JPS59131434A - 孔又はメツシユ孔を有するプラスチツク物質を延伸して配向ストランドを形成する方法 - Google Patents

孔又はメツシユ孔を有するプラスチツク物質を延伸して配向ストランドを形成する方法

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JPS59131434A
JPS59131434A JP58191657A JP19165783A JPS59131434A JP S59131434 A JPS59131434 A JP S59131434A JP 58191657 A JP58191657 A JP 58191657A JP 19165783 A JP19165783 A JP 19165783A JP S59131434 A JPS59131434 A JP S59131434A
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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  • Molding Of Porous Articles (AREA)
  • Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
この発明は孔又はメツシュ孔のパターンを有するプラス
チック物質を延伸して該ゲラステック物質のストランド
形成域から分子配回ストランドを形成する方法に関する
。ある場合にはプラスチック物質全体を延伸して配回ス
トランドを形成させることができる。これらの孔は該プ
ラスチック物質を貫通するものに限らず又、メツシュ孔
は薄膜を含むものであってもよい。 本発明の方法は一般に、たとえば英国特許Nα8365
55:969655 :あるいは1250478に記載
されている製品の如き、一体的に押出されたメツシュ構
造のものの延伸にも適用できる。特にこの発明はたとえ
ば7くンテングにより孔パターンを形成した出発物質の
延伸によりメツシュ構造のプラスチック製品を製造する
方法に適用することができる。このような適用可能な製
造方法はたとえば英国心・許Na 2031833A:
20342″40A:203519する。 しかし、本発明は英国特許2035191Bの2軸延伸
物質との関連でなされたものであり、これに基づいて説
明する。この場合のメツシュ構造物金便宜上“2軸四角
形メツシユ″と呼ぶことにする。 2軸四角形メツシユの標準的製造法はニップロールを用
いて機械方向延伸、すなわち長手方向延伸(以下、これ
iMD延伸と略称する〕し、5〜10チ緊張緩和し、テ
ンター上で横方向延伸
【以下、TD延伸と略称するノし
、ついで5〜10%緊張緩和ターることによっておこな
われる。テンター(中出し機)上において1tに沿って
多数のメツシュ孔が存在し、メツシュ孔のTD延伸又は
TDストランドが一定でないことが見出された。巾の最
初の増加のほとんどが僅かなストランドの1通伸に基づ
くものであったため、これらのストランドの極めて急激
な延伸をおこなった。極端な場合、ストランドがフィブ
リル化ないし破壊することがある。しかし、最終製品の
不均質な外観のほかに、極端でない場合でも重大な不利
益が生ずる場合がある。最初のMD延伸時において、バ
ー内への貫通度の若干な違い又はバーを描切る貫通の若
干の差異が第2のTD延伸ののちに形成される接点を奢
る2の延伸において接点の伸びを生じさせた場合は可成
り弱い、かつ放射形状的に異なった接点が形成されるこ
とになる。第2の延伸がMDの場合も同様の差異が生じ
、又、延伸の長さが実際には極めて短いことにはならな
いので多くの整合されたストランドの延伸が同時に必ず
形成される。このような差異はそitはど顕著でないが
単軸延伸溝造物をつくるとき常に明らかに分る。 一般に、この差異はポリプロピレン(PPJの場合、高
密度ポリエチレン(HD P E Jより顕著となるが
、HDPEの場合もその差異が明らかに見られる。 本発明においてプラスチック物質がその融点の下限以下
