JPS59131B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59131B2 JPS59131B2 JP53114441A JP11444178A JPS59131B2 JP S59131 B2 JPS59131 B2 JP S59131B2 JP 53114441 A JP53114441 A JP 53114441A JP 11444178 A JP11444178 A JP 11444178A JP S59131 B2 JPS59131 B2 JP S59131B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- barrier
- wiring layer
- barrier metal
- metal wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、改良された薄膜構造の高融点金属層を設けた
半導体装置に関するものである。
半導体装置に関するものである。
従来、半導体装置を構成する半導体基体と金属配線層と
の間、或いは、金属配線層と電極（通常バンプと称する
。
の間、或いは、金属配線層と電極（通常バンプと称する
。
）との間には、チタン、クロム、タングステン、モリブ
デン等の高融点金属からなる金属層（以下、バリアーメ
タルと記す。）を設けている。これは、バリアーメタル
には、半導体装置の製造時における通常の熱処理温度で
ある５００℃前後でもアルミニウムや金等の金属と容易
に合金化反応又は界面反応を起さない性質があるので、
例えば、シリコンからなる半導体基体とアルミニウムか
らなる金属配線層とが熱処理時にアルミニウム／シリコ
ン界面反応を形成するのを阻止して、半導体基体と金属
配線層間における接合短絡の発生を防止することができ
るからである。或いは、アルミニウム金属配線層と金か
らなる電極（金バンプ）とが熱処理時に合金化してもろ
い高抵抗層を形成するのを阻止して半導体装置の特性不
良の発生を防止することができるからである。このバリ
アーメタルを用いた半導体装置の性能及び安定性を更に
向上させるために、例えば蒸着金属に直接電子線照射を
施してこれを蒸着させることにより、高純度の蒸着を行
うことができるＥ−ｇｕｎ法を用いて高純度バリアーメ
タルの蒸着が行われている。しかしながら、バリアーメ
タルの高純度化を図るとバリアー効果が低下する現象が
発生するが、その原因は全く解明されていない。このた
め、高純度のバリアーメタルの蒸着を行つてもバリアー
効果が低下せずに、優れた電気特性を有する半導体装置
の開発が強く要望されている。本発明者は、かかる点に
鑑み種々の研究の結果、高純度バリアーメタルの蒸着を
行つた場合にバリアー効果が著しく低下するのは、被着
された薄膜のバリアーメタル自体の純度が高いことと、
蒸着時のバリアーメタル粒子（原子）の持つエネルギー
が大きいために、熱処理時にバリアーメタル粒子の粒成
長と粒界移動が生じて、一方の被着面の金属が粒成長し
たバリアーメタルの粒界移動に伴ってバリアーメタルの
表面に拡散・析出を起こし、他方の被着金属と合金化す
るために生じることを究明し、酸素を添加した高純度で
しかも高いバリアー効果を有するバリアーメタルを用い
て、高性能で安定性に優れた半導体装置を提供するもの
である。即ち、本発明は、少なくとも半導体基体の露出
部に酸素を添加した高純度の高融点金属からなる第１金
属層を介して低融点の金属配線層を被着し、この金属配
線層に酸素を添加した高純度の高融点金属からなる第２
金属層を介して電極を被着してなる優れた電気特性を有
する半導体装置を提供するものである。
デン等の高融点金属からなる金属層（以下、バリアーメ
タルと記す。）を設けている。これは、バリアーメタル
には、半導体装置の製造時における通常の熱処理温度で
ある５００℃前後でもアルミニウムや金等の金属と容易
に合金化反応又は界面反応を起さない性質があるので、
例えば、シリコンからなる半導体基体とアルミニウムか
らなる金属配線層とが熱処理時にアルミニウム／シリコ
ン界面反応を形成するのを阻止して、半導体基体と金属
