JPS59117155A - モノリシツクマイクロウエ−ブ集積回路 - Google Patents
モノリシツクマイクロウエ−ブ集積回路Info
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- JPS59117155A JPS59117155A JP57231306A JP23130682A JPS59117155A JP S59117155 A JPS59117155 A JP S59117155A JP 57231306 A JP57231306 A JP 57231306A JP 23130682 A JP23130682 A JP 23130682A JP S59117155 A JPS59117155 A JP S59117155A
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- microwave integrated
- monolithic microwave
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- H01L23/64—Impedance arrangements
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は高周波特性をそこなわず製造後の選別が容易な
モノリシックマイクロウェーブ集積回路に関するもので
ある。
モノリシックマイクロウェーブ集積回路に関するもので
ある。
本発明は利；目については何ら制限されるものでなく、
５１などの屯元素半導体あるいは化合物半導体など広く
一般の半導体月料に適用出来るものであるが、以下半導
体相別として動作速度の大きい利点をもつ化合物半導体
のうちＧａＡｓ を例にとって説明を行う。
５１などの屯元素半導体あるいは化合物半導体など広く
一般の半導体月料に適用出来るものであるが、以下半導
体相別として動作速度の大きい利点をもつ化合物半導体
のうちＧａＡｓ を例にとって説明を行う。
「背景技術」 −
モノリシックマイクロウェーブ集積回路は、ＧａＡｓな
どの半絶縁性基板の表面にＭＥＳＦ ＥＴ （Ｍｅ ｔ
ａ ｌ−ｓ−ｅｍｉｃｏｎｄｌ−５−ｅ −ｆｉｅｌｄ
−５ｆｆｅｃＬ −ｔｒａｎｓｉｓｔｒ ）汐ヨツト
キーダイオード、インダクタンス、キャパシタンス を
作りつけるものである。このためＭ Ｉ Ｃ（Ｍｉｃｒ
ｏｗａｖｅｉｎｔｅｇｒａｆｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）に
比べてモノリシックマイクロウェーブ集積回路はチップ
のポンディングやトリミングの数を少く出来る等の利点
を有しており、量産に上って大きな低コスト化が期待さ
れる。
どの半絶縁性基板の表面にＭＥＳＦ ＥＴ （Ｍｅ ｔ
ａ ｌ−ｓ−ｅｍｉｃｏｎｄｌ−５−ｅ −ｆｉｅｌｄ
−５ｆｆｅｃＬ −ｔｒａｎｓｉｓｔｒ ）汐ヨツト
キーダイオード、インダクタンス、キャパシタンス を
作りつけるものである。このためＭ Ｉ Ｃ（Ｍｉｃｒ
ｏｗａｖｅｉｎｔｅｇｒａｆｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）に
比べてモノリシックマイクロウェーブ集積回路はチップ
のポンディングやトリミングの数を少く出来る等の利点
を有しており、量産に上って大きな低コスト化が期待さ
れる。
しかしながら現在の半導体装置の製造技術では、特性の
そろったモノリシックマイクロウェーブ集積回路を再現
′１」ニ良く作成する事は’ｊ’、！ｔ： シ＜、チッ
プの選別が不可欠といえる。さらにモノリシックマイク
ロウェーブ集積回路では、高周波信号を扱うためにブロ
ービング等の方法にエリウェーファの状態で性能を測定
する事には困＠ｉ［：がちり、従来まではチップの最終
的組立を行った後に測定選別が行なわれて来た。この選
別工程を簡単なものとする串により大幅なコストの低減
と納期の短縮が実現されるため、より簡便に選別が出）
１〔ミるモノリシツクマイクロウェーブ集積回路が望ま
八て来た。
そろったモノリシックマイクロウェーブ集積回路を再現
′１」ニ良く作成する事は’ｊ’、！ｔ： シ＜、チッ
プの選別が不可欠といえる。さらにモノリシックマイク
ロウェーブ集積回路では、高周波信号を扱うためにブロ
ービング等の方法にエリウェーファの状態で性能を測定
する事には困＠ｉ［：がちり、従来まではチップの最終
的組立を行った後に測定選別が行なわれて来た。この選
別工程を簡単なものとする串により大幅なコストの低減
と納期の短縮が実現されるため、より簡便に選別が出）
１〔ミるモノリシツクマイクロウェーブ集積回路が望ま
八て来た。
〔発明の開示」
