JPS59131503A - 水素の分離および精製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は水素含有ガス混合物からの水素の分離および精
製方法に関する。

水素含有ガス混合物から水素を分離し、水素を精製する
ために当該技術分野では、吸収法、吸着法（変圧吸着を
含む）、および低温蒸留または凝縮および半透膜を通る
ガス拡散に基づいた方法等か用いられている〔ヘッダ（
Ｈｅｃｋ）およびヨハンセン（−Ｊｏｈａｎｓｅｎ）、
Ｈｙｄｒｏｃａｒｂ、　Ｐｒｏｃｏ、Ｊａｎ。

１９７８．１７５：ウエルナ−（Ｗｅｒｎｅｒ　）、Ｃ
ｂｅｍ、　−Ｉｎｇ、−Ｔｅｃｈｎ、　５３　（２）、
７３（１９８１））。

これらの水素の分離および精製方法は比較的高い投資と
操作費用を必要とし、しかも水素製造の全買出の相当な
部分を占めるので、既知の分離および精製課題に対して
は、経済的技術的に最適な解決策かもとめられなければ
ならなかった。数年前から第（１）式のような水素と特
定の金属、金属合金または金属間化合物との可逆反応が
水素の巖縮または精製の基礎に利用できる可能性が提案
され、研究されているしスナーペ（５ｎａｐｅ　）およ
びリンク（Ｌｙｎｃｈ）　、ＣＨＥＭＴＥＣＨ，Ｄｅｒ
、　１９８０．７６８　：サンドロック（５ａｎｄｒｏ
ｃｋ）およびフストン（Ｈｏｓｔｏｎ）、ＣＨＥＭＴＥ
ＣＨＳＤｅｒ、１９８１．７５４；フストンおよびンエ
リダン（５ｈｅｒ　１ｄａｎ）、ＡＣ８Ｓｙｍｐ、Ｓｅ
ｒ、　１９８１　　（１９６４）、２２３参照〕。

Ｍ　＋　−Ｈ２−一→ＭＨｘ　　　　（１）−（式中、
Ｍは金属、金属合金または金属間化合物を示す） フストンとシエリダンによれは、金属水素化物、に基づ
いた水素分離方法は低温学的な方法もしくは吸着方法を
補足する技術とみなされており、この場舎第（１）式で
示される反応の特異性のために、得られる水素の収率と
純度に関しては水素低含有流に対して特に有利である。

このような水素低含有流〔オフガス流（ｏｆｆ−ｇａｓ
　ｓｔｒｅａｍｓ）　）は例えば特定の精製工程におい
て付随的に発生するもので、現在までのところ経済的−
こ十分に利用されていない。このことに関して、水素を
１０〜５０％含有した水素−メタン混合物からＦｅｘＴ
ｉＮｉニー、合、冷を用いて水素が完全に分離されてい
る〔コレラ（、Ｃｈｏｌ　ｅｒａ　）　＠よびジアスポ
ウ（Ｄｉａｓｐｏｗ　）、（ｒｏｃ＋１２　ｔｈ　Ｉｎ
ｔｅｒＳｏｃｉｅｔｙ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｃｏｎｖｅｒｓ
＋Ｅｎｇ、　Ｃｏｎｆ、　１９７６　（’１）、９８１
参照〕。

金属水素化物−金属系が水素の分離と精製に首尾よく利
用できるための前提は、水素分圧が比較的低い場合でも
水素化が動力学的に満足に進行し、また水素中に混在す
るＣ０１ＣＯ２，０２、Ｈ２ＯおよびＮＨ３のような不
純物によって抑制されないことである。

