JPS59121330A - フエノ−ル系シアンカプラ−の製造法 - Google Patents

フエノ−ル系シアンカプラ−の製造法

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JPS59121330A
JPS59121330A JP23075182A JP23075182A JPS59121330A JP S59121330 A JPS59121330 A JP S59121330A JP 23075182 A JP23075182 A JP 23075182A JP 23075182 A JP23075182 A JP 23075182A JP S59121330 A JPS59121330 A JP S59121330A
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JP
Japan
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group
general formula
cyan coupler
represented
silver halide
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Application number
JP23075182A
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English (en)
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Satoru Kawakatsu
川勝 哲
Kosaku Masuda
功策 益田
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C7/00Multicolour photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents; Photosensitive materials for multicolour processes
    • G03C7/30Colour processes using colour-coupling substances; Materials therefor; Preparing or processing such materials
    • G03C7/32Colour coupling substances
    • G03C7/34Couplers containing phenols
    • G03C7/346Phenolic couplers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■ 発明の背景 技術分野 本発明は写真用に供されるフェノール系シアンカプラー
の製造法に関し、更に詳しくは2−ウレイド−5−アミ
ノフェノールとカルボン酸塩化物との反応により2−ウ
レイド−5−アシルアミノフェノール系シアンカグシー
ヲ製造する方法に関する。
アミノ化合物をアシル化する方法としては、アミン化合
物と、カルボン酸塩化物とを反応させる方法、アミノ化
合物とカルボン酸をNXN/−ジシクロへキシルカルボ
ジイミド(D、 C,C1)等の存在下で縮合させる方
法、アミン化合物と酸無水物とを反応させる方法、アミ
ン化合物とカルボン酸エステルとを縮合させる方法など
がある。
これらのアシル化反応のうち、ハロゲン化銀カラー写真
感光材、H等の写真用のシアンカプラ〜として用いられ
るアシルアミノフェノール系シアンカプラーを製造する
場会、アミノンエノールとカルボン酸塩化物との反応を
利用するのが一般的であり、例えば特開昭56−651
34号公報等に2−フェニルウレイド−5−アミンフェ
ノールとカルボン酸塩化物との反応による2−ウレイド
−5−アシルアミノフェノール系シアンカプラーの製造
法が記載されている。ところが前記特開昭56−651
34号公報に記載された製造法は2−ウレイド−5−ア
シルアミノフェノール系シアンカプラーの一般的かつ大
量生産に適した製造法としては不適切である。というの
は、2位のウレイド基に導入されるフェニル基の置換基
によっては、有機溶媒に難溶性であり、ジメチルホルム
