JPS59116004A - 車高検出装置 - Google Patents
車高検出装置Info
- Publication number
- JPS59116004A JPS59116004A JP23050482A JP23050482A JPS59116004A JP S59116004 A JPS59116004 A JP S59116004A JP 23050482 A JP23050482 A JP 23050482A JP 23050482 A JP23050482 A JP 23050482A JP S59116004 A JPS59116004 A JP S59116004A
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- Japan
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- vehicle height
- change
- link mechanism
- strain
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60G—VEHICLE SUSPENSION ARRANGEMENTS
- B60G17/00—Resilient suspensions having means for adjusting the spring or vibration-damper characteristics, for regulating the distance between a supporting surface and a sprung part of vehicle or for locking suspension during use to meet varying vehicular or surface conditions, e.g. due to speed or load
- B60G17/015—Resilient suspensions having means for adjusting the spring or vibration-damper characteristics, for regulating the distance between a supporting surface and a sprung part of vehicle or for locking suspension during use to meet varying vehicular or surface conditions, e.g. due to speed or load the regulating means comprising electric or electronic elements
- B60G17/019—Resilient suspensions having means for adjusting the spring or vibration-damper characteristics, for regulating the distance between a supporting surface and a sprung part of vehicle or for locking suspension during use to meet varying vehicular or surface conditions, e.g. due to speed or load the regulating means comprising electric or electronic elements characterised by the type of sensor or the arrangement thereof
- B60G17/01933—Velocity, e.g. relative velocity-displacement sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60G—VEHICLE SUSPENSION ARRANGEMENTS
- B60G2401/00—Indexing codes relating to the type of sensors based on the principle of their operation
- B60G2401/12—Strain gauge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Vehicle Body Suspensions (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、車高検出装置に関する。更に詳しくは、自動
車の車体と車軸とを連結するリンク機（１４を利用した
車高検出装置に関する。
車の車体と車軸とを連結するリンク機（１４を利用した
