JPS5911552A - 記録担体 - Google Patents

記録担体

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Publication number
JPS5911552A
JPS5911552A JP57120072A JP12007282A JPS5911552A JP S5911552 A JPS5911552 A JP S5911552A JP 57120072 A JP57120072 A JP 57120072A JP 12007282 A JP12007282 A JP 12007282A JP S5911552 A JPS5911552 A JP S5911552A
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JP
Japan
Prior art keywords
heat insulating
metal
recording
substrate
recording material
Prior art date
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Pending
Application number
JP57120072A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Nishino
清治 西野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP57120072A priority Critical patent/JPS5911552A/ja
Publication of JPS5911552A publication Critical patent/JPS5911552A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material

Landscapes

  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、記録担体に関するものである。
従来例の構成とその問題点 最近半導体レーザーや記録材料の著しい進歩により、光
学系技術を用いたメモリーシステムが脚光を浴びている
。現在主流のメモリーシステムとしては、ビデオディス
クの概念と同等の、記録担体を回転させこの記録担体上
に対物レンズによりレーザー光線を絞り込み、光が照射
されたところの記録材が光により変質することを利用し
て信号を記録し、再生時には、その変質の種類に応じ読
み出しに適当である光学系を通して、ディスク上から(
i1号を読み取る方法が用いられている。記録材の変質
の種類としては、記録材の昇華性を利用したもの、磁化
反転を利用したものなどがある。
しかし光学式メモリーシステムは現在どの材料をとって
みても、1月号のC/Hの点でまだ十分満足を得るとこ
ろまでは至っていない。例えば我々の実験によると、昇
華性を利用して記録、再生した場合はC/Nで45 d
b程度、磁性材料を用いキュリ一点書込み、レーザー光
のカー効果再生の場合80db程度であり、実用には至
らなかった。
この点を解決するため種々の試みが行なわれているが、
その一つとしてRCA社などから発表されている三層構
造の記録担体がある。
第1図は、この三層構造の記録担体を示す。係る記録担
体は、平坦な基板(1)の片面に光線が一部通過する程
度の厚みで金属などの記録材(2)を付着させ、この記
録材(2)の上に断熱材(3)を光路長が(2nモ1 
)/4波長(但しn:0.1.2  ・・)となる厚み
で被覆し、この断熱材(3)の前記記録材(2)とは反
対側の表面に反射率の高い金属膜(4)を付着して構成
されている。
係る構成で、記録材(2)における光の透過率を2/8
程度の適当な値に選んだ場合、入射光線(5)の記録材
(2)からの反射光(6)と金属膜(4)からの反射光
、(7)を完全に打ち消すことができるものである。
第2図(a)を加えてこの打ち消す動作を説明する。な
お、図において第1図と同一番号のものは、それぞれそ
のベクトルをあられすものとする。基板(+)に光線(
5)を入射させると一部は記録材(2)で反射され反射
光(6)となる。このとき記録材(2)は主に金属から
成り立っていることから、前記反射光(6)のベクトル
は入射光(5)のベクトルと180°位イ(」が遅れる
。したがって記録材(2)を通過した透過光(8)の大
きさは、入射光線(5)の大きさから反射光線(6)の
大きさを差引いたベクトル(8ンの大きさである。
ここで入射光線(5)が金JTj4膜(4)に到達7る
までに断熱材(3)の厚みが(2n+1)/4波長ある
ので、記録材(2)を通過した光(8)の位相はベクト
ル(【すで示すように90°遅れることになる4、ここ
