JPS59124189A - 銀膜形成方法 - Google Patents
銀膜形成方法Info
- Publication number
- JPS59124189A JPS59124189A JP23150282A JP23150282A JPS59124189A JP S59124189 A JPS59124189 A JP S59124189A JP 23150282 A JP23150282 A JP 23150282A JP 23150282 A JP23150282 A JP 23150282A JP S59124189 A JPS59124189 A JP S59124189A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- film
- silver film
- resin acid
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子部品などを作る場合に用いられる銀膜を
、樹脂酸銀化合物に対する紫外線および加熱の併用によ
り超微粒銀粉を析出・焼結せしめて被コーテイング面（
以下、基板と称す。）に形成する銀膜形成方法に関する
ものである。
、樹脂酸銀化合物に対する紫外線および加熱の併用によ
り超微粒銀粉を析出・焼結せしめて被コーテイング面（
以下、基板と称す。）に形成する銀膜形成方法に関する
ものである。
従来の方法とその間九点
従来、銀によ＃）導電膜を得る方法として、（Ａｔ
銀粉末を有機質マトリックス（熱硬化性樹脂など）中に
分散して得られる有機質マトリックヌ系銀ベーヌトの塗
工軟派によるもの。
銀粉末を有機質マトリックス（熱硬化性樹脂など）中に
分散して得られる有機質マトリックヌ系銀ベーヌトの塗
工軟派によるもの。
（Ｂｌ 銀−パラジウム合金粉末などを無機質マトリ
ックス（カーラヌ、金属酸化物など）粉末と混合し、こ
れに有機質ビヒクルを加え、混練して得られるところの
、いわゆる厚膜銀ペーストの塗工、焼成によるもの。
ックス（カーラヌ、金属酸化物など）粉末と混合し、こ
れに有機質ビヒクルを加え、混練して得られるところの
、いわゆる厚膜銀ペーストの塗工、焼成によるもの。
（０電解、わるいは無眠解メンキによる湿式銀メッキに
よるもの。
よるもの。
（Ｄｌ ｇ空蒸漸、スパッタリング、イオンブレーテ
インクなどを用いた銀のドライメッキによるもの。
インクなどを用いた銀のドライメッキによるもの。
などの方法かある。ここで、（２）および（１３１の銀
ベーストによる銀膜は、銀以外のバインター成分を膜内
に含むため、電気伝導性に本質的な問題を残す。
ベーストによる銀膜は、銀以外のバインター成分を膜内
に含むため、電気伝導性に本質的な問題を残す。
同時に、（５）の場合は、電子部品などに応用する場合
に早出付性、耐牛田熱性に劣るといった欠点があシ、１
だ（Ｂｌの場合は、その焼成温度が６００〜９００℃ト
高く、基板としてはアルミナセラミックに代表されるよ
うな耐熱セラミック材料に限定されることになる。ｆｃ
＋およびの）の方法は、（ＡＩＱ３＋と異なシ、膜内に
バインダー成分が残存しないことから高純度の銀膜を得
ることが可能であシ、その膜厚の制御も比較的容易であ
る。しかしながら（Ｃ１の場合、′ｒＭ、気メッキメツ
キ板は導通性のものに限られ、丑だ無電解メッキにおい
ては、メッキ核形成のために複雑な前処理を必要とする
ことと、メッキ速度が遅いという欠点がある。また、公
害処理が必要本質的に高純度の銀膜を得ることができ、
かつ原則的には基板の選択についても制限がないという
利点がある。しかし７ながら設備が大がかりとなり、一
般的にはバッチ生産となるだめ生産性に問題が出て来る
と同時に、銀膜パターンを形成する際にオイてマスクを
用いる必要があるが、このマスク上の銀膜について回収
が必要になってくるなどの欠点がある。
に早出付性、耐牛田熱性に劣るといった欠点があシ、１
だ（Ｂｌの場合は、その焼成温度が６００〜９００℃ト
高く、基板としてはアルミナセラミックに代表されるよ
うな耐熱セラミック材料に限定されることになる。ｆｃ
＋およびの）の方法は、（ＡＩＱ３＋と異なシ、膜内に
バインダー成分が残存しないことから高純度の銀膜を得
ることが可能であシ、その膜厚の制御も比較的容易であ
る。しかしながら（Ｃ１の場合、′ｒＭ、気メッキメツ
キ板は導通性のものに限られ、丑だ無電解メッキにおい
ては、メッキ核形成のために複雑な前処理を必要とする
ことと、メッキ速度が遅いという欠点がある。また、公
害処理が必要本質的に高純度の銀膜を得ることができ、
かつ原則的には基板の選択についても制限がないという
利点がある。しかし７ながら設備が大がかりとなり、一
般的にはバッチ生産となるだめ生産性に問題が出て来る
と同時に、銀膜パターンを形成する際にオイてマスクを
用いる必要があるが、このマスク上の銀膜について回収
が必要になってくるなどの欠点がある。
発明の目的
本発明の目的とするところは、従来例（Ａｔ（ｆ３＋の
