JPS6229925B2 - - Google Patents
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- JPS6229925B2 JPS6229925B2 JP57122629A JP12262982A JPS6229925B2 JP S6229925 B2 JPS6229925 B2 JP S6229925B2 JP 57122629 A JP57122629 A JP 57122629A JP 12262982 A JP12262982 A JP 12262982A JP S6229925 B2 JPS6229925 B2 JP S6229925B2
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- JP
- Japan
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- delay line
- inductance element
- conductor
- bobbin
- turn
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/30—Time-delay networks
- H03H7/32—Time-delay networks with lumped inductance and capacitance
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はインダクタンス素子と容量を組合せた
集中定数型の遅延線に係り、特に立上りが極めて
速く、デイジタル回路等に好適する超高速遅延線
に関する。
集中定数型の遅延線に係り、特に立上りが極めて
速く、デイジタル回路等に好適する超高速遅延線
に関する。
従来、立上りの速い、例えば立上り時間がIns
以下の遅延線としては、目的の遅延時間となる長
さに切つた同軸ケーブルからなるものが主として
使用されている。
以下の遅延線としては、目的の遅延時間となる長
さに切つた同軸ケーブルからなるものが主として
使用されている。
しかし、形状も大きく端末処理が面倒である
し、更に遅延時間により長さが異なるので、遅延
線としての寸法が一定でなく、従つて電子部品と
して他の半導体部品等と一緒に回路基板上に混在
配置するには難点があつた。
し、更に遅延時間により長さが異なるので、遅延
線としての寸法が一定でなく、従つて電子部品と
して他の半導体部品等と一緒に回路基板上に混在
配置するには難点があつた。
また一方、インダクタンス素子と容量を組合せ
た集中定数型遅延線は、インダクタンス素子が高
い周波数（例えば1GHz以上）で周波数特性を持
つうえＱも低下して遅延特性および振幅特性が悪
化することから、立上り時間が1ns以下の高速遅
延特性を得ることが困難であつた。
た集中定数型遅延線は、インダクタンス素子が高
い周波数（例えば1GHz以上）で周波数特性を持
つうえＱも低下して遅延特性および振幅特性が悪
化することから、立上り時間が1ns以下の高速遅
延特性を得ることが困難であつた。
本発明はこのような状況の下でなされたもの
で、超小型で超高速かつ安価な集中定数型の遅延
線の提供を図るものである。
で、超小型で超高速かつ安価な集中定数型の遅延
線の提供を図るものである。
以下本発明の詳細を説明する。
第１図ＡおよびＢは本発明の遅延線を説明する
概略図であり、第２図は第１図に示す遅延線の等
価回路図である。
概略図であり、第２図は第１図に示す遅延線の等
価回路図である。
第１図Ａにおいて厚さＴおよび幅Ｗの断面方形
の棒状非磁性ボビン１に、導線２が長手方向にピ
ツチＰで各ターンが少しずつ重なり合いながら単
層ソレノイド状にスペース巻きされ、インダクタ
ンス素子３が形成されている。すなわち、図中の
ボビン１上面における幅Ｗの任意の１本の導線
W1から、隣りの導線W2への１ターンピツチＰよ
りも、導線W1から導線W2へ至る間のボビン１下
面の幅Ｗの導線W3までのピツチＢ（以下便宜上
半ターンピツチとする）が長くなるように導線２