のとき、その物質金除去することなくストランド形成域
の少なくとも一部に凹みが予め形成され、°つぃで各ス
トランド形成域が延伸される。 このように物質の除去をおこなうことなく(すなわち、
全体的に構造物から物質の除去をおこなうこと々り]、
凹みを形成することにより、より規則的な構造を形成す
ることができる。テンター内でTD延伸したのちのTD
におけるメツシュピッチの測定において、従来のPPz
軸四角形ノツシュ製υはメツシュピップの変化(最大か
ら静心]は約45係であったのに対し、本発明の2軸回
角形ノッシュ製品ではその変化は約5受であった。実際
に、ストランド形成域をテンター内で延伸するとき、制
御された繰返し的漸進が生ずる。すなわち、r5向は通
常、ウェブの描区域で始まり、次第に中央に回う。これ
はテンターによる自然の応カバターンであり、したがっ
て、適当な均一性を達成させるたi)には十分な延伸を
へえる必要がある。横方向の配回の間の緊−掃の度合は
メツシュ毎にエリ規則的と女る。この緊張の均一化はす
べてのメツシュの引張り強度をほぼ同一にさせる効果を
有する。 その理由は明らかでないが、溶融点以下で凹みを形成さ
せることにエリ、ある種の分子降伏が生じ、ある種の再
配向がストランド形成域、特に凹みの最深部に生ずるか
らであると思われる。偏光下での顕微鏡観察によれば凹
みの軸に直角な方向において球晶の減衰が認められ、ざ
らに擁屈折も認められ、同一方向にある程度の配回が生
じていることが見出された。この再配回は最も吹要な作
用であると思わf’Lる。しかし、凹み作用も認められ
、これにエリ配回が始まる場合が特定できる。さらに、
凹みの正確な形1jWは厚みの変化を減少させることが
できる。この厚みの変化は市販のプラズテツクシートに
厚みの変化があるためにストランド形成域に生ずるもの
である。 降伏お↓び引張り曲線はより低い降伏点(降伏荷電]に
より可成り規則的になるように寂えることができる。す
なわち、この降伏荷置は著るしく減少させることができ
る。これは特にPPの場合に当てはまる。この減少は3
0%にも達することができる。しかし、最終製品の引張
り強度に対する作用は極めて少ない。これはプラスチッ
ク材料を除去することなく凹みを形成することが延伸時
に生「るものと同様の効果を奏することによるためであ
る。最終製品中のストランドの断面積は実質「jに変ら
ない。 この発明によれば延伸Sの出力を減少させることができ
る。これは降伏荷重がより小さくなるからである。さら
に、延伸がより規則的に表り、緊張度が減/シしたとき
、製品の処理¥1′および全体的速度がより大きくなる
。したがって、PPを用いたとき、延伸を2000%、
/分の速度でおこなうことができ、テンター処理速度忙
9 m 、/ 分、さらに20m/分以上まで高めるこ
とができる。 PPを用いた場合、用成り1氏い配向比において引張り
荷重が降伏荷重を超えるからメツシュサイズ又はストラ
ンド長さを著るしく制御することができる。たとえばメ
ツシュサイズを小さくしたい場合は規則的構造を許容す
る配回比を考慮しで、これを達成させることができる。 TD延伸の際の艮好な構造を得るための凹み形成の利点
は降伏荷重の減少およびその後の機械のより小さい出力
の必要性等の条件下でより規則的なMD延伸製品の製造
にも相通ずるものである。 はとんどのプラスチック物質は正確な酌虫点を持たず、
溶融範囲および軟化範囲を奮rるのみで、これも持5ぜ
し、i;l: <、かっボ重する。7ととえばH,D 
P Eの軟化点は約118〜128℃、融へは122−
138℃であり、P P oJpJ化点ハ150〜16
0℃、融点ハ160−168℃である。理論的には凹み
を溶融i詭囲F限の・斤傍丁なわち、約lO〜15℃低
い温度で形成する。 これより高い温度ではグラスナックが変イ)1するだけ
で、断、血清が減少し、i4)られるストランドが弱く
なる。エリ圓い温畦で凹み・と形成する方が良く、した
がって、その好ましい温度は配回温度(延伸温度]と実
費的に同一が低い温度【通i II D P gの場合
