JPS59120240A - プラズマ気相反応装置 - Google Patents
プラズマ気相反応装置Info
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- JPS59120240A JPS59120240A JP22937082A JP22937082A JPS59120240A JP S59120240 A JPS59120240 A JP S59120240A JP 22937082 A JP22937082 A JP 22937082A JP 22937082 A JP22937082 A JP 22937082A JP S59120240 A JPS59120240 A JP S59120240A
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- Japan
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- electrode
- electrodes
- plasma
- grid
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、プラズマ気相反応（以下ＰＯＶＤという）
Ｋ関するものである。この発明はＰＣＶＤを大面積で行
なう場合、または容量結合型のグロー放電をその電極間
距離を１００ｍ以上例えば３０〜５０ａｍ離して行なう
場合崖を均質に行なうことを目的としている。
Ｋ関するものである。この発明はＰＣＶＤを大面積で行
なう場合、または容量結合型のグロー放電をその電極間
距離を１００ｍ以上例えば３０〜５０ａｍ離して行なう
場合崖を均質に行なうことを目的としている。
この発明はＰＣＶＤ法において、基板を配置し被膜を形
成する有効空間を太き（０，２ｍ’″以上有する場合、
グロー放電がきわめて不拘＠になシ、局部的に強い放電
が弱い均質な放電とともに発生し、形成される膜質を劣
化させてしまうことを防ぐため、電極と有効空間との間
に電気的ＫＭ板から遊離（フローティング）しかつ反応
性気体の通過を防げないグリッドを設けることを目的と
している。
成する有効空間を太き（０，２ｍ’″以上有する場合、
グロー放電がきわめて不拘＠になシ、局部的に強い放電
が弱い均質な放電とともに発生し、形成される膜質を劣
化させてしまうことを防ぐため、電極と有効空間との間
に電気的ＫＭ板から遊離（フローティング）しかつ反応
性気体の通過を防げないグリッドを設けることを目的と
している。
この発明は、反応性気体の供給口のノズルと電極とグリ
ッドとの関係において、電極と有効空間と０間にグリッ
ドを設け、さらに反応性気体のノズルを電極またはグリ
ッドを併用せしめたことを特徴としている。
ッドとの関係において、電極と有効空間と０間にグリッ
ドを設け、さらに反応性気体のノズルを電極またはグリ
ッドを併用せしめたことを特徴としている。
従来ＰＯＶＤ ｉで関しては、第１図にその概要を示し
ているが、グロー放電法を用いた平行平板電極型におい
ては、その平板間隔を１〜１ｏｃｍ例えば３ｃｍとして
放電を行ないやすくしていた。
ているが、グロー放電法を用いた平行平板電極型におい
ては、その平板間隔を１〜１ｏｃｍ例えば３ｃｍとして
放電を行ないやすくしていた。
第】図はかかる構造を示したものであシ、反応炉（２）
Ｋは一対ＣｔＪｊ極（３） （８）が１３．５ＭＨｚの
高周波電源（ト）と（４婁ａｚ）によシ連続して設けら
れている。さらに反応性気体はＱＯ２□□□、（ハ）よ
多、例えば水素、シラン、ドーピングガス（Ｂ雪、ＰＨ
，等ンがそれぞれＡ人され、流量計（イ）、パルプ（ハ
）よシなつ又おシ、これらはノズル（５）よシ放電領域
（４５）Ｋ供給される。基板（１）はヒータ（４６）Ｋ
よシ加熱され、一方の電極（８）土に設けられている。
Ｋは一対ＣｔＪｊ極（３） （８）が１３．５ＭＨｚの