本発明は」一連した従来の問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは高周波特性をそこなわ
ず製造後の選別が容易なモノリシックマイクロウェーブ
集積回路に関するものである。
であり、その目的とするところは高周波特性をそこなわ
ず製造後の選別が容易なモノリシックマイクロウェーブ
集積回路に関するものである。
以下本発明を１１１λ明する。
第１図は本発明のモノリシックマイクロウェーブ集積回
路の回路図の一実施例である。第１図において、１．２
はＭＥＳＦＥＴ ３〜１）はキャパシタンス１０〜１７
は抵抗である。段間の結合を抵抗容量結合とした回路と
している。
路の回路図の一実施例である。第１図において、１．２
はＭＥＳＦＥＴ ３〜１）はキャパシタンス１０〜１７
は抵抗である。段間の結合を抵抗容量結合とした回路と
している。
第２図はモノリシックマイクロウェーブ集積回路のマス
クパターン図の一実施例である。１′、２′はＭＥＳＦ
ＥＴ 、 ３’〜９′はキャパシタンス１０′〜］７′
は抵抗でそれぞれ第１図の回路の対応番号と対応してい
る。このマスクパクーンでは必要不可欠なボンディング
パノド２０’、 ２２’ ２６’ ２７’ ２８’ 以
外に２］、’２３’２４・′２５′のパッドを有する事
を特長とし、回路が抵抗容量結合の回Ｅ１１Ｆ！’！−
成であるためこれらのバット。
クパターン図の一実施例である。１′、２′はＭＥＳＦ
ＥＴ 、 ３’〜９′はキャパシタンス１０′〜］７′
は抵抗でそれぞれ第１図の回路の対応番号と対応してい
る。このマスクパクーンでは必要不可欠なボンディング
パノド２０’、 ２２’ ２６’ ２７’ ２８’ 以
外に２］、’２３’２４・′２５′のパッドを有する事
を特長とし、回路が抵抗容量結合の回Ｅ１１Ｆ！’！−
成であるためこれらのバット。
の組合せによってＭＥＳＦＥＴの直流特性を測定出来る
。１′と２′のＭＥ Ｓ Ｆ ＥＴを測定するためには
それぞれ２０’ ２１’ ２３’及び２４．’ ２５’
２７’を用いる。なお２０′〜２８′のパッドは第１
図の回路中の対応番号の節点に対応している。
。１′と２′のＭＥ Ｓ Ｆ ＥＴを測定するためには
それぞれ２０’ ２１’ ２３’及び２４．’ ２５’
２７’を用いる。なお２０′〜２８′のパッドは第１
図の回路中の対応番号の節点に対応している。
一般にモノリシックマイクロウェーブ集積回路にあ・い
て特性のばらつきを大きく左右しているのは、能動素子
（’ＭＥＳＦＥＴ）の特性のばらつきである。
て特性のばらつきを大きく左右しているのは、能動素子
（’ＭＥＳＦＥＴ）の特性のばらつきである。
新たに追加された直流特性測定選別用パッドを用いてＭ
Ｅ Ｓ Ｆ ＥＴの直流特性を測定する事により上記の
点に着目した効率的な選別が可能となる。またモノリシ
ックマイクロウェーブ集積回路の高周波特性についても
例えば増幅回路の利得等の性能はＭＥＳＦＥＴの直流特
性から容易に推定する事が出来る。さらに上述の測定は
高周波信号を用いないためプロービング等の方法を用い
てウェーファの状態で行う事が可能であり選別に際して
チップの組立を必要としない。このため大幅な工程と資
材の節約が実現される。また新たに追加されたパッド２
１、’ ２４＝’ ２５’はコンデンサの上部金属面を
有効利用して」、・す、２３′のバットも面積は小さい
ためこれらが高周波特性を劣化させる事は全くない。
Ｅ Ｓ Ｆ ＥＴの直流特性を測定する事により上記の
点に着目した効率的な選別が可能となる。またモノリシ
ックマイクロウェーブ集積回路の高周波特性についても
例えば増幅回路の利得等の性能はＭＥＳＦＥＴの直流特
性から容易に推定する事が出来る。さらに上述の測定は
高周波信号を用いないためプロービング等の方法を用い
てウェーファの状態で行う事が可能であり選別に際して
チップの組立を必要としない。このため大幅な工程と資
材の節約が実現される。また新たに追加されたパッド２
１、’ ２４＝’ ２５’はコンデンサの上部金属面を
有効利用して」、・す、２３′のバットも面積は小さい
ためこれらが高周波特性を劣化させる事は全くない。
以」−述べた如く本発明のモノリシックマイクロウェー
ブ集積回路によれば直流特性測定選別用のパッドを追加
する事により高周波特性をそこなわず製造後の選別がき
わめて容易なものとなってこの工業的ｆｉｉｌｉ ｌｉ
／口よ人である。閘後に本発明のモノリシックマイクロ
ウェーブ集積回路は説明に用いた回路に限定されるもの
ではなく、広く抵抗容量結合の回路構成をもつモノリシ
ックマイクロウェーブ集積回路に適用出来る。
ブ集積回路によれば直流特性測定選別用のパッドを追加
する事により高周波特性をそこなわず製造後の選別がき
わめて容易なものとなってこの工業的ｆｉｉｌｉ ｌｉ
／口よ人である。閘後に本発明のモノリシックマイクロ