約100’C1Ppの4合110−130℃)、又ハx
r= (15〜20 ’C)ないしこれに近いm1度で
ある。しかし、グラスナックの種類によっては、特にP
Pの場合、凹みを低温で急激に形成するとプラスチック
が破損するおそれがある。そのため、大量生産において
は温度の下限が必要であって、1’ Pの場合は10℃
以上、特に高速で凹みを形成する場合は20℃以上で凹
みをロールでプレスして形成することが好ましい。 凹みの最深部はストランド形成域の最狭部分となること
が好ましいが、これは必須のものでなく、それほど正確
性は要求されない。たとえはストランド形成域にm数の
凹み?延伸方間にμm年間して設けたものでもよい。凹
みがストランド形成域において著るしく rlj広くな
い限り、この凹みにおいて配回が始まることになり、こ
れはm、1足1−べきことである。 凹みの形状は任意Vこ選択することかでき、たとえばス
トランド形成域を真横に延びたものでない凹み、たとえ
ば円錐状のものでもよい。しかし、この凹みはくさび状
のもの、たとえば、くさびの」1)点が延伸方向に匣月
に延びたものが好ましく、又、このくさび状凹みのベー
スに丸みを若干つけ、機械がプラスチック材料を切断す
るのを防止するようにしてもよい。その他、断面円形の
圃みのもの、軸が延伸方向に直角に延びた部分円状の筒
状凹みのものなどを形成してもよい。一般に延伸方向に
平行な關面カ月浅械部材の巾(延伸方向に直角な方間)
に対し−2この機械部材を用い、延伸方向に逆に傾斜し
た面を形成した場合、プラスチック材料の延伸方向に直
角な動きはほとんどなく、配回が凹みの1氏部において
最大となる。凹みはストラッド形成域の画側の孔の全長
に亘り延ひていることが好ましいが、実際にはこの凹み
はより小さく、又は短くなる。。凹みの範囲を近ド「の
孔のrlJK筑しくした場合の利点は延伸時に配回がス
トランドの中央から接点域へ円滑に進行することで゛あ
る。 しかし、グラスチック材料の雨宿に直角な段部を設は凹
みの範囲を規定したものでもよい。この段部は延伸力1
「弓に1σ角に延ひるようにして形成されるQこれにL
す、配回か凹みを越えて進行するのを防止し得る。 凹みの深さを変えて延伸の動作を変えることもできる。 この凹みの深さは長さより大きい影¥Jを与える。 実隙上、凹み1・まプラスチック材料の両面に形成され
る。しかし、理論的にはストランド形成域の側縁に凹み
を形成させることもできる。凹みの軸、たとえば、くさ
びのペースが延びた方向はストランド形成域が延伸され
る方向に直角VL方方間エリ一般的には出発物質全体の
延伸方向に直角な方向とすることが好ましい。fなわち
、英国特許+4[L 2034240 A OJ如きタ
イヤモンド構造のものの場合、その凹みの軸は出発物質
全体の兄伸方間に直角な方向となり、この場合、ストラ
ンド形成域が延伸方向に延びている。目的とする製品に
より、凹みの軸をTD又はMD方方間延びるようにして
もよい。 凹みはすべての延伸のilJに形成することが好ましい
が、第1回の延伸ののち、第2回の延伸のストランド形
成域に再び凹みを形成する工うにしでもよい。 凹みの形成によりMD又はTD寸法が若干、たとえば0
,5%【全体に対し]程度増大するという問題もあるが
、凹みはMD又はTD力方向しろ、出発材料の場合パン
チングの前又は後にロールで形成させることができる。 この場合、一対のロールであって凹みに相当する形状の
突起が一方又は双方のロールの周面に形成されたものを
用いておこなわれる。 これはMD凹みを形成するのに最も適している。TD凹
みをロールで形成する場合、凹みは咬み分歯車ではさみ
耳の部分に凹みを形成させることができる。そのほか、
凹みを直I陳的プレスに工って形成させることもできる
。パンチングにエリプラスチック物質中に孔を形成する
場合は同じプレスサイクル中、たとえば、プルスのラム
が底面中央に近づいたとき、凹みにプレスして形成する
ことが好ましい。このラムが鼓も遅い速度で走行してい
る問に凹みが形成され、高い衝撃に工っでプラスチック
材料が損傷を受ける可能性を回避することができる。凹