配線層間における接合短絡の発生を防止することができ
るからである。或いは、アルミニウム金属配線層と金か
らなる電極（金バンプ）とが熱処理時に合金化してもろ
い高抵抗層を形成するのを阻止して半導体装置の特性不
良の発生を防止することができるからである。このバリ
アーメタルを用いた半導体装置の性能及び安定性を更に
向上させるために、例えば蒸着金属に直接電子線照射を
施してこれを蒸着させることにより、高純度の蒸着を行
うことができるＥ−ｇｕｎ法を用いて高純度バリアーメ
タルの蒸着が行われている。しかしながら、バリアーメ
タルの高純度化を図るとバリアー効果が低下する現象が
発生するが、その原因は全く解明されていない。このた
め、高純度のバリアーメタルの蒸着を行つてもバリアー
効果が低下せずに、優れた電気特性を有する半導体装置
の開発が強く要望されている。本発明者は、かかる点に
鑑み種々の研究の結果、高純度バリアーメタルの蒸着を
行つた場合にバリアー効果が著しく低下するのは、被着
された薄膜のバリアーメタル自体の純度が高いことと、
蒸着時のバリアーメタル粒子（原子）の持つエネルギー
が大きいために、熱処理時にバリアーメタル粒子の粒成
長と粒界移動が生じて、一方の被着面の金属が粒成長し
たバリアーメタルの粒界移動に伴ってバリアーメタルの
表面に拡散・析出を起こし、他方の被着金属と合金化す
るために生じることを究明し、酸素を添加した高純度で
しかも高いバリアー効果を有するバリアーメタルを用い
て、高性能で安定性に優れた半導体装置を提供するもの
である。即ち、本発明は、少なくとも半導体基体の露出
部に酸素を添加した高純度の高融点金属からなる第１金
属層を介して低融点の金属配線層を被着し、この金属配
線層に酸素を添加した高純度の高融点金属からなる第２
金属層を介して電極を被着してなる優れた電気特性を有
する半導体装置を提供するものである。
ここで、本発明の対象とする高純度の高融点金属からな
る第１金属層及び第２金属層（バリアーメタル）とは、
５００℃前後の温度下においてアルミニウムや金などの
金属と合金化しないチタン、クロム、タングステン、モ
リブデン等の金属元素からなるものである。
る第１金属層及び第２金属層（バリアーメタル）とは、
５００℃前後の温度下においてアルミニウムや金などの
金属と合金化しないチタン、クロム、タングステン、モ
リブデン等の金属元素からなるものである。
また、本発明は、酸素を添加した高融点からなる金属層
を半導体基体と、金属配線層間に設けたもの、或いは、
金属配線層と電極間に設けたもの、更には、半導体基体
と金属配線層間及び金属配線層と電極間に設けたもの等
を包含するものである。
を半導体基体と、金属配線層間に設けたもの、或いは、
金属配線層と電極間に設けたもの、更には、半導体基体
と金属配線層間及び金属配線層と電極間に設けたもの等
を包含するものである。
また、バリアーメタルに酸素を添加する理由は、一般に
高純度物質中における他の物質の拡散・析出を防止する
には、結晶学的観点から高純度物質中に不純物を添加す
るという技術手段に基づくものであるが、特に、バリア
ーメタルへの微量の酸素添加では、バリアーメタルの電
気抵抗を小さく保つて導電性を向上させながら、半導体
基体中への拡散率を小さくして半導体装置の電気特性を
向上させ、且つ、バリアーメタルの粒成長と粒界移動を
抑制することができることに基づくものである。これに
対して、酸素以外の例えば金などを添加した場合には、
添加金属と金属配線層あるいは、半導体基体との相互反
応に起因する半導体装置の電気特性の低下が生じると共
に、バリアー効果も低下する。また、このバリアーメタ
ル中に添加する酸素の量としては、１０Ｐ戸〜１０００
ＰＰＩ１未満の範囲内で適宜選択するのが望ましい。
高純度物質中における他の物質の拡散・析出を防止する
には、結晶学的観点から高純度物質中に不純物を添加す
るという技術手段に基づくものであるが、特に、バリア
ーメタルへの微量の酸素添加では、バリアーメタルの電
気抵抗を小さく保つて導電性を向上させながら、半導体
基体中への拡散率を小さくして半導体装置の電気特性を
向上させ、且つ、バリアーメタルの粒成長と粒界移動を
抑制することができることに基づくものである。これに