水素の分離、精製および貯蔵に用いられる金属間化合物
系の欠点は、比較的小さなＨ２収容能カ（１，５〜１．
７重量％）とこれに起因する高い投資額と原料費である
。

従って、水素の縦紬および精製のために金属水素化物−
金属系を使用する問題に対しては、費用と効率の見地か
ら満足すべき解決策は与えられていない。

罵＜へきことには、水素化物形成成分としての活性な形
態の金属マグネシウムが、水素の分離と精製に用いられ
る金属−金属水素化物系の要求を満足させることが見出
された。本発明方法における意味で活性な形態のマグネ
シウムとしては、ヨーロッパ特許第０００３５６４号に
記載の方法によって調製され、次いで熱的に脱水素され
たマグネシウムが特に適している。

この場合、周期律表第■〜第■亜族金属のハロゲン化物
および有機マグネシウム化合物から成る触媒もしくは水
素化マグネシウムの存在下および所望による多環芳香族
化合物または第３級アミン並びに所望によるハロゲン化
マグネシウムＭｇＸ２ＣＸ＝Ｃ１、Ｂｒ、Ｉ）の存在下
ＩＣ７クイ、シウムト水素と反応させる均一触媒法が重
要である。

この種の活性な形態のマグネシウムにはさらに、均一触
媒法によって調製された後で遷移金属をド−７’させた
水素化マグネシウムの脱水素によって得られるマグネシ
ウムが含まれる。遷移金属による水素化マグネシウムの
ドープは次のようにしておこなわれる。即ち、所望によ
る水素の存在下に、微細に分割された水素化マグネシウ
ムまたは金属マグネシウムを遷移金属錯体または有機遷
移金属化合物の溶液と接触させることによってζヨーロ
ッパ特許第０００３５６４号明細書に記載された方法に
より綿製されるものに比べて改良された水素化または脱
水素化の動力学を示す水素化マグネシウム−マグネシウ
ム−水素貯蔵系が得られる〔本出願と同日の同一出願人
による特許出願（西独国特許出願第Ｐ　３２４７３６０
．５号）参照〕。

この場合の遷移金属としては周期律表第■〜第■亜族の
元素、特にＴｉ　、　Ｖ、　Ｃｒ　、　Ｍｏ、　Ｗ、　
Ｆ　ｅ。

Ｒｕ　、　Ｃｏ　ＳＲｈ、　Ｉ　ｒ、　Ｎｉ、　Ｐｄお
よび／またはＰ。

が用いられる。好ましい遷移金属錯体または有機遷移金
属化合物はビス（シクロオクタジエン−１゜５）ニッケ
ル（ＣＯＤ２Ｎ　ｉ）、ビス（７３−アリル）ニッケル
、テトラカルボニルニッケル、ビス（アセチルアセトナ
ト）ニッケル、ビス（エチラト）ニッケルまたはホスフ
ァンニッケル錯体並ひにビス（η３−アリル）パラジウ
ム、パラジウム−ポスファン錯体、トリス（η３−アリ
ル）鉄、フェロセンまたは鉄カルボニルである。

元素状遷移金属を生じさせ、これを水素化マグネシウム
粒子またはマグネシウム粒子の表面上に極めて微細に沈
着させるドープ法（Ｄｏｔ　ｉｅｒｕｎｇ）としては次
のものが挙げられる： （ａ）　　溶解させた遷移金属錯体の熱分解にょるド（
１３）　　遷移金属錯体の水系化によるドープ法１（Ｃ
）　　水素化マグネシウムと有機遷移金属化合物との直
接反応によるドープ法 ＭｇＨ２＋Ｐｄ（η３−Ｃ３Ｈ３）２→Ｍｇ（Ｐｄ）＋
２ｃ３Ｈ６（ｄ）　　水素化マグネシウムを用いる遷移
金属錯体の還元によるドープ法 ２ＭｇＨ２＋ＮｉＸ２　→ＩＶｉｇＨ２（Ｎ１　）　＋
ＭｇＸ２　＋Ｈ２（Ｘは錯体形成性リガンド、例えは（
アセチルアセトネート）○を示す） 前記特許丈たは特許出願明細掛に記載されたドープ法ま
たは脱水素化によって得られる他の形態のマグネシウム
も本発明方法の意味におけるマグネシウムの活性形態と
して使用することができる。

