JPH0240165B2 - - Google Patents
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- JPH0240165B2 JPH0240165B2 JP57230504A JP23050482A JPH0240165B2 JP H0240165 B2 JPH0240165 B2 JP H0240165B2 JP 57230504 A JP57230504 A JP 57230504A JP 23050482 A JP23050482 A JP 23050482A JP H0240165 B2 JPH0240165 B2 JP H0240165B2
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- Japan
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- amorphous silicon
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Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60G—VEHICLE SUSPENSION ARRANGEMENTS
- B60G17/00—Resilient suspensions having means for adjusting the spring or vibration-damper characteristics, for regulating the distance between a supporting surface and a sprung part of vehicle or for locking suspension during use to meet varying vehicular or surface conditions, e.g. due to speed or load
- B60G17/015—Resilient suspensions having means for adjusting the spring or vibration-damper characteristics, for regulating the distance between a supporting surface and a sprung part of vehicle or for locking suspension during use to meet varying vehicular or surface conditions, e.g. due to speed or load the regulating means comprising electric or electronic elements
- B60G17/019—Resilient suspensions having means for adjusting the spring or vibration-damper characteristics, for regulating the distance between a supporting surface and a sprung part of vehicle or for locking suspension during use to meet varying vehicular or surface conditions, e.g. due to speed or load the regulating means comprising electric or electronic elements characterised by the type of sensor or the arrangement thereof
- B60G17/01933—Velocity, e.g. relative velocity-displacement sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60G—VEHICLE SUSPENSION ARRANGEMENTS
- B60G2401/00—Indexing codes relating to the type of sensors based on the principle of their operation
- B60G2401/12—Strain gauge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Vehicle Body Suspensions (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、車高検出装置に関する。更に詳しく
は、自動車の車体と車軸とを連結するリンク機構
を利用した車高検出装置に関する。
は、自動車の車体と車軸とを連結するリンク機構
を利用した車高検出装置に関する。
自動車の車体は、搭乗者の体重や積荷の荷重に
より上下する。また、路面の凹凸によつても、車
輪からの振動が緩衝器を介して車体に伝わり、上
下する。このように、種々の原因によつて車体と
車軸との距離、即ち車高が変化するので、緩衝器
によつては、そのときの車高を検出し、それに応
じた緩衝特性に自動的に調整し得るようにしたも
のがある。
より上下する。また、路面の凹凸によつても、車
輪からの振動が緩衝器を介して車体に伝わり、上
下する。このように、種々の原因によつて車体と
車軸との距離、即ち車高が変化するので、緩衝器
によつては、そのときの車高を検出し、それに応
じた緩衝特性に自動的に調整し得るようにしたも
のがある。
かかる目的などで車高検出を行なう場合、従来
は自動車の車体と車軸とを連結するリンク機構を
設置し、その可動部分に発光ダイオード、フオト
トランジスターなどを取り付け、車高変化が生じ
