JPS59133706A - 高周波電界にさらされて動作する基体部材表面の導電性被膜およびその形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の背景〉 この発明は、高周波導体のような高周波電界にさらされ
る導電体表面用の被膜に関するものであり、さらに詳し
く言えば、２次電子放射による干渉を防止するようにＣ
侍に電気的に調整された導電性波膜およびそのような被
膜の形成方法に関するものである。マイクロ波周波数用
の導波管、共振器、アンテナのような高い動作周波数用
の電気装置における２次電子の放射は高真空状態におい
ても干渉をおこすことが知られている。もし２次電子の
放射係数が１、以上であれば、電子の数は雪崩状に増加
し、いわゆる増倍放電が生じ、時には嵌送されるべきマ
イクロ波信号の好ましくない全反射に移行する。

２次電子放射によるこのような干渉は、マイクロ波導体
の表面に放射された２次電子を吸収する粗い金属層を形
成することによって抑制される。

しかし高振幅の高周波信号を使用した場合は、表皮効果
のだめに形成された粗い層が過熱されることにより、ま
た高い靜磁界が存在する場合は、それにより電子の吸収
が妨げられることにより、この技術は所望の効果を奏す
ることができない。同様な問題は、高い周波数の電界に
さらされる導電性表面、例えば核融合反応器のいわゆる
第１壁面あるいは粒子加速器の真空チャンネルの内面で
発生し、特に表面が排気されたあるいは希薄されたガス
を含んでいる室を形成している場合に上記の問題が生ず
る。

この発明の目的は、より高い高周波信号が大きな振幅を
もち、しかも高い静磁界の存在のもとでも、２次電子放
射による干渉を充分に抑制することができるように、高
い周波数の電界にさらされる表面に粗い表面被膜を形成
することにある。

〈発明の概要〉 この発明によれ１ｒｆ、高周波電界にさらされる表面の
被膜は、金属あるいは半導体材料で作られた層からなり
、粗表面または粗表面金属層を形成しその表皮効果によ
る浸透深さよシも相当に薄い厚みをもっている。この層
には、さらに高導電性の材料からなシ、高周波電界の動
作秤波数での表皮効果による浸透深さよりも相当に厚い
厚みをもった中間層が設けられている。この発明の・特
定の実施例では、中間層は銅、銀あるいは金を含み、表
皮効果による浸透深さの少なくとも２倍の深さをもって
い乙。さらに、中間層の酸化を防止するために、上記中
間層と粗表面局との間に表皮効果による浸透深さよりも
実質的に薄い保護層が設けられている。

この発明の被膜は、粗表面におけるオーム損失による過
熱の危険を伴なうことなく充分に粗い表面を形成してい
る。この被膜の好ましい実施例は、強い磁界の存在のも
とでも使用することができる。

く好ましい実施例の説明〉 図に示すこの発明の典型的な例において、１０は支持あ
るいは基体金属（例えば鉄あるいは非磁性鋼からなる）
からなる高周波導体の表面の一部を示している。高周波
導体は、空胴導波管共振器、あるいはアンテナ、高真空
電子管の電極でもよく、これら（ｄ特にマイクロ波周波
数（３ＸＩ０８Ｈｚあるいはそれ以上）の高周波で動作
させることを意図したものである。

基体部材は金属（鉄あるいはステンレスｍ）のような中
実の導電性材料でもよい。あるいはこの基体部材は、プ
ラスチックあるいはセラミックのような木質的に絶縁性
の材料の本体と、表面１０を形成する金属のような導電
性材料の被膜あるいはメッキ層とからなるものでもよい
。高周波導体の表面１０には後桟さらに詳細に述べるよ
うな特別なパラメータをもった粗表面層１２を含む導電
性被膜が形成されている。この実施例では粗表面層１２
は金属で作られているものと仮定されているが、他の適
当な材料につ４ては後桟説明する。この発明においては
、粗表面金属層１２と表面１０との間に高導電度の中間
層Ｉ６が、好ましくは上記表面１０とこの中間層１６と
の間の結合層１４によって形成されている。