マグネシウムのこのような活性形態の共通の特性は水素
に対する反応性である。即ち、比較的温和な反応条件下
（水素圧１〜３ｂａｒ、温度１５０〜２００℃）で反応
して水素化マグネシウムを生成する。

水素を分離および精製するための本発明方法は、水素の
外にメタンおよびその同族体、窒素および貴ガスを含ん
でいてもよい水素含有ガスにこの種の「活性マグネシウ
ム」を接触させる。この場合、水素は水素化マグネシウ
ムの形で選択的に吸収され、わずかに残存するにすきな
い。このようにして形成された水素化マグネシウムの脱
水素によって純粋な水素が得られる。この場合、「活性
マグネシウム」は新たに形成されるので水素の再吸収過
程を繰り返すことができる。このようにして、混合ガス
からの水素の一段階で実際上完全な分離が可能となる（
他の残存成分は「活性マグネシウム」および水素化マグ
ネシウムに対して不活性である）。

本発明方法の決定的な利点は第１に水素分圧が低い場合
、即ち水素含有量の少ないガス混合物の場合でも「活性
マグネシウム」の許容される速度での水素化が可能なこ
とであり、第２に水素化の動力学が水素中に通常混在す
る不純物Ｃ０１ＣＯ２，０２・、ＮＨ３、Ｈ２Ｏおよヒ
Ｈ２Ｓによって全く影響を受けないか、問題にならない
程度しか影響されないことである。これらの水素不純物
は「活性マグネシウム」の水素化過程または水素化マグ
ネシウムによって不可逆的に吸収されるか、水素化後に
残余ガス中に残留する生成物に変換される。例えば水素
または水素混合物中の痕跡量のＨ２０および（７２は水
素化過程で不可逆的に吸収されるが、メタンに含まれる
ＣＯは水素化後に残余ガス中に残留する生成物に変換さ
れる（実施例３および４参照）。生成する水素化マグネ
シウムの脱水素の場合には純粋な水素が得られる。この
ようにして本発明方法によれば少量の「不活性な」カス
（ＣＨ４およびこの同族体、Ｎ２および貴ガス）ばかり
でなく「反応性の」ガスからの水素の精製が可能となる
（後者の場合には、「活性マグネシウム」の水素貯蔵能
が漸進的に低下する）。

本発明方法の別の利点は「活性マグネシウム」の高い水
素貯蔵能（６〜７．５重量％Ｈ２）および金属間化合物
（ＦｅＴｉ　、　ＬａＮｉ　５等）に比べてマグネシウ
ムの価格が安いことである。

本発明方法は次の場合には特に有利である〜１、水素の
外にメタンおよびその同族体、窒素、貴ガスおよび場合
によりＣＯ、Ｃ０２，０□、ＨＰ、ＮＨ３およびＨ２，
Ｓを含有する水素含有量の少ないガス混合物からの水素
の分離。

２、少量の「不活性な」ガス（ＣＨ４およびその同族体
、Ｎ２および貴ガス）および「反応性の」ガス（Ｃｏ、
ＣＯ２，０２、Ｈ２ｏ１ＮＨ３およびＨ２Ｓ）からの水
素の分離。

「活性マグネシウム」の水素の取り込みおよび水素化マ
グネシウムからの水素脱離の反応条件は広範囲に変化さ
せることができる。好ましい反応条件は、水素の取り込
みに対しては１５０〜４００℃で水素分圧０．１〜ｌ　
Ｑ　Ｑ　ｂａｒであり、水素の脱離に対しては２５０〜
４５０℃（対応する平衡圧０．３７〜４０ｂａｒ）であ
る。