が巻回されている。さらに換言すれば導線２を単
層ソレノイド状に巻回した後、ボビン１の軸方向
に傾けるように形成されている。
の棒状非磁性ボビン１に、導線２が長手方向にピ
ツチＰで各ターンが少しずつ重なり合いながら単
層ソレノイド状にスペース巻きされ、インダクタ
ンス素子３が形成されている。すなわち、図中の
ボビン１上面における幅Ｗの任意の１本の導線
W1から、隣りの導線W2への１ターンピツチＰよ
りも、導線W1から導線W2へ至る間のボビン１下
面の幅Ｗの導線W3までのピツチＢ（以下便宜上
半ターンピツチとする）が長くなるように導線２
が巻回されている。さらに換言すれば導線２を単
層ソレノイド状に巻回した後、ボビン１の軸方向
に傾けるように形成されている。
なお、インダクタンス素子３の厚みＴおよび幅
寸法Ｗは、正確にはボビン１における厚みおよび
幅方向の対向面上の導線２の中心間の距離をい
う。
寸法Ｗは、正確にはボビン１における厚みおよび
幅方向の対向面上の導線２の中心間の距離をい
う。
インダクタンス素子３の１ターンをインダクタ
ンスＬとし、各ターン毎に導線２とアース間に容
量Ｃが挿入接続され、１ターン分のインダクタン
スＬが遅延線の１区間となり、第２図に示すよう
に他のインダクタンスＬと相互誘導結合してい
る。第２図では最左端のインダクタンスＬに着目
し、その右側のインダクタンスＬとの結合状態を
示しているが、当然その左側にもインダクタンス
Ｌがあつてそれらとも結合しており、また他のイ
ンダクタンスＬについても同様に左右のインダク
タンスＬと結合している。
ンスＬとし、各ターン毎に導線２とアース間に容
量Ｃが挿入接続され、１ターン分のインダクタン
スＬが遅延線の１区間となり、第２図に示すよう
に他のインダクタンスＬと相互誘導結合してい
る。第２図では最左端のインダクタンスＬに着目
し、その右側のインダクタンスＬとの結合状態を
示しているが、当然その左側にもインダクタンス
Ｌがあつてそれらとも結合しており、また他のイ
ンダクタンスＬについても同様に左右のインダク
タンスＬと結合している。
各インダクタンスＬは、隣りのインダクタンス
Ｌと結合係数a1で、２番目のインダクタンスとは
a2で、……ｎ番目のインダクタンスとは結合係数
ａoで結合している。
Ｌと結合係数a1で、２番目のインダクタンスとは
a2で、……ｎ番目のインダクタンスとは結合係数
ａoで結合している。
次に、本発明の遅延線を検討する。まず、結合
係数a1，a2……，ａoを求める。
係数a1，a2……，ａoを求める。
第１図Ａのボビン１上面の幅Ｗの任意の１本の
導線W1および半ターンピツチＢずれたボビン１
下面の導線W3を基準とし、第３図に示すよう
に、ボビン１上面および下面それぞれにおける導
線２間の結合係数を順次K1，K2，……Ｋo、ボビ
ン１を挾んで上面および下面の導線２間の結合係
数を順次K0，K11，K12，Ｋ1o，K21，K22……Ｋ2o
とする。
導線W1および半ターンピツチＢずれたボビン１
下面の導線W3を基準とし、第３図に示すよう
に、ボビン１上面および下面それぞれにおける導
線２間の結合係数を順次K1，K2，……Ｋo、ボビ
ン１を挾んで上面および下面の導線２間の結合係
数を順次K0，K11，K12，Ｋ1o，K21，K22……Ｋ2o
とする。
基準となる導線W1，W3に流れる電流の向きを
考えると、ボビン１上面および下面それぞれの各
導線間においては同方向であるのでK1，K2，…
…Ｋoが正の結合となり、ボビン１を挾んだ上面
および下面の導線間は逆方向となるのでK0，
K11，K12，……Ｋ1o，K21，K22，……Ｋ2oは各々
負の結合となる。それら結合係数の絶対値は、導
線２間の距離が長くなる程、小さくなる。
考えると、ボビン１上面および下面それぞれの各
導線間においては同方向であるのでK1，K2，…
…Ｋoが正の結合となり、ボビン１を挾んだ上面
および下面の導線間は逆方向となるのでK0，
K11，K12，……Ｋ1o，K21，K22，……Ｋ2oは各々
負の結合となる。それら結合係数の絶対値は、導
線２間の距離が長くなる程、小さくなる。
説明を簡単にするため、第１図Ｂに示す幅Ｗと