で記録材(2+を通過した光(8月は、金属膜(41月
こより反射されるので位相はベクトルo11で示すよう
に再び180’遅れる。そしてこの金14膜(4)から
の反I」光(7)は再び断熱材(3)を通過するので、
記録材(2)を通過するときはベクトル(7)に示す位
相になっている。ずなイ)ち金属膜(4)からの反射光
(7)は、記M t;4 (2)がらの反射光(6)と
位相が1800異なるので、記録材(2)がらの反射光
(6)および金属膜(4)からの反射光(7)の振幅を
同等にしてやれば総合された反射光は完全にキャンセル
することができる。したがってこのような特性を有する
三層構造の記録担体は、反射光をずにでき、換討すれば
、入射光(5)をすべて吸収することができ゛C記録材
(2)が金属や有機物である場合、記録に要する必要な
光パワーを小さくすることができる。また光パワーによ
って記録材(2)に穴があけられ記録されたところでは
反射光(7)は全部通過するようになるので、C/Hの
高い再生信号が得られるようになる。
しかし、このようなディスク構造の記録担体は、信号が
記録される[)tIでは極めて低い反射率しか合しない
という欠点があり、またトラックを自−しないため、定
められた場所に記録できないという欠点があった。
発明の目的 本発明は上記従来の欠点を解消するもので、高い反射率
を有するとともにガイドトラックを有して定められた場
Jヅ1に記録することができる記録担体を得ることを目
的とする。
発明の構成 上記の目的を達するため、本発明の記録担体は、一方が
平面であり他方の簡に凹凸を有する基板の前記凹凸面に
、光線が一部通過する程度に記録材を付着さ寸、この記
録材の上に光透過性を有する断熱材を被彼し、この断熱
材の前記記録材とは反対側の表面に高反射率を有する金
、属を11着させた構成としたものであり、または一方
が平面であり他方の面に凹凸を有する基板の前記凹凸面
に、光線が一部通過する程度に金属を付着させ、この金
属面上に光透過性を有する断熱材を被検し、この断熱材
の前記金属とは反対側の表面に反射性記録材を付着させ
た構成としたものである。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
第8図において、Ql)は一方の面を平面とされ、他方
の面を凹凸面とされた透明基板で、その凹凸面上には光
線が一部通過する程度に記録材(2)が付着されている
。なお、このような基板0υの製作方法は容易であり、
また良く知られている。(1葎は前記記録材(6)の−
ヒに被覆された断熱材で、通常スピンナー法により塗布
することができるものである。
そして該断熱材03の前記記録材(へ)とは反対側の表
面には高反射率を有する金属膜0荀が付着せしめられて
いる。断熱材03の厚さは、前記基板(Il)凹凸面か
ら金属膜Oaまでの光路長が、それぞれ基板凹面(ハ)
から金属膜04までが(2n +1 )/2波長(但し
1=Q、1・・・・・・)および基板凸面0→から金属
膜0Φまでが(2n+1)/4 波長(但しn = O
、’l・−)となる厚さと・されている。なお、図にお
いて、反射金属膜0◆を平坦に描いたが、実際は少しう
ねっている。
係る構成で、第4図に示すように透明基板0])を通し
て観測されるパターンをみると、基板凸面oQの部分は
第2図(a)で説明したように反射光が完全にキャンセ
ルされるので図のごとく暗くなり、基板凹面(ロ)の部
分は反射光が強め合って明るく輝くことになる。これは
第2図(1))に示すように、記録材(6)からの反射
光(6)と金属膜α尋からの反射光(7)が強め合うか
らである。したがって以下に述べるようなことができる
(1)  従来の三J−構造の記録担体の特徴である低
光パワー記録高C/N再生を有し、かつ平均反射率はこ
の構造の場合約50%程度得られるから、反射方式の各
種Focus方式が利用でき、かつ輝くガイドトラック
を有しているのでトラッキングも容易にかけることが可
能である。この場合、信号記録は基板凸面01に行うと
よい。
(2)  記録材(2)に垂直磁化膜材料を用いた場合
、基板凸面01部はエンハーンス構造となる。この原理
を第5図を用いて説明する。今、基板凸面α→に電界ベ
クトルθカを有する光が入射した場合、この垂直磁化膜
材料J−を通過するときファラデー効果により電界ベク
トル0月よ回転し、電界ベクトル[相]となる。この透
過光は金属膜a◆で反射され、再び垂直磁化膜材料層を
通過するので、再度偏波面のj 回転を受は光の電界ベクトルACIIの方向となる。こ
の電界ベクトル01は入射光の偏光ベクトル(17)と
直交スるベクトル(ホ)に分解することができる。ここ
で磁性JgJ(垂直磁化膜材料)で反射された反射光の
電界ベクトル?])とこの方向に分解されたベクトル0
りの成分が等しければ、前述したように反射光電界ベク
トルcl■を打ち消すことができ、結局、反射光の偏光
面はベクトルい)だけを有することになり、偏光面はa