車高検出装置に関する。
自動車の車体は、搭乗者の体重や積荷の荷重により上下
する。また、路面の凹凸によっても、車輪からの振動が
緩衝器を介して車体に伝わり、上下する。このように、
種々の原因によって車体と車軸との距離、即ち車高が変
化するので、級′＠七ｉによっては、そのときの車高を
検出し、それに応じた緩衝特性に自動的に調整し得るよ
うにしたものがある。
する。また、路面の凹凸によっても、車輪からの振動が
緩衝器を介して車体に伝わり、上下する。このように、
種々の原因によって車体と車軸との距離、即ち車高が変
化するので、級′＠七ｉによっては、そのときの車高を
検出し、それに応じた緩衝特性に自動的に調整し得るよ
うにしたものがある。
かかる目的などで車高検出を行なう場合、従来は自動車
の車体と車軸とを連結するリンク機構を設置し、そのｉ
」動部分に発光ダイオード、フォトトランジスターなど
を取り付け、車高変化が生じ／こときデジタル信号とし
て取り出して処理したり、あるいは緩衝器の可動部分に
マグネットと１，１− ）”スイッチとを取υ付けて、
車高が変化したことを電流のｏｔｑ−またけＯＦＦによ
って検出することなどが行われていた。
の車体と車軸とを連結するリンク機構を設置し、そのｉ
」動部分に発光ダイオード、フォトトランジスターなど
を取り付け、車高変化が生じ／こときデジタル信号とし
て取り出して処理したり、あるいは緩衝器の可動部分に
マグネットと１，１− ）”スイッチとを取υ付けて、
車高が変化したことを電流のｏｔｑ−またけＯＦＦによ
って検出することなどが行われていた。
しかるに、これらの検出方法では、本来アナログ量であ
る車高値をデジタル信号として検出しているので、車高
の変化を特に経時的に正確に把握できないという問題が
あった。また、検出装置自体の構造が複雑で、コストや
量産性の点でも出ｊ題がみら九た。
る車高値をデジタル信号として検出しているので、車高
の変化を特に経時的に正確に把握できないという問題が
あった。また、検出装置自体の構造が複雑で、コストや
量産性の点でも出ｊ題がみら九た。
本発明は、簡単な構成でしかもアナログ量で車、ｈ］（
ＩＭを検出させる車高検出装置を提供する。即ち、本発
明に係る車高検出装置は、自動車の車体と車用１１との
間に、半導体のφ−電気抵抗斐化をオリ用したねじれ検
出族子に接続したリンク機構を設置してなる。
ＩＭを検出させる車高検出装置を提供する。即ち、本発
明に係る車高検出装置は、自動車の車体と車用１１との
間に、半導体のφ−電気抵抗斐化をオリ用したねじれ検
出族子に接続したリンク機構を設置してなる。
図面について、本発明に係る車高検出装置：の一態（求
を説明する。
を説明する。
第１図は、自動車の車体と車軸との間にリンク機構を設
けた状態を示す概略図であシ、車体１と車軸２との間に
は、車高の変化に応じて可動部分３が互いに回転して伸
縮するようＫなっているリンク機構４が設置されており
、リンク機構の一端５は歪−電気抵抗変化素子を内蔵す
るボックス６内に、また他端７は単なる取付部品８内に
それぞれ接続されている。
けた状態を示す概略図であシ、車体１と車軸２との間に
は、車高の変化に応じて可動部分３が互いに回転して伸
縮するようＫなっているリンク機構４が設置されており
、リンク機構の一端５は歪−電気抵抗変化素子を内蔵す
るボックス６内に、また他端７は単なる取付部品８内に
それぞれ接続されている。
第２図は、上記ボックス（６）内に収容された歪−電気
抵抗変化素子を示す概略図であり、例えばステンレスス
チール基板（厚さ約（１２闘）９上に、アモルファスシ
リコン薄膜１０（厚さ約０５μｍ）が形成されており、
かかる素子の一端はボックス（６）の壁１１に固定され
、他端は前記リンク機構（４）の一端に固定されて接続
されている。そして、車高の変化に応じてリンク機構が
伸縮し、リンク機構の一端（５）が左右に回転１２する
ようになυ、それにつれて素子がねじれ、アモルファス
シリコン薄膜（１０）にも歪を生じて電気抵抗に変化を
生ずるため、この電気抵抗の変化を取り出して、これを
車高変化に変換させるＯなお、符号１３．１３′は接続
端子であ’）、１４．１４／はリード線であるＯ第３図
は、電気抵抗変化を取り出すための定電圧回路図であシ
、電源、一般には直流電源１５、歪−電気抵抗変化素子
１６、基準抵抗１７よりなり、この基準抵抗から抵抗変
化により生ずる電圧変化を取り出しているが、直接素子
（１６）の電圧変化を取９出してもよい。なお、符号１
８はＯＰアンプなどよりなるノイズ除去用ローパスフィ
ルターであり、また１９．１９’は出力端子である。
抵抗変化素子を示す概略図であり、例えばステンレスス
チール基板（厚さ約（１２闘）９上に、アモルファスシ
リコン薄膜１０（厚さ約０５μｍ）が形成されており、
かかる素子の一端はボックス（６）の壁１１に固定され
、他端は前記リンク機構（４）の一端に固定されて接続
