JPS5913065A - 薄膜防食法 - Google Patents

薄膜防食法

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Publication number
JPS5913065A
JPS5913065A JP12165582A JP12165582A JPS5913065A JP S5913065 A JPS5913065 A JP S5913065A JP 12165582 A JP12165582 A JP 12165582A JP 12165582 A JP12165582 A JP 12165582A JP S5913065 A JPS5913065 A JP S5913065A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film
corrosion resistance
electrode
plasma
Prior art date
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Pending
Application number
JP12165582A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Hirano
明 平野
Hideki Fujiwara
英樹 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5913065A publication Critical patent/JPS5913065A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C26/00Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明は、Ni系及びN1−Fe  膜の防食法に係り
、特にF*(連索中性うディカル)を含む低温プラズマ
にて表面処理を行かうことにより、耐食性を向上させる
薄膜防食法に関する。
(2)技術の背景および従来技術と問題点磁気バブルメ
モリや薄膜ヘッド等に用いられるNi −pe  合金
膜は、N1とFeの標準酸化還元電位の差等に起因し、
腐食することがあった。
又、Ni系膜は、アルカリに対して耐食性を有するが、
酸化力の強いHNO3等には腐食される欠点があった。
これ等の腐食に対して、これまで有効な防食法がなかっ
た。
(3)発明の目的 本発明の目的は、Ni系またはNi −J’e  合金
薄膜の耐食性を向上させることにある。
(4)発明の構成 本発明は上記目的を達するため、Nl  またはN1−
Feを主成分とする薄膜に於て、F*(沸素中性うジイ
カル)を有するプラズマにて表面処理を行ない、当核膜
の耐食性を向上させる事を特徴とする薄膜防食法を提供
したものである。
即ち、本発明は、低温プラズマ処理を行ない、表面に安
定な NlF2層を作ることにより、Ni系N1−Fe
薄膜の耐食性を向上させるようにしたものである。
CF4ガスは、高周波励起により次の様に電離する0 CF4+e−→CF3++ F*+  2e−このF*
(連索中性うディカル)は極めて活性でN1−re  
合金の表面にN1とFの結合を作るプラズマ処理を坏た
パー了ロイ(NiFe合金)薄膜 。
表面をxps(X線光電子分光)分析すると通常  ゛
のN1金属、酸化Nlの他にNlの沸化物のピークが確
認された。沸化物層は約200Xであった。
この NiF2は水にほとんど不溶で、酸化力の強い塩
酸1.硫酸及び硝酸にとけず、極めて耐食性が良い。耐
食性評価のため、プレッシャー・クツカー・テス)(1
21℃、水蒸気圧′2気圧中に放置)を咎なう履”、″
プラズマ処理をほどこさない部分は゛      ・1 48〜96時間で腐食し、ピンホールが多数発生した。
一方表面、処理部は、96時間でもピンホールの発生は
数個工メった。  、   、(5)発明の実施例 パーマロイ(NI −11’e )膜を使用した磁気バ
ブルメモリチップでの実施例を述べる。
このバブルメモリは第1図に概略断面図で示す如<、G
、G、G (ガドリウム・カリウム・ガーネット)等か
らなる非磁性基板1上にバブルを保持しプルを伝搬させ
るパーマロイ膜3と、バブルメモリを制御するAA!−
Cuコンダクタ−4と、絶縁層5およびパッシベーショ
ン層6より構成される。
第2層目の絶縁層5が形成された後、電子ビーム蒸着法
によりパーマロイ膜3が約400OA付着される。通常
蒸着後フォトリソグラフィー技術を用いて、パーマロイ
膜3は図示状態のパターンに形成される。本発明に係る
パターン形成方法では、パーマロイ膜3の付着後プラズ
マ処゛理し′cNlの沸化物からなる被膜3′を形成す
る。即ち、これはパーマロイ膜3の付着後−盲を竺2図
の平行平板型プラズマ・ドライ・エツチング装置、に入
れて、純CF4ガス圧lXl0−1Tor、rパワー3
00〜400Wで1〜5分間のプラズマ処理を施すこと
により、パーマロイ膜3上に被膜3′が形成される。
その後通常のフォト・リソグラフィーを行なって上述の
パーマロイパターンを得る。第2図図示の平行平板型プ
ラズマ・ドライエツチング装置は、ペルジャー7内の一
方の電極8が接地され、他方3− の試料台兼用の電極9にはマツチングボックス10を介
゛してRF電源・11が接続している。・これにより電
極8.9間にRF高も周波を加えベルジャ、−7内の 
CF4ガスを電離させる構造になっていもtだ CF4
ガスはペルジャー7、の流入口1・2・より流入し、排
気口13より上述の一定ガス圧になパるように排気され
る。       ・ □・  1・本実施例では純O
F4ガスを、使用し・たが、数−の02等他の低分圧・
の・ガスを□含、んでも同様の効果を出し′う各のは明
白である。又、CF4ガスに限らず一般にF*を発生す
るハロゲン化炭素系ガス(CHP3+’ c2F’6.
CaFs)の使用も・可能であるiF*発生の手段もR
F高周波励起に限らずマイクロ波でも実施できる。又−
Nlを主成分をする薄膜であれば、表面に)Jl沸、化
物層を形成しり、るので、耐食性を向上できることは明
らかである。
(6)発明の効果       ・ 本発明によれば、簡単なプラズマ処理によりNi、N1
−Fe  膜の表面−安、牢、なN1の沸イ、ヒ〒層 
、を形成できるので、耐食性の向上に著しい効果が4− ある。     ′
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を磁気バブルメ・モリチップに適用
した時のチップ断面を示す図、第2図は本発明方法にお
いてプラズマ処理時に使用される一例の平行平板皺下ラ
イエツチング装置の構造を示・ す図である。・ □ 
゛         ・〔符号の説明〕・ 3・・・パーマロイ膜 3′・・・NIの濃化物被膜 □   ′      ・ゝ    □“  :□ 、“1′、 ” 、ト;ノ・ 1     1                  
                         