中間層１６の厚みＤは、高周波導体の動作周波数におけ
る表皮効果による浸透深さの少なくとも２倍、好ましく
は少なくとも３倍よシも実質的に大である。表皮効果の
浸透深さは、角周波数、問題となっている材料の導電度
および透磁率の積によって除された２の平方根に等しい
ことはよく知られている。中間層１６は高導電度をもつ
べきで、例えば０　、０２ｘ’１０−’オームーｍ以下
の比抵抗であることが望ましい。適当な金属として例え
ば銅、銀、金があるが、さし当っては銅が好ましい。中
間層すなわち導電層１６は高周波電界によって誘導され
る渦電流の大部分を吸収すべきで、そのためその厚みは
問題となっている材料の表皮効果による浸透深さよりも
相当に犬である。

粗表面金属層■２および導電層１６の他にさらに他の層
を設けることが望ましい。特に上述の基体金属の表面１
０と導電層１６との間に例えばニッケルからなる薄い結
合層１４を設けるのが好ましい。さらに、導電層１６と
粗表面金属層１２との間に、粗金属層１２を形成する間
溝電層１６か酸化されるのを防止するだめの作用をもつ
薄い保護層２０を形成することが望ましい。

保護ｍ２０は木質的に無孔で且つ一様な厚みｄである必
要があシ、その厚みｄはその保護層２０の材料に対する
浸透深さがその層を通過するｄｊシも実質的に大となる
ように定められる必要がある。

具体的に言えば、Ｓ＝１．６・＄　＞　ａ　　である必
要がある。こ＼で、Ｓはミクロン（７１Ｉｍ　）で表わ
された表皮効果による浸透深さであり、アはオーム−鍋
で表わされた比抵抗であり、メは保護層の透磁率であ）
、ｆはギガヘルツ（ＧＨｚ）で表わされた定格動作周波
数である。保護層の厚みｄがこのような寸法に定められ
ていると、高周波誘導渦電流は下側の導電層１６に実際
上妨げられることなく浸透することができる。

、このような特性をもった好ましい材料の層の例として
リンの含有率が８．５重量パーセント以上のニッケルー
リン合金がある。リンの含有率がこのような大きさであ
るときニッケルの比抵抗を著しく増大させ、ニッケルの
強磁性を消滅させることができる。非磁性体保護層２ｏ
の導電度は１ｏ　’５アンペア／ポル）　−ｃｍ　（Ａ
／Ｖ−ｔｙｎ　）以下であることが望ましく、その厚み
は例えば約１μｍである。

保護層２０として適当な材料は、強磁性を抑制するため
に、ｐＸ　Ａｓ、Ｓｂ、、Ｂｉのような周期率表のＶ族
の元素、あるいはＳｉＸ　ＧｅＸ　ＳｎＸ　Ｐｂのよう
、な周期率表の■族の元素、あるいはアルミニウムを含
有する遷移金属Ｍｎ　、　　Ｆｅ　％　Ｎｉ　、Ｃｏの
合金である。これらの材料は適当な電解液中に浸漬され
、電気化学手段によって遷移金属合金中に組み入れられ
る。

最後に、特に導電層１６が全以外の材料からなる場合は
、例えば０．２ミクロンの厚みの例えば金の層からなる
非常に薄い中間層１７を層１６と２０との１間に形成し
、層２ｏが形成されるまで下地層１６を保ｉ護するのが
望ましい。金層１７は層１６の形成後直ち１に〜形成す
べきである。ｊ粗表面金属層１２ｊｄ、例えばＡｇ、Ｒ
ｈＸ　Ｐｄ、ＩｒＸ　Ｐｔあるいはこれらの合金のよう
な全以外の貴金属から択一的に選ばれたものかＶＩａ族
、さらにＭｎＸＦｅＸ　Ｃｏ、Ｎｉ、、これらの合金、
ＢＸ　Ｃ，Ｓｉ、’Ｎのような元素からなる半導体化合
物、さらに寸だ炭化珪素、炭化はう素、窒化はう素、珪
化はう素の群からなる金属も有効である。層１２はこれ
らの金属の基盤と、他の超硬合金および／まだは前述の
化合物の組込まれた粒子とからなっている。粗表面金属
層Ｉ２の深さｔとピッチｂの徂面比ばｌ：２あるいはそ
れ以上であることが望ましく、ピッチｂは２次電子の磁
気回転半径よりも小であるべきである。粗表面金属層の
厚さ、ｔと保ａ　層２０（もし存在すれｉｒｆこれと層
１７の厚みの和）の厚みｄは、動作周波数での表皮効果
による浸透の総合深さの−よりも大きくないことが望才
しい。