みはバンチングされた孔の近傍の一部に形成される。 耳部がある場合はTD凹みケグラスチック材料本体に加
えて、この耳部に形成することが有益である。これにエ
リ耳部がシートの他部分と同様に動作することになり、
シートの歪みがなくなる。この耳部は一定厚みの巾広い
配回物質ではなくなり、凹み部分が高1里に配回され、
TDバーに沿う部分が低い配向性の側面波動的厚みを有
することになる。このような耳部の効果として2点を挙
げることができる。第1に耳部が本体と同様に処理され
るため、MD延伸の間のウェブ中央への曲りが著るしく
減少する。第2に耳部が配回されるべきTDバーに沿っ
て直接上昇した部分を仁することになる。したがってテ
ノター」二において、テンタークリップが最も有利な位
置にツ6いて最大の効果を持って握持することになる。 最後に、耳部の上昇部分が配回が著るしく小さいので、
耳部が割れたり裂けたりすることが著るしく少ない。 以下、本発明を図示の実施例を参照して説明する。 第1 a  い    el −軸出発材料l(第1a図]には孔パターン2が設けら
れていて、その中心は適当な四角形グリッド上に位置し
ている。第1a図に示す如く、凹み3.4は圧力(物質
の除去をおこなうことなく]で延伸されるべきストラン
ド形成域5.6中に形成されている。出発物(αlの延
伸方法は公知であり、たとえば英国特許Nα20351
91Bに開示されている。配向時において、プラスチッ
ク材料は均一の温度に保たれる。そのだめの方法として
水パスが有効であり、これにより延佳時の断熟的熱が除
去できる。第1回の延伸において、一平面的一軸延伸構
造2(第1d図〕が形成される。延伸力は連続する複数
の第1ストラツド形成域6に対し同時に適用される。配
回はストランド形成域5の凹み部分から始まり、この域
5は配向されたストランド8に延ばされる。このストラ
ッド8は平行なノ(−9によって連結されている。各バ
ー9は交互する区域IOの連続からなり、これらはスト
ランド8の両端と区域t 61aの第2のストランド形
成域6とを連結する。第1d図に影線で示す如くストラ
ンド8の配向は第1a、16図に示す如く、適当な接線
11まで少なくとも進行する。 第2回の延伸において、第1d図の構造2は直角な第2
の方間に延伸され、ム11−面の2軸延伸構造J、?(
第1e図〕が形成される。この延伸力は一連の複数の第
2ストランド形成域6に対し適用され、配向は第2区域
6の■みがら開始され、配回ストランド13が形成され
る。構造12は配回ストランド8.13と、その間の接
fp、saとによって四角なグリッド状に形成される。 この接点14の側面は影線にエリ示されている。 孔2は対角線が延伸方向と平行になった丸みのある四角
形からなる。これにエリ、ストランド形成域5.6の側
縁にくさび形の凹みが規定されている。これにエリ凹み
に加えて深い押込み作用が与えられる。これらの孔2の
利点は第1回の延伸の際、ストランド8に加えられる応
力bs 分散q h、バー9を狭く直線的に横切ること
がないにとである。これにエリ配回のバー9への浸透距
離又はバー9を横切る浸透撫、が制御され、この浸透が
メツシュ構造2を規則的に横切るようになる。 第2a〜20図 これらの図は第1amldnle図に相当するものであ
るが英国特許出願第2096531A号の方法により変
形されている。第28−第2C図はすべてのストランド
形成域に凹みを形成する必要のないことを示している(
通常、すべての相応するストランド形成域は同様の凹み
か形成される。)区域15には凹みは形成されず、短い
ストランド又はレグ16が形成され、端部にテーパーが
形成されている。主ストランド形、成域3の巾は区域1
5の巾との関連で越ばれ、区域3が最初に配向され、区
域15も適当に規則的に配回される。 第3a、3b、3e図 テストストリップ21は両側部が冷間輪郭形成され(物
質除去にエリ]、第1a図の出発物質IKi・目当する
ストリップCaH21’で示される間】で凹みの14の
ないものに形成された。 このテストストリップ21は最大中16 manで、残