アミド(DMF)やジメチルスルホオキシド(DMSO
)といった溶媒にのみ可溶であるため、通常の溶媒を用
いて反応させるとフェノール性水酸基もアシル化された
化A生成してしまう。これは、溶媒に一部溶解したアミ
ン体に対してカルボン酸塩化物や、アシル化反応によっ
て副生ずる塩化水素を除去するために加えられる塩基が
大過剰となるためと考えられる。このため溶媒を大量に
用いたり、DMFやDMSOの様な溶解能の強い溶媒を
用いることも考えられるが、溶媒を大iK用いると、大
型の反応装置が必要となり、またDMFやDMSOを用
いると、これらの溶媒が生体に対して有害であることか
ら作業環境や廃水処理上に問題があるので、何れも好ま
しいものとはいえない。
また副生ずる塩化水素を除去するだめに塩基を用いると
、アミン体が更に酸化されて、目的とするアシル化合物
の収率が低下し、酸化防止のだめに反応液中に窒素;ガ
スを導入するなど煩雑な操作が必要となる。
■ 発明の目的 本発明の目的は、2−ウレイド−5−アミンフェノール
とカルボン酸塩化物との反応によシ2−ウレイドー5−
アシルアミノフェノール系シアンカプラーを筒収率で得
ることのできる2−ウレイド−5−アシルアミノフェノ
ール系シアンカブ2−の一般的でかつ大量生産に適した
製造法を提供することにある。
本発明者等は、下記一般式[III )で示されるフェ
ノール系シアンカプラーを製造するに際し、下記一般式
CI)で示される化合物と下記一般式〇〇で示される化
合物をアセトニトリル中で煮沸還流して反応させること
により、上記目的が達成されることを見出し、本発明を
完成するに至った。
λ 一般式〔1■〕 ocl (一般式CI)、一般式〔■〕、および一般式(Ill
)において、Arはアリール基を表わす。−Rは一般式
〔川〕で示されるフェノール系シアンカプラーに耐拡散
性を付与する基を表わす。Xは水素原子または芳香族第
1級アミン系発色現像主薬の酸化生成物と一般式〔11
〕で示されるフェノール系シアンカプラーとのカップリ
ング反応により離脱可能な基を表わす。) 111  発明の詳細な説明 本発明において一般式〔■〕で示される化合物と一般式
[II)で示される化合物をアセトニトリル中で煮沸還
流して反応させるには、従来公知の方法に従えば良く、
一般式〔I)の化合物および一般式(n)の化合物をア
セトニトリル中で完全に溶解した状態、一部分溶解した
状態、あるいは大部分が懸濁した状態の何れの状態にお
いても煮沸還流して反応させることができる。また、一
般式CI)の化合物と一般式〔」I〕の化合物との下記
反応式における反応によシ副生ずる塩化水素を除去する
ために通常加えられる塩基(例えばビリジン、キ7′リ
ン、トリエチルアミン等)を加えない状態においても、
本発明においては、一般式[1)と一般式〔11〕との
反応は十分に進行する。
反応式 %式%() (反応式中、R,ArおよびXは前述の意味を有する。
) これは、煮沸趙流下で副生ずる塩化水素(HCl)ガス
のアセトニトリル(CHs CN)への溶解度が低いこ
とによるものであり、この様な反応により一般式CII
I )の化合物においてフェノール性水酸基のアシル化
といつた不都合も起こらず、一般式0旧の化合物を高収
率で得ることができる。
また、本発明においては、前記反応式によるアシル化が
十分に達成された状態で、反応液を濃縮し、放冷するこ
とにより、一般式CDI)の化合物を容易に再結晶させ
ることができ、これらの結晶を1取することにより、一
般式[111)のフェノール系シアンカプラーを高純度
の状態で得ることができる。
本発明において、一般式〔I〕の化合物と一般式(n)
の化合物とはいかなる比率でも反応させることができる
が、一般式(I)の化合物1モルに対して、一般式[I
I)の化合物を0.9〜1.5モル、更には1.0〜1
.2モルの割合で配合して反応させるのが好ましい。使
用するアセトニトリルの量は、−身鉛式(I)の化合物
100重量部に対して、通常は、500〜10,000
!J1部、好ましくは500〜1,000重量部である
本発明において、前記一般式(I)およびa11〕のA
rで表わされるアリール基は、例えばフェニル基、ナフ
チル基等であシ、好ましくはフェニル基である。これら
のアリール基が置換基を有する場合、この置換基として