ウェーブ集積回路は説明に用いた回路に限定されるもの
ではなく、広く抵抗容量結合の回路構成をもつモノリシ
ックマイクロウェーブ集積回路に適用出来る。
第１１ヌ目よ本発明の一実施例の回路図て、第２図は本
発明の一実施例のマスクパターン図である。
発明の一実施例のマスクパターン図である。
Claims (1)
- （１）抵抗容量結合の回路構成をもつモノリシックマイ
クロウェーブ集積回路において、信号用バンド、電源用
パッド、バイアス用バンド等の構成用バッド並ひに直流
特性測定選別用のパッドを有するモノリシックマイクロ
ウェーブ集積回路
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231306A JPS59117155A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | モノリシツクマイクロウエ−ブ集積回路 |
| DE8383307735T DE3382183D1 (de) | 1982-12-23 | 1983-12-20 | Monolithische integrierte mikrowellenschaltung und verfahren zum auswaehlen derselben. |
| EP83307735A EP0128986B1 (en) | 1982-12-23 | 1983-12-20 | Monolithic microwave integrated circuit and method for selecting it |
| AU22750/83A AU569483B2 (en) | 1982-12-23 | 1983-12-21 | Integrated circuit testing |
| CA000443881A CA1213681A (en) | 1982-12-23 | 1983-12-21 | Monolithic microwave integrated circuit with pads for measuring dc characteristics |
| US07/119,214 US4801867A (en) | 1982-12-13 | 1987-11-06 | Monolithic microwave integrated circuit with probing pads |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231306A JPS59117155A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | モノリシツクマイクロウエ−ブ集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117155A true JPS59117155A (ja) | 1984-07-06 |
| JPH0318339B2 JPH0318339B2 (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16921551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231306A Granted JPS59117155A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-23 | モノリシツクマイクロウエ−ブ集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117155A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004088365A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | 直流増幅回路および直流増幅回路の直流電圧測定方法 |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP57231306A patent/JPS59117155A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004088365A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | 直流増幅回路および直流増幅回路の直流電圧測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318339B2 (ja) | 1991-03-12 |
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