JPS59119333A - エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS59119333A JPS59119333A JP57234692A JP23469282A JPS59119333A JP S59119333 A JPS59119333 A JP S59119333A JP 57234692 A JP57234692 A JP 57234692A JP 23469282 A JP23469282 A JP 23469282A JP S59119333 A JPS59119333 A JP S59119333A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
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- G02F1/1524—Transition metal compounds
- G02F1/15245—Transition metal compounds based on iridium oxide or hydroxide
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は１表示素子等（一部用される酸化発色型エレク
トロクロミック材料を用いたエレクトロクロミック素子
の製造方法（＝関し、特（＝エレクトロクロミック膜の
成膜を、イオンブレーティング法により行なうエレクト
ロクロミック素子の製造方法に関する。
トロクロミック材料を用いたエレクトロクロミック素子
の製造方法（＝関し、特（＝エレクトロクロミック膜の
成膜を、イオンブレーティング法により行なうエレクト
ロクロミック素子の製造方法に関する。
従来、イリジウムなどの酸化発色型エレクトロクロミッ
ク材料を用いてエレクトロクロミック膜（以下ＥＣ膜と
いう）を作成する方法としては。
ク材料を用いてエレクトロクロミック膜（以下ＥＣ膜と
いう）を作成する方法としては。
陽極酸化法と反応性スパッタリング法とが知られている
。以下、酸化イリジウムＥＣ膜を例にして説明する。
。以下、酸化イリジウムＥＣ膜を例にして説明する。
陽極酸化法は、ガラス基板上に透明導電膜（ＩＴＯ膜）
を付着させ、更にイリジウムをスパッタあるいは真空蒸
着したものを、硫酸溶液中で陽極酸化するものであり、
均質なＥＣ膜が得られない欠点があった。
を付着させ、更にイリジウムをスパッタあるいは真空蒸
着したものを、硫酸溶液中で陽極酸化するものであり、
均質なＥＣ膜が得られない欠点があった。
また反応性スパッタリング法は、同様なガラス基板およ
びＩＴＯ膜上に酸素雰囲気中でイリジウムをスパッタし
、酸化イリジウム膜を作成するものであるが、 ＥＣ特
性をもたせるために長時間にわたるエージングを必要と
する欠点があった。
びＩＴＯ膜上に酸素雰囲気中でイリジウムをスパッタし
、酸化イリジウム膜を作成するものであるが、 ＥＣ特
性をもたせるために長時間にわたるエージングを必要と
する欠点があった。
本発明の目的は、上述した酸化発色型ＥＣ膜作成方法（
＝おける欠点を改良した方法を提供することにある。本
発明は、そのためイオンブレーティング法を用いてＥＣ
膜を作成するものであり、それにより、成膜時の膜を水
和しやすい構造のものにする。またイオンプレ、−ティ
ング法は、導入ガス成分、ガス圧、成膜レート、および
高周波パワーなどの条件を任意に選択することができ、
膜形成時の自由度が大きく、膜の構造や構成成分を自由
（＝変えることができる点を利用して、膜作成時間を大
幅に短縮するものである。
＝おける欠点を改良した方法を提供することにある。本
発明は、そのためイオンブレーティング法を用いてＥＣ
膜を作成するものであり、それにより、成膜時の膜を水
和しやすい構造のものにする。またイオンプレ、−ティ
ング法は、導入ガス成分、ガス圧、成膜レート、および
高周波パワーなどの条件を任意に選択することができ、
膜形成時の自由度が大きく、膜の構造や構成成分を自由
（＝変えることができる点を利用して、膜作成時間を大
幅に短縮するものである。
以下１本発明を実施例にしたがって説明する。
イオンブレーティング法には、直流型、高周波法、クラ
スタイオンビーム蒸着法などがあるが。
スタイオンビーム蒸着法などがあるが。
次に高周波法を用いた実施列について述べる。
第１図は１本発明実施例において使用されるイオンブレ
ーティング装置の概要図である。図中。
ーティング装置の概要図である。図中。
１はベルジャ、２はるつぼ、３はＩｒなどの蒸発源、４
は電子銃、５は高周波コイル、６はＩＴＯを付着させた
ガラス基板、７．８はインレット。
は電子銃、５は高周波コイル、６はＩＴＯを付着させた
ガラス基板、７．８はインレット。
１０は高圧電源、１１は高周波電源であり、基本的な構
造は、一般に利用されているイオンブレーティング装置
と同じである。
造は、一般に利用されているイオンブレーティング装置
と同じである。
ベルジャ１内は高真空状態に保持される。るつぼ２は冷