高周波電源（ト）と（４婁ａｚ）によシ連続して設けら
れている。さらに反応性気体はＱＯ２□□□、（ハ）よ
多、例えば水素、シラン、ドーピングガス（Ｂ雪、ＰＨ
，等ンがそれぞれＡ人され、流量計（イ）、パルプ（ハ
）よシなつ又おシ、これらはノズル（５）よシ放電領域
（４５）Ｋ供給される。基板（１）はヒータ（４６）Ｋ
よシ加熱され、一方の電極（８）土に設けられている。
かかる構造によって反応性気体例えばシランを分解して
被形成面上に非単結晶半尋体を形成させている。この反
応後は反応性成物は（４りをへ′″Ｃ排気系にバルブ０
ゆ、０す、真空ポンプθＱによシ放出される。ニードル
パルプ０つにより反応炉内は０．０１〜０、５ｔｏｒｒ
例えばＯ，’１ｔｏｒｒ Ｋ保持され、電気エネルギー
を（ハ）よシ供給することによシ、有効空間にはグロー
放電がおき、反応生成物が基板（１）上に形成される。
被形成面上に非単結晶半尋体を形成させている。この反
応後は反応性成物は（４りをへ′″Ｃ排気系にバルブ０
ゆ、０す、真空ポンプθＱによシ放出される。ニードル
パルプ０つにより反応炉内は０．０１〜０、５ｔｏｒｒ
例えばＯ，’１ｔｏｒｒ Ｋ保持され、電気エネルギー
を（ハ）よシ供給することによシ、有効空間にはグロー
放電がおき、反応生成物が基板（１）上に形成される。
しかしこの時この電極（３）、（８）が５０ｃｍｏまた
はそれ以上であ゛る場合、この放電は必ずしも安定では
なく、局部的に輝度の大きい（明るい）強い放電０３）
が数個観察され、この線状の電極間を走る放電は電極上
を５〜５００ ｍ７秒の速さに移動している。
はそれ以上であ゛る場合、この放電は必ずしも安定では
なく、局部的に輝度の大きい（明るい）強い放電０３）
が数個観察され、この線状の電極間を走る放電は電極上
を５〜５００ ｍ７秒の速さに移動している。
この局部強放電はこの領域は他の均質な領域に比べて１
０倍以上の高エネルギ密度となるため、ここで反応した
反応生成は強い運動エネルギをもつ基板表面をスパッタ
（重湯）シてしまう。そのため形成された状膜は特性が
きわめて悪く、例えば珪素を用いたアモルファス太陽電
池を作ろうとする時、その中にいわゆる多結晶体が混入
し、その変換効率を５チも悪くシ、さらニ製造の７（ラ
ツキも０〜５チも大きく、実用上きわめて重大な問題で
あった。
０倍以上の高エネルギ密度となるため、ここで反応した
反応生成は強い運動エネルギをもつ基板表面をスパッタ
（重湯）シてしまう。そのため形成された状膜は特性が
きわめて悪く、例えば珪素を用いたアモルファス太陽電
池を作ろうとする時、その中にいわゆる多結晶体が混入
し、その変換効率を５チも悪くシ、さらニ製造の７（ラ
ツキも０〜５チも大きく、実用上きわめて重大な問題で
あった。
さらにこの局部強放鮭は℃極間隙を５ｃｍ以上例えば１
０〜５０ｃｍ離すとさらｌＩ４＋！’えｌ、おき、放電
がきわめて不安定になってしまうことが判明し７’Ｃ。
０〜５０ｃｍ離すとさらｌＩ４＋！’えｌ、おき、放電
がきわめて不安定になってしまうことが判明し７’Ｃ。
本発明はかかる不均質放電を防ぐため、このフローティ
ンググリッドを配設することにより、この問題を完全に
解くことができるという大きな特徴を有する０ そのため大鳩電：そをＰ工Ｎ接合型を有し１珪素を用い
て行なった時に６〜８％を大面積例えば２０ｃｍＸ６０
ｃｍという基板で作ることができ、製造歩留シも従来の
３０チよ９９０％以上に向上させることができるという
大きな特徴を有する０ 以下に図面に従って本発明の実施例を記す。
ンググリッドを配設することにより、この問題を完全に
解くことができるという大きな特徴を有する０ そのため大鳩電：そをＰ工Ｎ接合型を有し１珪素を用い
て行なった時に６〜８％を大面積例えば２０ｃｍＸ６０
ｃｍという基板で作ることができ、製造歩留シも従来の
３０チよ９９０％以上に向上させることができるという
大きな特徴を有する０ 以下に図面に従って本発明の実施例を記す。
実施例１