たときデジタル信号として取り出して処理した
り、あるいは緩衝器の可動部分にマグネツトとリ
ードスイツチとを取り付けて、車高が変化したこ
とを電流のONまたはOFFによつて検出すること
などが行われている。
は自動車の車体と車軸とを連結するリンク機構を
設置し、その可動部分に発光ダイオード、フオト
トランジスターなどを取り付け、車高変化が生じ
たときデジタル信号として取り出して処理した
り、あるいは緩衝器の可動部分にマグネツトとリ
ードスイツチとを取り付けて、車高が変化したこ
とを電流のONまたはOFFによつて検出すること
などが行われている。
しかるに、これらの検出方法では、本来アナロ
グ量である車高値をデジタル信号として検出して
いるので、車高の変化を特に経時的に正確に把握
できないという問題があつた。また、検出装置自
体の構造が複雑で、コストや量産性の点でも問題
がみられた。
グ量である車高値をデジタル信号として検出して
いるので、車高の変化を特に経時的に正確に把握
できないという問題があつた。また、検出装置自
体の構造が複雑で、コストや量産性の点でも問題
がみられた。
本発明は、簡単な構成でしかもアナログ量で車
高値を検出させる車高検出装置を提供する。即
ち、本発明に係る車高検出装置は、自動車の車体
と車軸との間に、半導体の歪−電気抵抗変化を利
用したねじれ検出素子に接続したリンク機構を設
置してなる。
高値を検出させる車高検出装置を提供する。即
ち、本発明に係る車高検出装置は、自動車の車体
と車軸との間に、半導体の歪−電気抵抗変化を利
用したねじれ検出素子に接続したリンク機構を設
置してなる。
図面について、本発明に係る車高検出装置の一
態様を説明する。
態様を説明する。
第１図は、自動車の車体と車軸との間にリンク
機構を設けた状態を示す概略図であり、車体１と
車軸２との間には、車高の変化に応じて可動部分
３が互いに回転して伸縮するようになつているリ
ンク機構４が設置されており、リンク機構の一端
５は歪−電気抵抗素子を内蔵するボツクス６内
に、また他端７は単なる取付部品８内にそれぞれ
接続されている。
機構を設けた状態を示す概略図であり、車体１と
車軸２との間には、車高の変化に応じて可動部分
３が互いに回転して伸縮するようになつているリ
ンク機構４が設置されており、リンク機構の一端
５は歪−電気抵抗素子を内蔵するボツクス６内
に、また他端７は単なる取付部品８内にそれぞれ
接続されている。
第２図は、上記ボツクス６内に収容された歪−
電気抵抗変化素子を示す概略図であり、例えばス
テンレススチール基板（厚さ約0.2mm）９上に、
アモルフアスシリコン薄膜１０（厚さ約0.5μm）
が形成されており、かかる素子の一端はボツクス
６の壁１１に固定され、他端は前記リンク機構４
の一端に固定されて接続されている。そして、車
高の変化に応じてリンク機構が伸縮し、リンク機
構の一端５が左右に回転するようになり、それに
つれて素子がねじれ、アモルフアスシリコン薄膜
１０にも歪を生じて電気抵抗に変化を生ずるた
め、この電気抵抗の変化を取り出して、これを車
高変化に変換させる。なお、符号１３，１３′は
接続端子であり、１４，１４′はリード線である。
電気抵抗変化素子を示す概略図であり、例えばス
テンレススチール基板（厚さ約0.2mm）９上に、
アモルフアスシリコン薄膜１０（厚さ約0.5μm）
が形成されており、かかる素子の一端はボツクス
６の壁１１に固定され、他端は前記リンク機構４
の一端に固定されて接続されている。そして、車
高の変化に応じてリンク機構が伸縮し、リンク機
構の一端５が左右に回転するようになり、それに
つれて素子がねじれ、アモルフアスシリコン薄膜
１０にも歪を生じて電気抵抗に変化を生ずるた
め、この電気抵抗の変化を取り出して、これを車
高変化に変換させる。なお、符号１３，１３′は
接続端子であり、１４，１４′はリード線である。
第３図は、電気抵抗変化を取り出すための定電
圧回路図であり、電源、一般には直流電源１５、
歪−電気抵抗変化素子１６、基準抵抗１７よりな
り、この基準抵抗から抵抗変化により生ずる電圧
変化を取り出しているが、直接素子１６の電圧変
化を取り出してもよい。なお、符号１８はOPア
ンプなどよりなるノイズ除去用ローパスフイルタ
ーであり、また１９，１９′は出力端子である。
圧回路図であり、電源、一般には直流電源１５、
歪−電気抵抗変化素子１６、基準抵抗１７よりな
り、この基準抵抗から抵抗変化により生ずる電圧
変化を取り出しているが、直接素子１６の電圧変
化を取り出してもよい。なお、符号１８はOPア
ンプなどよりなるノイズ除去用ローパスフイルタ
ーであり、また１９，１９′は出力端子である。
ねじれ検出素子として作用する半導体として
は、シリコン、セレン、ゲルマニウムなどが用い
られるが、廉価な点からシリコンが用いられ、特
にアモルフアスシリコンが好んで用いられる。ね
じれ角などを検出するには、通常金属歪ゲージを
軸に取り付け、その歪を測定してねじれに変換す
るが、金属の場合にはゲージ率（電気抵抗変化／
歪量）が10以下と小さく、増幅しなければならな
いが、シリコンの場合にはこの値が100以上と高
感度のため、直接に測定することができる。ま
た、シリコン単結晶を使用すると、結晶方向によ
つてゲージ率が異なるが、アモルフアスのシリコ
ンを用いた場合には、異方性がないので特に好ま
しい。
は、シリコン、セレン、ゲルマニウムなどが用い
られるが、廉価な点からシリコンが用いられ、特
にアモルフアスシリコンが好んで用いられる。ね
じれ角などを検出するには、通常金属歪ゲージを
軸に取り付け、その歪を測定してねじれに変換す
るが、金属の場合にはゲージ率（電気抵抗変化／
歪量）が10以下と小さく、増幅しなければならな
いが、シリコンの場合にはこの値が100以上と高
感度のため、直接に測定することができる。ま
た、シリコン単結晶を使用すると、結晶方向によ
つてゲージ率が異なるが、アモルフアスのシリコ