対して、酸素以外の例えば金などを添加した場合には、
添加金属と金属配線層あるいは、半導体基体との相互反
応に起因する半導体装置の電気特性の低下が生じると共
に、バリアー効果も低下する。また、このバリアーメタ
ル中に添加する酸素の量としては、１０Ｐ戸〜１０００
ＰＰＩ１未満の範囲内で適宜選択するのが望ましい。
酸素の添加量が１０匹に満ない場合には、バリアーメタ
ルと被着金属間で発生する粒界移動を防止する効果が得
られない。また、１０００鬼を越える場合には、蒸着時
に蒸発物質の表面に酸化物が堆積して不連続に昇華（又
は蒸発）するため、マクロな酸化物の粒が点在するよう
になる。この酸化物はバリアーメタル中の純金属と相が
異なるため、酸化物粒が成長すると酸化物粒／純金属の
境界面にワレを生じバリアー効果がなくなる。更に、酸
化物は純メタルに比べてもろいため、酸化物が多く生成
するとバリアーメタル層自体がもろくなるので、特に外
力が加わりやすい電極部には使用できなくなる。また、
この微量の酸素を含有したバリアーメタルを被着面に形
成する方法としては、導電性の半導体基体と金属配線層
間のバリアーメタル被着部及び金属配線層と電極間のバ
リアーメタル被着部に常時所定量の酸素を供給しながら
バリアーメタルの蒸着を行う方法、或いは、予め高純度
のバリアーメタルに所望量の酸素を添加して高純度バリ
アーメタル酸化物を形成しておき、これを前記被着部に
蒸着形成する方法など何れのものでも良い。また、本発
明の対象とするバリアーメタルは、５００℃前後の温度
下でもアルミニウムや金など金属と合金化しないチタン
、クロム、タングステン、モリブデン等である。以下、
本発明に係る実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
ルと被着金属間で発生する粒界移動を防止する効果が得
られない。また、１０００鬼を越える場合には、蒸着時
に蒸発物質の表面に酸化物が堆積して不連続に昇華（又
は蒸発）するため、マクロな酸化物の粒が点在するよう
になる。この酸化物はバリアーメタル中の純金属と相が
異なるため、酸化物粒が成長すると酸化物粒／純金属の
境界面にワレを生じバリアー効果がなくなる。更に、酸
化物は純メタルに比べてもろいため、酸化物が多く生成
するとバリアーメタル層自体がもろくなるので、特に外
力が加わりやすい電極部には使用できなくなる。また、
この微量の酸素を含有したバリアーメタルを被着面に形
成する方法としては、導電性の半導体基体と金属配線層
間のバリアーメタル被着部及び金属配線層と電極間のバ
リアーメタル被着部に常時所定量の酸素を供給しながら
バリアーメタルの蒸着を行う方法、或いは、予め高純度
のバリアーメタルに所望量の酸素を添加して高純度バリ
アーメタル酸化物を形成しておき、これを前記被着部に
蒸着形成する方法など何れのものでも良い。また、本発
明の対象とするバリアーメタルは、５００℃前後の温度
下でもアルミニウムや金など金属と合金化しないチタン
、クロム、タングステン、モリブデン等である。以下、
本発明に係る実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
第１図は、本発明に係る一実施例の半導体装置の要部を
示す断面図であり、この半導体装置は、次の如くして得
られたものである。
示す断面図であり、この半導体装置は、次の如くして得
られたものである。
まず、深さ０．５μの接合を設けたシリコン基体１の表
面に形成された絶縁膜２に、電極部のコンタクト孔を設
ける。次いで、シリコン基体１の電極部に、予めクロム
を微粉末化して表面積を極めて大きくし、空気中に放置
して酸化膜を形成させたバリアーメタル３をＥ−Ｇｕｎ
法によつて蒸着して第１金属層を形成した後、このバリ
アーメタル３の上面から電極部近傍の前記絶縁膜２の上
面にかけて厚さ約１μのアルミニウムからなる金属配線
層４を蒸着形成して約４５０℃の温度下で２０分間熱処
理した。ここで、シリコン基体１の電極部に蒸着したバ
リアーメタル３中の酸素濃度を測定したところ、その値
は１５０ｐＩＩｎであつた。
面に形成された絶縁膜２に、電極部のコンタクト孔を設