好ましくは、ハロゲン原子(例えば、塩素、フッ素、臭
素等)、ニトロ基、シアノ基、アルキル基(例えばメチ
ル基、トリフルオロメチル基、エチル基、龜−プロビル
基、t−フチル基、ルーペンチルL  t−ペンチル基
、オクチル基、ドデシル基、オクタデシル基、ベンジル
基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ
基、ブトキシ基等)、ヒドロキシカルボニル基、アルキ
ルカルボニル基(例えばメチルカルボニル基、エチルカ
ルボニル基1.7!j−#カルボニル基(例えばフェニ
ルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、トリルカルボ
ニル基等)、アルキルオキシカルボニル基(例えばエト
キシカルボニル基、t−ブトキシカルボニルIk 等)
 、アリールオキシカルボニル基(例えばフェノキシカ
ルボニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、トリ
フルオロメナルスルホニル基、メチルスルホニル基、プ
ロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ベンジルス
ルホニル基、フェネチルスルホニルS’J)、アリール
スルホニル基(例えばフェニルスルホニル基、ナフチル
スルホニル基、トリルスルホニル基等) 、アルキルカ
ルノ(・モイル基(例えばN−メチルカルバモイル基、
N−エチルカルバモイル基等)、アリールカルノくモイ
ル基(例えばN−フェニルカルバモイル基等)などであ
る0これらの置換基は、1つまたは2つ以上がアIJ 
−ル基に導入される。例えばフェニル基に導入される置
換基の数は1〜5個であり、好ましくは1〜3飼である
。また、同一のアリール基に異種の置換基が導入されて
いても良い。
本発明において、一般式(lI)および[III ]の
Rで表わされる、一般式(1,II :]で示されるフ
ェノール系シアンカプラーに耐拡散性を何与する基(以
下、耐拡散性基という)として好ましくは、炭素原子数
4〜30個の直鎖まだは分岐のアルキル基(例えばt−
ブチル基、ルーオクチル基、t−オクチル基、ルードデ
シル基、ルーオクチルオキシエチル基、ルードデシルオ
キシメチル基、ベンジル基等)、アルケニル基(例えば
ルードデセニル基、ルーオクタデセニル基、フェニルプ
ロペニル基等)、アリール基(フェニル基、トリル基等
)、シクロアルキル基(例えばシクロヘキシル基等)、
および5員もしくは6員の複素環基等が挙げられる。
更に好ましい耐拡散性基としては下記一般式〔IV〕で
示される基である。
一般式(1,V ) 式中R2は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリ
ール基、複素環基、アルコキシ基、了り−ルオキシ基、
ヒドロキシ基、アシルオキシ基、カルボキシ基、アルコ
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、メル
カプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキル
スルホニル基、アリールスルホニル基、アシル基、アシ
ルアミノ基、スルホンアミド基、カルバモイルMiku
スルファモイル基を表わし、mが2以上の整数を表わす
場合は、R2は同一であっても異っていてもよい。
Roは直鎖または分岐、あるいはアリール基等が導入さ
れたアルキレン基を表わす。Jは酸素原子、イオウ原子
まだはスルホニル基を表わし、t+−a:Oまたは1、
mは1〜4のそれぞれの整数を表わす。
一般式[:IV]においてR1が表わすハロゲン原子は
好ましくは塩素、臭素であシ、アルキル基は好ましくは
直鎖まだは分岐の炭素原子数1〜20個のアルキル基、
特に好ましくはメチル基、t−ブチル基、t−ペンチル
基、ルーオクチル基、ドデシル、ペンタデシル等の各基
であり、アリール基は好ましくはフェニル基であり、複
素環基は好ましくは含窒素複素環基である。またR2が
表わすアルコキシ基は好ましくは直鎖または分岐の炭素
原子数1〜20個のアルキルオキシ基、特に好ましくは
メトキシ基、エトキシ基、t−ブチルオキシ基、オクチ
ルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基の各基