本発明を以下の実施例によってさらに詳述する。

実施例においては工業的純度（９９，９％）の水素ヲ使
用シタ（不純物二０２最高１１０ＰＰ、Ｎ２ｍ　ｉ　ｏ
　ｏ　ｏ　ｐｐｍ、　１−ｉ２ｏ最高１０１００ｐｐ。

水素は圧力容器内においてＣ見。またはＣＯと所望の割
合で混合した。水素化−脱水素化す身クルの実施に際し
ては、その度ことに新鮮なＨ２／ＣＨ４またはＨ２／Ｃ
Ｏを圧力容器から供給した。

実施例１ 無水ＴＨＦ７５Ｉ！中のマグネシウム粉末１５．０ｋｇ
　（６１７ｍｏｌ）を攪拌容器内で、ヨーロッパ特許第
０００３５６４号明細書記載の方法により、チタン触媒
（Ｍｇ　：　ＴＩ　Ｃｌ　４ニアントラセン−１００：
１：１）の存在下、６０〜７３℃、水素圧２ｂａｒのも
とて水素化して水素化マグネシウムを得た。

ニッケルでドープするために、容器内の水素雰囲気をア
ルゴン雰囲気におきかえた後、固体状のビス（１，５−
シクロオクタジエン）ニッケル（ｃＯＤ２Ｎｉ）　１．
４　ｋｇ　（５ｒｎｏｌ　）を水素化マグネシムのＴＨ
Ｆ＠濁液に加え、攪拌容器内容物を１００℃で４時間攪
拌した。次いでニッケルをドープした水素化マグネシウ
ムを濾別し、ＴＨＦおよびペンタンを用いて洗浄した後
、減圧下（０，２〜０．４ｍｂａｒ）、５０℃で乾燥し
た。得られた生成物を脱水素−水素化サイクルに付しく
脱水素＝２３０〜３７０℃／　１０〜０．４　ｂａｒ　
；水素化：３３５〜ｂ 自燃・巳の淡灰色粉末として水素化マグネシウム１４．
０ｋｇを得た（Ｃ０，０％、Ｈ６，０１％、Ｍｇ８５．
１７％、Ｔｉ１．５１％、Ｃ７２，７２％、Ｎｉ０．８
９％）。

この水素化物１５．２ｇを特殊鋼製オートクレーブ（３
００ｍｌ）中、普通圧、３７２℃で脱水素して「活性な
」マグネシウムとした。Ｈ２１４，２ｖｏ１％含有ＣＨ
４／Ｈ２混合物（残部はＣＨ４）をオートクレーブ内へ
２２７℃（オートクレーブ温度）で圧力がｌ　Ｑ　ｂａ
ｒになるまで圧送した（この場合、試料の温度は一時的
に２３１℃まで上昇した）。

２２７℃で１時間１０分保った後、オートクレーブを室
圧にもどし、排出されたガスを質量分析に付したところ
Ｈ２は１，９ｖｏ１％（残部はＣＨ４）含まれていたが
、この値は２２７℃における水素化マグネシウム上での
水素の計算平衡圧１，５ｖｏ１％にほぼ等しい。ＣＨ４
／Ｈ２混合吻を用いる「活性マダイ・シウム」の水素化
および未反応ガス混合物の排出操作を同一温度で圧力と
水素化時間を変化させてさらに３６回繰り返した。バル
ブの開閉にはオートクレーブに連結させた全自動電子制
御装置を用いた。結果を表−１に示す。

表−１ ｆａ）　　未測定 オートクレーブを３０℃まで冷却し、Ｑ、　ｌ　ｍｂａ
ｒまで排気した。オートクし・−ブを常圧下で３６３℃
までゆっくりと加熱すると１時間以内に９．３２１のガ
ス（２０℃／　ｌ　ｂａｒ）が発生した。１種の試料ガ
スについてガス発生の開始から終了までにわたって質量
分析をおこなったところ、試料は１００．０昶水素を含
んでいた。発生した水素の量から、「活１生マグネシウ
ム」の収蔵能の６６％がこの試験で利用されたことが計
算された。［活性マグネシウムＪ１４．３ｇが回収され
な。

