JPS59128521A - 光書き込み液晶ライトバルブ - Google Patents
光書き込み液晶ライトバルブInfo
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- JPS59128521A JPS59128521A JP472783A JP472783A JPS59128521A JP S59128521 A JPS59128521 A JP S59128521A JP 472783 A JP472783 A JP 472783A JP 472783 A JP472783 A JP 472783A JP S59128521 A JPS59128521 A JP S59128521A
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- Japan
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- liquid crystal
- light
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- photoconductor
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1354—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied having a particular photoconducting structure or material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は光書き込み液晶ライトバルブに関する。
従来技術
光照射によシ光導電性を示す光導電体と電界印加によル
散乱、つまシ白濁状態となる液晶や複屈折性の変化する
液晶とを組み合わせた光書き込み液晶ライトバルブが知
られておシ、一般には、光導電体層と液晶層とを透明な
導電性基板に挾持させてなるものである。
散乱、つまシ白濁状態となる液晶や複屈折性の変化する
液晶とを組み合わせた光書き込み液晶ライトバルブが知
られておシ、一般には、光導電体層と液晶層とを透明な
導電性基板に挾持させてなるものである。
従来、このような光書き込み液晶ライトバルブの光導電
体層にはＣｄｓ、Ｓｅ、Ｓｏ金合金を用いることが知ら
れている。
体層にはＣｄｓ、Ｓｅ、Ｓｏ金合金を用いることが知ら
れている。
しかしながら、光導電体層としてＳｅ等を用いｆｃ場合
には、光書き込み液晶ライトバルブ製造時における配向
処理層、遮光層、絶縁層等の蒸着による形成の際の基板
温度、あるいはこれらを塗布によｐ形成する際の乾燥温
度、ま几はシール剤等の熱処理温度等の上昇によるＳｏ
等の結晶化、あるいは光書き込み液晶ライトバルブの動
作時または保存時における光導電体層と液晶物質、配向
処理剤、シール剤等との接触、あるいは温度変化による
Ｓｓ等の結晶化が往じ、光導電性が劣化し光書き込み液
晶ライトバルブの性能が劣化するという欠点がある。ま
たＳｅ等を用いる場合には、一般に蒸着によシ光導電体
層を形成するため鉦産に不便であシコスト高になるとい
う欠点がある。
には、光書き込み液晶ライトバルブ製造時における配向
処理層、遮光層、絶縁層等の蒸着による形成の際の基板
温度、あるいはこれらを塗布によｐ形成する際の乾燥温
度、ま几はシール剤等の熱処理温度等の上昇によるＳｏ
等の結晶化、あるいは光書き込み液晶ライトバルブの動
作時または保存時における光導電体層と液晶物質、配向
処理剤、シール剤等との接触、あるいは温度変化による
Ｓｓ等の結晶化が往じ、光導電性が劣化し光書き込み液
晶ライトバルブの性能が劣化するという欠点がある。ま
たＳｅ等を用いる場合には、一般に蒸着によシ光導電体
層を形成するため鉦産に不便であシコスト高になるとい
う欠点がある。
目 的
本発明は光書き込み液晶ライトバルブの製造時、作動時
あるいは保存時等における温度等の環境変化による性能
の劣化が少なく、ま几量産に便利な光書き込み液晶ライ
トバルブを提供することを目的とするものである。
あるいは保存時等における温度等の環境変化による性能
の劣化が少なく、ま几量産に便利な光書き込み液晶ライ
トバルブを提供することを目的とするものである。
構 成
本発明は少なくとも光照射側には透光性を有する２枚の
導電性基板に挾持さ、ｔｔ、７’（光導電体層と液晶層
とを有する光書き込み液晶ライトバルブにおいて、＃光
導電体層が有機光導電体層であることを特徴とする光書
き込み液晶ライトバルブである。
導電性基板に挾持さ、ｔｔ、７’（光導電体層と液晶層
とを有する光書き込み液晶ライトバルブにおいて、＃光
導電体層が有機光導電体層であることを特徴とする光書
き込み液晶ライトバルブである。
次に、本発明による光書み液晶ライト／セルラの構成剤
を示した＠１図に基づいて本発明の詳細な説明する。
を示した＠１図に基づいて本発明の詳細な説明する。