この発明の被１ｇ　（ｒｉ次のようにして形成される。

先づはしめに基体金属の表面ＩＯを結合層１４を形成す
るためにガルバニック（電食）法で通常行なわれるよう
に適当に予め処理、特に脱脂し希薄酸水で洗浄する。次
いで例えばニッケルの薄い結合層１４を例えばメッキに
よって形成し、基体金属に導電層１６が適正に結合する
ようにする。次いで、例えば電気メツキ法によって結合
層Ｉ４に導電層１６を形成する。これに引続いて直ちに
層１６上に薄い金の層１７を形成することが望ましい。

電気化学還元法によって導電層１６あるいは金の層１７
上に一様な厚みの孔の無い薄い保護層２ｏを形成する。

８．５重量・ぐ−セント以上のリンを含有する前述の好
ましいニッケル−リン合金を保護層の材料として使用す
るときには、次の表１に示されるような水成の電解液が
使用される。

表　　！　　ｃｙ／ｉ−グラム／リットル）塩化ニッケ
ル（Ｎ　ｉＣｌ　２・６Ｈ２０）　　２’７〜子５　ｙ
／を非出アンモニウム　　　　　　２５〜２’７９７１
酢酸ナトリウム　　　　　　　　５〜１２　ｙ／ｅクエ
ン酸　　　　　　　　　　１８〜２３　ｙ／ｚ次亜リン
酸ナトリウム　　　　　６〜９　ｙ／ｉＰＨ３，５〜４
．６ ニツケル一リン合金の電気化学的被着ｔｔ”ｒ−約８０
°Ｃ乃至９５°Ｃの範囲内の温度で実行されるのが好ま
しい。

ニッケルの代りに、あるいはニッケルに加えてＣｒ、　
　Ｍｒ＋１Ｆｅ、　　Ｃｏのような他の遷移金属を使用
することもできる。リンの塩の代シに、あるいはもし望
ましいならばそれに加えて■族（Ａｓ、、５ＪＢｉ）、
■族（ＣＸＳｉ、　Ｇｅ、、　Ｓｎ、’Ｐｂ　）、ある
いは■族（Ｊ　　ＡＬ、ＸＧａ、　　Ｉｎ、　Ｔｅ　）
、あるいはまたＶｌＣｒｌ　ＴｉＸ　Ｍｏ等の金属を、
化学反・芯による上記元素の組込みによって例えばニッ
ケル基体の強磁性を抑制するために使用することができ
る。

これらの金属は、難溶融性粒子あるいは半導電性粒子を
含む、あるいはこれらの材料から々る上記の層１２を形
成するためにも使用される。

最後に粗表面層１２が、導電層１６を保護する保護層２
０上に形成される。必要とする程度の粗さを得るために
、形成される金属の被着の速さは、表面に沿う対象とな
る金属の２元拡散速さよりも実質的に速くなければなら
ず、それによって大きな結晶の規貝１１正しい（エピタ
キシャル）成長するのを防止する必要があ′る。これは
電極を使用せずに統計学的に分布された局部素子の強い
電界中に浸すことによって金を電気化学的に被着させる
ことによって行なわれる。この強い電界は、多くは浸食
の進行中に基体蚕属と既に被着ｆれた結晶の種との間の
電気化学的電位差によって形成される。被着を行なうに
は、例えば、上述のようにして予め被覆された導体を、
約ｏ、１乃至０．３重量パーセントの塩化金（ＩＩＩ）
酸、ＨＣＡｕＧ１４３　・４Ｈ２０、ＰＨが約２．５乃
至４．５の電解液に約２０℃乃至６０℃の温度で約１０
分九至１００分間浸漬する。塩ｒヒ金（［ｎ）酸の代り
に例えば銀、レニウム、パラジウム、イリジウム、白金
等の貴金属の酸を使用することもでき、これらの金属は
電気メッキ、特に白金の財はより大きな電流密度で電気
メッキすることにより電解液から粗表面金属層として被
着される。