実施例２ 温度を１９６℃とし、ＣＨ４／Ｈ２混合物（Ｈ２１４，
３ｖｏ１％）の圧力を１５　ｂａｒとする以外は実施例
１に準拠して操作をおこなった。実施例１に記載のよう
にして調製し、Ｎｉを０．８９％をドープした水素化マ
グネシウム１４．３ｇを用いた。水素化時間は２ｈとし
た。水系化過程は２３回繰り返した。いくつかの水素化
過程後の未反応ガス中の水素含有量を衣−２に示す。

衣−２ ｆ＊）１９６℃でＣＩ（４／Ｈ２混合物の圧力がｌ　５
　ｂａｒ（７）ときの、Ｍｇ　Ｈ２上でのＩ（２の平衡
１度の計算値はＱ、３ｍｏ１％である。

収蔵体を３６２℃で解放することによってガス８．４６
７（２０℃／１ｂａｒ）が発生した。このガスは質量分
析によれば水素ｉｏｏ、ｏ％から成る（ＣＨ４０，１％
以下）％ものであった。この試験における収蔵能の利用
率は約６０％であった。回収された「活性マグネシウム
」の元素組成は次の通りである：０１．０４％、Ｈｌ、
３８％、■ｇ９４．４２％、−ｒｉｔ、ｓ２％、ｃｚｏ
、７１％、Ｎｉ　Ｑ、　６９　Ｘ０実施例３ 実施例１に記載したようにしてＪＭ製し、Ｎｉを０．８
９％ドープした水素化マグネシウム１７．６ｇを特殊鋼
製オートクレーブ（３００ｍ１）中３３８℃、普通圧で
脱水素して「活性マグネシウム」にした〔水素発生量１
１．７７（２０℃）〕。ＣＯを１ｍｏ１％（質量分析に
よる）含有する水素を３３８℃で１０　ｂａｒの圧力ま
でオートクレーブ内へ圧送し、減圧バルブを用いてこの
圧力を維持した。この過程においてオートクレーブには
加圧容器からの水素を補給した。水素化反応中、試料の
温度は一時的に３７３℃まで上昇したが、３６６℃で約
７０分間保持した後、３３８℃まで下げた。この間、水
素は１’２．５Ｊ（２０℃、１ｂａｒ）吸収された。オ
ートクレーブを３８℃まで冷却して解放し、ガス１．３
５７？（２０℃、１　ｂａｒ　）を得た。質量分析の結
果、このガスはＨ２８９，３ｍｏ１％、ＣＨ４８，１ｍ
ｏ１％を含有した（残部はアルゴン、空気であった）。

生成したメタンの体積は吸収された水素（１２，５１）
中に存在したＣＯの体積に実際上定量的に対応した。オ
ートクレーブは０．２−ｍｂａｒまで排気した後、改め
て３３８℃まで加黙し、この温度で水素化マグネシウム
を普通圧下で約７９分間脱水素したところガス１３．３
Ｉ！（２０℃、１ｂａｒ）か得られた（質量分析の結果
、このガスは純粋な水素であつＤｏ ＣＯを１ｍｏ１％含有した水素（１０ｂａｒ）　ヲ用い
る「活性マグネシウム」の水素化および生成する水素化
マグネシウムの普通圧、オ・−トクレーフ温度３３８℃
での脱水素化の過程はさらに２７回繰り返した（この場
合、バルブの開閉はオー１−クレープに連結された全自
動制御装置を用いておこなった）。見かけの水素化時間
および脱水素化時間はそれぞれ３時間および２時間であ
り、効果的な水素化時間および脱水素化時間はそれぞれ
約１．５時間および１時間である。試木」の温度は７＋
（素化反応中に３７０〜３７３℃まで上昇し、また脱水
素化反応中に試料の温度は約３００　’Ｃまで低下した
。