部は第4C図
【表2参照】に示すものとした。 このテストストリップを用い110℃で配回テス)kお
こなった。この場合において、両面が平担なもので、1
10℃で凹み3を形成したものを用いた。この場合の荷
重(L)と延び(d)との関係を第3b図に示す。 凹み3
【第3b図】のないテストストリップ21の場合
でも、多少の物理的変化が荷uxヶ加えたときストラン
ド形成域に見られた。しかし、ストラッド形成域の一つ
が最初に降伏し
【グラフの点22】、配回が生じ、荷重
が減少した。 ついで、荷重が新らたな最大値23に増大しくl又はそ
れ以上のストランド形成域での配回の開始〕、さらに他
の区域が配回し始めたとさ、荷重が減少した。 凹3が存在するとき
【第、v b図の点線)、ストラン
ド形成域がすべて同時に配回を開始しく点24で点22
エリ約20%「(い]、それ以上のピークは見られず、
ゆるやがな白組が続いた。又、引張り荷はは点25で降
伏荷重′に越えた。 HDP gを用いたとき、14伏荷■の減少はなく(し
たがって出力の減少はない。]引張り曲線は↓りゆるや
かになり、一連のメツシュの規則的延伸が見られた。 同一のテスト片21を用い、!、1正々の温度で凹みを
形成した。又、配回τ110℃で+]Tひおこなった。 孔張りテストを室温(20℃)でおこなった。これらの
テストの結果を表1に示す。 第3c図は凹みが形成された温度に対する製品へのピー
ク荷電を示したものである。I+hr線は軟化範囲(T
s)、溶融範囲(i’ m )2示している。170℃
以下において、テスト片はオーブン中で所定の温度まで
加熱された。170℃以上においてはプラスチック材料
を熱い溝形成器具を用いて凹み3を形成する必要があり
、加熱テスト片を使用しなかった。この操作の違いにも
かかわらず溶融範囲以上では動作の変化が見られた。こ
れは160℃以下において少欲の分子配回がおこなわれ
るのに対し、170℃以上では溶融状態において凹みの
中央から材料が流れ出した結果にぶるものと思われる。 表   1 第4a〜48図 下記表2は第4a〜4e図の凹み3の例の細部を示して
いる。P P 4.5 rrrn厚の両面に同−深さの
凹み3を形成した。孔2の両端は点線で示されている。 各凹み3のベースは孔2の中央ラインとほぼ一致させた
(ただし、第4e図のものは除く]。厚みの違う物質に
ついては凹み3を適当に変えた。 器具26は示されたとおりであり、第4b図は長さ、深
さの異なる凹みをつくるのに同一の器具を用い得ること
を示している。 表 2(測定値:mm) この表から凹み3は孔2より長くとも(第4a図)、短
くとも【第4b図】、又同−(第4C図)であってもよ
い。第4dお工び第40図は凹み3の側面が必要とする
応力を減少させるためにエリ急峻であってもよいことを
示しており、好ましい角度は50°〜70°である。器
具26は切断を避けるため!Lみt設けた。得られた製
品はほぼ同一であっm。DI’z 4 e図は1以上の
凹み3をストランド形成域5に形成し得ることを示して
いる。必要に応じ、双子の凹みの遠方端部を孔2の両端
に一致させてもよい。一方向において、−配回がストラ
ンド形成域5に沿って他の凹み3からの配回部に達する
まで形成さn、((J1方の方向において、配回はバー
9又は接点14によって妨害されるまで進行する。 プラスチック材料の非凹み区域のP)み2%で表わ1−
と、一方の面の凹み3の深さくすなわち、符合する凹み
のないもの)又は両rfnの4″・1合凹み3を結合し
た深さは40%以下、好よしくは25係以下、10%以
上、あるいは20%以上であってもよい。 i4a〜、4a図は凹み3についてのみ説明したが、凹
み4を同様に形成することかできる。 第5図 第5゛図はパッチングされたプラスチックシートの2軸
延伸@鋤を示している(英国特許Nα2035191B
参照]。このシートはリール31から解巻され、往復動
パン5F32とダイス33との間を通過する。パンチビ
ームおよびダイスビームには器具26が凹み3の形成の
ためにパンチビームの動作中心底部近傍に設けられてい
