JPH02230725A - ＳｉＣチューブ - Google Patents
ＳｉＣチューブInfo
- Publication number
- JPH02230725A JPH02230725A JP5140689A JP5140689A JPH02230725A JP H02230725 A JPH02230725 A JP H02230725A JP 5140689 A JP5140689 A JP 5140689A JP 5140689 A JP5140689 A JP 5140689A JP H02230725 A JPH02230725 A JP H02230725A
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- JP
- Japan
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- tube
- sic
- film
- sic tube
- si3n4 film
- Prior art date
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体ウエーハ加熱処理時に用いられるＳｉＣ
チューブの材料構成，構造Ｋ関する。
チューブの材料構成，構造Ｋ関する。
［従来の技術］
従来、ＳｉＣチューブはＳｉＣ粉末焼成等によりチュー
ブ状に成型加工されるのが通例であった［発明が解決し
ようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、Ｓ１０チューブを加熱
して使用する時にＳｉＣチューブ自体から重金属類（金
，銅等）が発生し、半導体ウエーハ等に付着して半導体
のライフ・タイムの低下させたり、Ｐ − ｎ接合の耐
圧を下げたり、あるいはリーク電流を増加させる等の課
題があった。本課題はＳｉＣチー−プ自体の高純度化が
困難であることに原因は由来している。
ブ状に成型加工されるのが通例であった［発明が解決し
ようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、Ｓ１０チューブを加熱
して使用する時にＳｉＣチューブ自体から重金属類（金
，銅等）が発生し、半導体ウエーハ等に付着して半導体
のライフ・タイムの低下させたり、Ｐ − ｎ接合の耐
圧を下げたり、あるいはリーク電流を増加させる等の課
題があった。本課題はＳｉＣチー−プ自体の高純度化が
困難であることに原因は由来している。
本発明はかかる従来技術の課題を解決するための新しい
ＳｉＣチューブの保護膜を提供する事を目的とする。
ＳｉＣチューブの保護膜を提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明はＳｉＣチューブに
関し、ＳｉＣチューブ内面にＳｉ，Ｎ４膜を被覆する手
段をとる。
関し、ＳｉＣチューブ内面にＳｉ，Ｎ４膜を被覆する手
段をとる。
［実施例コ
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＳｉＣチェーブの断面
図である。すなわち、Ｓ． ｉ ’Ｏチューブ１の内面
にはＯＶＤ法によりＳｉ３Ｎ４膜２が形成されて成る。
図である。すなわち、Ｓ． ｉ ’Ｏチューブ１の内面
にはＯＶＤ法によりＳｉ３Ｎ４膜２が形成されて成る。
尚、Ｓｉ，Ｎ４膜２は内面のみならず外面にも被覆され
ても良い事は云うまでもない
ても良い事は云うまでもない
第１図（α）ｐ＜ｂ）は本発明の一実施例を示すＳｉＣ
チューブの断面図である。 １ ・・・・・・・・・ ＳｉＣ ２・・・・・・・・・Ｓｉ，Ｎ４膜 本発明によるＳｉ，Ｎ４膜の形成法としては、主として
ＳｉＨ２０ｔ，ガスを電気加熱したＳ１ａチューブ内壁
や外壁に吹き込む事により達成される訳であるが、その
他スパッタ蒸着法等によっても良い事は云うまでもない
。 ［発明の効果］ 本発明により、Ｓｉ’Ｏチューブ材内部に含有される重
金属等の不純物がＳｉ３Ｎ４膜により加熱時にテー−プ
内に出る事が阻止され、半導体ウェーハの加熱処理時に
チェープからの不純物拡散による汚染が防止出来、ライ
フ・タイムの向上や接合耐圧の向上あるいはリーク電流
の減少等を計ることができる効果がある。 以上
チューブの断面図である。 １ ・・・・・・・・・ ＳｉＣ ２・・・・・・・・・Ｓｉ，Ｎ４膜 本発明によるＳｉ，Ｎ４膜の形成法としては、主として
ＳｉＨ２０ｔ，ガスを電気加熱したＳ１ａチューブ内壁
や外壁に吹き込む事により達成される訳であるが、その
他スパッタ蒸着法等によっても良い事は云うまでもない
。 ［発明の効果］ 本発明により、Ｓｉ’Ｏチューブ材内部に含有される重
金属等の不純物がＳｉ３Ｎ４膜により加熱時にテー−プ
内に出る事が阻止され、半導体ウェーハの加熱処理時に
チェープからの不純物拡散による汚染が防止出来、ライ
フ・タイムの向上や接合耐圧の向上あるいはリーク電流
の減少等を計ることができる効果がある。 以上
Claims (1)
- ＳｉＣチューブ内面にはＳｉ＿３Ｎ＿４膜が被覆されて
成る事を特徴とするＳｉＣチューブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5140689A JPH02230725A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | ＳｉＣチューブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5140689A JPH02230725A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | ＳｉＣチューブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230725A true JPH02230725A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12886055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5140689A Pending JPH02230725A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | ＳｉＣチューブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230725A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04267327A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-22 | Fujitsu Ltd | 金属不純物の捕集検出方法 |
| EP1801261A1 (en) | 2005-12-22 | 2007-06-27 | The General Electric Company | Chemical vapor deposition apparatus and methods of using the apparatus |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP5140689A patent/JPH02230725A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04267327A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-22 | Fujitsu Ltd | 金属不純物の捕集検出方法 |
| EP1801261A1 (en) | 2005-12-22 | 2007-06-27 | The General Electric Company | Chemical vapor deposition apparatus and methods of using the apparatus |
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