JPS59115520A - 半導体製品製造用治具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は半導体製品を製造−４６際に使用する半導体製
品製造用治具に関するものである。

（ロ）従来技術 従来から、例えば半導体用Ｓｉウェハーの１ビタクシヤ
ル工程においては、ウェハーを支持するザセプターとし
て、ＳｉＣ被膜を施した人造黒鉛質材料がよく使用され
ていた。

この従来の半導体製品製造用治具は、加熱方式が誘導加
熱方式である嘲合にはヒーターとしても機能した。

一般に、半導体の品質は高純度であることが必須である
。製造工程での不純物レベルは精密にコントロールされ
な番プればならない。

半導体が外部から汚染されると、半導体の製品の品質、
歩留に大変な悪影響を与える。このため、製造工程での
汚染防止には非常な注意が払われ−Ｃいる。

半導体製品製造用治具は半導体の近くに位置づるため、
この治具からの汚染は半導体製品に決定的な形管を与え
る。このため、従来の半導体製品製造用治具の基材とな
る人造黒鉛質材料には、ＳｉＣコーティングに先立ち高
温でハロゲンガスによる純化処理がなされていた。しか
し、それでも秋分として数ｐｐｍ〜数ｌＱｐｐｍの不純
物が人造黒鉛質材料内に残留した。不純物が灰分として
残らなくても、人造黒鉛質材料の組織中にガス状態で吸
着されるものもあった。また、ＳｉＣ被膜自体にもいく
らかの不純物が含まれていた。

このため、従来の半導体製品製造用冶具を使用づると加
熱を伴う製造工程で、従来の半導体製品製造用冶具から
半導体へ不純物が移動してしまうことがよく起った（こ
の現象をドーピングという）。このため、従来の半導体
製品製造用治具は半導体製品の品質、歩留に大変な悪影
響を及ぼした。

（ハ）発明の目的 本発明は上記の実情に鑑みてなされたもので、半導体製
品の製造工程で半導体を汚染づることか少ない半導体製
品！１１Ｕ造用治具を提供覆るものである。

（ニ）発明の構成 本発明の半導体製品製造用治具は気相成長法で人造黒鉛
質材料にＳｉＣ被膜を施したもので、タングステンフィ
ラメント電球光に対する前記Ｓｉ　Ｃ被膜の透過率が、
厚さ５０μｍから１３０μｍのときの透過率で表現して
１５％以上６０％以下であることを特徴とするものであ
る。

気相成長法によって緻密なＳｉＣ被膜が形成される。し
かし、製造条件によってＳｉＣ被膜の質が色々と違って
くる。本発明者は製造条件を種々設定することにより、
上記条件のときが一番半導体を汚染しにくいことを見い
出したものである。

ＳｉＣ？１＋膜のキャラクタリゼーションの因子として
は、ＳｉＣ被膜自体のタングステンフィラメント電球の
光に対する透光性に着目した。すなわち、ＳｉＣ被膜の
厚みが５０μｍから１３０μｍのときの透過率が１５％
未満のものは汚染防止の効果が乏しく、６０％を越える
ものは製造が困難である。ｌこだし、Ｓａｃ被膜の厚み
は５０μｍから１３０μｍに限定するｂのぐはない。透
過率を限定するために５０μｍから１３０μｍの厚みを
用いるだけである。

半導体製品が汚染されると、抵抗値が変化する。従って
、熱処理前後の抵抗値を測定づれば、汚染の程度を調べ
ることができる。すなわら、Ｓｉつ］−バー上に形成さ
れたエビタクシャル成長層が汚染されると、高純度のも
のよりも抵抗値が下がるのである。

（ホ）発明の効果 本発明の半導体製品製造用治具は（ニ）に記載されたよ
うに構成されているので、半導体製品の製造Ｊ−稈で半
導体を汚染することが少ない。このため、本発明の半導
体製品製造用治具を使用づ゛れば、半導体製品の品質、
歩留に悪影響を及ばずことがない。

本発明の半導体製品製造用治具は以上のＪ：うな効果を
有しているので、３ｉウエハーのエビタクシ１Ｆルエ稈
にサセプターとして用いるだ１ｊでなく、Ｓ１引上用ホ
ッ１−ゾーンを構成するヒーター、ルツボ保温筒等に使
用することができる。

（へ）実施例 本発明によるサセプターを゛製造した。製造したサセプ
ターは、第１表に示づように実施例１．２である。比較
のために比較例１〜４も製造した。いずれも人造黒鉛質
材料に気相成長法でＳｉＣ被膜を施したものである。Ｓ
ｉＣ被膜の厚みはいずれも５０〜１３０μｍの範囲内に
入るように形成した。

これら実施例１．２及び比較例１〜４のサセプターを用
いて、Ｓ１ウエハー上に厚さ１０μｍのエビタクシャル
成長腑を形成した。

そして、これら１ビタクシャル成長層の抵抗率を四探釦
法により測定した。その結果を第１表（後掲）に示ず。

第１表から明らかなように、実施例１．２のエビタクシ
ャル成長層は抵抗率が大きい。

つまり、本発明によるサセプターを使用１れば汚染が少
なく、高純度の１ビタクシャル成長層を形成覆ることが
できる。

透過率は東京芝浦電気（株）社製の測定装置により測定
した。第１図に透過率を測定した測定装置の原理図を示
す。

口の測定装置について説明１′ると、まず測定用球体１
内に光源２と、光源２に被せ／ｊサンプル３を入れ、光
源２を点灯り−る。イして、小窓４に生じる照度を受光
器５により測定して透過率を出づものである。υンブル
３と小窓４の間には拡散遮光板６を入れて小窓４にサン
プル３からの光が直接達しないように覆る。

光源２はタングステンフイラメン［−電球で清１哀が２
８００〜３０００°に１波長が３００ｎｍ　〜３０００
　Ａ　（７）　しのぐあった。受光器５は光電管照瓜計
であった。

透過率の測定に使用したサンプルはいずれも外径的１０
１１１１１１で長さ４Ｑｍｍの円筒であった。

これらは次のようにして作成した。

まず、高純度人造黒鉛丸棒の表面に気相成長法により５
ｉＣＩ膜を形成した。ＳｉＣ被膜は第１表に示づ厚みの
ものを作成した。ＳＩＣ被膜は第１表のザレプターと各
々同一条件で製造した。そしてＳｉＣ被膜を施した人造
黒鉛丸棒の両端を切断して内部黒鉛基材を露出さゼた。

最後に酸化雰囲気中でこの黒鉛基材を酸化焼失さけてＳ
ｉＣ被膜のみの円筒サンプルを作成した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体製品製造用治具の透過率を測定
し１＝測定装置の原理図である。 １・・・・測定用球体 ２・・・・光源 ３・・・・サンプル ４・・・・小窓 ５・・・・受光器 ６・・・・拡散遮光板 特許出願人　東芝セラミックス株式会社１１に

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 気相成長法で人造黒鉛質材料にＳｉＣ被膜を施して製造
   した半導体製品製造用冶具において、タングステンフィ
   ラメント電球光に対づる前記ＳｉＣ被膜の透過率が、厚
   さ５０μ−から１３０μｍのときの透過率で表現して１
   ５％以上６０％以下であることを特徴とする半導体製品
   製造用治具。