第２図は本発明の概要を示すものである。
図面において、被形成面を表面に有する基板（１）は裏
面を互いに重ね合わせて対をなし、石英ホルダ（，１■
に配列されている０反応炉（２）へは予備室α■にとび
ら（ｇｌ）よシ挿入し、ポンプ０１）Ｋでバルブ（３０
）を開として真空引をする。１ｏ−）ｔｏｒｒ以下の十
分な真空引がなされた後、ゲート弁翰を開けて図の如く
基板（１）、ホルダα俤を配設する。反応炉（２）内で
基板（１）は上方下方よシ赤外線ラング（γ）、（−／
）Ｋよシ加熱され、１００〜４００’０例えば２５σＣ
！ Ｋ ７１１１熱される。
面を互いに重ね合わせて対をなし、石英ホルダ（，１■
に配列されている０反応炉（２）へは予備室α■にとび
ら（ｇｌ）よシ挿入し、ポンプ０１）Ｋでバルブ（３０
）を開として真空引をする。１ｏ−）ｔｏｒｒ以下の十
分な真空引がなされた後、ゲート弁翰を開けて図の如く
基板（１）、ホルダα俤を配設する。反応炉（２）内で
基板（１）は上方下方よシ赤外線ラング（γ）、（−／
）Ｋよシ加熱され、１００〜４００’０例えば２５σＣ
！ Ｋ ７１１１熱される。
反応性気体をドーピング系（ハ）にて帆暢鴨Ｑ９↓シ流
量計（財）、パルプ（ハ）をへて供給口（］Ｏ）をへて
ノズル（５）は一方の電極（３）を併ね、他方の電極（
８）と容量結合型のグロー放電をおこさしめる。この一
対の電極はその外側金石莢フード（：３３）、（３４）
でおおわれ、反応炉（２）の内壁との寄生放電を防止し
ている。電極（３）（８）は高周波電源（ハ）の端子（
４１） （４２）を介して電気エネルギが供給される。
量計（財）、パルプ（ハ）をへて供給口（］Ｏ）をへて
ノズル（５）は一方の電極（３）を併ね、他方の電極（
８）と容量結合型のグロー放電をおこさしめる。この一
対の電極はその外側金石莢フード（：３３）、（３４）
でおおわれ、反応炉（２）の内壁との寄生放電を防止し
ている。電極（３）（８）は高周波電源（ハ）の端子（
４１） （４２）を介して電気エネルギが供給される。
さらに図面においては一対の電極（３４（８）と基板（
１）の配設された有効空間０５〕との間に網目状の導電
性のグリッド例えば１〜２ｃｒｒｆ′の空隙の醇ステン
１へ構成させている。このためこのグリッドは一般に電
極より１０〜４０ｍｍ離間して設けている〇さらに真空
排気系（３２）は圧力調整用のニードルバルブαａとス
トップバルブ（１転真空ポンプ◇Ｑよシなっている。
１）の配設された有効空間０５〕との間に網目状の導電
性のグリッド例えば１〜２ｃｒｒｆ′の空隙の醇ステン
１へ構成させている。このためこのグリッドは一般に電
極より１０〜４０ｍｍ離間して設けている〇さらに真空
排気系（３２）は圧力調整用のニードルバルブαａとス
トップバルブ（１転真空ポンプ◇Ｑよシなっている。
図面において反粂炉は高さ８００ｍｍ、巾８００ｍｍ奥
行１０００１００Ｏを有し、有効空間（４５）は２０ｃ
ｍＸ６０ａｍの基板を互いに８ｃｍ１Ｑ７し１０枚（１
Ｏセツ））配し、％’ｏｃｍｘ６ｏｃｍｘ６ｏｃｍｃ場
合である。
行１０００１００Ｏを有し、有効空間（４５）は２０ｃ
ｍＸ６０ａｍの基板を互いに８ｃｍ１Ｑ７し１０枚（１
Ｏセツ））配し、％’ｏｃｍｘ６ｏｃｍｘ６ｏｃｍｃ場
合である。
かくの如くして電極間隔も約３０ｃｍ離れ、また電極面
７Ｊ（も６０ ｃ ｍ’と大きい時、ｊ”’）’）ｂ
を投与に一合放電は従来例でもみられる局部高輝度放
電がさらにはげしくおきてしまう。
７Ｊ（も６０ ｃ ｍ’と大きい時、ｊ”’）’）ｂ
を投与に一合放電は従来例でもみられる局部高輝度放
電がさらにはげしくおきてしまう。
結果としてグリッドがない場合、全く均質な膜圧を有す
るプラズマＯＶＤを期待することができなイ。ソのため
反応性気体を（ハ）よジシラン（社）よシジボラン、（
ハ）よシ７オスヒン、（ホ）よシキャリアガス例えば水
素を供給して、１つｃ ｐ （１ｏｏｉ）工（５０００
ｉ）Ｎ（１ｏｏ＾）ＣＰ工Ｎ接合をガラス基板上ｏ Ｏ
