JPS59121189A - 結晶引上機 - Google Patents

結晶引上機

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Publication number
JPS59121189A
JPS59121189A JP22987682A JP22987682A JPS59121189A JP S59121189 A JPS59121189 A JP S59121189A JP 22987682 A JP22987682 A JP 22987682A JP 22987682 A JP22987682 A JP 22987682A JP S59121189 A JPS59121189 A JP S59121189A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shafts
seed holder
flexible
pulling
flexible upper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22987682A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Takahashi
孝夫 高橋
Shingo Hayashi
信吾 林
Hisataka Sugiyama
杉山 久嵩
Yoshiaki Tada
多田 嘉明
Toshio Oishi
大石 俊夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP22987682A priority Critical patent/JPS59121189A/ja
Publication of JPS59121189A publication Critical patent/JPS59121189A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、CZ法による結晶引上機に係シ、特に引上軸
としてワイヤまたはビードチェーンなどの可とう性別上
軸を用いた結晶引上機の同引上軸の回転数の向上に関す
るものである。
従来のCZ法による結晶引上機は、下端にシードを取付
けて結晶を引上げる引上軸がいわゆる通常の軸からなる
剛性引上軸とワイヤまだはビードチェーンなどからなる
可とう性別上軸を用いたものがある。可とう性別上軸に
よるものは、剛性引上軸によるものに比較して機械の高
さを大幅に縮少し、かつ引上駆動機構も簡素化できるた
めに、現在、CZ法による結晶引上機の主流となってい
る。しかしながら、可とう性別上軸の長さtとその共振
回転数fの間には、 なる関係があシ、実用結晶引上長さを確保するために例
えば前記長さtを2.000 Wnとしたとき、可とう
性別上軸の回転数は2 Or、p、mが限界である。な
お、上式中、gは重力加速度である。現在結晶断面内の
比抵抗および酸素濃度などの分布特性を良くするために
回転数を増加させる傾向にあるが、可とう性別上軸の場
合、前述の共振回転数がネックとなっており、所望の回
転数まで上げることが不可能であった。
本発明は、前述したような点を解決するため、互いに離
して垂下されている2本以上の可とう性別上軸によりシ
ードホルダを支持し、これらの可とう性別上軸をシード
ホルダを中心に旋回させると共に互いに同期して巻上げ
るようにすることにより、換言すれば、引上軸を2本以
上の可とう性別上軸にて構成することにより、共振回転
数を向上させ得るようにした結晶引上機を提供するにあ
る。
以下本発明の一実施例を示す図について説明する。10
は引上機本体で、密閉可能な構造になされ、下部はルツ
ボ11および図示しない加熱装置などを内蔵した加熱チ
ャンバloaを形成し、上部はルツボ11内の融液12
から図示しない単結晶インゴットを引上げるだめの引上
チャンバ10bを形成している。本体10の上部には、
巻上装置13が取付けられている。巻上装置13の本体
14は、それ自身が前記本体10に回転可能に取付けら
れ、その下部に固着されだブー’J15により、引上軸
回転モータ16からベルト17により回転を与えられる
ようになっている。
前記巻上装置本体14の下部中央には、引上チfンバl
oa内に垂下すべくフレーム1gが固設されている。フ
レーム18には、巻上装置本体14の回転中心を中心と
して対称な位置に2つのローラなどのガイド19,20
が設けられると共に、その中心近くにも前記ガイドl 
’?、 20に蝉応して別のガイド21゜22が設けら
れている。フレームI8の前記回転中心部には穴などの
空間部23が形成されている。
前記巻取装置本体14には、引上モータ24によシ正逆
回転を付与される巻上ドラム25が取付けられている。
巻上ドラム25には、2本の可とパう性別上軸26.2
7の元端が連結され、両町とう性別上軸26゜27ヲ同
期して巻上げ!?よび繰出し得るようになっている。な
お、2本の可とう性別上軸26.27は、前記巻上ドラ
ム25から、回転中心に設けられているガイド28中を
通ってフレーム18の空間部23中を垂下し、ガイド2
1またはガイド22を介してそれぞれガイド19.20
に導かれ、これらのガイド19.20から垂下されてい
る。これらの可とう性別上軸26゜27ば、シード29
を取付けるシードホルダ30に間隔1)を置いて連結さ
れ、このシードホルダ30を巻上装置本体14の回転中
心上に位置させるようになっている。
次いで本装置の作用について説明する。本装置のように
互いに離れている2本の可とう性別上軸26、27を用
いた場合の共振回転数f・は、下式で与えられる。
この(2)式中のzeは、先に示した可とう性別上軸が
1本の場合の(1)式中のtに対応するもので、[相当
長さ」と呼ばれている。この相当長さteは、下式で与
えられる。
この(3)式中、aは、図示のように可とう性別上軸2
6.27の上部支点小、a1間の距離の1/2、bは下
部支点す、、b、間の距離の1/2、hは上部支点a+
a・と下部支点す、 、 b、との間の高さ、1Gはで
与えられる。この(4)式中、Wはシードホルダ30の
重量、Jは同シートホルダ30の慣性モーメントである
この慣性モーメンl−Jは、シー・ドホルダ30を半径
Rの円柱とすると下式で与えられる。