ンを用いた場合には、異方性がないので特に好ま
しい。
アモルフアスシリコン薄膜を形成させるための
基板としては、厚さが約0.1〜0.5mm程度のステン
レススチール板、ポリイミドシートなどが用いら
れる。これらの基板上へのアモルフアスシリコン
薄膜の形成は、好ましくは高周波スパツタリング
法によつて行われる。
基板としては、厚さが約0.1〜0.5mm程度のステン
レススチール板、ポリイミドシートなどが用いら
れる。これらの基板上へのアモルフアスシリコン
薄膜の形成は、好ましくは高周波スパツタリング
法によつて行われる。
第４図は、高周波スパツタリング法に用いられ
る装置の概要を示すものである。即ち、冷却水循
環パイプ２１，２１′をそれぞれ備えた一対の電
極２２，２２′が、排気筒２３を有する反応槽２
４内に、互いに対向する位置で設置されており、
下方の電極２２上にはＰ型ウエハーが、また上方
の電極２２′には基板がそれぞれ端部をビス止め
した形で取り付けられている。基板の取付電極
は、上下いずれでもよいが、上方に取り付けた場
合には、そこにゴミなどが堆積するのが有効に防
止される。
る装置の概要を示すものである。即ち、冷却水循
環パイプ２１，２１′をそれぞれ備えた一対の電
極２２，２２′が、排気筒２３を有する反応槽２
４内に、互いに対向する位置で設置されており、
下方の電極２２上にはＰ型ウエハーが、また上方
の電極２２′には基板がそれぞれ端部をビス止め
した形で取り付けられている。基板の取付電極
は、上下いずれでもよいが、上方に取り付けた場
合には、そこにゴミなどが堆積するのが有効に防
止される。
スパツタリング処理は、まず油拡散ポンプなど
の真空ポンプ（図示せず）を用いて、反応槽内の
空気を前記排気筒から排気して、10-6Torr以下
に減圧し、次いでバリアブルバルブ２７を調整し
ながら、ライン２８からアルゴンガスなどを導入
し、反応槽内の圧力を10-4Torrのオーダーとす
る。ここで、排気筒のメインバルブ（図示せず）
を調整して、圧力を10-3〜10-1Torrのオーダー
とする。なお、符号２９は、真空ゲージである。
の真空ポンプ（図示せず）を用いて、反応槽内の
空気を前記排気筒から排気して、10-6Torr以下
に減圧し、次いでバリアブルバルブ２７を調整し
ながら、ライン２８からアルゴンガスなどを導入
し、反応槽内の圧力を10-4Torrのオーダーとす
る。ここで、排気筒のメインバルブ（図示せず）
を調整して、圧力を10-3〜10-1Torrのオーダー
とする。なお、符号２９は、真空ゲージである。
操作は、高周波電源（13.56MHz）３０から
13.56MHzの高周波を発生させ、マツチングボツ
クス（電力計）３１で入射波と反射波の差が最大
になるように調整し、スイツチ３２を接続させた
状態を継続することにより、基板表面を清浄兼活
性化してシリコン薄膜との密着性を向上させた
後、放電を防止し、スイツチ３３に切り換え、再
度放電して、今度はシリコンウエハー表面の酸化
膜を除去して清浄化した後、放電を停止すること
なくシヤツター３４を開き、目的とするスパツタ
リングを行ない、基板表面にアモルフアスシリコ
ンの薄膜を形成させ、所定の膜厚が得られた時点
で放電を停止し、アルゴンガスなどの導入を中止
し、メインバルブを閉じて、反応槽から処理物を
取り出すことによつて行われる。
13.56MHzの高周波を発生させ、マツチングボツ
クス（電力計）３１で入射波と反射波の差が最大
になるように調整し、スイツチ３２を接続させた
状態を継続することにより、基板表面を清浄兼活
性化してシリコン薄膜との密着性を向上させた
後、放電を防止し、スイツチ３３に切り換え、再
度放電して、今度はシリコンウエハー表面の酸化
膜を除去して清浄化した後、放電を停止すること
なくシヤツター３４を開き、目的とするスパツタ
リングを行ない、基板表面にアモルフアスシリコ
ンの薄膜を形成させ、所定の膜厚が得られた時点
で放電を停止し、アルゴンガスなどの導入を中止
し、メインバルブを閉じて、反応槽から処理物を
取り出すことによつて行われる。
具体例を挙げると、電力350W（約7W／電極
cm2）、電極間距離3.5cm、反応槽内圧力８×
10-2Torrの条件下で30分間スパツタリングを行
なつたとき、ステンレススチール基板上に厚さ約
0.5μmのアモルフアスシリコン薄膜が得られた。
この際、シリコン薄膜がアモルフアス状で形成さ
れるように、電極を冷却しながら操作することが
望ましい。形成された薄膜は、基板への付着強度
が大きく、基板のねじれ程度で剥離することはな
い。
cm2）、電極間距離3.5cm、反応槽内圧力８×
10-2Torrの条件下で30分間スパツタリングを行
なつたとき、ステンレススチール基板上に厚さ約
0.5μmのアモルフアスシリコン薄膜が得られた。
この際、シリコン薄膜がアモルフアス状で形成さ
れるように、電極を冷却しながら操作することが
望ましい。形成された薄膜は、基板への付着強度
が大きく、基板のねじれ程度で剥離することはな
い。
かかるステンレススチール板（大きさ20×70
mm、厚さ0.2mm）上に形成させたアモルフアスシ
リコン薄膜（大きさ20×55mm、厚さ0.5μm）のね
じり角の変化に対応する電気抵抗変化を測定する
と、第５図のグラフに示されるように、ほぼ直線
的な関係が得られた。なお、測定は、基板の一端
部をクランプで押え、他端部をねじつてねじり角
を与えたときの出力変化から抵抗変化率を、ΔR
×Rp×100（％）（Rp：ねじり０のときの抵抗値、
ΔR：ねじりを加えたときの抵抗変化値）として
算出したものであり、車高変化とリンクの回転と
が対応するので、この結果は車高変化と抵抗変化
率との関係を示していると考えることができる。
mm、厚さ0.2mm）上に形成させたアモルフアスシ
リコン薄膜（大きさ20×55mm、厚さ0.5μm）のね
じり角の変化に対応する電気抵抗変化を測定する
と、第５図のグラフに示されるように、ほぼ直線