第７回目、第１３回月、第２５回月および第２７回月の
脱水素化後のガス発生量（２０℃、１ｂａｒ）はそれぞ
れ１１．３７．１０．５　Ａ、８．８１！および８．５
１であった。質量分析によれば、第２７回月の脱水素化
で得られたガスは純粋な水素であった。第２回目の水素
化後のオートクレーブ内の残留ガス（２０℃、エムａｒ
で１．３５／）は１（２９ｌ、　５　ｍｏ１％およびＣ
Ｈ４’６．７　ｍｏ１％であり、第２７回月の水素化後
のオートクレーブ内の残留ガスは）Ｉ２９３．２ｍｏ１
％およびＣＨ４５，７ｍｏ１％であった。

脱水素化の度に発生するＨ２の量（Ａ’）をサイクルの
数（２）に対してプロットすると第１図に示すような直
線か得られる。収蔵体の能力は第刀回目のサイクルの後
では］検切の値の約７０％まで低下した。収蔵体の能力
のこの低下は、水素に混合された一酸化炭素のメタンへ
の変換によるもので、この場合、−酸化炭素の酸素は「
活性マグネシウム」と結合してＭｇＯになるものと考え
られる。

第２７回月のサイクル後において、１％の一酸化炭素お
よびその結果ひきおこされる収蔵能力の低下によって脱
水素化−水素化の動力学の悪化がほとんど観測されなか
ったということは注目すべきである。

回収された「活性マグネシウム」の元素組成は次の通り
である：ＣＯ，Ｏ％、Ｈｏ、３４％、Ｍｇ９３１１ｏ％
、Ｔｉ１．５５％、ＣＩ！２．８６％、Ｎｉ０．８９％
０ 実施例４ マグネシウム粉末２１８．８ｇ（９、Ｑｍｏｌ）を”Ｉ
Ｎ（Ｆｌ、１／中で、ヨーロッパ特許第０００３５６４
号明細鶴：に記載の方法によりチタン触媒（モル比；Ｍ
ｇニア７トラセン：ＴｉＣ／４””１００　：　１　：
　１）を用いて６０℃で５　ｂａｒのもとて水素化して
水素化マグネシウムとし、生成物を濾別し、ＴＨＦおよ
びペンタンを用いて洗浄した後、高真空下で恒量になる
まで乾燥して次の組成を有する水素化マグネシウム２５
０ｇを得た：ｃ４，７０％、Ｈ７，３６％、Ｍｇ８３．
６８％、Ｔｉ０．４６％、Ｃ／２．０５％。

得られた水素化マグネシウム１６．０ｇを特殊鋼製オー
トクレーブ（’３００ｍＪ）中、真空下（０，２ｍｂａ
ｒ）でゆっくりと昇温しで（約り℃／分）１活性マグネ
シウム」に脱水素化した。ガスは約２７０℃で発生しは
じめた。ガスの発生が終了するまでに１２．８１！（２
０°Ｃ／１ｂａｒ）のガスが得られたが、このガスは質
量分析によれば水素のほかに少量のｎ−ブテン（２〜３
％）およびＴＨＥ（０，５％）を含んでいた。質量分析
に上ればＣＯを２．３ｍｏ１％含む水素を３３８℃のオ
ートクレーブ内へ１０　ｂａｒの圧力まで圧送し、詭整
弁を用いてこの圧力を一定に保った。この過程において
オートクレーブには加圧容器からの水素が補給された。

