JPS5911602A - Negative temperature coefficient thermistor and method of producing same - Google Patents

Negative temperature coefficient thermistor and method of producing same

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JPS5911602A
JPS5911602A JP12145882A JP12145882A JPS5911602A JP S5911602 A JPS5911602 A JP S5911602A JP 12145882 A JP12145882 A JP 12145882A JP 12145882 A JP12145882 A JP 12145882A JP S5911602 A JPS5911602 A JP S5911602A
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JP
Japan
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thermistor
gap
negative characteristic
metal layer
characteristic thermistor
Prior art date
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JP12145882A
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Japanese (ja)
Inventor
宏 山岡
泉屋 真一
恵一 加藤
誠一 佐藤
小松 喜佐男
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、温度検出素子として使用される負特性サーミ
スタ及びその製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a negative characteristic thermistor used as a temperature detection element and a method for manufacturing the same.

従来技術 従来のこの種の負特性サーミスタの一般的な構造は、第
1図に示すように、直方体状の負特性サーミスタ素体l
の両端面に、その全面を覆うように、”((電極2及び
3を被着形成した構造となっていた。前記電極2.3は
銀合金ペースト印刷等によって形成される。
Prior Art The general structure of this type of conventional negative temperature thermistor is as shown in FIG.
It had a structure in which electrodes 2 and 3 were deposited on both end faces of the board so as to cover the entire surface thereof.The electrodes 2 and 3 were formed by printing silver alloy paste or the like.

従来技術の欠点 しかし、従来の負特性サーミスタは、サーミスタ素体l
の両端面の全面に形成する構造であるため、電極2−3
間に電圧を印加した場合、電極2または3から負特性サ
ーミスタ素体lの外表面に沿って銀が移動析出するシル
バーマイグレーションが発生し、電極間短絡を発生する
ことかしばしばであった。特にこの種の負特性サーミス
タは、例えば外形寸法が2m/m程度の微小部品となる
ことが多く、シルバーマイグレーションにより簡栄しこ
電極間短絡を招いてしまうこと、電子レンジ、オーブン
レンジまたはその他の各種調理器等の、高温多湿の雰囲
気中で、温度検出素子として使用されるものであるため
、シルバーマイグレーションが著しく促進されること等
の固有の問題があり、シルバーマイグレーションの抑制
、防止は4A頼性帷持の面から極めて重要な事項である
。銀の代わりに、金、白金またはパラジウム等の貴金属
を使用して、シルバーマイグレーションと抑制する方法
がり0られているが、製品のコスト高を招いてしまうた
め、実用性に欠ける。
Disadvantages of the prior art However, the conventional negative characteristic thermistor has a thermistor body l
Since the structure is formed on the entire surface of both end faces of the electrode 2-3,
When a voltage is applied between the electrodes, silver migration occurs in which silver migrates and is deposited from the electrodes 2 or 3 along the outer surface of the negative characteristic thermistor element 1, often resulting in a short circuit between the electrodes. In particular, this type of negative characteristic thermistor is often a minute component with an external dimension of about 2 m/m, and silver migration may cause a short circuit between the electrodes. Since it is used as a temperature detection element in a high temperature and humidity atmosphere such as in various cooking appliances, there are inherent problems such as significantly accelerated silver migration, and 4A is required to suppress and prevent silver migration. This is an extremely important matter from the standpoint of maintaining the quality of the garment. A method of suppressing silver migration by using a noble metal such as gold, platinum, or palladium instead of silver has been proposed, but this method is impractical because it increases the cost of the product.

マタ、シルバーマへグレーシラン。八リアトシて、電極
2.3の上に半田等の金属層をコートする方法も知られ
ているが、コスト高になること、温度検出感度の低下等
の問題を生じ易いこと、温度検出感度として高温雰囲気
中におかれるため、コートする金属材料の選択等、設計
」二の困難性があること等の問題がある。
Gray Shiran to Mata and Silverma. Another known method is to coat the electrode 2.3 with a metal layer such as solder, but this method is expensive, tends to cause problems such as a decrease in temperature detection sensitivity, and has low temperature detection sensitivity. Since it is placed in a high-temperature atmosphere, there are problems such as difficulty in selecting the metal material to be coated and other difficulties in design.