であり、アリールオキシ基は好甘しくはフェノキシ基で
あり、アシルオキシ基は好ましくはアルキルカルボニル
オキシ基、アjJ −ルカルボニルオキシ基、特に好ま
しくはアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基の各基であり
、アルコキシカルボニル基は好ましくは炭素原子数1〜
2゜個の直鎖または分岐のアルキルオキシカルボニル基
であり、アリールオキシカルボニル基は好ましくはフェ
ノキシカルボニル基である。更には前記R2が表わすア
ルキルチオ基は好ましくは炭素原子数1〜20個の直鎖
まだは分岐のアルキルチオ基であり、アシル基は好まし
くは炭素原子数1〜20個の直鎖または分岐のアルキル
カルボニル基であり、アシルアミノ基は好ましくは炭素
原子数1〜20個の直鎖または分岐のアルキルカルボア
ミド基、ベンゼンカルボアミド基の各基であり、スルホ
ンアミド基は好ましくは炭素原子数1〜20個の直鎖ま
だは分岐のアルキルスルホンアミド基、ベンゼンスルポ
ンアミド基でアリ、マだカルバモイル基は好ましくは炭
素原子数1〜20個の直鎖または分岐のアルキルアミノ
カルボニル基、フェニルアミノカルボニル基の各基であ
り、スルファモイル基は好ましくは炭素原子数1〜20
個の直鎖または分岐のアルキルアミンスルホニル基、フ
ェニルアミノスルホニル基の各基であり、これらの基は
それぞれ置換基を有してもよい。
次に前記一般式[rV)においてR1が表わす直鎖また
は分岐のアルキレン基は好ましくは炭素原子数1〜20
個のアルキレン基である。
まだ前記一般式CI)および一般式〔1■〕においてX
が表わすカップリング反応により離脱可能な基は、例え
ばハロゲン原子(具体的には塩素、臭素、フッ素等の各
原子)、酸素原子または窒素原子が直接カプリング位に
結合している了り−ルオキシ基、カルバモイルオキシ基
、カルバモイルメトキシ基、アシルオキシ基、スルホン
アミド基、コハク酸イミド基等を挙げることができる。
更にこれらの基の具体的な例としては、例えば米国特許
第3,476,563号明細書、特開昭47−3742
5号、特公昭48−36894号、特開昭50−101
35号、同50−117422号、同5O−13044
L号、同51−108841号、同5〇−120334
号、同52−18315号、同53−52423号、同
53−105226号、同54−14736号、同54
−48237号、同55−32071号、同55−65
957号、同56一1938号、同56−12643号
、同56−27147号等の各公報に記載されている。
Xの好ましくは水素原子またはハロゲン原子(塩素原子
等)である。
以下に一般式CIII )で表わされる、本発明に係る
フェノール系シアンカプラーの具体的化合物を挙げるが
、これらに限定されない。
(III−1) (m−2) 0M (Ill−8) ill−9) (IJI−、it) C,2H2゜ (III−20) (III−21) (III−22) (III−23> 04H。
(Ill−27) (III−28) C12H!1 (Ill−33) C2HI 2H6 C4H。
(III−41) (Ill−42) し4に19 C,2H28 ■ 発明の具体的利用 本発明のフェノール系シアンカプラーの製造法によす製
造されるフェノール系シアンカプラーには、通常のシア
ン色素形成カプラーにおいて用いられる方法および技術
が同様に適用できる。典型的にはシアンカプラーをハロ
ゲン化銀乳剤に配合し、この乳剤を支持体上に塗布して
ハロゲン化銀写真感光材料を形成する。ハロゲン化銀写
真感光拐料は単色用1だは多色用のハロゲン化銀写真感
光材料であることができ、多色用のハロゲン化銀写真感
光材料において本発明に係るフェノール系シアンカプラ
ーは、通常赤感光性ハロゲン化銀乳剤層に含有させるが
、非増感乳剤層に含有させても良く、寸だ多色用ハロゲ
ン化銀写真感光材料は、スペクトルの三原色領域のそれ
ぞれに感光性を有する、例えば少なくとも1つのシアン
色素形成カプラーを含有する赤感光性ハロゲン化銀乳剤
層(シアン色素形成カプラーの少なくとも1つは本発明
に係るフェノール系シアンカプラーでアル)、少なくと
も1つのマゼンタ色素形成カプラを含有する緑感光性ハ
ロゲン化銀乳剤層および少なくとも1つのイエロー色素