ＴＦ’（透明導電膜ン上に設けると、その変換効率は２
０Ｘ ６０ ｃ ｍ” ？でて１チを得ることも不可能
であった。即ち１５ｍｍＸ４０ｃｍのセルを４０段直列
連結した方式において、本来開放電圧ＳＯＷ以上、短絡
電流６００ｍｍ以上、効率５９ｉＳ以上を得るべきとこ
ろ、電圧は５〜２５Ｖと大きくばらつき、電流は７０〜
５００ｍＡと大きくばらつき、さら（て効率０．１〜２
多と大さくばらついてしまった。
るプラズマＯＶＤを期待することができなイ。ソのため
反応性気体を（ハ）よジシラン（社）よシジボラン、（
ハ）よシ７オスヒン、（ホ）よシキャリアガス例えば水
素を供給して、１つｃ ｐ （１ｏｏｉ）工（５０００
ｉ）Ｎ（１ｏｏ＾）ＣＰ工Ｎ接合をガラス基板上ｏ Ｏ
ＴＦ’（透明導電膜ン上に設けると、その変換効率は２
０Ｘ ６０ ｃ ｍ” ？でて１チを得ることも不可能
であった。即ち１５ｍｍＸ４０ｃｍのセルを４０段直列
連結した方式において、本来開放電圧ＳＯＷ以上、短絡
電流６００ｍｍ以上、効率５９ｉＳ以上を得るべきとこ
ろ、電圧は５〜２５Ｖと大きくばらつき、電流は７０〜
５００ｍＡと大きくばらつき、さら（て効率０．１〜２
多と大さくばらついてしまった。
しかし本発明のグリッドを図の如く配設するとこの局部
高輝度放電が全くなくな夛、均質な肯黒い放電がみられ
、特性も前記した本来のｌＩ’ｉ゛性を有することがで
きた。
高輝度放電が全くなくな夛、均質な肯黒い放電がみられ
、特性も前記した本来のｌＩ’ｉ゛性を有することがで
きた。
このことは大面積の太ｉメ電池を作る場合ンζきわめて
重要なことでらυ、従来のいかなるプラズマＯＶＤ装置
に、にいてもみられなかったことでちる。
重要なことでらυ、従来のいかなるプラズマＯＶＤ装置
に、にいてもみられなかったことでちる。
さらに本発明で重要なことは、この有効空間に電気的に
７０−ティングのグリッドＯａの間隙をへて反応性気体
お↓びプラズマ放電が侵入し、さらに反応生成物ｆ：基
板上に形成せしめ、不要生成物は他のグリッドα］より
排気ノズル（９）を有するフード（６）よシ外部に放出
するようになっている。即ちこのグリッド間にもｐ４λ
打の電位こうばいを有しこの土工のグリッドαの、α罎
を互いに連結し基板を静電遮へいを行なっていないこと
である。
７０−ティングのグリッドＯａの間隙をへて反応性気体
お↓びプラズマ放電が侵入し、さらに反応生成物ｆ：基
板上に形成せしめ、不要生成物は他のグリッドα］より
排気ノズル（９）を有するフード（６）よシ外部に放出
するようになっている。即ちこのグリッド間にもｐ４λ
打の電位こうばいを有しこの土工のグリッドαの、α罎
を互いに連結し基板を静電遮へいを行なっていないこと
である。
かかる静電遮へいを行なうと、この遮へいされた内部空
間で速やかにプラズマ状態が消滅し、反応生成物がパウ
ダーとなり、基板表面に被膜形成をイト手ことができな
かった。
間で速やかにプラズマ状態が消滅し、反応生成物がパウ
ダーとなり、基板表面に被膜形成をイト手ことができな
かった。
このためいわゆるＣＩｌ、、＋ＯＬ等を用いたプラズマ
エツチングを用いる静電遮へいの構造とは全く異なって
いることがわかった。
エツチングを用いる静電遮へいの構造とは全く異なって
いることがわかった。
即ち本発明はエツチングではなくディポジションであり
、プラズマ状態を有する反応性気体の夛（固体（ＯＦ、
では戸という気体）であムさらにこの固体の反応生成物
をプラズマ活性をして大きいを弱干有せしめているとい
う特徴を有す。
、プラズマ状態を有する反応性気体の夛（固体（ＯＦ、
では戸という気体）であムさらにこの固体の反応生成物
をプラズマ活性をして大きいを弱干有せしめているとい
う特徴を有す。
この図面での容量結合型のグロー放電の電界が被形成面
と概略平行を有し、基板表面への反応性気体のスパッタ
リングを防止している。さらに反応性気体の流れも被形
成面に平行となっておシ、被膜形成がなめらかにおきる