厚みＴとの関係をＷ≫Ｔとし、主に幅Ｗ方向の導
線が特性に影響する場合を考察すると、遅延線の
各区間相互の結合係数a1，a2，……ａoは、 a1＝２Ｋ１−Ｋ１１−Ｋ２１／２（１−Ｋ０）……(1
) a2＝２Ｋ２−Ｋ１２−Ｋ２２／２（１−Ｋ０）……(2
) ａo＝２Ｋｏ−Ｋ１ｏ−Ｋ２ｏ／２（１−Ｋ０）……(
3) で示すことができる。
厚みＴとの関係をＷ≫Ｔとし、主に幅Ｗ方向の導
線が特性に影響する場合を考察すると、遅延線の
各区間相互の結合係数a1，a2，……ａoは、 a1＝２Ｋ１−Ｋ１１−Ｋ２１／２（１−Ｋ０）……(1
) a2＝２Ｋ２−Ｋ１２−Ｋ２２／２（１−Ｋ０）……(2
) ａo＝２Ｋｏ−Ｋ１ｏ−Ｋ２ｏ／２（１−Ｋ０）……(
3) で示すことができる。
遅延線の遅延特性は、主にこれら結合係数の中
のa1，a2により決定される。特にa1の影響が大き
い。a1は、一般に符号が正で、a2以下が存在しな
いと仮定した場合、従来からの理論計算ではa1＝
0.142（誘導ｍ型でｍ＝1.34に相当）が最適とさ
れている。しかし実用上は、a2以下の存在や浮遊
容量等の影響を考慮しなければならず、結局a1＝
0.1〜0.2の範囲で検討されている。
のa1，a2により決定される。特にa1の影響が大き
い。a1は、一般に符号が正で、a2以下が存在しな
いと仮定した場合、従来からの理論計算ではa1＝
0.142（誘導ｍ型でｍ＝1.34に相当）が最適とさ
れている。しかし実用上は、a2以下の存在や浮遊
容量等の影響を考慮しなければならず、結局a1＝
0.1〜0.2の範囲で検討されている。
また一方、a2は理論的には符号が負で、その絶
対値が0.02〜0.03程度が良いとされている。そし
てa3，……ａoは、実用上ほとんど無視できる程
度の値となり、a1およびa2を上述の最適範囲の選
定することによつて遅延特性の良好な高速遅延線
が得られる。
対値が0.02〜0.03程度が良いとされている。そし
てa3，……ａoは、実用上ほとんど無視できる程
度の値となり、a1およびa2を上述の最適範囲の選
定することによつて遅延特性の良好な高速遅延線
が得られる。
本発明者は、a1およびa2双方の最適値を求める
手段を鋭意研究した結果、インダクタンス素子３
の導線２の１ターンピツチＰおよび半ターンピツ
チＢに着目し、これらのピツチＰ，Ｂを適当に選
定することにより、a1およびa2の最適値が求めら
れることを見い出した。
手段を鋭意研究した結果、インダクタンス素子３
の導線２の１ターンピツチＰおよび半ターンピツ
チＢに着目し、これらのピツチＰ，Ｂを適当に選
定することにより、a1およびa2の最適値が求めら
れることを見い出した。
すなわち、インダクタンス素子３の幅Ｗを10
mm、厚みＴを1.4mm、１ターンピツチＰと２mmそ
して導線２の線径を0.25mmとした場合、１ターン
ピツチＰと半ターンピツチＢとの関係Ｂ／Ｐを
0.5〜2.2程度の範囲で変化させると、第４図に示
すように、a1は正の領域においてＢ／Ｐの増加に
伴なつて一度減少してから増加し、また一方a2は
Ｂ／Ｐの増加に伴なつて正の領域から減少して負
の領域へ変化し再び増加して正領域へ達すること
が、理論的に確認された。
mm、厚みＴを1.4mm、１ターンピツチＰと２mmそ
して導線２の線径を0.25mmとした場合、１ターン
ピツチＰと半ターンピツチＢとの関係Ｂ／Ｐを
0.5〜2.2程度の範囲で変化させると、第４図に示
すように、a1は正の領域においてＢ／Ｐの増加に
伴なつて一度減少してから増加し、また一方a2は
Ｂ／Ｐの増加に伴なつて正の領域から減少して負
の領域へ変化し再び増加して正領域へ達すること
が、理論的に確認された。
従つて、a1を0.1〜0.2、a2を−0.02〜−0.03の
範囲に各々選定するには、第４図からＢ／Ｐの値
を1.0〜2.0程度に選定すればよいことが判る。し
かし、実際上は導線２の線径、厚みＴ、幅Ｗ、１
ターンピツチＰその他諸要素の存在によつて0.5
〜2.2程度が選択される。もつとも、Ｂ／Ｐが2.0
程度以上になるとインダクタンス素子３の製造が
困難となるので、単純にＢ／Ｐ＞0.5の範囲と考