本発明の目的 そこで本発明は、簡単な構成によって上述するシルバー
マイグレーション現象を確実に防止し得るようにしたコ
ストの安価な高信頼度の負特性サーミスタを提供するこ
と、及びこの負特性サーミスタを製造するのに好適な製
造方法を提供することを目的とする。
OBJECTS OF THE INVENTION Therefore, the present invention provides an inexpensive and highly reliable negative characteristic thermistor that can reliably prevent the above-mentioned silver migration phenomenon with a simple configuration, and manufactures this negative characteristic thermistor. The purpose is to provide a manufacturing method suitable for

本発明の構成 上記目的を達成するため、本発明に係る負特性サーミス
タは、直方体状である負特性サーミスタ素体の両端面上
に、前記素体の外周縁からギャップを隔てて電極を被着
形成したことを特徴とする。
Structure of the Invention In order to achieve the above object, the negative characteristic thermistor according to the present invention has electrodes coated on both end faces of a negative characteristic thermistor element having a rectangular parallelepiped shape with a gap separated from the outer periphery of the element. It is characterized by the fact that it has been formed.

また、L記号−ミスタを得るための本発明に係る製造方
法は、板状のサーミスタ素体の表面及び裏面に金属層を
被着形成する工程と、該金属層を部分的に削除して縦及
び横方向に格子状のギャップ部を形成する工程と、前記
サーミスタ素体を前記ギャップ部に沿って切断する工程
とを含むことを特徴とする。
In addition, the manufacturing method according to the present invention for obtaining an L-symbol mister includes a step of depositing a metal layer on the front and back surfaces of a plate-shaped thermistor element body, and a process of partially removing the metal layer and vertically disposing the metal layer. and a step of forming a grid-like gap portion in the horizontal direction, and a step of cutting the thermistor element body along the gap portion.

実施例 第2図は本発明に係る負特性サーミスタの斜視図、第3
図は同じくその側面図である。この実施例では、直方体
状に形成された負特性サーミスタ素体lの両端面上に、
該負特性サーミスタ素体lの4つの外周縁からギャップ
Glだけ内側に。
Embodiment 2 is a perspective view of a negative characteristic thermistor according to the present invention, and 3 is a perspective view of a negative characteristic thermistor according to the present invention.
The figure is also a side view. In this embodiment, on both end faces of the negative characteristic thermistor element l formed in the shape of a rectangular parallelepiped,
Inward by a gap Gl from the four outer peripheral edges of the negative characteristic thermistor element body l.

銀、銀−パラジウム合金または金等の金属成分を導電成
分とする電極2.3を被71形成した構造となっている
It has a structure in which an electrode 2.3 whose conductive component is a metal component such as silver, a silver-palladium alloy, or gold is formed on a cover 71.

一般に電極を構成する金属成分は電場の方向には移動し
易いが、電場と異なる方向、特に電場と直行する方゛向
には移動しにくい性質がある。従って、本発明のように
、電極2.3を負特性サーミスタ素体1の外周縁からギ
ャップGlだけ内側に形成する構造をとると、電極2−
3間に電圧を印加した場合、前記ギャップGlのある平
面部分が、電極2−3方向に向かう電」の方向に対して
直行する面となり、シルバマイグレーシゴンに対するバ
リア的な働きを有するようになるので、電極2.3を構
成する金属成分の移動が該キャップGlによって抑制さ
れる。このため、電極2.3を銀電極によって構成した
場合のシルバーマイグレーションの発生が防止される。
In general, metal components constituting electrodes are easy to move in the direction of the electric field, but have a property that they are difficult to move in a direction different from the electric field, especially in a direction perpendicular to the electric field. Therefore, if a structure is adopted in which the electrode 2.3 is formed inside the outer periphery of the negative temperature coefficient thermistor body 1 by the gap Gl, as in the present invention, the electrode 2.
When a voltage is applied between the electrodes 3 and 3, the plane portion with the gap Gl becomes a plane perpendicular to the direction of the electric current directed toward the electrodes 2-3, and acts as a barrier to the silver migration graciggon. Therefore, the movement of the metal component constituting the electrode 2.3 is suppressed by the cap Gl. Therefore, silver migration is prevented from occurring when the electrodes 2.3 are made of silver electrodes.