却状態で使用され、るつぼから不純物が放出されるのを
防いでいる。蒸発源３の金属、たとえばイリジウムＩｒ
は、電子銃４から放射される電子ビームにより射出され
、更に高周波コイル５による高周波放電により、イオン
化が促進される。Ｉｒイオンは、基板６とるつぼ２との
間の高圧電源１０によりつくられている電界にし−たが
って基板へ向って加速され、基板６をブレーティングす
る。
却状態で使用され、るつぼから不純物が放出されるのを
防いでいる。蒸発源３の金属、たとえばイリジウムＩｒ
は、電子銃４から放射される電子ビームにより射出され
、更に高周波コイル５による高周波放電により、イオン
化が促進される。Ｉｒイオンは、基板６とるつぼ２との
間の高圧電源１０によりつくられている電界にし−たが
って基板へ向って加速され、基板６をブレーティングす
る。
このとき、インレット７から、微少な０２ガスを導入す
ること（二より、プラズマ内で■τと０を反応させ、酸
化イリジウムＩｙＯ２膜を基板６上に形成することがで
きる。
ること（二より、プラズマ内で■τと０を反応させ、酸
化イリジウムＩｙＯ２膜を基板６上に形成することがで
きる。
１例として、導入ガス０２．導入ガス圧８×１０ＴＯｒ
ｔ−、高周波バ１７−３００Ｗ、成膜速度０．０５Ａ／
Ｓの条件下で、 ＩｒＯ２膜を１２０ＯＡ形成するこ
とができた。
ｔ−、高周波バ１７−３００Ｗ、成膜速度０．０５Ａ／
Ｓの条件下で、 ＩｒＯ２膜を１２０ＯＡ形成するこ
とができた。
しかし、この膜は、成膜時の状態ではまだ完全には透明
でないため、更に、０．５ＭのＨ，８０４溶液中で±１
．２５Ｖ、 １〜０．１Ｈｚ（７）方形波電圧を１０
数回印加して通電処理し９着色／消色動作を繰り返して
、膜の水和を行なう。このよう（ニして。
でないため、更に、０．５ＭのＨ，８０４溶液中で±１
．２５Ｖ、 １〜０．１Ｈｚ（７）方形波電圧を１０
数回印加して通電処理し９着色／消色動作を繰り返して
、膜の水和を行なう。このよう（ニして。
完全に透明な水利化された酸化イリジウムＩｒｅ。
・５Ｈ１０の酸化発色型ＥＣ膜を得ることができる。
第２図は、電解通電により上記方形波電圧を繰り返し印
加してＩｒＯ２膜の水利化処理を行なう前後（二おける
ポルタモグラムの変化を示したものである。ポルタモグ
ラムは、電解液中でＥＣ膜を１三角波電圧を印加したと
きの可逆的な電流変化をグラフにしたものであり９曲線
■は水利化処理前の状態、そして曲線■は水和化処理後
の状態を示す。
加してＩｒＯ２膜の水利化処理を行なう前後（二おける
ポルタモグラムの変化を示したものである。ポルタモグ
ラムは、電解液中でＥＣ膜を１三角波電圧を印加したと
きの可逆的な電流変化をグラフにしたものであり９曲線
■は水利化処理前の状態、そして曲線■は水和化処理後
の状態を示す。
これから、方形波電圧の繰り返し印加による水利化処理
により、膜の反応°量が著しく増加することがわかる。
により、膜の反応°量が著しく増加することがわかる。
特に本実施例では、上記方形波電圧の繰り返し印加処理
に要する時間を僅か数分間で済ますことができ、従来方
式が数時間を要していたのにくらべて、処理時間の著し
い短縮が図られている。これは、イオンブレーティング
法により作成された膜が、水和しやすい構造をもってい
るためと考えられる。
に要する時間を僅か数分間で済ますことができ、従来方
式が数時間を要していたのにくらべて、処理時間の著し
い短縮が図られている。これは、イオンブレーティング
法により作成された膜が、水和しやすい構造をもってい
るためと考えられる。
更に他の実施例として、イオンブレーティング成膜時に
、第１図のインレツ）Ｆ からＨ，Ｏガスを導入し、０
．ガスと混合することにより、第３図に示すように、０
．ガスのみの場合にくらべて１着消色応答特性（△０
、 Ｄ／８ ）の改善を図ることができる。これは、成
膜時に、膜中に水和された構造が一部分作り上げられて
いるためであると考えられる。
、第１図のインレツ）Ｆ からＨ，Ｏガスを導入し、０
．ガスと混合することにより、第３図に示すように、０
．ガスのみの場合にくらべて１着消色応答特性（△０
、 Ｄ／８ ）の改善を図ることができる。これは、成
膜時に、膜中に水和された構造が一部分作り上げられて
いるためであると考えられる。
このようにして作成された酸化イリジウム薄膜を用い、
第４図に示すような表示素子用ＥＣデバイスを製作した
。図中、１２はガラス基板、１３は透明電極、１４は酸
化イリジウムＥＣ層、１５はＴｃＬ２０！１の電解質層
、１６は酸化タングステンＥＣ層、１７は対向電極であ
る。これら１４乃至１６の各層はすべてイオンブレーテ
ィング法で作成することができる。第５図はこのデバイ
スの着消色応答を示したグラフである。これは従来知ら
れている酸化イリジウム膜を用いたデバイスにくらべ。
第４図に示すような表示素子用ＥＣデバイスを製作した
。図中、１２はガラス基板、１３は透明電極、１４は酸
化イリジウムＥＣ層、１５はＴｃＬ２０！１の電解質層
、１６は酸化タングステンＥＣ層、１７は対向電極であ