ける。次いで、シリコン基体１の電極部に、予めクロム
を微粉末化して表面積を極めて大きくし、空気中に放置
して酸化膜を形成させたバリアーメタル３をＥ−Ｇｕｎ
法によつて蒸着して第１金属層を形成した後、このバリ
アーメタル３の上面から電極部近傍の前記絶縁膜２の上
面にかけて厚さ約１μのアルミニウムからなる金属配線
層４を蒸着形成して約４５０℃の温度下で２０分間熱処
理した。ここで、シリコン基体１の電極部に蒸着したバ
リアーメタル３中の酸素濃度を測定したところ、その値
は１５０ｐＩＩｎであつた。
また、熱処理前後におけるバリアーメタル３中へのアル
ミニウムの析出状態を走査電子顕微鏡で調べてその時の
写真撮映を行つた。（第２図及び第３図参照）次に、ア
ルミニウムからなる金属配線層４の表面に電極５と接続
するためのコンタクト孔を穿設して金属配線層４及びシ
リコン基体１の表面に形成された絶縁膜２の表面に、Ｃ
・・Ｄ法（Ｃｈｅｍｉ一ＣａｌＶａｐＯｒＤｅｐＯｓｉ
ｔｉＯｎ）によつて厚さ１．５μのリンケイ酸化ガラス
（ＰＳＧ）絶縁保護被膜６を被着した。
ミニウムの析出状態を走査電子顕微鏡で調べてその時の
写真撮映を行つた。（第２図及び第３図参照）次に、ア
ルミニウムからなる金属配線層４の表面に電極５と接続
するためのコンタクト孔を穿設して金属配線層４及びシ
リコン基体１の表面に形成された絶縁膜２の表面に、Ｃ
・・Ｄ法（Ｃｈｅｍｉ一ＣａｌＶａｐＯｒＤｅｐＯｓｉ
ｔｉＯｎ）によつて厚さ１．５μのリンケイ酸化ガラス
（ＰＳＧ）絶縁保護被膜６を被着した。
更に、アルミニウム金属配線層４の表面の前記電極５と
のコンタクト部から前記絶縁保護被膜６の表面にかけて
、クロムからなるバリアーメタルｙを第２金属層として
Ｅ−Ｇｕｎ法によつて厚さ１０００人蒸着した。次いで
、このバリアーメタルご上に電極５を厚さ２０μの銅層
で形成した後、約４５０℃の温度下で２０分間熱処理を
施した。このようにして得られた半導体装置７の電気的
特性を調べるために、熱処理前後における逆方向電流の
変化について調べたところ、第１表に示す如き結果を得
た。
のコンタクト部から前記絶縁保護被膜６の表面にかけて
、クロムからなるバリアーメタルｙを第２金属層として
Ｅ−Ｇｕｎ法によつて厚さ１０００人蒸着した。次いで
、このバリアーメタルご上に電極５を厚さ２０μの銅層
で形成した後、約４５０℃の温度下で２０分間熱処理を
施した。このようにして得られた半導体装置７の電気的
特性を調べるために、熱処理前後における逆方向電流の
変化について調べたところ、第１表に示す如き結果を得
た。
但し、変動発生数は、４５０℃の熱処理の後において、
逆方向電流が熱処理前の５倍以上になつた半導体素子の
割合を示すものである。
逆方向電流が熱処理前の５倍以上になつた半導体素子の
割合を示すものである。
次に、上記実施例に示す半導体装置と比較するために製
造した従来例の半導体装置について説明する。
造した従来例の半導体装置について説明する。
まず、上記実施例と同様に、深さ０．５μの接合を形成
したシリコン基体１の表面の絶縁層に電極部とするため
のコンタクト孔を穿設して、この電極部に第１金属層と
してタロムからなる高純度バリアーメタルをＥ−Ｇｕｎ
法によつて厚さ１０００Ａ蒸着した。
したシリコン基体１の表面の絶縁層に電極部とするため
のコンタクト孔を穿設して、この電極部に第１金属層と
してタロムからなる高純度バリアーメタルをＥ−Ｇｕｎ
法によつて厚さ１０００Ａ蒸着した。
次いで、このバリアーメタルの表面からその近傍の絶縁
層の表面にかけて厚さ１μのアルミニウムからなる金属
配線層を形成して約４５０℃の温度下で２０分間熱処理
した。ここで、従来のバリアーメタルの熱処理前後にお
ける表面の状態を走査電子顕微鏡で観察し、その際の状
態を写真撮映した。
層の表面にかけて厚さ１μのアルミニウムからなる金属
配線層を形成して約４５０℃の温度下で２０分間熱処理
した。ここで、従来のバリアーメタルの熱処理前後にお
ける表面の状態を走査電子顕微鏡で観察し、その際の状
態を写真撮映した。
（第４図及び第５図参照）次に、上記実施例で行つたと
全く同様の操作を施して電極の表面からシリコン基体上
の絶縁層の表面にかけて厚さ１、５μのリンケイ酸化ガ