白金は、例えば２．５乃至３．５重量パーセントの塩化
白金と、０．２乃至ｏ、４ｙ／ｚの酢酸鉛とを含む水成
電解溶液より約０．１乃至０，３　ｈ／ｃｉの電流密度
、約２０°Ｃの温度で、約１０乃至２５秒で被着される
。粗表面金属層を形成する他の方法は、０．０５乃至○
、ｌＥ’ｌＪバールの圧力の不活性ガス雰囲気中で陰極
スパッタによる高度の異常グロー放電による蒸着、およ
び加速されたパン　アルケル（Ｖａｎ　Ａｒｋｅｌ　）
法によシ気相からの化学的成長を含んでいる。

超硬半導体もまた、粗表面金属層１２用の材料として、
■ａ族乃至Ｖｉａ族金属のほう素、炭素、珪素あるいは
窒素との化学物として、および炭化珪素、炭化はう素、
窒化はう素、珪化はう素との化合物として有効である。

これらの材料からなる祖表面金ＦＡ　層は、例えばノλ
ロゲン化物および水素化物のよう々ガス状あるいは気化
した化合物から彦り、反応によって所望の粗表面層物質
を生成する雰囲気からの異成分触媒作用あるいは化学蒸
着によって生成される。この目的で使用されるガス状［
ヒ物の適当な混合物の例は、■ａ族乃至■ａ族の金属の
化合物、特にそれらの／ＸＯグン化物、水素化物として
のほう素、炭素、珪素および窒化物のうちの１つの化合
物からなっている。この混合物はまだエピタキシャル結
晶成長を妨げあるいは防止し、所望の祖７状態が確実に
得・られるＣＯ２，３０２、あるいはＨ２Ｓのような添
加ガスを含むものでもよい。導電層および保護層からな
る基体を充分に高い温度に加熱することにより、これら
の雰囲気から粗表面金属層が形成され、被着される。さ
らに、被着率を速めるだめに雰囲気中でガス放〜電を発
生させてもよい。

例えば、半導電性の炭化チタンからなる適当な粗表面層
は、異成分触媒作用あるいは化学的蒸気被着法によって
形成され、この場合は粗表面層が形成される物体は約８
００’Ｃ乃至１０００°Ｃの温度に加熱され、且つ木質
的にメタン（ＣＨ４）あるいは他のガスあるいは気化し
た炭化水素と四塩化チタン（ＴｉＣ１４）との化学量論
的混合物からなる大気圧の雰囲気にさらされる。混合物
は、何ミリバールかの部分圧をもった上述の形式の添加
ガスからなることが望ましい。

低温で実施することのできる上述の方法の変形例は、被
覆されるべき物体を排気された真空の容器中に配置し、
次いでメタン（あるいは他の炭化水素ガスあるいは蒸気
）と四塩化チタンとの化学量論的混合物で約１ｏ−２ミ
ｌノバール乃至約数ミリバールの圧力に満たす工程から
なっている。上記の形式の添加ガスは局部圧で約１０　
　乃至１０−５ミリバール含まれていることが望ましい
。被覆されるべき物体は約２００°Ｃの温度に加熱され
、真空容器中に設けられた陽極と、陰極として接続され
た被覆されるべき物体との間でグロー放電を発生させる
。

物体の温度を上げることとグロー放電とを組合わせるこ
とによシ、被覆されるべき表面において炭化水素と四塩
化チタンとの間の化学的反応が促進され、それによって
表面上に所望の粗表面層の形で炭化チタンが成長する。