えてよい。なおa2を負にすることができる理由
は、上記(2)式および第３図から明らかなように、
K12に関する導体間の距離を短くしてK12の値を
大きくできるからであり、本発明の特徴である。
範囲に各々選定するには、第４図からＢ／Ｐの値
を1.0〜2.0程度に選定すればよいことが判る。し
かし、実際上は導線２の線径、厚みＴ、幅Ｗ、１
ターンピツチＰその他諸要素の存在によつて0.5
〜2.2程度が選択される。もつとも、Ｂ／Ｐが2.0
程度以上になるとインダクタンス素子３の製造が
困難となるので、単純にＢ／Ｐ＞0.5の範囲と考
えてよい。なおa2を負にすることができる理由
は、上記(2)式および第３図から明らかなように、
K12に関する導体間の距離を短くしてK12の値を
大きくできるからであり、本発明の特徴である。
そして、第１図に示す遅延線は、このような条
件基づいて構成されたものである。第１図に示す
ようにインダクタンス素子３において各ターンが
各々隣り合うターンに少しずつ重なり合うように
巻回形成されることにより、ボビン１の寸法、材
料や導体２の線径に係わらずa1およびa2ともに最
適値が得られ、高周波領域においても立上りの速
い高速遅延線ができる。
件基づいて構成されたものである。第１図に示す
ようにインダクタンス素子３において各ターンが
各々隣り合うターンに少しずつ重なり合うように
巻回形成されることにより、ボビン１の寸法、材
料や導体２の線径に係わらずa1およびa2ともに最
適値が得られ、高周波領域においても立上りの速
い高速遅延線ができる。
上述した遅延線に係る理論的検討をふまえ、以
下本発明の遅延線の具体的実施例を説明する。
下本発明の遅延線の具体的実施例を説明する。
第５図において、インダクタンス素子３は、幅
Ｗの方が厚みＴよりも長い断面長方形の棒状非磁
性ボビン１の外周に、銀メツキ裸導線２を１ター
ンピツチＰ、半ターンピツチＢで各ターンが隣合
うターンに僅ずつ重なり合うように単層ソレノイ
ド状に巻回して構成されている。すなわちＢ／Ｐ
が幅Ｗ、厚Ｔ、ピツチＰおよび導体の線径等によ
り最適値に選定されている。
Ｗの方が厚みＴよりも長い断面長方形の棒状非磁
性ボビン１の外周に、銀メツキ裸導線２を１ター
ンピツチＰ、半ターンピツチＢで各ターンが隣合
うターンに僅ずつ重なり合うように単層ソレノイ
ド状に巻回して構成されている。すなわちＢ／Ｐ
が幅Ｗ、厚Ｔ、ピツチＰおよび導体の線径等によ
り最適値に選定されている。
インダクタンス素子３の各ターン毎に導線２と
アース間には容量素子７が挿入接続されている。
この容量素子７は、ボビン１の下部に長手方向に
延びる誘電体板５と、この誘電体板５上面に形成
され導線２に接続した容量電極４と、誘電体板５
の下面に形成されたアース電極６から形成されて
いる。インダクタンス素子３下部の導線２と、容
量電極４とは、半田リフロー法等によつて接続し
て遅延線８が構成されている。
アース間には容量素子７が挿入接続されている。
この容量素子７は、ボビン１の下部に長手方向に
延びる誘電体板５と、この誘電体板５上面に形成
され導線２に接続した容量電極４と、誘電体板５
の下面に形成されたアース電極６から形成されて
いる。インダクタンス素子３下部の導線２と、容
量電極４とは、半田リフロー法等によつて接続し
て遅延線８が構成されている。
このような構成の遅延線８は、インダクタンス
素子３の導線２の大部分がアース電極６から離れ
ているため、過電流によるインダクタンス素子３
の損失が少なく、かつ遅延線を部品として組立て
た場合に非常に高さの低い遅延線を構成すること
ができる。
素子３の導線２の大部分がアース電極６から離れ
ているため、過電流によるインダクタンス素子３
の損失が少なく、かつ遅延線を部品として組立て
た場合に非常に高さの低い遅延線を構成すること
ができる。
このように本発明の遅延線は、種々のボビンや
導線の組合せにあつても超小型で簡単な構造にも
かかわらず、超高速のものが得られ、従来の集中
定数型遅延線においては得られなかつた良好な特
性を実現することができる。これは、インダクタ
ンス素子３の各ターンのインダクタンスＬ間の結