ようにしている。
と概略平行を有し、基板表面への反応性気体のスパッタ
リングを防止している。さらに反応性気体の流れも被形
成面に平行となっておシ、被膜形成がなめらかにおきる
ようにしている。
この図面では反応炉は１つであるが、これをＰ工Ｎ接合
を形成する反応炉をそれぞれ独立せしめＰ型半導体層用
の反応炉、工型半導体ｊ−用の反応炉およびＮ型半導体
層用の反応炉とし、それらを互いに連続し、外部にふれ
ることなく、基板を移動するマルチチャンバ一方式例え
ば本発明人の出願Ｋｆｒ、る特許願５６−５５６０８
（５３−１５２ｓａ１７Ｅ１５３゜’１２．１０出願Ｃ
分割）を用いると有効である。また本発明は第２図に示
す如く、グリッドを正極←）負極榊のそれぞれ側に各一
対に）戸と設けている。
を形成する反応炉をそれぞれ独立せしめＰ型半導体層用
の反応炉、工型半導体ｊ−用の反応炉およびＮ型半導体
層用の反応炉とし、それらを互いに連続し、外部にふれ
ることなく、基板を移動するマルチチャンバ一方式例え
ば本発明人の出願Ｋｆｒ、る特許願５６−５５６０８
（５３−１５２ｓａ１７Ｅ１５３゜’１２．１０出願Ｃ
分割）を用いると有効である。また本発明は第２図に示
す如く、グリッドを正極←）負極榊のそれぞれ側に各一
対に）戸と設けている。
このグリッドは一方のみでもそのグリッドの設けられた
電極側では有効であるが、酸質Ｈ４のため双方に設ける
ことによシ局部強放電を完全に防止することができた。
電極側では有効であるが、酸質Ｈ４のため双方に設ける
ことによシ局部強放電を完全に防止することができた。
実施例２
第２図においては、ノズル（５）と電極（３）とが同一
物よシなっておシ、ステンレス板にノズル穴（４）を設
けたものである。さらにこの電極（３）、ノズル０）グ
リッド（７）の問題に関し、第２図のＰＣＶＤ装置であ
って特にその電極、グリッド等の導入系（５の１排気系
（５１）を第３図の如くに変形を有せしめることができ
る。
物よシなっておシ、ステンレス板にノズル穴（４）を設
けたものである。さらにこの電極（３）、ノズル０）グ
リッド（７）の問題に関し、第２図のＰＣＶＤ装置であ
って特にその電極、グリッド等の導入系（５の１排気系
（５１）を第３図の如くに変形を有せしめることができ
る。
第３図は寄生放電防止用７−ド（３３）（３４）を有し
、上側よυ下側に重力方向に反応性気体を流れさせる方
式であシ、上側が反応性気体の導入口（５ｏ）、下側が
排気系（５１）を示す。
、上側よυ下側に重力方向に反応性気体を流れさせる方
式であシ、上側が反応性気体の導入口（５ｏ）、下側が
排気系（５１）を示す。
第３図（４）は電極（３）がステンレスの配管であシ、
そこに穴をあけ反応性気体のノズル（５）としたもので
ある。グリッド（１すはステンレスメツシュ（間隙は１
５ｍｍ″）を設けている。排気系（５’ｌ）は電極（８
）と排気ノズル（９）とを少し間隔をあけたものである
。実施例１と同様の効果を有せしめることができた。
そこに穴をあけ反応性気体のノズル（５）としたもので
ある。グリッド（１すはステンレスメツシュ（間隙は１
５ｍｍ″）を設けている。排気系（５’ｌ）は電極（８
）と排気ノズル（９）とを少し間隔をあけたものである
。実施例１と同様の効果を有せしめることができた。
実施例３
第３図（Ｂ）は本発明の他の実施例を示す。図面よシ明
らかな如く、電極（３）、グリッドｏａ、反応性気体の
導入ノズル（５）を有している。図面では（３）、θ■
はステンレスで設け（５）は石英で作った。
らかな如く、電極（３）、グリッドｏａ、反応性気体の
導入ノズル（５）を有している。図面では（３）、θ■
はステンレスで設け（５）は石英で作った。
かくの如くすると、実施例１．２に比べて、フレーク（
雪片）の発生が少なくなった。即ちフレークがグリッド
部に付着し落下することによりａ形成面に付着し、ピン
ホール等を作りやすいが、これを防ぐことができた。