次に述べる超硬半導体炭化珪素、炭化はう素、窒化はう
素、珪化はう素、Ｖ族乃至■族の金属およびＢ　Ｎ　　
Ｃ−、Ｓ　ｌ　、Ｎからなる化合物のいずれかの′阻喪
面金を形成するだめの別の方法は、電圧が約３０■、電
流密度が１００乃至５ｏｏａ／ｙで電解と電気泳動の組
合せにより、ＭｎＸ　Ｆｅ、　旧、ＣＯあるいはＣｒの
電解液中の：賢濁から保護層２０上に上記の金属あるい
は化合物を被着させることからなる。あるいは上記の粒
子をＭｎ　Ｎ　　Ｆ　ｅ　Ｎ　Ｎ−Ｌ、ＧｏあるいはＣ
ｒの化学反応により被着と同時に形成することもできる
。粒子の寸法は１ミクロンかそれ以下であることか望ま
しい。このような懸濁液の代表的な濃度は１リットル当
り約０．５乃至１．０に９である。

超硬且つ機械的に最も強い材料の粗表面金属層を使用す
ることにより、その被膜が高い温度負荷を受ける場合、
および核融合反応炉のいわゆる第１壁面、低温では粒子
加速器の電極のように粒子によ′る衝撃のような他のス
トレスを受ける場合に特に有効である。

通常、粗表面金属層の内部から約２ｅＶの平均放射エネ
ルギでもって放出される２次電子の大部分を捕獲するだ
めに、深さｔとピッチｂの粗面率は約ｌ：２に等しいか
、あるいはそれ以上となるように工程のパラメータをｉ
制御する必要がある。２次電子の捕獲が強い磁界の存在
下でも確実に行なわれるならば、ピッチｂを平均放射エ
ネルギにおける２次電子の磁−気回転半径よりも小さく
する必要がある。上に特定した平均放出エネルギの場合
、磁気回転半径Ｖ（ミクロン）は約３　、４／Ｂである
。

こ＼でＢはテスラス（Ｖｓｍ−２）で表わした磁界強度
である。

導波管、アンテナ等の一部である導体表面に上述のよう
な方法で多層被膜が形成された後、不活性ガス中あるい
は高真空のもとて例えば数時間３５０’Ｃ乃至６００°
Ｃで最終加熱処理を施こして、内部金属拡散による層か
ら層への遷移を強化することが望ましい。これによって
高周波信号によって発生される熱および渦電流の変移が
滑らかに行なわれる。

最後に被膜をスポット・ノッキングによって安定化させ
ると有効である。これを行なう簡単な方法は、導体を最
初に動作状態に置くときに、直ちに短期間の熱電子放出
に移行する電子の電界放射が粗表面金属層の異常に高い
ピークあるいはゆるんだ結晶の部分で生ずるような高電
圧の短かい高周波パルスを何個か（例えば５０個）印加
することによって行なわれる。

この発明による被膜の好ましい実施例は次のようなパラ
メータをもっている。

基体金属１０　　　オーステナイト・スチール結合層１
４　　　　　厚みが約０．１乃至０．３ミクロンのニッ
ケル 導電層１６　　　　　　厚みＤ＝１０〜１５ミクロンの
銅金属１７　　　　　　　約０．２ミクロン保護層２０
　　　　　　厚みｄ＝０．８〜１．３ミクロンの、ニッ
ケルと９乃至１２ 重量パーセントのリンと の合金 粗金属層１２　　　　　平均、阻面ピッチｂ＝ｏ、ｓ〜
１．３ミクロン、平均深さ ｔ＝ｌ、５〜３　ミクロンの金 許容磁界　Ｏ〜３テスラス（３０キロガウス）動作周波
数範囲　０．５〜５　ＧＨｚ この周波数範囲における矩形導波管の許容通過出力は、
５秒のパルス幅１．ｏ　５ミリバールの内部残留ガス雰
囲気圧で０．３乃至３メガワツト、上述の特定例の被膜
を使用し、１０：リン〈−ルのＨ２の残留ガス圧で測定
した平均２次放射係数（２次電子の数に対する１次電子
の数）は大路次の表２に示す値をもっている。

【図面の簡単な説明】

図はこの発明による高周波導体用に形成される被膜の好
ましい実施例の拡大された概略断面を示す図である。 １０・・・基体表面、１２・・・粗表面金属層、■４・
・・結合層、１６・・・中間層、１７・・・金層、２ｏ
・・・保護層。 ビラセンシャツテン　ニー　ファウ 代理人　清水　哲　ほか２名

