ
び構造の小型化・高密度化を図ることができる。
第１図および第２図は本発明の詳細な説明する概略図お
よびその等価回路図、第３図は第１図に示すインダクタ
ンス素子における導体間の結合関係を説明する図、第４
図はインダクタンス素子における１ターンピツチＰと半
ターンピッチＢの比と結合係数ａＩ ＋ ８２との関係
を説明する特性図、第５図および第６図は本発明の遅延
線の実施例を示す部分正面図および側面図、第７図は本
発明のインダクタンス素子に用いるボビンの実施例を示
す図、第８図は本発明の遅延線の他の実施例を示す部分
平面図および側面図である。 １・・・・・・ボビン、２，２′・・・・・・導体（導
線、導体条）３・・・・・インダクタンス素子、７・・
・・・容量素子・Ｐ・・・・・・１ターンピツチ、Ｂ・
・・・・半ターンピッチａｌ ＋・・・・・・ｒａｎ・
・・・・結合係数特許出願人 エルメック株式会社 ヤ １ 闇 ヤ ２ マ ヤ ３ Ｍ ヤ ４ 圏 ヤ ５ Ｍ
よびその等価回路図、第３図は第１図に示すインダクタ
ンス素子における導体間の結合関係を説明する図、第４
図はインダクタンス素子における１ターンピツチＰと半
ターンピッチＢの比と結合係数ａＩ ＋ ８２との関係
を説明する特性図、第５図および第６図は本発明の遅延
線の実施例を示す部分正面図および側面図、第７図は本
発明のインダクタンス素子に用いるボビンの実施例を示
す図、第８図は本発明の遅延線の他の実施例を示す部分
平面図および側面図である。 １・・・・・・ボビン、２，２′・・・・・・導体（導
線、導体条）３・・・・・インダクタンス素子、７・・
・・・容量素子・Ｐ・・・・・・１ターンピツチ、Ｂ・
・・・・半ターンピッチａｌ ＋・・・・・・ｒａｎ・
・・・・結合係数特許出願人 エルメック株式会社 ヤ １ 闇 ヤ ２ マ ヤ ３ Ｍ ヤ ４ 圏 ヤ ５ Ｍ
Claims (5)
- （１）インダクタンス素子上容量を組合せてなる遅延線
において、前記インダクタンス素子が、導体をピッチＰ
のスペースで単層ソレノイド状に巻回しかつ前記インダ
クタンス素子の軸方向に傾けるように形成されてなるこ
とを特徴とする遅延線。 - （２） インダクタンス素子の導体が、非磁性ボビン
に形成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の遅延線。 - （３） インダクタンス素子が、空心自立構成されて
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の遅延
線。 - （４） インダクタンス素子が、環状に形成されてな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第２
項記載の遅延線。 - （５） インダクタンス素子の導体が、トロイダル状
のボビンに形成されてなることを特徴とする特許請求の
範囲第４項記載の遅延線。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122629A JPS5913411A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 遅延線 |
| US06/513,493 US4507628A (en) | 1982-07-14 | 1983-07-13 | Delay line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122629A JPS5913411A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 遅延線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913411A true JPS5913411A (ja) | 1984-01-24 |
| JPS6229925B2 JPS6229925B2 (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=14840694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57122629A Granted JPS5913411A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 遅延線 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4507628A (ja) |
| JP (1) | JPS5913411A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274910A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Elmec Corp | 電磁遅延線 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59219002A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-10 | Elmec Corp | 電子制御可変遅延線の調整方法 |
| FI80346C (fi) * | 1983-07-07 | 1990-05-10 | Instrumentarium Oy | Rf-spolarrangemang vid nmr-undersoekningsapparatur. |
| US4758807A (en) * | 1984-12-18 | 1988-07-19 | Elmec Corporation | Distributed constant type electromagnetic delay line |
| US9425664B2 (en) * | 2012-05-09 | 2016-08-23 | Thingap, Llc | Composite stator for electromechanical power conversion |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB222187A (en) * | 1923-06-21 | 1924-09-22 | Submarine Signal Corp | Improvements in electric retardation lines |
| US4160962A (en) * | 1977-11-04 | 1979-07-10 | Sprague Electric Company | Dual section distributed parameter delay-line |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP57122629A patent/JPS5913411A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-13 US US06/513,493 patent/US4507628A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274910A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Elmec Corp | 電磁遅延線 |
| JPH0462610B2 (ja) * | 1986-05-23 | 1992-10-07 | Elmec Corp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6229925B2 (ja) | 1987-06-29 |
| US4507628A (en) | 1985-03-26 |
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