る。これら１４乃至１６の各層はすべてイオンブレーテ
ィング法で作成することができる。第５図はこのデバイ
スの着消色応答を示したグラフである。これは従来知ら
れている酸化イリジウム膜を用いたデバイスにくらべ。
数倍の１５答速度を持ち、さらに従来のＷＯ，／Ｔα、
０゜の系のデバイスと比べると、２桁程度の応答速度の
改善がなされた。また、安定性についても５×１０回の
繰り返しでデバイスの劣化はほとんど認められなかった
。
０゜の系のデバイスと比べると、２桁程度の応答速度の
改善がなされた。また、安定性についても５×１０回の
繰り返しでデバイスの劣化はほとんど認められなかった
。
なお、上述した実施例は９便宜上ＥＣ膜が酸化イリジウ
ムのもの（二ついて主として説明したが。
ムのもの（二ついて主として説明したが。
本発明は、イリジウム、ニッケル、マンガン、コバルト
、ビスマス、銅等の酸化物および水酸化物に一般的（二
連用することができる。
、ビスマス、銅等の酸化物および水酸化物に一般的（二
連用することができる。
以上のように本発明により酸化イリジウムＥＣ薄膜を容
易にかつ短時間で得ることができ、さらにその膜をＥＣ
デバイスに適用した際、優れた特性を持ったデバイスが
実現できる。
易にかつ短時間で得ることができ、さらにその膜をＥＣ
デバイスに適用した際、優れた特性を持ったデバイスが
実現できる。
第１図は本発明実施例において使用されるイオンブレー
ティング装置の概要図、第２図はイオンブレーティング
法により成膜されたＥＣ膜の電解通電による水利化処理
の効果を示すポルタモグラム、第３図は導入ガスにＨ，
０を混入したときの着色応答特性図、第４図は表示素子
用ＥＣ膜め構造図、第５図はその着色応答特性図である
。 図中、１はベルジャ、２はるつぼ、３は蒸発源。 ４は電子銃、５は□高周波コイルー ６はガラス基板。 ７．８はインレット、１０は高圧電源、１１は高周波電
源を示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 長谷用 文 廣（外１名）１（ｍＡ／
ｍ２） 才 ２ 目
ティング装置の概要図、第２図はイオンブレーティング
法により成膜されたＥＣ膜の電解通電による水利化処理
の効果を示すポルタモグラム、第３図は導入ガスにＨ，
０を混入したときの着色応答特性図、第４図は表示素子
用ＥＣ膜め構造図、第５図はその着色応答特性図である
。 図中、１はベルジャ、２はるつぼ、３は蒸発源。 ４は電子銃、５は□高周波コイルー ６はガラス基板。 ７．８はインレット、１０は高圧電源、１１は高周波電
源を示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 長谷用 文 廣（外１名）１（ｍＡ／
ｍ２） 才 ２ 目
Claims (4)
- （１） 酸化発色型エレクトロクロミック膜を、イオ
ンブレーティング法（二より成膜するとともに、該エレ
クトロクロミック膜な水利化処理することを特徴とする
エレクトロクロミンク素子の製造方法。 - （２）前記第１項（二おいて、水利化処理は、イオンブ
レーティング法（二より成膜したエレクトロクロミック
膜に電解通電処理を施すこと（二より行なうことを特徴
とするエレクトロクロミック、素子の製造方法。 - （３）前記第１項（二おいて、水和化処理は、エレクト
ロクロミック膜をイオンブレーティング法により成膜す
る際（と水分を導入することにより、成膜過程で行なう
ことを特徴′とするエレクト漬クロミック素子の製造方
法。 - （４） 前記第１項ないし第２項において、エレクト
ロクロミック膜が、イリジウム、ニッケル、マンカン、
コバルト、ビスマスおよび銅のいずれかの酸化物あるい
は水酸化物であることを特徴とするエレクトロクロミッ
ク素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57234692A JPS59119333A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57234692A JPS59119333A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119333A true JPS59119333A (ja) | 1984-07-10 |
Family
ID=16974921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57234692A Pending JPS59119333A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119333A (ja) |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP57234692A patent/JPS59119333A/ja active Pending
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