試料の温度は水素化中に一時的に３６６℃まで上昇した
が１，５ｈで３５５℃まで低下し、３３８℃に戻った。

オートクレーブ内のＭ　ｇ　Ｈ２上に存在する残留ガス
（ｉｌ、２ｚ、２０℃／１ｂａｒ）は質量分析によれば
次の組成を示した：Ｈ２８２，９ｍｏ１％、ＣＨ４１５
，８ｒｎｏ１％（残部；Ｎ２）。オートクレーブを３０
〜４０℃まで冷却し、Ｑ、２ｍｂａｒまで排気し、次い
で水素化マグネシウムを普通圧、３３８℃で脱水素化し
たところ、水素１１．２１ひ生成する水素化マグネシウ
ムの普通圧下での脱水素化を同一のオートクレーブ温度
（３３８°Ｃ）でさらに２５回繰り返した。この場合、
水素化−脱水素化サイクルの実施には前記実施例の場合
と同様に全自動制御装置を使用した。

みかけの水素化時間および脱水素化時間はそれぞれ３１
１および２　ｂであった。試料の有効な水素化時間およ
び脱水素化時間はそれぞれ１．３ｈおよび２ｈであった
。試料の温度は水素化の際には約３７０℃まで上昇し、
脱水素化の際には約３２５℃まで低下した。第８回１」
、第１２回目および第２６回目の脱水素化に際してはそ
れぞれ５．９Ａ’、４．９１！および２．４／（２０°
Ｃ／　１　ｂａｒ　）の水素が発生した。第２回目の水
素化後にオートクレーフ内ニ存在シタ残留カフ、　（１
，３５７；　２０　℃／１ｂａｒ）は質量分析によれば
Ｈ２８５，８ｍ０Ｉ％およびＣＨ３Ｉ、　２．９　ｍｏ
１％の組成を示した。回収された「活性マグネシウムＪ
（１６，ｏｇ）の元素組成は次の通りである：Ｃ２，７
２％、Ｈｌ、５３％、Ｍｇ　７７．８２％、Ｔｉｉ、１
ｏ％、Ｃ７？１．１３％。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例３における脱水素化のサイクルの数Ｚ（
横軸）とＨ２発生量（１）（縦軸）との関係を示すグラ
フである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、メタンおよび／またはその高位の同族体、窒素およ
   び貴ガス並びに場合によっては少量のＣ０１Ｃ０２，０
   ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３および／または■Ｉ２Ｓ　　を含有
   するガス混合物を活性な形態のマグネシウムと接触させ
   ることによって水素を選択的に吸収させ、生成する水素
   化マグネシウムを熱分解させることによって純粋な形態
   の水素および活性な形態のマグネシウムを回収すること
   を特徴とする水素の分離および精製方法。 ２、周期律表第■〜第■亜族金属のハロゲン化物および
   有機マグネシウム化合物から成る触媒または水素化マグ
   ネシウムの存在下および所望による多環芳香族化合物ま
   たは第３級アミンおよび所望によるハロゲン化マグネシ
   ウムλｉｇ′Ｘ−２（Ｘ＝Ｃ１ｊ、Ｂｒ、　Ｉ）の存在
   下にマグネシウムと水素を反応させることによって得ら
   れる水素化マグネシウムの熱的脱水素化反応によって調
   製されるマグネシウム金属を、活性な形態のマグネシウ
   ムとして使用する第１項記載の方法。 ３、微細に分割された水素化マグネシウムまたは金属マ
   グネシウムを所望による水素の存在下に遷移金属錯体ま
   たは有機遷移金属化合物の溶液と接触させることにより
   元素状遷移金属を超微細に分割された形態で水素化マグ
   ネシウム粒子またはマグネシウム粒子の表面上に沈殿さ
   せることによって遷移金属をドープした水素化マグネシ
   ウムの熱的脱水素化反応によって調製されるマグネシウ
   ム金属を、活性な形態のマグネシウムとして使用する第
   １項記載の方法。 ４、活性マグネシウムによる水素の吸収を好ましくは温
   度１５０〜４′００℃で水素分圧０．１〜１００　ｂａ
   ｒの下でおこない、水素の脱離を好ましくは温度２５０
   〜４５０℃で水素平衡圧０，３７〜４　Ｑ　ｂａｒの下
   でおこなう第１項から第３項いずれかに記載の方法。