h〜に)へ回転されたことになる。もしこのような構造
でなければ、単に2度磁性体でファラデー回転を受ける
だけであるので、偏波面はcIf)〜(11へ回転する
だけである。したがって、このような構造を取れば明ら
かに偏光面の回転角度は強調されることになる。
することができる。これによると、再生時には断熱層中
に気泡が発生しているため、前述の(2n+1 )74
波長の条件がくずれて反射光が発生するようになり、し
たがって再生可能となる。なお、このような構造は従来
から発表されている溝付ディス%断熱材をスピンコード
することで容易に製作できる。
次に実験例を述べる。線幅0.61・−2線深さ0.1
μmの連続溝が切られた基板上に100 ’A  テル
ル金属を蒸着した。この」二に断熱材としてAz−18
50の20%液をスピンナー−0400rpmで回転さ
せながら塗布し、乾燥後この断熱層の上に0.1μmの
AI  を蒸着した。この結果55ooXの波長に対し
て良好なコントラストを有し、溝部を明にランド部を暗
とすることができた。
このように本実施例によれば、平均反射率を約50%程
度得られるので、反射法式の各14Focus方式を利
用でき、かつ輝くガイドトラックを自しているからトラ
ッキングも容易にかけることか−でき、また記録材料に
垂直磁fヒ膜材料を用いた場合、基板の凸部はエンハー
ンス構造となり、偏光面の回転角度を強調することがで
きる。しかも従来から発表されている構付ディスクに断
熱層をスピンコントロールするだけで容易に製作するこ
とができるという効果を有する。
発明の効果 以上のように本発明によれば次の効眼を得ることができ
る。
(1)平均度n・■率を約50%゛程度得られるので、
反射法式の各1%Focus方式を利用でき、かつ輝く
ガイドトラックを有しているからトラッキングも容易に
かけることができる。
(2)従来技術で容易に製作することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の三層構造式記録担体(ディスク)の断面
図、第2図(a)は第1図の記録担体における断熱層の
厚さく 2n +−1)/44波長のベクトル図、第2
図(b)は本発明に係る記録担体における断熱I−厚さ
く 211−1−1 )/ 2波長時のベクトル図、第
8図は本発明に係る記録担体(ディスク)の断面図、第
4図は第8図の底面図、第5図は光の電界ベクトル説明
図である。 C11)・・・・ 透明基板、(6)・・・・・ 記録
材、(1:8・断熱材、(14)・・・ ・・・金属膜
、Qo・・・・・・・・・基板凹面、θす・・・・・・
・基板凸面 代理人 森本義弘 第1図 第2図 (aン lθ 乎 (b) 1.791 第3図 6 第4図 第j図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  一方が平面であり他方の面に凹凸を有する基
    板の前記凹凸面に、光線が一部通過する程度に記録材を
    付着させ、この記録材の上に光透過性を有する断熱材を
    被覆し、この断熱材の前記記録材とは反対側の表面に高
    反射率を有する金属を付着したことを特徴とする記録担
    体。
  2. (2)  記録材の上に被覆される断熱材の厚さを、基
    板の凹面から金属までの光路長が(2n +1 )/2
    波長(但しn = 0.1・・ )とし、基板の凸面か
    ら金属までの光路長を゛(2n + 1 )/4 波長
    (但しn = 0.1・・・・・)としたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の記録担体。
  3. (3)記録材に代えて光透過性を有する金属を用いると
    ともに断熱材として吸熱発泡性を有する材料を用いたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の記録担体。
  4. (4)  一方が平面であり他方の面に凹凸を有する基
    板の前記凹凸面に、光線が一部通過する程度に金属を付
    着させ、この金属面上に光透過性を有する断熱材を被覆
    し、この断熱材の前記金属とは反対側の表面に反射性記
    録材を付着したことを特徴とする記録担体。
  5. (5)金属面上に被覆される断熱材の厚さを、基板の凹
    面から反射性記録材までの光路長かを(2n +1 )
    /4波長(但しn = 0.1・・・・・・)としたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の記録担体。
JP57120072A 1982-07-09 1982-07-09 記録担体 Pending JPS5911552A (ja)

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