ようなバインダー成分を含まず、かつ従来例（Ｃ１のご
とき基板、膜厚の制限なしに、また従来例ＣＤ＋のよう
なマスクを便用することなく、電圧でスクリーン印刷な
どによりパターンを形成し得、さらに紫外線照射を併用
することにより従来例（Ｂｌのような高温焼成を不要に
し得る銀膜形成方法を提供する点になる。
ようなバインダー成分を含まず、かつ従来例（Ｃ１のご
とき基板、膜厚の制限なしに、また従来例ＣＤ＋のよう
なマスクを便用することなく、電圧でスクリーン印刷な
どによりパターンを形成し得、さらに紫外線照射を併用
することにより従来例（Ｂｌのような高温焼成を不要に
し得る銀膜形成方法を提供する点になる。
発明の構成
上記目的を達成するために本発明の銀膜形成方法は、樹
脂酸銀化合物の一部を還元して生成する超微粒銀粉と、
未反応の樹脂酸銀化合物およびビヒクルとからなる基本
的銀膜形成組成物を、加熱分解時に紫外線照射を併用す
ることによシ分解−焼結せしめて銀膜を得るようにして
おシ、しだがって、銀膜形成のだめに低温の加熱分解で
よく、また厚い銀膜が得られるものでるる。
脂酸銀化合物の一部を還元して生成する超微粒銀粉と、
未反応の樹脂酸銀化合物およびビヒクルとからなる基本
的銀膜形成組成物を、加熱分解時に紫外線照射を併用す
ることによシ分解−焼結せしめて銀膜を得るようにして
おシ、しだがって、銀膜形成のだめに低温の加熱分解で
よく、また厚い銀膜が得られるものでるる。
実施例の説明
以下に本発明による銀膜形成方法を詳細に説明する。
本発明方法に使用される銀膜形成材料は、一般式ＲＣＯ
ＯＡｇ （Ｒ：アルキル基、アリール基など）で示され
るギ酸銀、酢酸銀、ステアリン酸銀、パルミチン酸銀の
ごとき脂肪酸塩、酒石酸銀、乳酸銀のごときヒドロキシ
酸坂、グルタミン酸銀、アヌパラキン酸銀のごときアミ
ノ酸塩、安息香酸銀、石炭酸銀のごとき芳香族酸塩など
である。これら樹脂酸銀は公知のごとく光分解により金
属銀を析出する性質があるが、実験によると、分解反応
の際、紫外線照射のみでは一般に塗膜表面から０．０５
〜０．１μの深さ１でしか分解反応が進行せず、これよ
り深部では、表層に生成した銀によシ紫外線が反射して
米分解状匹で残存し、実用上必要な厚みを得ることが困
難であることか判明した。才だ各種樹脂酸銀を加熱分解
のみ行なって金属銀の析出を検討したが、分解生成に高
温、長時間を要することが判明した。
ＯＡｇ （Ｒ：アルキル基、アリール基など）で示され
るギ酸銀、酢酸銀、ステアリン酸銀、パルミチン酸銀の
ごとき脂肪酸塩、酒石酸銀、乳酸銀のごときヒドロキシ
酸坂、グルタミン酸銀、アヌパラキン酸銀のごときアミ
ノ酸塩、安息香酸銀、石炭酸銀のごとき芳香族酸塩など
である。これら樹脂酸銀は公知のごとく光分解により金
属銀を析出する性質があるが、実験によると、分解反応
の際、紫外線照射のみでは一般に塗膜表面から０．０５
〜０．１μの深さ１でしか分解反応が進行せず、これよ
り深部では、表層に生成した銀によシ紫外線が反射して
米分解状匹で残存し、実用上必要な厚みを得ることが困
難であることか判明した。才だ各種樹脂酸銀を加熱分解
のみ行なって金属銀の析出を検討したが、分解生成に高
温、長時間を要することが判明した。
そこで種々検討の結果、紫外線照射と加熱全併用するこ
とにより、低湿短時間で樹脂酸銀より銀を得る方法を見
出した。（表−１蚕照）以 下 余 白 表−１ 本完期による銀膜形成方法は、ホットプレートのごとき
加熱装置および紫外線照射装置による処理に限るもので
はなく、紫外線照射時に放射される赤外線による輻射加
熱をも含むものである。（以下、こ９銀膜形成方法を紫
外線／加熱処理と称す。）したがって、本発明によると
、基板材料としては耐熱プラスチック、金属、セラミッ
クといった巾広い基板材料から選定が可能となるわけで
ある。
とにより、低湿短時間で樹脂酸銀より銀を得る方法を見
出した。（表−１蚕照）以 下 余 白 表−１ 本完期による銀膜形成方法は、ホットプレートのごとき
加熱装置および紫外線照射装置による処理に限るもので
はなく、紫外線照射時に放射される赤外線による輻射加
熱をも含むものである。（以下、こ９銀膜形成方法を紫
外線／加熱処理と称す。）したがって、本発明によると
、基板材料としては耐熱プラスチック、金属、セラミッ
クといった巾広い基板材料から選定が可能となるわけで
ある。
本発明による銀膜は、上述のごとく基本的には、絢脂酸
銀化合物の熱分解反応時に紫外線を照射し、その分解速
度を著しく向上させることを特徴とする形成方法により
得られるものではあるが、ビヒフ／Ｉ／′Ｊ、−よび樹
脂酸銀からなる単純な組成物より形成される銀膜は、平
滑性や均一性が著しく悪く、とうてい天川に供しうるも
のではない。
銀化合物の熱分解反応時に紫外線を照射し、その分解速
度を著しく向上させることを特徴とする形成方法により
得られるものではあるが、ビヒフ／Ｉ／′Ｊ、−よび樹
脂酸銀からなる単純な組成物より形成される銀膜は、平
滑性や均一性が著しく悪く、とうてい天川に供しうるも