lよ なお0式中、Mシードホルダ30の質量で−ある。
^ 上記(′2)式に、(3) 、 (4) 、 (5)式
を代入して整理すると、(2式は次のようになる。
他方、可とう性力上軸が1本の場合の共振回転数fを表
わす(1)式中のtは、図示のように、上部支点を本装
置の場合と同じ高さ位置A−Aとすると、同位置A −
、Aからシードホルダ30の重心Gまでの距離となる。
ただし、シード29の重量は小さいので、無視する。こ
こで、本装置の前記上部支点a・、ahと下部支点す、
、b、との間の高さ11と、前記tは略等しいので、 となシ、 で表わされる。
倍となる。
仮りK、シー トホルタ30(D 半径Rヲ17−5m
+i、止めると、 となり、上記のような具体的数値の場合には、共振回転
数は、約2.2倍となる。
なお、前記説明は、図示のようにシードホルダ30が最
下位置にある状態について説明したが、単結晶インゴッ
トの育成に伴って一巻上ドラム25によシ可とう性力上
軸26.27を巻上げれば、シードホルダ30が上昇し
、(6)式の距離りが減少し、したがって共振回転数f
eは次第に増加していく。
他方、従来の可とう性力上軸が1本の場合は、(1)式
中のtが上部支点からシードホルダ30などの下端に連
結されている物体の重心Gまでの距離であシ、L可とう
性力上軸を引上げるとそれに応じて下部に単結晶インゴ
ット(図示せず)が育成され、重心Gがシードホルダ3
0に対して次第に下方へ移動するため、前記tは可とう
性力上軸の上昇量だけは短かくならず、略その半分だけ
が短かくなる。
そこで、本装置によれば、前記従来装置に比較して、単
結晶インゴットの育成が進むに連れてシードホルダ30
が上昇したときの共振回転数の増加割合もより高くなる
前記2本の可とう性力上軸26.27は、ガイド19゜
20がフレーム1gおよび巻上装置本体140回転に伴
って旋回することにより、シードホルダ30の中心と巻
上装置本体14の回転中心を通る鉛直軸心の回りを旋回
”し、該シードホルダ30を所定回転数で回転させる。
また、これらの可とう性力上軸26.27は、単結晶イ
ンゴットの育成に伴って巻上ドラム25に巻上げられて
いくが、前記ガイド19.20が前記鉛直軸心に対して
対称位置に設けられているため、シードホルダ30を常
に前記鉛直軸心上に置く。
前述した実施例は、可とう性力上軸を2本用いた例を示
したが、その上端を1本の可とう性力上軸に連結しだシ
、まだは同引上軸を3本以上としてもよく、また、それ
ぞれの可とう性力上軸26゜27は互いに同期して駆動
される別々の巻上ドラムによ多巻上げるようにしてもよ
い等、種り変更し得ることは言うまでもない。
以上述べたように本発明によれば、可とう性力上軸を用
いながら共振回転数を大巾に向上させることができ、そ
の構造は単に2本以上の可とう性力上軸に′よシ−ドホ
ルダを支持するだけの簡単なものでよい等、大きな効果
が得られる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示す一部破断概要図である。 10・−・・・・引上機本体、10a・−・・・・加熱
チ↑ンバ、1、Ob・−・・・・・引上チャンバ、11
・・−・−・ルツボ、12・・−・・融液、 13・・
−・・巻上装置、 14・・−・−・巻上装置本体、 
15・・・−・・プーリ、 15・・−・−リ1上軸回
転モータ、18・・・・・・・・フレーム、19.20
・・−・−・・ガイド、24・・・・・−・・引上モー
タ、25・・−・−・巻上ドラム、26、27・・・・
・−・・可とう性力上軸、 29・・−・・シニド、3
0・・・ シードホルダ。 出願人  東芝機械株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 シードホルダを可とう性別上軸にて支持すると共
    に、該シードホルダの中心を通る鉛直な軸の回りに回転
    可能に設けられた巻取装置本体に取付けられている巻上
    ドラムにより前記可とう性別上軸を回転させつつ巻上げ
    るようにしたCZ法による結晶引上機において、前記巻
    取装置本体にそれぞれ離して設けられたガイドを介して
    2本以上の可とう性別上軸を垂下させ、これらの可とう
    性別上軸の下端を互いに間隔を置いてシードホルダまた
    はシードホルダに取付けられた連結部材に接続し、前記
    2本以上の可とう性別上軸を巻上装置本体に取付けられ
    ている1ないし2以上の巻上ドラムによシ同期して巻上
    げ可能にしたことを特徴とする結晶引上機。 22本以上の可とう性別上軸が、ガイドの上方で1本の
    可とう性別上軸に接続されている特許請求の範囲第1項
    記載の結晶引上機。
JP22987682A 1982-12-28 1982-12-28 結晶引上機 Pending JPS59121189A (ja)

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JP22987682A JPS59121189A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 結晶引上機

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JP22987682A JPS59121189A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 結晶引上機

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JPS59121189A true JPS59121189A (ja) 1984-07-13

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ID=16899084

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JP22987682A Pending JPS59121189A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 結晶引上機

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