ラス（ＰＳＧ）絶縁保護被膜を被着した後、第２金属層
として、高純度バリアーメタルをアルミニウム金属配線
層の表面から絶縁保護被膜の表面にかけてＥ−Ｇｕｎ法
により厚さ１０００λ蒸着し、次いで、このバリアーメ
タル上に厚さ２μの銅からなる電極を形成して熱処理を
施した。
全く同様の操作を施して電極の表面からシリコン基体上
の絶縁層の表面にかけて厚さ１、５μのリンケイ酸化ガ
ラス（ＰＳＧ）絶縁保護被膜を被着した後、第２金属層
として、高純度バリアーメタルをアルミニウム金属配線
層の表面から絶縁保護被膜の表面にかけてＥ−Ｇｕｎ法
により厚さ１０００λ蒸着し、次いで、このバリアーメ
タル上に厚さ２μの銅からなる電極を形成して熱処理を
施した。
このようにして得た半導体装置の逆方向電流の変化につ
いて調べたところ第１表に示す如き結果を得た。
いて調べたところ第１表に示す如き結果を得た。
上記実施例及び従来例における熱処理前後の第１金属（
バリアーメタル）の表面の状態を比較すると、第２図及
び第４図に示す走査電子顕微鏡写真から、熱処理前では
、実施例のバリアーメタルの表面にも、従来例のバリア
ーメタルの表面にもアルミニウムの析出は見られないが
、熱処理後の第３図及び第５図に示す走査電子顕微鏡写
真を比較すると、酸素を含有する実施例のバリアーメタ
ルの表面では、金属配線層４を形成するアルミニウムの
析出は見られないが、酸素を含有しない従来例のバリア
ーメタルでは、粒成長したバリアーメタル中にアルミニ
ウムが析出している状態が良くわかる。
バリアーメタル）の表面の状態を比較すると、第２図及
び第４図に示す走査電子顕微鏡写真から、熱処理前では
、実施例のバリアーメタルの表面にも、従来例のバリア
ーメタルの表面にもアルミニウムの析出は見られないが
、熱処理後の第３図及び第５図に示す走査電子顕微鏡写
真を比較すると、酸素を含有する実施例のバリアーメタ
ルの表面では、金属配線層４を形成するアルミニウムの
析出は見られないが、酸素を含有しない従来例のバリア
ーメタルでは、粒成長したバリアーメタル中にアルミニ
ウムが析出している状態が良くわかる。
このことから、この析出アルミニウムが更にシリコン基
体中のシリコンとアルミニウム／シリコン界面反応を形
成して接合短絡を起すことが容易に理解できる。このこ
とは、第１表に示す逆方向電流の測定結果からも容易に
確認できる。即ち、従来例における半導体装置では、熱
処理後における逆方向電流の増加が見られる。これは、
シリコン基体と金属配線層間に高抵抗層等が形成されて
いることを意味するものと考えられる。以上説明した如
く、本発明に係る半導体装置では、熱処理時における靭
性及び信頼性に優れた酸素を含有したバリアーメタルを
半導体基体と金属配線層間および／または金属配線層と
外部取出用突起電極間に設けることにより、優れた電気
的特性と安定性を有する等の効果を奏するものである。
体中のシリコンとアルミニウム／シリコン界面反応を形
成して接合短絡を起すことが容易に理解できる。このこ
とは、第１表に示す逆方向電流の測定結果からも容易に
確認できる。即ち、従来例における半導体装置では、熱
処理後における逆方向電流の増加が見られる。これは、
シリコン基体と金属配線層間に高抵抗層等が形成されて
いることを意味するものと考えられる。以上説明した如
く、本発明に係る半導体装置では、熱処理時における靭
性及び信頼性に優れた酸素を含有したバリアーメタルを
半導体基体と金属配線層間および／または金属配線層と
外部取出用突起電極間に設けることにより、優れた電気
的特性と安定性を有する等の効果を奏するものである。
第１図は、本発明に係る半導体装置を示す要部拡大断面
図、第２図は、実施例に示す半導体装置に形成されたバ
リアーメタルの熱処理前の状態を走査電子顕微鏡で観察
したものを示す拡大図、第３図は、第２図に示すバリア
ーメタルに熱処理を施した後の状態を走査電子顕微鏡で
観察したものを示す拡大図、第４図は、従来例に示す半
導体装置に形成されたバリアーメタルの熱処理前の状態
を走査電子顕微鏡で観察したものを示す拡大図、第５図
は、第４図に示すバリアーメタルに熱処理を施した後の
状態を走査電子顕微鏡で観察したものを示す拡大図であ