合係数a1およびa2が、１ターンピツチＰと半ター
ンピツチＢの関係を適当に選定することにより、
最適値を得ることが可能となつたものである。
導線の組合せにあつても超小型で簡単な構造にも
かかわらず、超高速のものが得られ、従来の集中
定数型遅延線においては得られなかつた良好な特
性を実現することができる。これは、インダクタ
ンス素子３の各ターンのインダクタンスＬ間の結
合係数a1およびa2が、１ターンピツチＰと半ター
ンピツチＢの関係を適当に選定することにより、
最適値を得ることが可能となつたものである。
なお、本発明は、第５図に示すように、インダ
クタンス素子３の各ターン毎に半田付け固定され
て自立可能になつているので、遅延線８から非磁
性ボビン１を引抜くような空心自立構造で用いる
ならば、超高周波におけるボビン１の誘電体損失
を更に低減可能となる。
クタンス素子３の各ターン毎に半田付け固定され
て自立可能になつているので、遅延線８から非磁
性ボビン１を引抜くような空心自立構造で用いる
ならば、超高周波におけるボビン１の誘電体損失
を更に低減可能となる。
第６図は本発明の他の実施例を示すものであ
り、断面長方形の非磁性ボビン１に導体条２′を
Ｂ／Ｐを最適値に選定してインダクタンス素子３
を構成し、ボビン１の下面の導体条２′を容量電
極４′に兼用するとともに、誘電体板５を挾んで
アース電極６に対向させて容量素子７と組合せて
なるものである。
り、断面長方形の非磁性ボビン１に導体条２′を
Ｂ／Ｐを最適値に選定してインダクタンス素子３
を構成し、ボビン１の下面の導体条２′を容量電
極４′に兼用するとともに、誘電体板５を挾んで
アース電極６に対向させて容量素子７と組合せて
なるものである。
この構成においても１ターンピツチＰと半ター
ンピツチＢとの関係をＢ／Ｐ＞0.5の範囲で選定
すれば、良好な遅延特性が得られるし、容量素子
７の構成の簡素化を図ることができる。
ンピツチＢとの関係をＢ／Ｐ＞0.5の範囲で選定
すれば、良好な遅延特性が得られるし、容量素子
７の構成の簡素化を図ることができる。
以上本発明を１ターンピツチＰと半ターンピツ
チＢの関係が幅Ｗの側の導線のみについて効果を
発揮させるように説明したが、第１図Ｂでボビン
断面の対角線方向へインダクタンス素子を傾ける
ように形成すれば幅Ｗと厚さＴの全ての導線に関
して本発明の効果を得ることができる。
チＢの関係が幅Ｗの側の導線のみについて効果を
発揮させるように説明したが、第１図Ｂでボビン
断面の対角線方向へインダクタンス素子を傾ける
ように形成すれば幅Ｗと厚さＴの全ての導線に関
して本発明の効果を得ることができる。
さらに本発明は、断面長方形のボビン１を用い
る例に限らず、例えば、第７図に示すような断面
円形や断面楕円形のボビンを用いることが可能で
ある。これらのボビンにおいてもＢ／Ｐ＞0.5の
関係でインダクタンス素子３を構成すればよい。
る例に限らず、例えば、第７図に示すような断面
円形や断面楕円形のボビンを用いることが可能で
ある。これらのボビンにおいてもＢ／Ｐ＞0.5の
関係でインダクタンス素子３を構成すればよい。
第８図は本発明の更に他の実施例を示すもので
ある。図における遅延線は、非磁性ボビン１′と
して第５図に示す如き棒状ボビン１に代えてトロ
イダル状ボビン（図中２点鎖線で示す）を用い、
このトロイダル状の非磁性ボビン１′に導線２を
単層ソレノイド状にスペース巻きした（図中３タ
ーンを示す）インダクタンス素子３を備えてなる
ものである。この遅延線は、ボビン１′の内周側
ピツチP1と外周側ピツチP2が異なり、当然P1＜P2
となるが、この場合のピツチＰは、平均ピツチす
なわち、Ｐ＝（P1＋P2）／２として半ターンピツチ
Ｂとの関係を考慮すればよい。
ある。図における遅延線は、非磁性ボビン１′と
して第５図に示す如き棒状ボビン１に代えてトロ
イダル状ボビン（図中２点鎖線で示す）を用い、
このトロイダル状の非磁性ボビン１′に導線２を
単層ソレノイド状にスペース巻きした（図中３タ
ーンを示す）インダクタンス素子３を備えてなる
ものである。この遅延線は、ボビン１′の内周側
ピツチP1と外周側ピツチP2が異なり、当然P1＜P2