されている。そして、車高の変化に応じてリンク機構が
伸縮し、リンク機構の一端（５）が左右に回転１２する
ようになυ、それにつれて素子がねじれ、アモルファス
シリコン薄膜（１０）にも歪を生じて電気抵抗に変化を
生ずるため、この電気抵抗の変化を取り出して、これを
車高変化に変換させるＯなお、符号１３．１３′は接続
端子であ’）、１４．１４／はリード線であるＯ第３図
は、電気抵抗変化を取り出すための定電圧回路図であシ
、電源、一般には直流電源１５、歪−電気抵抗変化素子
１６、基準抵抗１７よりなり、この基準抵抗から抵抗変
化により生ずる電圧変化を取り出しているが、直接素子
（１６）の電圧変化を取９出してもよい。なお、符号１
８はＯＰアンプなどよりなるノイズ除去用ローパスフィ
ルターであり、また１９．１９’は出力端子である。
ねじれ検出素子として作用する半導体としては、シリコ
ン、セレン、ゲルマニウムなどが用いられるが、廉７価
な点からシリコンが用いられ、特にアモルファスシリコ
ンが好んで用いられる。ねじれ角などを検出するには、
通常金鵬歪ゲージを軸に取ｐ伺け、その歪を測定してね
じれに変換するが、金属の場合にはケージ率（電気抵抗
変化ル量）が１０以下と小さく、増幅しなければならな
いが、シリコンの場合にはこの値が１００以上と高感度
のため、直接に測定することができる。また、シリコン
単結晶を使用すると、結晶方向によってゲージ率が異な
るが、アモルファスのンリコンヲ用いた場合には、異方
性がないので特に好ましい。
ン、セレン、ゲルマニウムなどが用いられるが、廉７価
な点からシリコンが用いられ、特にアモルファスシリコ
ンが好んで用いられる。ねじれ角などを検出するには、
通常金鵬歪ゲージを軸に取ｐ伺け、その歪を測定してね
じれに変換するが、金属の場合にはケージ率（電気抵抗
変化ル量）が１０以下と小さく、増幅しなければならな
いが、シリコンの場合にはこの値が１００以上と高感度
のため、直接に測定することができる。また、シリコン
単結晶を使用すると、結晶方向によってゲージ率が異な
るが、アモルファスのンリコンヲ用いた場合には、異方
性がないので特に好ましい。
アモルファスシリコン薄膜を形成させるための基板とし
ては、厚さが約。ｌ〜０５ｘｍ程度のステンレススチー
ル板、ポリイミドシートなどが用いられる。これらの基
板上へのアモルファスシリコン迦膜の形成は、好ましく
は高周波スパッタリング法によって行われる。
ては、厚さが約。ｌ〜０５ｘｍ程度のステンレススチー
ル板、ポリイミドシートなどが用いられる。これらの基
板上へのアモルファスシリコン迦膜の形成は、好ましく
は高周波スパッタリング法によって行われる。
第４図は、高周波スパッタリング法１ｃ用いらｔしる装
置の概要ケ示すものである。即ち、冷却水循環パイプ２
１１２１’をそれぞれ備えた一対の電極２２．２２’が
、排気筒２３を有する反応槽２４内に、互いに対向する
位置で設置されておシ、下方の電極（２２）上にはＰ型
ウェハーが、また上方の電極（２２’）には基板がそれ
ぞれ端部をビス止めした形で取り付けられている。基板
の取付電極は、上下いずれでもよいが、下方に取υ付け
た場合には・そζにゴミなどが堆積するのが有効に防止
される。
置の概要ケ示すものである。即ち、冷却水循環パイプ２
１１２１’をそれぞれ備えた一対の電極２２．２２’が
、排気筒２３を有する反応槽２４内に、互いに対向する
位置で設置されておシ、下方の電極（２２）上にはＰ型
ウェハーが、また上方の電極（２２’）には基板がそれ
ぞれ端部をビス止めした形で取り付けられている。基板
の取付電極は、上下いずれでもよいが、下方に取υ付け
た場合には・そζにゴミなどが堆積するのが有効に防止
される。
スパッタリング処理は、まず油拡散ポンプなとの真空ポ
ンプ（図示せず）を用いて、反応槽内の空気を前記排気
筒から排気して、１０−％ｏｒｒ以下に減圧し、次いで
バリアプルバルブ２″Ｉを調整しながら、ライン２８か
らアルゴンガスなどを導入し、反応槽内の圧力ｆ １０
−’ｒｏｒｒのオーダーとする。ここで、排気筒のメイ
ンバルブ（図示せず）を調整して、圧力を１０〜］、０
Ｔｏｒｒのオーダーとする。なお、符号２９は、真空ゲ
ージである。
ンプ（図示せず）を用いて、反応槽内の空気を前記排気
筒から排気して、１０−％ｏｒｒ以下に減圧し、次いで
バリアプルバルブ２″Ｉを調整しながら、ライン２８か
らアルゴンガスなどを導入し、反応槽内の圧力ｆ １０
−’ｒｏｒｒのオーダーとする。ここで、排気筒のメイ
ンバルブ（図示せず）を調整して、圧力を１０〜］、０
Ｔｏｒｒのオーダーとする。なお、符号２９は、真空ゲ
ージである。
操作は、高周波電源（ユａ ５６ ＭＢ２） ３０がら
１ ＠ ５６ ＭＢ２の高周波を発生させ、マッチング
ボツクス（電力計）３１で入射波と反射波の差が最大に
なるように調整し、スイッチ３２を接続させた状態を継
続することにより、基板表面を清浄兼活性化してシリコ
ン薄ｊ換との’５４性を向上させた後、放電を停止し、