次に上記の負特性サーミスタの製造方法について説明す
る。第4図(A)〜(C)はその製造工程を示す図であ
る。まず、第4図(A)に示すように、角板状もしくは
円板状等のサーミスタ素体101の表面及び裏面の全面
に金属層201.301を被着形成する。該金属層20
1及び3′O1は、電極2.3となるものであるから、
電極材ネ゛lとして挙げた前記金属、例えば銀、銀−パ
ラジウム合金または金等を導電成分とするものによって
構成する。金属層201及び301の形成方法としては
、前記金属を導電成分とする電極ペーストを調製し、こ
れをスクリーン印刷等の手段によってサーミスタ素体1
01に塗布し焼付ける電極ペーストスクリーン印刷焼付
は法または蒸着法もしくはスパッタ法等が考えられる。
Next, a method for manufacturing the above negative characteristic thermistor will be explained. FIGS. 4(A) to 4(C) are diagrams showing the manufacturing process. First, as shown in FIG. 4(A), metal layers 201 and 301 are formed on the entire front and back surfaces of the thermistor body 101 in the form of a rectangular plate or a disk. The metal layer 20
1 and 3′O1 are electrodes 2.3, so
The electrode material is made of the metal mentioned above, such as silver, silver-palladium alloy, or gold, as a conductive component. The method for forming the metal layers 201 and 301 involves preparing an electrode paste containing the metal as a conductive component, and applying it to the thermistor body 1 by means such as screen printing.
The electrode paste that is applied and baked on 01 may be a screen printing method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like.

次に第4図(B)に示すように、前記金属層201及び
301を部分的に削除しで、縦横に交叉する格子状のギ
ャップ部Glを形成する。そして、この後、第4図(C
)に示すように、ギヤップG1に沿ってサーミスタ素体
lO1を格子状に切断することにより、第2図及び第3
図に示した本発明に係る負特性サーミスタが得られる。
Next, as shown in FIG. 4(B), the metal layers 201 and 301 are partially removed to form a lattice-shaped gap Gl that intersects vertically and horizontally. After this, Figure 4 (C
), by cutting the thermistor element lO1 into a grid shape along the gap G1, the parts shown in FIGS.
The negative characteristic thermistor according to the present invention shown in the figure is obtained.

前記ギャップ部Glの形成方法としては、フォト、エツ
チング法、が適当である。この種の負特性サーミスタは
例えば2m/m程度の非常に小さな外形となるのが普通
であるから、そのEに形成される電極及び該電極を隔て
るキャップGlの寸法精度を、非常に高く保つ必要があ
る。フォト、エツチング法は、半導体製造技術に広く利
用されているように、極めて微細なパターンが形成でき
るから、これを利用することにより、電極及びその周囲
のキャンプG1の寸法精度を非常に高く保つことかでき
る。第5図(A)〜(D)はフォト。
As a method for forming the gap portion Gl, a photo-etching method or an etching method is suitable. Since this type of negative characteristic thermistor usually has a very small outer diameter of, for example, about 2 m/m, it is necessary to maintain extremely high dimensional accuracy of the electrode formed at E and the cap Gl that separates the electrode. There is. The photo-etching method, which is widely used in semiconductor manufacturing technology, can form extremely fine patterns, so by using this method, the dimensional accuracy of the electrode and the camp G1 around it can be maintained at a very high level. I can do it. Figures 5 (A) to (D) are photos.

エツチング工程の一例を示す図である。まず、第4図(
A)の工程でサーミスタ素体101の両面上に金属層2
01及び301を被着形成した後、第4図(A)に示す
ように、金属層201または301のLに光感性樹脂等
より成るフォト、マスク4を被せ、次に第5図(B)に
示すように、このフォト、マスク4の上に、前記ギャッ
プGlのパターンを形成したネガまたはポジ5を置き、
光を見附することにより、前記パターンに従ってフォト
、マスク4を感光させる。そして、この後、第5図(C
)に示すようにフォト、マスク4のエツチングを行ない
、更に第5図(D)に示すように金属層201または3
01のエツチングを行なうことにより、第4図(B)に
示すパターンのギャップGlが形成される。
FIG. 3 is a diagram showing an example of an etching process. First, Figure 4 (
In step A), a metal layer 2 is formed on both sides of the thermistor element 101.
01 and 301, as shown in FIG. 4(A), the L of the metal layer 201 or 301 is covered with a photomask 4 made of photosensitive resin or the like, and then as shown in FIG. 5(B). As shown in , a negative or positive 5 with the gap Gl pattern formed thereon is placed on this photomask 4,
By looking at the light, the photo mask 4 is exposed according to the pattern. After this, Figure 5 (C
) as shown in FIG.
By performing etching 01, a gap Gl having a pattern shown in FIG. 4(B) is formed.