的な関係が得られた。なお、測定は、基板の一端
部をクランプで押え、他端部をねじつてねじり角
を与えたときの出力変化から抵抗変化率を、ΔR
×Rp×100（％）（Rp：ねじり０のときの抵抗値、
ΔR：ねじりを加えたときの抵抗変化値）として
算出したものであり、車高変化とリンクの回転と
が対応するので、この結果は車高変化と抵抗変化
率との関係を示していると考えることができる。
このような構成を有する検出素子は、１枚の半
導体歪−電気抵抗変化素子と簡単な回路とからな
る単純な構造であるので、部品点数が少なく廉価
であるばかりではなく、それを自動車の車体と車
軸との間に設置されたリンク機構に接続すること
により、本来アナログ量である車高を、デジタル
信号に変換することなく、アナログ的に処理する
ことができるので、微小な車高変化も正慨に把握
することができ、これによつて細かい車高調節が
可能であるという効果を奏する。
導体歪−電気抵抗変化素子と簡単な回路とからな
る単純な構造であるので、部品点数が少なく廉価
であるばかりではなく、それを自動車の車体と車
軸との間に設置されたリンク機構に接続すること
により、本来アナログ量である車高を、デジタル
信号に変換することなく、アナログ的に処理する
ことができるので、微小な車高変化も正慨に把握
することができ、これによつて細かい車高調節が
可能であるという効果を奏する。
第１図は、自動車の車体と車軸との間にリンク
機構を設けた状態を示す概略図である。第２図
は、歪−電気抵抗変化素子を示す概略図である。
第３図は、電気抵抗変化を取り出すための定電圧
回路図である。第４図は、素子形成のための高周
波スパツタリング法に用いられる装置の概略図で
ある。また、第５図は、ステンレススチール板上
に形成させたアモルフアスシリコン薄膜のねじり
角の変化に対する電気抵抗変化率を測定したグラ
フである。 （符号の説明） １……自動車の車体、２…自
動車の車軸、４……リンク機構、９……基板、１
０……半導体薄膜。
機構を設けた状態を示す概略図である。第２図
は、歪−電気抵抗変化素子を示す概略図である。
第３図は、電気抵抗変化を取り出すための定電圧
回路図である。第４図は、素子形成のための高周
波スパツタリング法に用いられる装置の概略図で
ある。また、第５図は、ステンレススチール板上
に形成させたアモルフアスシリコン薄膜のねじり
角の変化に対する電気抵抗変化率を測定したグラ
フである。 （符号の説明） １……自動車の車体、２…自
動車の車軸、４……リンク機構、９……基板、１
０……半導体薄膜。
Claims (1)
- １ 自動車の車体と車軸との間に、半導体の歪−
電気特性を利用したねじれ検出素子に接続したリ
ンク機構を設置してなり、該ねじれ検出素子とし
て基板上にスパツタリング法アモルフアスシリコ
ン薄膜を形成させた検出素子が用いられた車高検
出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23050482A JPS59116004A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 車高検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23050482A JPS59116004A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 車高検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116004A JPS59116004A (ja) | 1984-07-04 |
| JPH0240165B2 true JPH0240165B2 (ja) | 1990-09-10 |
Family
ID=16908794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23050482A Granted JPS59116004A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 車高検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116004A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03101408U (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-23 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54793A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-06 | Hitachi Ltd | Power supply connecting apparatus for contacting electric line |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP23050482A patent/JPS59116004A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54793A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-06 | Hitachi Ltd | Power supply connecting apparatus for contacting electric line |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59116004A (ja) | 1984-07-04 |
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