となるが、この場合のピツチＰは、平均ピツチす
なわち、Ｐ＝（P1＋P2）／２として半ターンピツチ
Ｂとの関係を考慮すればよい。
このような構成の遅延線は、インダクタンス素
子３の形状を枠形等の環状にしても実施できる
が、特にトロイダル状のボビンを用いるならば、
円弧状の固定接点列の形成が可能となり、ボビン
の中心を支点として可動接点がその固定接点列上
を極めて容易に摺動できるので、小型で操作の簡
単な可変遅延線を実現することができる。
子３の形状を枠形等の環状にしても実施できる
が、特にトロイダル状のボビンを用いるならば、
円弧状の固定接点列の形成が可能となり、ボビン
の中心を支点として可動接点がその固定接点列上
を極めて容易に摺動できるので、小型で操作の簡
単な可変遅延線を実現することができる。
以上説明したように本発明の遅延線は、構造簡
単で、形状や導体線径等の設計上の自由度が大き
く、かつ超高速でしかも任意の遅延特性が得られ
るが、本発明はこれにとどまらず、次の大きい特
徴を有する。
単で、形状や導体線径等の設計上の自由度が大き
く、かつ超高速でしかも任意の遅延特性が得られ
るが、本発明はこれにとどまらず、次の大きい特
徴を有する。
遅延線の遅延特性を決定する結合係数がすべて
遅延線を構成する寸法の絶対値ではなく、寸法の
比で決定されるともに、遅延線を構成する寸法と
諸特性の関係が明快に得られる。すなわち、遅延
線を構成する諸寸法をすべて１／Ｓに比例して小
さくする（但、容量Ｃも１／Ｓの値にする）と、
特性インピーダンスは変らず、遅延時間と立上り
時間は１／Ｓ（−3dB通過帯域はＳ倍）に、取付
面積は１／S2に、体積は１／S3になる。
遅延線を構成する寸法の絶対値ではなく、寸法の
比で決定されるともに、遅延線を構成する寸法と
諸特性の関係が明快に得られる。すなわち、遅延
線を構成する諸寸法をすべて１／Ｓに比例して小
さくする（但、容量Ｃも１／Ｓの値にする）と、
特性インピーダンスは変らず、遅延時間と立上り
時間は１／Ｓ（−3dB通過帯域はＳ倍）に、取付
面積は１／S2に、体積は１／S3になる。
このことは、本発明の遅延線は微細化すること
により、飛躍的に高速化と高密度化が実現できる
ことを意味する。そして、本発明の遅延線に用い
るインダクタンス素子３は、非常に単純な構造を
有し微細加工に適するものである。例えば導線の
巻回のほか、アルミナ磁器等の非磁性ボビンの表
面にメツキ加工等によつて導体層を形成した後、
ボビン表面を機械的精密研削、フオトエツチング
もしくはレーザービーム加工等、従来知られた手
段によつて単層ソレノイド状のインダクタンス素
子を形成することも可能であり、導線等の導体の
断面形状も任意である。さらに容量素子７もイン
ダクタンス素子３の上に誘電体および電極を高速
スパツタリンング等で容易に形成することが可能
である。
により、飛躍的に高速化と高密度化が実現できる
ことを意味する。そして、本発明の遅延線に用い
るインダクタンス素子３は、非常に単純な構造を
有し微細加工に適するものである。例えば導線の
巻回のほか、アルミナ磁器等の非磁性ボビンの表
面にメツキ加工等によつて導体層を形成した後、
ボビン表面を機械的精密研削、フオトエツチング
もしくはレーザービーム加工等、従来知られた手
段によつて単層ソレノイド状のインダクタンス素
子を形成することも可能であり、導線等の導体の
断面形状も任意である。さらに容量素子７もイン
ダクタンス素子３の上に誘電体および電極を高速
スパツタリンング等で容易に形成することが可能
である。
また、本発明の遅延線は、非磁性ボビン上の導
体条に固定接点列を形成し、この上を可動接点を
摺動させるならば、超高速の可変遅延線が得られ
る。
体条に固定接点列を形成し、この上を可動接点を
摺動させるならば、超高速の可変遅延線が得られ
る。
以上説明したように本発明の遅延線は、導体を
複数ターン単層ソレノイド状にスペース巻きした
インダクタンス素子の各ターン毎にアースとの間
で容量を形成して複数区間を有する集中定数型遅
延線を構成し、そのインダクタンス素子を、導体
の巻線ピツチＰと半ターンピツチＢとが0.5＜