雪片）の発生が少なくなった。即ちフレークがグリッド
部に付着し落下することによりａ形成面に付着し、ピン
ホール等を作りやすいが、これを防ぐことができた。
実施例４
第３図（０）は本発明の他の実施例を示す。
図面において電極（３）の下側１〜４ｃｍ Ｋステンレ
ス配管を用いたグリッドαりを有し、このグリッド部が
外部と電気的に絶縁され、かつ反応性気体の導入口（５
）を有している。かくすると上側には第３図（Ｂ）よシ
も構造を簡単にでき、かつフレークの発生しγなくさせ
ることができた。被膜成長速度については全く変化がな
かった。
ス配管を用いたグリッドαりを有し、このグリッド部が
外部と電気的に絶縁され、かつ反応性気体の導入口（５
）を有している。かくすると上側には第３図（Ｂ）よシ
も構造を簡単にでき、かつフレークの発生しγなくさせ
ることができた。被膜成長速度については全く変化がな
かった。
本発明においてはシランを用いた半導体膜の作製を示し
た。しかし半導体膜としてＳｉもＳｉＦ、とのＰＯＶＤ
反応によるＳｌ、シランとメタンとのＰＯ’７Ｄによる
５ｉｚｅ、−イ（０＜ｘ＜ １） 、シランとゲルマン
とによるｓ １ＸＧ ｅｌ−、（ｏ ＜Ｘ＜ １） 、
シランとアンモニアとの反応によるＳ ｉＸＮ、、 （
０（Ｘ＜ １）を非単結晶牛導体として設けることも本
発明は有効である。
た。しかし半導体膜としてＳｉもＳｉＦ、とのＰＯＶＤ
反応によるＳｌ、シランとメタンとのＰＯ’７Ｄによる
５ｉｚｅ、−イ（０＜ｘ＜ １） 、シランとゲルマン
とによるｓ １ＸＧ ｅｌ−、（ｏ ＜Ｘ＜ １） 、
シランとアンモニアとの反応によるＳ ｉＸＮ、、 （
０（Ｘ＜ １）を非単結晶牛導体として設けることも本
発明は有効である。
また形成させる被膜として絶縁体である酸化珪素、炭化
珪素を作ってもよい。さらＫ ＴＭＡ （Ａ’１（ＯＱ
、）を用いた金属アルミニューム、ＴＭＡとシランを用
いたシリコン添加アルミニュームの如き導体、またはＳ
ｎ ＯＬ、と酸化物気体とを用いた酸化スズ、工ｎ
Ｏ′３．、Ｓ ｎ Ｏ１，ｒ、と咲化物気体とを用いた
酸化インジュームスズ等の透光性導電膜を形成してもよ
いことはいうまでもない。
珪素を作ってもよい。さらＫ ＴＭＡ （Ａ’１（ＯＱ
、）を用いた金属アルミニューム、ＴＭＡとシランを用
いたシリコン添加アルミニュームの如き導体、またはＳ
ｎ ＯＬ、と酸化物気体とを用いた酸化スズ、工ｎ
Ｏ′３．、Ｓ ｎ Ｏ１，ｒ、と咲化物気体とを用いた
酸化インジュームスズ等の透光性導電膜を形成してもよ
いことはいうまでもない。
本発明は以上の如く大酉積電極、または電極間隔を１ｏ
ｃｍ以上龍した場合即ち電極間電圧が５００Ｖ以上にな
ってしまう場合特に有効であシ、かかる７０−ティング
グリッドは電圧駆動式のグロー放電方法を用いたＰＯＶ
Ｄにおいて特に有効であるものと信する。
ｃｍ以上龍した場合即ち電極間電圧が５００Ｖ以上にな
ってしまう場合特に有効であシ、かかる７０−ティング
グリッドは電圧駆動式のグロー放電方法を用いたＰＯＶ
Ｄにおいて特に有効であるものと信する。
第１図は従来のプラズマＯ’７Ｄ法を示す。
第２図は本発明のプラズマＯＶＤ装盟を示す。
第３回は反応性気体の導入系、排気系を特に示したもの
である０ ネ１（Σ
である０ ネ１（Σ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ］、気圧以下の減圧状態に保持された反応容器と、
該反応容器に反応性気体を供給する供給系と、不要反応
生成分またはキャリアガスを真空排気する排気系と、前
記供給系と排気系との間に被形成面を有する基板を配設
する被膜形成領域とを具備したプラズマ気相反応装置に
おいて、電気エネルギを前記反応性気体に供給をする一
対をなす第１および第２の電極と、該電極の一方または
双方と前記被膜形成領域との間に導電極を有し、かつ電
気的にいずれの電極とも遊離した空隙を有するグリッド
を配設せしめたことを特徴とするプラズマ気相反応装置
。 ２、特許請求の範囲第１項において、グリッドは空隙を
有し０、かつ電極に概略平行に配設し蔦茫社に設けられ
た被膜形成領域に局部放電が電極近傍より進行すること
を防止するべく設けられたことを特徴とするプラズマ気
相反
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22937082A JPS59120240A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | プラズマ気相反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22937082A JPS59120240A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | プラズマ気相反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59120240A true JPS59120240A (ja) | 1984-07-11 |
| JPS621535B2 JPS621535B2 (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=16891102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22937082A Granted JPS59120240A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | プラズマ気相反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59120240A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5250463A (en) * | 1990-06-26 | 1993-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of making doped semiconductor film having uniform impurity concentration on semiconductor substrate |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP22937082A patent/JPS59120240A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5250463A (en) * | 1990-06-26 | 1993-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of making doped semiconductor film having uniform impurity concentration on semiconductor substrate |
| US5702529A (en) * | 1990-06-26 | 1997-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of making doped semiconductor film having uniform impurity concentration on semiconductor substrate and apparatus for making the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS621535B2 (ja) | 1987-01-14 |
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