本発明の効果 以上述べたように、本発明に係る負特性サーミスタは、
直方体状である負特性サーミスタ素体の両端面−Hに、
前記素体の外周縁からキャップを陥てて電極を被着形成
したことを特徴とするから、前記ギャップをバリア部分
とする簡単な構成によって、電極のシルバーマイグレー
ション現象を確実に防1h l、得るようにした、コス
トの安価な高信頼度の負特性サーミスタを提供すること
ができる。
Effects of the present invention As described above, the negative characteristic thermistor according to the present invention has
On both end faces -H of the rectangular parallelepiped negative characteristic thermistor body,
Since the cap is depressed from the outer periphery of the element body and the electrode is deposited thereon, the silver migration phenomenon of the electrode can be reliably prevented by a simple structure in which the gap is used as a barrier part. Thus, it is possible to provide a low-cost, highly reliable negative characteristic thermistor.

また、本発明に係るサーミスタの製造方法は、板状のサ
ーミスタ素体の表面及び裏面に金属層を被着形成する工
程と、該金属層を部分的に削除して縦及び横方向に格子
状のギャップ部を形成するE程と、前記サーミスタ素体
をifI記ギャップ部に沿って切断する工程とを含むこ
とを特徴とするから、前記負特性サーミスタを能率良く
製造することができる。
Further, the method for manufacturing a thermistor according to the present invention includes a step of depositing and forming a metal layer on the front and back surfaces of a plate-shaped thermistor body, and partially removing the metal layer to form a lattice pattern in the vertical and horizontal directions. The negative characteristic thermistor can be manufactured efficiently because the method includes a step E of forming a gap portion and a step of cutting the thermistor body along the gap portion ifI.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の負特性サーミスタの斜視図、第2図は本
発明に係る負特性サーミスタの斜視図。 第3図は同じくその側面図、第4図(A)〜(・C)は
本発明に係る製造方法の工程を示す図、第5図(A)〜
(D)はフォト、エツチング工程の一例を示す図である
。 1・・・負特性サーミスタ素体 2.3・・・電極    G1・・・ギャップ第4図 (A) (C)
FIG. 1 is a perspective view of a conventional negative characteristic thermistor, and FIG. 2 is a perspective view of a negative characteristic thermistor according to the present invention. FIG. 3 is a side view thereof, FIGS. 4(A) to 4(C) are diagrams showing the steps of the manufacturing method according to the present invention, and FIGS. 5(A) to
(D) is a diagram showing an example of a photo-etching process. 1... Negative characteristic thermistor element body 2.3... Electrode G1... Gap Figure 4 (A) (C)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) 直方体状である負特性サーミスタ素体の両端面
上に、前記素体の外周縁からギャップを隔てて電極を被
着形成したことを特徴とする特性サーミスタ。
(1) A characteristic thermistor characterized in that electrodes are formed on both end faces of a negative characteristic thermistor element having a rectangular parallelepiped shape with a gap separated from the outer periphery of the element.
(2) 板状のサーミスタ素体の表面及び裏面に金属層
を被着形成する工程と、該金属層を部分的に削除して縦
及び横方向に格子状のギャップ部を形成する工程と、前
記サーミスタ素体を前記ギャップ部に沿って切断する工
程とを含むことを特徴とするサーミスタの製造方法。
(2) a step of depositing a metal layer on the front and back surfaces of a plate-shaped thermistor body, and a step of partially removing the metal layer to form a grid-like gap in the vertical and horizontal directions; A method for manufacturing a thermistor, comprising the step of cutting the thermistor element along the gap portion.
(3) 前記金属層を部分的に削除して縦及び横方向に
格子状のキャップ部を形成する工程は、フォト、エツチ
ング工程であることを特徴とする特許請求の範囲第2項
に記載のサーミスタの製造方法。
(3) The step of partially removing the metal layer to form a grid-like cap portion in the vertical and horizontal directions is a photo-etching step, as set forth in claim 2. A method of manufacturing a thermistor.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61105802A (en) * 1984-10-30 1986-05-23 ティーディーケイ株式会社 Thermistor element and manufacuture thereof
US10886043B2 (en) 2017-11-29 2021-01-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic member

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