Ｂ／Ｐ＜2.2の範囲を満たすようにそのインダク
タンス素子の軸方向に傾けたので、インダクタン
ス素子における各ターン間の結合係数a1，a2の最
適値の選定が容易となり、広い周波数領域特に超
高周波帯においても立上りが速く、遅延特性の高
速化および構造の小型化・高密度化を図ることが
できる。
複数ターン単層ソレノイド状にスペース巻きした
インダクタンス素子の各ターン毎にアースとの間
で容量を形成して複数区間を有する集中定数型遅
延線を構成し、そのインダクタンス素子を、導体
の巻線ピツチＰと半ターンピツチＢとが0.5＜
Ｂ／Ｐ＜2.2の範囲を満たすようにそのインダク
タンス素子の軸方向に傾けたので、インダクタン
ス素子における各ターン間の結合係数a1，a2の最
適値の選定が容易となり、広い周波数領域特に超
高周波帯においても立上りが速く、遅延特性の高
速化および構造の小型化・高密度化を図ることが
できる。
第１図および第２図は本発明の遅延線を説明す
る概略図およびその等価回路図、第３図は第１図
に示すインダクタンス素子における導体間の結合
関係を説明する図、第４図はインダクタンス素子
における１ターンピツチＰと半ターンピツチＢの
比と結合係数a1，a2との関係を説明する特性図、
第５図および第６図は本発明の遅延線の実施例を
示す部分正面図および側面図、第７図は本発明の
インダクタンス素子に用いるボビンの実施例を示
す図、第８図は本発明の遅延線の他の実施例を示
す部分平面図および側面図である。 １……ボビン、２，２′……導体（導線、導体
条）、３……インダクタンス素子、７……容量素
子、Ｐ……１ターンピツチ、Ｂ……半ターンピツ
チ、a1，……，ａo……結合係数。
る概略図およびその等価回路図、第３図は第１図
に示すインダクタンス素子における導体間の結合
関係を説明する図、第４図はインダクタンス素子
における１ターンピツチＰと半ターンピツチＢの
比と結合係数a1，a2との関係を説明する特性図、
第５図および第６図は本発明の遅延線の実施例を
示す部分正面図および側面図、第７図は本発明の
インダクタンス素子に用いるボビンの実施例を示
す図、第８図は本発明の遅延線の他の実施例を示
す部分平面図および側面図である。 １……ボビン、２，２′……導体（導線、導体
条）、３……インダクタンス素子、７……容量素
子、Ｐ……１ターンピツチ、Ｂ……半ターンピツ
チ、a1，……，ａo……結合係数。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導体を複数ターン単層ソレノイド状にスペー
ス巻きしたインダクタンス素子の各ターン毎にア
ースとの間で容量を形成してなる複数区間を有す
る集中定数型遅延線において、 前記インダクタンス素子は、 前記導体の巻線ピツチＰと半ターンピツチＢと
が0.5＜Ｂ／Ｐ＜2.2の範囲を満たすように前記イ
ンダクタンス素子の軸方向に傾けて巻かれてなる
ことを特徴とする遅延線。 ２ インダクタンス素子の導体が、非磁性ボビン
に形成されてなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の遅延線。 ３ インダクタンス素子が、空心自立構成されて
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の遅延線。 ４ インダクタンス素子が、環状に形成されてな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項もしく
は第２項記載の遅延線。 ５ インダクタンス素子の導体がトロイダル状の
ボビンに形成されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の遅延線。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122629A JPS5913411A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 遅延線 |