１．１′は基板でありガラス板、ポリマーフィルム等が
用いられる。この表面には２，２′で示される導ｔｍが
あシ、酸化インジウム、酸化スズ、アルεニウム、パラ
ジウム等の導電性物質が蒸着などの方法にょ多形成され
る。但し、少なくとも光照射の基板及び導電層は透光性
を有する必要がおる。６は有機光導電体層であり、有機
光導電体とには電子写真用有機感光体としてすでに公知
のポリビニルカルバソール（ＰｖＫ入トリニトロフルオ
レノンをドープＬ７ｊＰＶＫ（ＰＶＫ−ＴＮＦ Ｊ、
銅フタロシアニン錯体等を使用し、必要に応じてバイン
ダー等と混合し塗布して形成される。
用いられる。この表面には２，２′で示される導ｔｍが
あシ、酸化インジウム、酸化スズ、アルεニウム、パラ
ジウム等の導電性物質が蒸着などの方法にょ多形成され
る。但し、少なくとも光照射の基板及び導電層は透光性
を有する必要がおる。６は有機光導電体層であり、有機
光導電体とには電子写真用有機感光体としてすでに公知
のポリビニルカルバソール（ＰｖＫ入トリニトロフルオ
レノンをドープＬ７ｊＰＶＫ（ＰＶＫ−ＴＮＦ Ｊ、
銅フタロシアニン錯体等を使用し、必要に応じてバイン
ダー等と混合し塗布して形成される。
このような有機光導電体の使用によって本発明の目的は
達成されるが、可視波長域まで分光感度を広げ、かつ感
度の高いものが要求される場合には、有機光導電体層を
ｍ２図に示すように電荷担体発生層８と電荷担体輸送／
１ｌｉ９とに分離、塗布形成し一７’Ｃ積層型の有機光
導電体ｒ＠（以下、積層型有機光導電体層）とすること
が望ましいＯ この積層型有機光導電体層は、電荷担体輸送層の選択に
よシ、高耐久性、可撓性、高耐電性。
達成されるが、可視波長域まで分光感度を広げ、かつ感
度の高いものが要求される場合には、有機光導電体層を
ｍ２図に示すように電荷担体発生層８と電荷担体輸送／
１ｌｉ９とに分離、塗布形成し一７’Ｃ積層型の有機光
導電体ｒ＠（以下、積層型有機光導電体層）とすること
が望ましいＯ この積層型有機光導電体層は、電荷担体輸送層の選択に
よシ、高耐久性、可撓性、高耐電性。
液晶とのマツチング性をも友せることができまた電荷担
体発生層選択によυ高感度化、混色化が可能となるこの
ような有機光導電体としては、例えばＪ 、 Ａｐｐｌ
、Ｐｈｏｔｏ、Ｅｎｇ、の１９７８年、第４巻１第１
１８頁に記載されたジメチルペリルイばドーオキサジア
ゾール、Ｊ 、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
体発生層選択によυ高感度化、混色化が可能となるこの
ような有機光導電体としては、例えばＪ 、 Ａｐｐｌ
、Ｐｈｏｔｏ、Ｅｎｇ、の１９７８年、第４巻１第１
１８頁に記載されたジメチルペリルイばドーオキサジア
ゾール、Ｊ 、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
の１９７８年、第４９巻、島５５４３頁に記載されたト
リフェニルメタン−ビリリウム塩２等が挙げられるが、
電荷担体発生層とに下記式Ｉで示される４’、４’−ビ
ス〔２−ヒドロキシ−３−（２，４−ジメチルフェニル
ノカルバモイル−１−ナフチルアゾ〕−１、４−ジスチ
リルベンゼンを樹脂とともに塗布形成しｆｃ１〜を、ま
た電荷担体輸送層として下記式■で示されｂＮ−メチル
−Ｎ−フ二二ルヒドラゾノー３−メチリデン−９−エチ
ルカルバゾールを樹脂とともに塗布形成した層を有する
積層型−Ｗ後光導電体層を用いるのが好ましい。
リフェニルメタン−ビリリウム塩２等が挙げられるが、
電荷担体発生層とに下記式Ｉで示される４’、４’−ビ
ス〔２−ヒドロキシ−３−（２，４−ジメチルフェニル
ノカルバモイル−１−ナフチルアゾ〕−１、４−ジスチ
リルベンゼンを樹脂とともに塗布形成しｆｃ１〜を、ま
た電荷担体輸送層として下記式■で示されｂＮ−メチル
−Ｎ−フ二二ルヒドラゾノー３−メチリデン−９−エチ
ルカルバゾールを樹脂とともに塗布形成した層を有する
積層型−Ｗ後光導電体層を用いるのが好ましい。
この光導電体層は可視域の全波長領域に分光感度がフラ
ットであシ、また感度もＰＶＫ−ＴＮＦにくらべ約５倍
高く、高いスイッチング比を得ることができる。該有機
光導電体層の厚みは良好なスイッチング比を得るため１
〜５μが望ましい。
ットであシ、また感度もＰＶＫ−ＴＮＦにくらべ約５倍
高く、高いスイッチング比を得ることができる。該有機
光導電体層の厚みは良好なスイッチング比を得るため１
〜５μが望ましい。
５ｉｊＳｉＯｘ、フェノキシ、シリコーン樹脂などで形
成される絶縁層であり、液晶と該光導電体層との直接の
接触をさけるため、数百久の厚さに必要に応じて形成さ
れる。 ４，４′は配向処理層であシ、この例では垂
直配向処理が施されている。３は液晶層であシ、この液
晶層どしては動的散乱型、相転移型、メモ１１−モード
型の各液晶が例示できる。これらはいずれも電界印加に
よシ、散乱を呈するものでありメモリー効果のある後二
者が望ましい。７はスペーサーである１本光書き込み液