スイッチ３３に切り換え、書度放電して、今度はシリコ
ンウェハー表面の酸化膜を除去してｔｆｔ浄化した＆、
Ｍｔを停止することなくシャッター３４を開き、目的と
するスパッタＩＪ ７ り％−行ない、基板表面にアモ
ルファスシＩＪ コンの地膜を形成させ、所定の膜厚が
侍られた時点で放電を停止し、アルゴンカスなどの導入
を中止し、メインパルプを閉じて、反応槽がら処理物を
取り出すことによって行われる。
１ ＠ ５６ ＭＢ２の高周波を発生させ、マッチング
ボツクス（電力計）３１で入射波と反射波の差が最大に
なるように調整し、スイッチ３２を接続させた状態を継
続することにより、基板表面を清浄兼活性化してシリコ
ン薄ｊ換との’５４性を向上させた後、放電を停止し、
スイッチ３３に切り換え、書度放電して、今度はシリコ
ンウェハー表面の酸化膜を除去してｔｆｔ浄化した＆、
Ｍｔを停止することなくシャッター３４を開き、目的と
するスパッタＩＪ ７ り％−行ない、基板表面にアモ
ルファスシＩＪ コンの地膜を形成させ、所定の膜厚が
侍られた時点で放電を停止し、アルゴンカスなどの導入
を中止し、メインパルプを閉じて、反応槽がら処理物を
取り出すことによって行われる。
具体例を皐げると、電力３５０Ｗ（約’７ Ｗ／電極ｃ
Ｔｎ２）、電極間距離３５ｃｍ、反応槽内圧力８ ×Ｉ
Ｏ−”ＴＯｒｒの条件下で３０分間スパッタリングを
行なったとき、ステンレススチール基板上に厚さ約。５
μｍのアモルファスシリコン薄膜が得られた。こノ際、
シリコン薄膜がアモルファス状で形＆ サれるように、
電極を冷却しながら操作することが望ましい。形成され
た薄膜は、基板への付着強度が大きく、基板のねじれ程
度で剥離することはな７い。
Ｔｎ２）、電極間距離３５ｃｍ、反応槽内圧力８ ×Ｉ
Ｏ−”ＴＯｒｒの条件下で３０分間スパッタリングを
行なったとき、ステンレススチール基板上に厚さ約。５
μｍのアモルファスシリコン薄膜が得られた。こノ際、
シリコン薄膜がアモルファス状で形＆ サれるように、
電極を冷却しながら操作することが望ましい。形成され
た薄膜は、基板への付着強度が大きく、基板のねじれ程
度で剥離することはな７い。
かかるステンレススチール板（大きさ２０Ｘ７０ＴＡｍ
、厚さ０２ ｍｍ ）上に形成させたアモルファスシリ
コン薄膜（大きさ２０．Ｘ５５ｉ＃＋、厚さ０５μｍ）
のねじり角の変化に対応する電気抵抗便化を測定すると
、第５図のグラフに示されるように、はぼ旧線的な関係
が得られた。なお、測定は、基板の一端部をクランプで
押え、他端部をねじってねじり角を与えたときの出力変
化から抵抗変化率を、＾Ｒ／ＲｏＸ １０ ｏｅ、ｚ、
＞（Ｒｏ：ねじシ０のときの抵抗４ｈ、”Ｒ：ねじりを
加えたときの抵抗変化（ｉＡ ）として羽、出したもの
であり、車高変化とリンクの回転とが対応するので、こ
の結果は車高変化と抵抗変化率との関係を示していると
考えることができる０ このような構成を有する検出素子は、１枚の半導体歪−
電気抵抗変化素子と簡単な回路とからなる単純な構造で
あるので、部品点数が少なく廉価であるばかシではなく
、それを自動車のｉｐ一体と車軸との間に設置されたリ
ンク機構に接続することによシ、本来アナログ量である
車高ケ、デジタル信号に皺換することなく、アナログ的
に処理することができるので、微小な車高変化も正確に
把握することができ、これによって細かい車高訓節が可
能であるという効果を奏する０
、厚さ０２ ｍｍ ）上に形成させたアモルファスシリ
コン薄膜（大きさ２０．Ｘ５５ｉ＃＋、厚さ０５μｍ）
のねじり角の変化に対応する電気抵抗便化を測定すると
、第５図のグラフに示されるように、はぼ旧線的な関係
が得られた。なお、測定は、基板の一端部をクランプで
押え、他端部をねじってねじり角を与えたときの出力変
化から抵抗変化率を、＾Ｒ／ＲｏＸ １０ ｏｅ、ｚ、
＞（Ｒｏ：ねじシ０のときの抵抗４ｈ、”Ｒ：ねじりを
加えたときの抵抗変化（ｉＡ ）として羽、出したもの
であり、車高変化とリンクの回転とが対応するので、こ
の結果は車高変化と抵抗変化率との関係を示していると
考えることができる０ このような構成を有する検出素子は、１枚の半導体歪−
電気抵抗変化素子と簡単な回路とからなる単純な構造で
あるので、部品点数が少なく廉価であるばかシではなく
、それを自動車のｉｐ一体と車軸との間に設置されたリ
ンク機構に接続することによシ、本来アナログ量である
車高ケ、デジタル信号に皺換することなく、アナログ的
に処理することができるので、微小な車高変化も正確に
把握することができ、これによって細かい車高訓節が可
能であるという効果を奏する０
第１図は、自動車の車体と車軸との［ｕＪＫ ’Ｊンク
機構を設けた状態を示す概略図である。第２図は、φ−
電気抵抗変化素子を示す概略図である。第３図は、電気
抵抗変化を取シ出すための定電圧回路図である。第４図
は、素子形成のための高周波スパッタリング法に用いら