る。a!発物質lはついで外囲器34同で加熱され、差
Lvロール35でMD延伸され、加熱外囲器36内でテ
ンター上でTD凡仲され、冷却され、リール32に巻回
される。いずれの方向1においても延伸力は便数のスト
ランド形成域5.6に対し同時に適用される。必要に応
じ、MD多I七伸物貿を冷却し、MD延伸後直接、リー
ルに巻回し、のちに)鉾益してTIJ々1(仲をおこな
ってもよい。
【図面の簡単な説明】
第1a図は本発明の出発物質の平面図、第1b図は第1
a図のものの斜視図、第1C図は第la図IA−IA線
に沿う断面図、第1夛図は第1a図の出発!l同質を一
軸延伸してメツシュ構造に形成しlこものの平面図、第
1e図は第1a図のメツシュ構造のもの′+c第2の軸
に沿って直角VC延伸してメツシュにしたものの平面図
、第2 a 〜2 c図は第1a、第1d、第1e図に
相当し、異なる出発物質、メツシュ構造を示す図、第3
a図:はテストストリップの平面図、第3b図は荷重、
/延伸の関係全示すグラフ、第3C図は凹み形成温度と
ピーク荷重との関係を示すグラフ、第4a〜4e図は凹
みの形状を第1a図の工v−1v縁に沿って示す断面図
、第5図は本発明を実施するだめの装置の側面図である
。 図中、l・・・出発物質、3.4・・・凹み、5.6・
・・ストランド形成域、8・・・配回ストランド、12
・・・2軸延伸(y造。 、!J坩(1人代1里人 弁理士 鈴 圧式 彦手続補
正書(方式) 昭和 6e、2.AY 日 特許庁長官   若 杉 和 大 殿 ■、事件の表示 特願昭58−191657号 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 ビー・エル・ノー・リサーチ・リミテッド4、代理人 昭和59年1月31日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 孔又はメツシュ孔を有するプラスチック物質を延伸して
    、該物質のヌトラスド形成域から配向ストランドを形成
    する方法であって、ストランド形成域に藷物質を除去す
    ることなく凹みを形成したのち、該ストランド形成域を
    延伸する工程を含み、上記凹みの形成ケ、該プラスチッ
    ク物質がその融点の下限以下の温度にあるときに施すこ
    と?特徴とする方法。
JP58191657A 1982-10-13 1983-10-13 孔又はメツシユ孔を有するプラスチツク物質を延伸して配向ストランドを形成する方法 Granted JPS59131434A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8229205 1982-10-13
GB8229205 1982-10-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59131434A true JPS59131434A (ja) 1984-07-28
JPH043731B2 JPH043731B2 (ja) 1992-01-24

Family

ID=10533567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58191657A Granted JPS59131434A (ja) 1982-10-13 1983-10-13 孔又はメツシユ孔を有するプラスチツク物質を延伸して配向ストランドを形成する方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4590029A (ja)
EP (1) EP0108513B1 (ja)
JP (1) JPS59131434A (ja)
AT (1) ATE27121T1 (ja)
CA (1) CA1213710A (ja)
DE (1) DE3371488D1 (ja)
GB (1) GB2128132B (ja)
HK (1) HK84886A (ja)
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