晶ライトバルブは、第１図に示し次ように透過型で用い
ることもできるが、有機光導電体層の上層に遮光＠、光
反射層などを配して反射型表示を行なわせることもでき
、さらに光学系を用いて拡大投射表示を行なうこともで
きる。
成される絶縁層であり、液晶と該光導電体層との直接の
接触をさけるため、数百久の厚さに必要に応じて形成さ
れる。 ４，４′は配向処理層であシ、この例では垂
直配向処理が施されている。３は液晶層であシ、この液
晶層どしては動的散乱型、相転移型、メモ１１−モード
型の各液晶が例示できる。これらはいずれも電界印加に
よシ、散乱を呈するものでありメモリー効果のある後二
者が望ましい。７はスペーサーである１本光書き込み液
晶ライトバルブは、第１図に示し次ように透過型で用い
ることもできるが、有機光導電体層の上層に遮光＠、光
反射層などを配して反射型表示を行なわせることもでき
、さらに光学系を用いて拡大投射表示を行なうこともで
きる。
以下実施例によシ本発明の詳細な説明するが。
本発明はこれに限定されるものではない。
実施例
顔料（前記式Ｉり化合物） ２９アクリレート
樹脂 ＥＪ？ｖａｅｌｔ＠ ２０１０（デュポン社製）
５重量％ＴＨＦ溶液 ７ｙＴＨＦ
６０ｙ上記処方をゼールば
ルにょジ分散し、この液をネサガ′ラス上にドクターブ
レードを用いて塗布乾燥させることによｌｐ ０．２μ
の電荷担体発生層を形成させ次。次いでこの上に前記式
Ｈの化合物４．５ ｆ 、ポリカーゼネー）４４脂Ｋ
−１３００帝人化成社奥５．０ｙを１．２−ジクロロエ
タン８１．０りに溶解し定溶液を同様にドクターブレー
ドを用いて塗布し乾燥させることにょ）２μの厚さの電
荷担体輸送層を形成させた。このようにして形成された
光導電体１−は全可視波長領域にわたって分光感度〃Ｉ
はＪ・デフラットであハかつ感度もＰＶＫ−ＴＮＦの約
５倍と高感度であつ友。
樹脂 ＥＪ？ｖａｅｌｔ＠ ２０１０（デュポン社製）
５重量％ＴＨＦ溶液 ７ｙＴＨＦ
６０ｙ上記処方をゼールば
ルにょジ分散し、この液をネサガ′ラス上にドクターブ
レードを用いて塗布乾燥させることによｌｐ ０．２μ
の電荷担体発生層を形成させ次。次いでこの上に前記式
Ｈの化合物４．５ ｆ 、ポリカーゼネー）４４脂Ｋ
−１３００帝人化成社奥５．０ｙを１．２−ジクロロエ
タン８１．０りに溶解し定溶液を同様にドクターブレー
ドを用いて塗布し乾燥させることにょ）２μの厚さの電
荷担体輸送層を形成させた。このようにして形成された
光導電体１−は全可視波長領域にわたって分光感度〃Ｉ
はＪ・デフラットであハかつ感度もＰＶＫ−ＴＮＦの約
５倍と高感度であつ友。
次に、このようにして得られ迄光導電体ｌｉｔ Ｋ 。
Ｓ１０を約５ｏθＸの厚さに蒸着し透明絶縁層を形成さ
くたのち、東しシリコーン社ｍ５Ｒｘ−６７９の０．５
係エタノール溶液をスピナー塗布することによシ配向処
理層を形成した。同様に配向処理の施された対向ネサガ
ラス基板と該光導電体層を有する基板及び１６μのマイ
ラースペーサーによシセルを形成させ％液晶ＣＥ。
くたのち、東しシリコーン社ｍ５Ｒｘ−６７９の０．５
係エタノール溶液をスピナー塗布することによシ配向処
理層を形成した。同様に配向処理の施された対向ネサガ
ラス基板と該光導電体層を有する基板及び１６μのマイ
ラースペーサーによシセルを形成させ％液晶ＣＥ。
ＭＥＲＣＫ社製ＺＬＩ−１８３１と、オレイン酸コレス
テロールの９１：９重景比の混合液晶〕を注入し、エポ
キシ樹脂でシールするこトニょシ九書き込み液晶ライト
バルブを得た。
テロールの９１：９重景比の混合液晶〕を注入し、エポ
キシ樹脂でシールするこトニょシ九書き込み液晶ライト
バルブを得た。
？ニー ｔｌ） モノは６００ Ｌｕｘの白色光照射下
で３０Ｖの閾値電圧をもち、８０’Ｃ５時間の耐熱試験
に＞い’−ｃも性能の劣化はみられなかった。
で３０Ｖの閾値電圧をもち、８０’Ｃ５時間の耐熱試験
に＞い’−ｃも性能の劣化はみられなかった。
比較例
ネサガラスにＳｅを２μの厚みで蒸着し、前記実施例と
同様に絶縁被膜処理、配向処理を行ない、光書き込み液
晶ライトバルブを作製しに０？−ｃｒ） ’％、 Ｉ）
Ｉｄ ６００ Ｌｕｘの白色光照射下３５Ｖの閾値電圧
をもち、８０℃５時間の耐熱試験においてはＳｏが結晶
化し一部の画面が黒化し友。
同様に絶縁被膜処理、配向処理を行ない、光書き込み液
晶ライトバルブを作製しに０？−ｃｒ） ’％、 Ｉ）
Ｉｄ ６００ Ｌｕｘの白色光照射下３５Ｖの閾値電圧
をもち、８０℃５時間の耐熱試験においてはＳｏが結晶
化し一部の画面が黒化し友。
効 果
上記例からも明らかなように、本発明の光書き込み液晶
ライ−バルブは、温度変化等の環境゛変化による性能の
劣化が極めて少ないものである。
ライ−バルブは、温度変化等の環境゛変化による性能の
劣化が極めて少ないものである。
第１胞は本発明による光書き込み液晶ライトバルブの構
取例を示したものであり、第２図は積層型の有機光導電
層の説明図である。 １．１′・・・基 板 ２，２′・・・導’ｍ階３・