のではない。
そこで鋭意検討の結果、樹脂酸銀の一部を予め還元し、
超微粒銀粉末を析出せしめて銀膜形成材料の系中に共存
せしめることによｐ、良好な平滑性、および均一性の銀
膜を得ることができ−ることを見出した。すなわち、こ
こでもちいる還元剤としては、ハイドロキノン、アミト
ール、アミノフェノール、アセチルアミノフェノール、
ヒドラジン、ピロガロール、ホルマリンなどであシ、本
発明による銀ＩＪｓ％ｆｆ成材料の還元剤として具備す
べき条件として、還元作用を行なった後の還元剤（酸化
物）が上述の紫外線／加熱処理により分解飛散可能なも
のである必要がめる。
超微粒銀粉末を析出せしめて銀膜形成材料の系中に共存
せしめることによｐ、良好な平滑性、および均一性の銀
膜を得ることができ−ることを見出した。すなわち、こ
こでもちいる還元剤としては、ハイドロキノン、アミト
ール、アミノフェノール、アセチルアミノフェノール、
ヒドラジン、ピロガロール、ホルマリンなどであシ、本
発明による銀ＩＪｓ％ｆｆ成材料の還元剤として具備す
べき条件として、還元作用を行なった後の還元剤（酸化
物）が上述の紫外線／加熱処理により分解飛散可能なも
のである必要がめる。
還元剤の配合量は、樹脂酸銀全景の１０〜５０幅、好丑
しくは２０〜３０係の樹脂酸銀を還元する量である。
しくは２０〜３０係の樹脂酸銀を還元する量である。
ここで、５０幅以上の樹脂酸銀を還元すると、生成した
銀膜の凝集力が劣り、また基板との密着力を大巾に損な
うことになる。一方、１０％以下では平滑性、均一性に
すぐれた銀膜が得られない。
銀膜の凝集力が劣り、また基板との密着力を大巾に損な
うことになる。一方、１０％以下では平滑性、均一性に
すぐれた銀膜が得られない。
まだ本発明による銀膜形成材料に使用するビヒフ／Ｉ／
は、溶解（分散）させるべき樹脂酸銀に対して溶解度が
大きいほど、得られる銀膜の平滑性、膜強度（ち沿度）
、および基板との密着力にすぐれた銀膜を得ることがで
きる。これは、溶解状態で存在する樹脂酸銀から還元に
よって生成する銀粒子が超微粉末となシ、紫外線／加熱
処理時の焼成により焼結し易くなるためであると考えら
れ、飛散性とともにビヒクルのＡ ｉ’ｉイｊすべき条
件となる。
は、溶解（分散）させるべき樹脂酸銀に対して溶解度が
大きいほど、得られる銀膜の平滑性、膜強度（ち沿度）
、および基板との密着力にすぐれた銀膜を得ることがで
きる。これは、溶解状態で存在する樹脂酸銀から還元に
よって生成する銀粒子が超微粉末となシ、紫外線／加熱
処理時の焼成により焼結し易くなるためであると考えら
れ、飛散性とともにビヒクルのＡ ｉ’ｉイｊすべき条
件となる。
基本的にイ′Ｍ脂酸鈑、ビヒクル、趨元剤からなる銀膜
形成材料に銀粉末まだは銀合金粉末を配合し、本発明に
よる銀膜形成方法によシ厚膜の銀膜を得ることも可能で
ある。この際、配合する銀粉末ま／２：は銀合金粉末は
１〜２μのリン片状粉本が好１しく、被膜強度の同上、
厚膜化をはかることができる。配合量は、銀粉／金ｔｉ
ｉ’ｌ脂酸飯−０．６／１以下にする必要がある。これ
以上になると、生成銀１・＊のぢ密びがなくなり、膜の
εψ集カの低下をきたすことになる。
形成材料に銀粉末まだは銀合金粉末を配合し、本発明に
よる銀膜形成方法によシ厚膜の銀膜を得ることも可能で
ある。この際、配合する銀粉末ま／２：は銀合金粉末は
１〜２μのリン片状粉本が好１しく、被膜強度の同上、
厚膜化をはかることができる。配合量は、銀粉／金ｔｉ
ｉ’ｌ脂酸飯−０．６／１以下にする必要がある。これ
以上になると、生成銀１・＊のぢ密びがなくなり、膜の
εψ集カの低下をきたすことになる。
以「に本発明の英、８に例を示す。
実施例
乳酸ナトリウム水溶液と硝酸銀水溶液とを反応させ、再
結晶法によシ乳酸鈑を再精′して得る。
結晶法によシ乳酸鈑を再精′して得る。
試料（１）ニア１．酸銀１ｇを水／乳酸−１７２のビヒ
クル０．５ｇに溶解分散させたペースト。
クル０．５ｇに溶解分散させたペースト。
試Ｐｌ−（２）：試Ｐ） （１）のべ一ヌトに、乳酸銀
全量の半分を潴冗できる量のホルマリンを加え予備還元
したペースト。
全量の半分を潴冗できる量のホルマリンを加え予備還元
したペースト。
試料（３）：試料（２）のペースト１．５ｇに、０．６
ｇのリン片状銀粉（１〜２μ）を加えたペースト。
ｇのリン片状銀粉（１〜２μ）を加えたペースト。
Ｋ Ｐｌ−Ｌ４） ：試料（２）の還元剤をヒドラジン
と吟だペースト。
と吟だペースト。
試料（５）：試刺直３）の還元剤をヒドラジンとしたペ
ースト。
ースト。
試Ｆ）（６）：試料（２）のべ一部ｌ−１，５ｇに、０
．８ｇのリン片状銀粉（１〜２μ）を加えたペースト。
．８ｇのリン片状銀粉（１〜２μ）を加えたペースト。
以上の谷試石・をスクリーン印刷によシ、アルミナ基板
に１０扉Ｘ １０脳のパターンを作り、紫外線照射、２
５０℃加熱１５分で銀膜を得る。その評価結果を表−２
に示す。またグルタミン酸銀、酒石酸銀、酢酸銀につい
て同様の実験を行なったが、酒石酸銀、酢酸銀では良好