る。 １・・・・・・基体、２・・・・・・絶縁膜、３，５・
・・・・・バリアーメタル、４・・・・・・金属配線層
、５・・・・・・電極、６・・・・・・絶縁保護被膜、
７・・・・・・半導体装置。
図、第２図は、実施例に示す半導体装置に形成されたバ
リアーメタルの熱処理前の状態を走査電子顕微鏡で観察
したものを示す拡大図、第３図は、第２図に示すバリア
ーメタルに熱処理を施した後の状態を走査電子顕微鏡で
観察したものを示す拡大図、第４図は、従来例に示す半
導体装置に形成されたバリアーメタルの熱処理前の状態
を走査電子顕微鏡で観察したものを示す拡大図、第５図
は、第４図に示すバリアーメタルに熱処理を施した後の
状態を走査電子顕微鏡で観察したものを示す拡大図であ
る。 １・・・・・・基体、２・・・・・・絶縁膜、３，５・
・・・・・バリアーメタル、４・・・・・・金属配線層
、５・・・・・・電極、６・・・・・・絶縁保護被膜、
７・・・・・・半導体装置。
Claims (1)
- １ 半導体基体と、この体基表面にその一部表面を露出
するように形成された絶縁膜と、前記半導体基体の露出
表面及び前記絶縁膜表面上にわたつて形成された金属配
線層と、この金属配線層表面上に形成された電極と、前
記半導体基体−金属配線層間及び前記金属配線層−電極
間のうち少なくとも一方に介在させたバリアーメタルと
を具備し、バリアーメタルは酸素が添加された高融点金
属より構成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53114441A JPS59131B2 (ja) | 1978-09-18 | 1978-09-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53114441A JPS59131B2 (ja) | 1978-09-18 | 1978-09-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5541731A JPS5541731A (en) | 1980-03-24 |
| JPS59131B2 true JPS59131B2 (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=14637804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53114441A Expired JPS59131B2 (ja) | 1978-09-18 | 1978-09-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59131B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993013555A1 (fr) * | 1987-09-24 | 1993-07-08 | Tadahiro Ohmi | Dispositif a semi-conducteurs |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461934A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Nippon Denso Co | Semiconductor device and manufacture thereof |
-
1978
- 1978-09-18 JP JP53114441A patent/JPS59131B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993013555A1 (fr) * | 1987-09-24 | 1993-07-08 | Tadahiro Ohmi | Dispositif a semi-conducteurs |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5541731A (en) | 1980-03-24 |
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