| US06/513,493 US4507628A (en) | 1982-07-14 | 1983-07-13 | Delay line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122629A JPS5913411A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 遅延線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913411A JPS5913411A (ja) | 1984-01-24 |
| JPS6229925B2 true JPS6229925B2 (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=14840694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57122629A Granted JPS5913411A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 遅延線 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4507628A (ja) |
| JP (1) | JPS5913411A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59219002A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-10 | Elmec Corp | 電子制御可変遅延線の調整方法 |
| FI80346C (fi) * | 1983-07-07 | 1990-05-10 | Instrumentarium Oy | Rf-spolarrangemang vid nmr-undersoekningsapparatur. |
| US4758807A (en) * | 1984-12-18 | 1988-07-19 | Elmec Corporation | Distributed constant type electromagnetic delay line |
| JPS62274910A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Elmec Corp | 電磁遅延線 |
| US9425664B2 (en) * | 2012-05-09 | 2016-08-23 | Thingap, Llc | Composite stator for electromechanical power conversion |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB222187A (en) * | 1923-06-21 | 1924-09-22 | Submarine Signal Corp | Improvements in electric retardation lines |
| US4160962A (en) * | 1977-11-04 | 1979-07-10 | Sprague Electric Company | Dual section distributed parameter delay-line |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP57122629A patent/JPS5913411A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-13 US US06/513,493 patent/US4507628A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5913411A (ja) | 1984-01-24 |
| US4507628A (en) | 1985-03-26 |
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