15      ・ 、  、           
          “7゛・l

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. NltたはNi−Feを主成分とする薄膜に於て、2本
    (連索中性うディカル)を有するプラズマにて表面処理
    を行ない、尚該膜にN1の沸化物を被膜してなることを
    特徴とする薄膜防食法。
JP12165582A 1982-07-13 1982-07-13 薄膜防食法 Pending JPS5913065A (ja)

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JP12165582A JPS5913065A (ja) 1982-07-13 1982-07-13 薄膜防食法

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0352061A2 (en) * 1988-07-20 1990-01-24 Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. Metal material with film passivated by fluorination and apparatus composed of the metal material
EP0678589A1 (en) * 1994-04-18 1995-10-25 Daido Hoxan Inc. Method of carburizing austenitic metal and carburized austenitic metal products
US5556483A (en) * 1994-04-18 1996-09-17 Daido Hoxan, Inc. Method of carburizing austenitic metal
US5792282A (en) * 1995-04-17 1998-08-11 Daido Hoxan, Inc. Method of carburizing austenitic stainless steel and austenitic stainless steel products obtained thereby
US6258411B1 (en) 1990-03-08 2001-07-10 Mitsubisi Aluminum Company, Ltd. Industrial material with fluorine passivated film and process of manufacturing the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0352061A2 (en) * 1988-07-20 1990-01-24 Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. Metal material with film passivated by fluorination and apparatus composed of the metal material
US6258411B1 (en) 1990-03-08 2001-07-10 Mitsubisi Aluminum Company, Ltd. Industrial material with fluorine passivated film and process of manufacturing the same
EP0678589A1 (en) * 1994-04-18 1995-10-25 Daido Hoxan Inc. Method of carburizing austenitic metal and carburized austenitic metal products
US5556483A (en) * 1994-04-18 1996-09-17 Daido Hoxan, Inc. Method of carburizing austenitic metal
US5593510A (en) * 1994-04-18 1997-01-14 Daido Hoxan, Inc. Method of carburizing austenitic metal
US5792282A (en) * 1995-04-17 1998-08-11 Daido Hoxan, Inc. Method of carburizing austenitic stainless steel and austenitic stainless steel products obtained thereby

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