形成カプラーを含有する青感光性ハロゲン化銀乳剤層の
それぞれ単一層もしくは複数層を糾合せた多層ハロゲン
化銀カラー写真感光利料であることができる。
本発明に係るシアンカプラーを乳剤に含有せしめるには
、従来公知の方法に従えばよい。例えばトリクレジルホ
スフェート、ジブチルフタレート等の沸点が175℃以
上の高沸点有機溶媒まだは酢酸ブチル、プロピオン酸ブ
チル等の低沸点溶媒のそれぞれ単独にまたは必要に応じ
てそれらの混合液に本発明に係るシアンカプラーを単独
でまだは併用して溶解した後、界面活性剤を含むゼラチ
ン水溶液と混合し、次に高速度回転ミキサーまたはコロ
イドミルで乳化した後、ハロゲン化銀に添加して本発明
に使用するハロゲン化銀乳剤を調製することが出来る。
そして本発明に係るシアンカプラーを本発明に使用する
ハロゲン化銀乳剤中に添加する場合、通常、ハロゲン化
銀1モル当り0.07〜0.7モル、好ましくは01モ
ル〜04モルの量で添加される。
■ 発明の具体的効果 本発明のフェノール系シアンカプラーの製造法によれば
、一般式[I)で示される化合物と一般式〔■〕で示さ
れる化合物をアセトニトリル中で煮沸還流して反応させ
ることにより、該反応により副生ずる塩化水素を容易に
反応系外に除去することが可能となり、塩基等を用いる
ことなく一般式(111)で示されるフェノール系シア
ンカプラーを高収率で得ることができる。しかも反応生
成物である一般式(111)の化合物は、反応液を濃縮
して放冷するだけで容易に再結晶することができるので
、簡便にかつ高純度の状態で分離することができる。
この様に、本発明のフェノール系シアンカプラーの製造
法は、フェノール系シアンカプラーの一般的でかつ大量
生産に適した製造法といえる。
■1  昇り)」の具体的実施例 以下に具体的実施例を示して、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明の実施の態様がこれらの実施例により限
定されるものではない。
2−(m−)!Jフルオロメチルフェニル)ウレイド−
5−アミノフェノール(I)311rをアセトニトリル
1.5tに溶解し、2−(2,4−ジ−t−ペンチルフ
ェノキシ)ブタノイルクロリド(U)3732を添加し
た後、5時間煮沸還流した。次いで溶媒のアセトニトリ
ルを約1を留去し、冷蔵庫中で一夜放置した後、析出し
た固体を吸引i5過でf取し、アセトニトリルで洗浄し
て、目的化合物(III)の無色固体5222を得だ。
収率85チ。
融点188.0〜189℃。
2−(4−シアノフェニル)ウレイド−5−アミンフェ
ノール(I)268Fをアセトニトリル2.5tに溶解
し、2−2.4−ジ−t−ペンチルフェノキシヘキサノ
イルクロリド(:1I)404Fを添加した後、5時間
煮沸還流した。次いで溶媒のアセトニトリルを約2を留
去し、冷蔵庫中で−夜放+i#t、だ後、析出した固体
を吸引e過で沢取し、アセトニトリルで洗浄して、目的
化合物(III )の無色固体4792を得た。収率8
0チ。融点179〜181℃。
2=(4−ブタンスルホニルフェニル)ウレイド−5−
アミノフェノール[1363りをアセトニトリル1.5
tK溶解し、2−(2,4−ジ−t−ペンチルフェノキ
シ)ブタノイルクロリド[II 、11373 Fを添
加した後、5時間煮沸還流した。次いで溶媒のアセトニ
トリルを約1を留去し、冷蔵庫中で一夜放1?【シだ後
、析出した固体を吸引δj過で1取し、アセトニトリル
で洗浄して、目的化合物CIli )の無色固体565
Fを得た。収率85チ。融点131〜133℃。
この様に、本発明のフェノール系シアンカプラーの製造
法によれば、煩雑な操作を必要としないで、目的とする
フェノール系シアンカプラーを高収率で得ることができ
る。
なお、実施例1〜3で得られた各フェノール系シアンカ
プラーの構造は、それぞれ、工Rスペクトル、NMRス
ペクトル、およびFI)−MASSスペクトルにより確
認された。
〔比較〕
2−(4−メチルスルホニルフェニル)ウレイド−5−
アミノフェノール、321りをテトラヒドロ7ラン30
dK懸濁した混合液に、キノリン1.42Fを加えた。
窒素ガスを導入しながら、2(2,49t−ペンチルフ
ェノキシ)ヘキサノイルクロリド404Fを30分かけ
て滴下した。その後室温で2時間攪拌した。不溶物を?