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （＋ｌ　　表皮効果による浸透深さよりも薄い粗表面層
   と、該粗表面層と基体の表面との間に形成された別の層
   とからなシ、この別の層は高導電性材料からなり且つ高
   周波における表皮効果による浸透深さよりも相当に大き
   な厚みをもっている、２次電子放射による干渉を防止す
   るために高周波にさらされて動作する基体部材表面の導
   電性被膜。 （２）別の層は、銅、銀、金からなる群から選ばれた高
   導電度の金属を含む特許請求の範囲第１項記載の基体部
   材表面の導電性被膜。 ゛（３）別の層の厚みは表皮効果による浸透深さの少な
   くとも２倍である特許請求の範囲第１項記載の基体部材
   表面の導電性被膜。 （４）　　高導電度の中間層（別の層）と粗表面層との
   間に保護層を含む特許請求の範囲第１項記載の基体部材
   表面の導電性被膜。 （５）保護層の材料および厚みは、表皮効果による浸透
   深さが上記保護層の厚みよりも実質的に大となるように
   選択されている特許請求の範囲第４項記載の基体部材表
   面の導電性被膜。 （６）保護層と粗表面金属層の厚みの和は、導電体の動
   作周波数における２層の組合せの表皮効果による浸透深
   さの５分の１以下である特許請求の範囲第４項記載の基
   体部材表面の導電性被膜。 （７）、阻表面金属層の深さとピッチとの粗面率は少な
   くとも】：２である特許請求の範囲第１項記載の基体部
   材表面の導電性被膜。 （８）粗表面層の粗面ピンチは、導波管の被覆された表
   面がさらされる磁界の存在のもとて２次電子の磁気回転
   半径よりも小さい特許請求の範囲第１項記載の基体部材
   表面の導電性被膜。 （９）保護層は、遷移金属（Ｍｎ、　　Ｆｅ、　ＮｉＸ
   Ｃｏ　）のうちの少なくとも１種と、Ｖ族の元素（ＰＸ
   Ａｓ、ＳｂＸ　Ｂｉ）、■族元素（ＣＸ　５ｉＸＧｅＸ
   　Ｓｎ、、Ｐｂ）、■族元素（Ｂ、ＡＩ、ＩｎＸＧａ、
   Ｔｅ）のうちの少なくとも１種あるいはＶ、Ｃｒ、Ｔｉ
   Ｘ　Ｍｏの金属のうちの１種との合金からなる特許請求
   の範囲第１項記載の基体部材表面の導電性被膜。 （１０）粗表面層は、Ａｇ’、、　　ＡｕＸＲｈ、　Ｐ
   ｄ、　　Ｉｒ、　Ｐｔ、周期律表の■族、Ｖ族、■族、
   Ｍｎ　、　Ｆｅ　ＸＮｉ　ＸＣ。 からなる金属、これらの合金、炭化珪素、炭化はゞう素
   、窒化はう素、ＢＸ　ＣＸ５ｉＸ　Ｎを含む半導体から
   なる群から選ばれた少なくとも１つの物質を含む特許請
   求の範囲第１項記載の基゛体部材表面の導電性被膜。 （１１）　　中間層は銅からなり、保護層はリンを８．
   ５重量パーセント以上含有するニッケルとリンの合金か
   らなり、粗表面金属層は金からなる特許請求の範囲第１
   項記載の基体部材表面の導電性被膜。 （１２）　　中間層と保護層との間に薄い金の層が挿入
   された特許請求の範囲第４項記載の基体部材表面の導電
   性被膜。 （１３）導電体上に導電性の中間層を形成する工程と、
   上記導電性の中間層上に、少なくとも１つの遷移金属と
   、周期律表の■族乃至Ｖ族の元素の塩とからなる電解液
   から化学反応によって保護層を被着する工程と、該保護
   層上に粗表面金属層を形成する工程とからなる導電体中
   の２次電子放射による干渉を防止するだめの基体部材表
   面の導電性被膜の形成方法。 （１４）　　ＶＸ　ＣｒＸ　ＴｉあるいはＭＯからなる
   元素のうちの少なくとも１つが、保護層中に強磁性を減