れる装置の概略図である。 また、第５図は、ステンレススチール板上に形成させた
アモルファスシリコン尚、膜のねじり角の変化に対する
電気抵抗変化率を測定したグラフである。 （符号の説明） Ｊ・・・・・自動車の車体 ２・・・・・・自動車の車Ｊｆ４１＋ ４・・・・・リンク機構 ９・・・・・・基板 ｌＯ・・・・・・半導体薄膜 代理人 弁理士吉田俊夫 第１図 第２図 第３図 １ら 第４図 １
機構を設けた状態を示す概略図である。第２図は、φ−
電気抵抗変化素子を示す概略図である。第３図は、電気
抵抗変化を取シ出すための定電圧回路図である。第４図
は、素子形成のための高周波スパッタリング法に用いら
れる装置の概略図である。 また、第５図は、ステンレススチール板上に形成させた
アモルファスシリコン尚、膜のねじり角の変化に対する
電気抵抗変化率を測定したグラフである。 （符号の説明） Ｊ・・・・・自動車の車体 ２・・・・・・自動車の車Ｊｆ４１＋ ４・・・・・リンク機構 ９・・・・・・基板 ｌＯ・・・・・・半導体薄膜 代理人 弁理士吉田俊夫 第１図 第２図 第３図 １ら 第４図 １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １自動車の車体と車軸との間に、半導体の歪−電気抵抗
変化を利用したねじれ検出素子に接続したリンク機構を
設置してなる車高検出装置。 ２半導体がシリコン半導体である特許請求の範囲第１項
記載の車高検出装置。 ３シリコン半導体がアモルファスである特許請求の範囲
第２項記載の車高検出装置。 本スパッタリング法により基板上にアモルファスシリコ
ン薄膜を形成させた検出素子が用いられる特許請求の範
囲第３川記載の車高休出装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23050482A JPS59116004A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 車高検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23050482A JPS59116004A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 車高検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116004A true JPS59116004A (ja) | 1984-07-04 |
| JPH0240165B2 JPH0240165B2 (ja) | 1990-09-10 |
Family
ID=16908794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23050482A Granted JPS59116004A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 車高検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116004A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03101408U (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-23 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54793A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-06 | Hitachi Ltd | Power supply connecting apparatus for contacting electric line |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP23050482A patent/JPS59116004A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54793A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-06 | Hitachi Ltd | Power supply connecting apparatus for contacting electric line |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03101408U (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0240165B2 (ja) | 1990-09-10 |
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