l:I過で除去した。これは原料のアミノ化合物(1,
00f)であった。e液を水で希釈した塩酸にあけ、析
出した油状物を酢酸エチルで抽出しだ。酢酸エチル層は
水洗後MfS04で乾燥した。酢酸エチルを留去後、残
渣にトルエンを加え、処置すると固体が析出した。〔固
体A1無色固体収量1.50f、収率23q6、融点2
20〜222℃〕。この濾過液を減圧乾固し、残渣をア
セトニトリルから結晶化させ、吸引i4過でカ」城しだ
〔固体B1無色固体収量3.83F、収率39%。
融点250℃以上)□FD−Mass及びNMRスペク
トルよりAの化合物は目的化合物c Ill )であり
、Bの化合物は下記の構造の化合物であった。
このように、従来の方法では、難溶なアミノ化合物[I
)の場合、フェノ・−ル性水酸基もアシル化された化合
物が主生成物として得られた。
〔本発明〕
2−(4−メチルスルホニルフェニルウレ()”)−5
−アミンフェノール(I)3214をアセトニトリル1
.5tに懸濁し、2−(2,4−ジーを一ペンチルフェ
ノキシ)ヘキサノイルクロIJ )’(■〕404vを
添加した後、5時間煮沸還流した。次いで溶媒のアセト
ニトリルを約1を留去し、冷蔵庫中で一夜放置した後、
析出した固体を吸弓I濾過で1取しアセトニトリルで洗
浄して、目的化合物CIII 〕の無色固体528fを
得だ。収率81%。
融点220〜222℃。
このように本発明の方法に従えば、目a9化合9勿(I
IJ、 )を高収率で得ることができる。
2−(3−クロルフェニル)ウレイ)’−5−アミンフ
ェノール〔■〕277ノをア七トニト1ノル1.5tに
懸濁し、2−(2,4−ジー、t−ペンチルフェノキシ
)フェニルアセチルクロリド〔■〕4262を添加した
後、5時間煮沸還流した。次いで、実施例1と同様に処
理し、目的化合物(III)の無色固体515りを得た
。収率82%、融点118〜120℃。
2−(2,4,6−ドリクロロフエニル)ウレイド−4
−クロロ−5−アミンフェノール[I)421?をアセ
トニトリル2tに懸濁し、2−(4−NNジメチルスル
ファモイルアミノフェノキシ)テトラデカノイルクロリ
ド507fを添加した後、6時間煮沸還流した。次いで
溶媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィ(シリカ
ゲル)にて精製し目的化合物(III ]のカラメル6
761を得た。収率80%。
手 統 神 正 11((自発) 特許庁長官若杉和夫jj投 ] 重性の表示 昭和57年 特 許 願第230751  号2、発明
の名称    フェノール系シアンカプラーの製造法3
、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住 所   東京都新宿区西新宿1丁目26番2号氏 
名(名称)(127)  小西六写真工業株式会社代表
取締役   川  本  信  彦8 補正の内容 別紙の通り 8、補正の内容 (1)明細書第14頁7〜8行目の「・・・酸素原子ま
たは窒素原子・・・」を「・・・酸素原子、イオウ原子
または窒素原子・・・」とする。
(2)明細書第14頁11行目の「コノ−り酸イミド基
」のあとに「、テトラゾリルチオ基、トリアゾリルチオ
基」を加入する。
(3)明細書記15頁3〜4行目の[Xの好ましくは水
素原子またはハロゲン原子(塩素原子等)である。」を
削除する。
(4)明細書第21頁3〜4行目の r(m−24) (5)明細書第26頁5〜6行目の r(m−45) H °・Ho             Jのあとに 」 を加入する。
(6)  明細書第29頁18行目の[ル)ウレイド°
−5−[]二」笥−(二2・・・」を[ル)ウレイド−
LT [2−仁ち一士ユジ・・・」とする。
(力 明細真勇35頁7〜10行目のに」し二■−も一
土。
乞工刀玄4フェノ=−北・・・」とする。
(8)明細書第35頁15〜・17行目の「・・・2−
(4−NNジメチルスルファモイルアミノフェノキシ)
テトラデカノイルクロリド・・・」を1・・・2−(4
−N、N−ジメチルスルファモイルアミノフェノキシ)
テトラデカノイルクロリド・・・」とする。
以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 下記一般式(III )で示されるフェノール系シアン
    カプラーを製造するに際し、下記一般式CI]で示され
    る化合物と下記一般式(TI )で示される化合物をア
    セトニトリル中で煮沸還流して反応させることを特徴と
    するフェノール系シアンカプラーのMψ造法。 一般式(1) 一般式〔11〕 COCl (一般式[I)、一般式(II)、および一般式CII
    T )において、Arはアリール基を表わす。Rは一般
    式〔III〕で示されるフェノール系シアンカプラーに
    耐拡散性を付与する基を表わす。Xは水素原子または芳
    香族第1級アミン系発色現像主薬の緻化生成物と一般式
    CJII )で示されるフェノール系シアンカプラーと
    のカップリング反応により離脱可能な基を表わす。)
JP23075182A 1982-12-28 1982-12-28 フエノ−ル系シアンカプラ−の製造法 Pending JPS59121330A (ja)

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