   少させるためにさらに組込れられている特許請求の範囲
   第１３項記載の基体部材表面の導電性被膜の形成方法。 （１５）保護層は、１リットル当り２７乃至３５グラム
   の塩化ニッケル、２５乃至２７グラムの弗化アンモニウ
   ム、５乃至１２グラムの酢酸ナトリウム、１８乃至２３
   グラムのクエン酸、６乃至９グラムの次亜リン酸ナトリ
   ウム、ＰＨ値が３．５乃至４，６の水成電解液によって
   生成される特許請求の範囲第１３項記載の基体部（才表
   面の導電性被膜の形成方法。 （１Ｇ）粗表面金属層は貴金属の酸溶液中の浸漬によっ
   て形成される特許請求の範囲第１３項記載の基体部材表
   面の導電性被膜の形成方法。 （１７）粗表面層は、貴金属の電解液から高電流密度で
   の電気分解によシ形成される特許請求の範囲第１３項記
   載の基体部材表面の導電性被膜の形成不法。′（１８）
   粗表面金属層は、約２．５乃至３．５重量ノ＋−セント
   の塩化白金および１リットル当シ約０．２乃至０．４グ
   ラムの酢酸鉛を含む水成電解液で、約０．１乃至０．３
   　Ａ／ｄの電流密度、約２０°Ｃの温度で、約１０乃至
   ２５秒間行なわれる電気分解によって彰威３】れ゛　る
   特許請求の範囲第１３項記載の基体部材表面の導電性被
   膜の形成方法。 （１９）粗表面金属層は加速されたパン　アルケルＶａ
   ｎ　Ａｒｋｅｌ　）処理によって形成されることを特徴
   とする特許請求の範囲第１３項記載の基体部材表面の導
   電性被膜の形成方法。　　　　− （２０）粗表面金属層は、周期律表の■族乃至■族の少
   なくとも１種の金属の気化された化合物と、はう素、炭
   素、珪素、窒素からなる群から選ばれた少なくとも１つ
   の成分の気化された化合物との混合物からなるガス状雰
   囲気からの化学的蒸着によって生成され、被覆されるべ
   き表面を含む基体を加熱する工程を含−む特許請求の範
   囲第１３項記載の基体部材表面の導電性被膜の形成方法
   。 Ｉ２υ　炭化珪素、炭化はう素、窒化はう素、珪化はう
   素からなる群の少なくとも１種の粒状物質と、■族乃至
   ■族の金属とＪ　ＣＸＳｉ，Ｎとからなる耐火性半導体
   化合物とを含む粗表面層は、Ｍｒ＋，Ｆｅ、Ｎｉ，　Ｃ
   ｏあるいはＣｒの電解液を用いたこれらの物質のいずれ
   かの１ｖ濁液から保護層上に形成される基体部材表面の
   導電性被膜の形成方法。 Ｃの　　粒状物質の被着はＭｎ，　Ｆｅ，　Ｎｉ、Ｃｏ
   あるいはＣｒからなる金属のｌ　’ｌと共に電解と電気
   泳動との組合わせによって行なわれる特許請求の範囲第
   ２１項記載の基体部材表面の導電性被膜の形成方法。 （ハ）懸濁粒子は、化学反応による被着と同時にＭｎ、
   ＦｅＸＮｉ，ＣｏあるいはＣｒの金属のいずれかに組込
   れられる特許請求の範囲第２１項または第２２項記載の
   基体部材表面の導電性被膜の形成方法。 例　上記混合物はエピタキシャル結晶成長を阻止する添
   加ガスを含む特許請求の範囲第２０項記載の基体部材表
   面の導電性被膜の形成方法。 （ハ）上記混合物中で電気的なガス放電を発生させる工
   程を含む特許請求の範囲第２０項記載の基体部材表面の
   導電性被膜の形成方法。 ＠　隈終被膜は、反応性ガスの存在しない雰囲気中で数
   時間、約３５０乃至６００’（：の範囲の温度で加熱処
   理を受ける特許請求の範囲第１３項記載の基体部材表面
   の導電性被膜の形成方法。 （ハ）被膜をスポット・ノンキング処理する工程を含む
   特許請求の範囲第１３項または第２０項記載の基体部材
   表面の導電性被膜の形成方法。