な銀膜が得られなかった。
に１０扉Ｘ １０脳のパターンを作り、紫外線照射、２
５０℃加熱１５分で銀膜を得る。その評価結果を表−２
に示す。またグルタミン酸銀、酒石酸銀、酢酸銀につい
て同様の実験を行なったが、酒石酸銀、酢酸銀では良好
な銀膜が得られなかった。
表 −２
究明の効果
以上、のように本発明の銀膜形成方法によると、樹脂酸
銀化合物の一部を爺元して生成する超微粒銀粉と、未反
応の樹脂酸銀化合物およびビヒクルとからなる犠本的銀
膜形成組成物を、加熱分解時に紫外線照射を併用するこ
とによシ分解・焼結せしめて銀膜を得るようにしている
ため、銀膜形成のための加熱分解は低温で行なうことが
でき、丑だ厚い銀膜を形成することができる。
銀化合物の一部を爺元して生成する超微粒銀粉と、未反
応の樹脂酸銀化合物およびビヒクルとからなる犠本的銀
膜形成組成物を、加熱分解時に紫外線照射を併用するこ
とによシ分解・焼結せしめて銀膜を得るようにしている
ため、銀膜形成のための加熱分解は低温で行なうことが
でき、丑だ厚い銀膜を形成することができる。
具体的には、従来例（Ｂｌの＃膜銀ペーストのように６
００〜９００°Ｃといった高温焼成は不要となり、２５
０℃以下の温友でしかも１５分以内に厚さ１０μ程度の
塗膜の分解反応を完了することができる。
００〜９００°Ｃといった高温焼成は不要となり、２５
０℃以下の温友でしかも１５分以内に厚さ１０μ程度の
塗膜の分解反応を完了することができる。
Claims (1)
- ■ 樹脂酸銀化合物の一部を還元して生成する超微粒銀
粉と、未反応の樹脂酸銀化合物およびビヒクルとから々
る基本的銀膜形成組成物を、加熱分解時に紫外線照射を
併用することにより分解・焼結せしめて銀膜を倒ること
を特徴とする銀膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23150282A JPS59124189A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 銀膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23150282A JPS59124189A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 銀膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124189A true JPS59124189A (ja) | 1984-07-18 |
| JPS6241314B2 JPS6241314B2 (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=16924494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23150282A Granted JPS59124189A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 銀膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124189A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192874A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金属被膜品の製造方法 |
| JP2001207088A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 銀インキおよびその製造方法、電子部品の製造方法 |
| JP2012500893A (ja) * | 2008-08-22 | 2012-01-12 | ヴェー・ツェー・ヘレウス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフト | 金属および乳酸縮合物から構成される物質および電子部品 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414422U (ja) * | 1990-05-22 | 1992-02-05 | ||
| JPH07274346A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Mirai Ind Co Ltd | ボックス用防塵パッキン |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP23150282A patent/JPS59124189A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192874A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Electroplating Eng Of Japan Co | 金属被膜品の製造方法 |