・・液晶層 ４，４′・・・配回処理層５・・・絶縁
Ｉ＠６・・・有機光導１１ｒ＠８・・・電荷担体発生層 ９・・・亀荷担体輸送噛
取例を示したものであり、第２図は積層型の有機光導電
層の説明図である。 １．１′・・・基 板 ２，２′・・・導’ｍ階３・
・・液晶層 ４，４′・・・配回処理層５・・・絶縁
Ｉ＠６・・・有機光導１１ｒ＠８・・・電荷担体発生層 ９・・・亀荷担体輸送噛
Claims (1)
- １、少なくとも光照射側には透光性を有する２枚の導電
性基板に挾持された光導電体層と液晶層とを有する光書
き込みライトパルプにおいて、該光導電体層が有機光導
電体層であることを特徴とする光書き込み液晶ライトバ
ルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP472783A JPS59128521A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 光書き込み液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP472783A JPS59128521A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 光書き込み液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59128521A true JPS59128521A (ja) | 1984-07-24 |
Family
ID=11591924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP472783A Pending JPS59128521A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 光書き込み液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59128521A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189633A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-28 | Canon Inc | 光変調素子 |
| JPH01319734A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Seiko Instr Inc | 透過型光書込液晶ライトバルブ |
| US5039209A (en) * | 1989-05-16 | 1991-08-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Light-to-light conversion method and display unit using the same |
| FR2661755A1 (fr) * | 1990-05-02 | 1991-11-08 | Thomson Csf | Modulateur spatial de lumiere a base de polymere photoconducteur. |
-
1983
- 1983-01-14 JP JP472783A patent/JPS59128521A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189633A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-28 | Canon Inc | 光変調素子 |
| JPH01319734A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Seiko Instr Inc | 透過型光書込液晶ライトバルブ |
| US5039209A (en) * | 1989-05-16 | 1991-08-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Light-to-light conversion method and display unit using the same |
| FR2661755A1 (fr) * | 1990-05-02 | 1991-11-08 | Thomson Csf | Modulateur spatial de lumiere a base de polymere photoconducteur. |
| US5209955A (en) * | 1990-05-02 | 1993-05-11 | Thomson-Csf | Photoconductive polymer based spatial light modulator |
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