| JP2001207088A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 銀インキおよびその製造方法、電子部品の製造方法 |
| JP2012500893A (ja) * | 2008-08-22 | 2012-01-12 | ヴェー・ツェー・ヘレウス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフト | 金属および乳酸縮合物から構成される物質および電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6241314B2 (ja) | 1987-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Silvert et al. | Synthesis of monodisperse submicronic gold particles by the polyol process | |
| EP2045028A1 (en) | Metal nanoparticles, method for producing the same, aqueous dispersion, method for manufacturing printed wiring or electrode, and printed wiring board or device | |
| WO1987002029A1 (en) | Catalyst composition for electroless plating of ceramics | |
| EP1713867B1 (de) | Elektrische leitfähige pigmente mit ferromagnetischem kern, deren herstellung und verwendung | |
| JPS59124189A (ja) | 銀膜形成方法 | |
| JP2900650B2 (ja) | ニッケル微粉末の製造方法 | |
| JP2582034B2 (ja) | 表面に多層膜を有する粉体およびその製造方法 | |
| JP2004277868A (ja) | 導電性組成物の作製方法 | |
| US20080311414A1 (en) | Method of forming thin metal film and thin metal film manufactured by the forming method | |
| JP2009097082A (ja) | 金属ナノ粒子及びその製造方法、並びに水性分散物、プリント配線・電極の製造方法、及びプリント配線基板・デバイス | |
| JP2003342621A (ja) | 銅粉の製造方法及びその方法で得られた銅粉 | |
| JPS59167906A (ja) | 導電性厚膜形成組成物、その製造法および使用法 | |
| JPH09171714A (ja) | 導電性粉体 | |
| KR20000035984A (ko) | 귀금속 염으로 핵형성되어 있는 기판, 이의 제조방법 및 이의용도 | |
| Hu et al. | Thermal behavior of copper powder prepared by hydrothermal treatment | |
| WO2017134769A1 (ja) | 金属膜形成用組成物および金属膜形成方法 | |
| JP7130631B2 (ja) | 導体の製造方法、配線基板の製造方法及び導体形成用組成物の製造方法 | |
| JPH0426514A (ja) | 板状導電性酸化亜鉛の製造方法 | |
| JP2632007B2 (ja) | 磁性無電解めっき粉体の製造方法 | |
| JPS6237301A (ja) | 金属担持粒子の製造方法 | |
| JP2004084069A (ja) | 無機酸化物コート金属粉及びその無機酸化物コート金属粉の製造方法 | |
| JP7072812B2 (ja) | 導体の製造方法、配線基板の製造方法及び導体形成用組成物 | |
| DE2014635C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von feinem phosphor- und bohrhaltigem Metallpulver | |
| JPH0235031B2 (ja) | Parajiumuoruganozoruomochiitakinzokumetsukihoho | |
| Han et al. | Preparation and anti-oxidisation resistance of silver-coated copper powders by cobalt-modified copper powders |