JPS59110782A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
- Publication number
- JPS59110782A JPS59110782A JP22052382A JP22052382A JPS59110782A JP S59110782 A JPS59110782 A JP S59110782A JP 22052382 A JP22052382 A JP 22052382A JP 22052382 A JP22052382 A JP 22052382A JP S59110782 A JPS59110782 A JP S59110782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- tank
- temperature
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ウェハの加工寸法を制御する液体エツチング
法を実施するのに好適なエツチング装着に関する。
法を実施するのに好適なエツチング装着に関する。
トランジスタ・工０−ＬＳＩその他の半導体装置に使用
される、例えばｓｌ・Ｇｅ・３−３族化合物半導体など
のウェハの加工寸法（厚さ）は、一般に液体エツチング
槽により制御されている。そして、この液体エツチング
法は、従来、第１図に示すエツチング装置により行々わ
れていた。
される、例えばｓｌ・Ｇｅ・３−３族化合物半導体など
のウェハの加工寸法（厚さ）は、一般に液体エツチング
槽により制御されている。そして、この液体エツチング
法は、従来、第１図に示すエツチング装置により行々わ
れていた。
まず、この第１図のエツチング装置を説明する。
エツチング液ｌが満たされたエツチング槽コ内には、上
下動し得るウェハキャリヤ３が臨んでおり、このウェハ
キャリヤ３には１円盤状のウエハダが支持されている。
下動し得るウェハキャリヤ３が臨んでおり、このウェハ
キャリヤ３には１円盤状のウエハダが支持されている。
！、た、前記エツチング槽コ内には回転軸Ｓが配設され
ており、前記ウェハｔがこの回転軸Ｓに接触するとウェ
ハｔが従動するようになっている。
ており、前記ウェハｔがこの回転軸Ｓに接触するとウェ
ハｔが従動するようになっている。
一方、前記エツチング槽ユ外には、液温コントローラ６
が配設されており、この液温コントローラ６は一対の管
路７１ｇにより前記エツチング槽コと接続され、エツチ
ング液／の温度を制御するようになっている。また、前
記液温コントローラ乙には、帥配エツチング液／内に臨
む温度管理用熱電対９が接続されている。
が配設されており、この液温コントローラ６は一対の管
路７１ｇにより前記エツチング槽コと接続され、エツチ
ング液／の温度を制御するようになっている。また、前
記液温コントローラ乙には、帥配エツチング液／内に臨
む温度管理用熱電対９が接続されている。
前述した構成によれば、ウェハキャリヤ３を上下動させ
るとともに、ウエハダを回転軸５に当接して回転させる
がとして、ウエハダの全面に均一のエツチングを施すこ
とができる。
るとともに、ウエハダを回転軸５に当接して回転させる
がとして、ウエハダの全面に均一のエツチングを施すこ
とができる。
しかしながら、＠述した従来のものにおいては、液温コ
ントローラ乙によるエツチング液ｌの冷却速度より反応
熱にょる液温上昇速度の方が速いため、第２図に示すよ
うに、エツチング液ｌの液温か時間の経過とともに上昇
し、この結果エツチング速度も次第に速くなる。
ントローラ乙によるエツチング液ｌの冷却速度より反応
熱にょる液温上昇速度の方が速いため、第２図に示すよ
うに、エツチング液ｌの液温か時間の経過とともに上昇
し、この結果エツチング速度も次第に速くなる。
ところで、エツチング速度が速くなると酸化剤の消耗も
速くなるので、エツチング液の寿命が短かくなるという
問題点があった。
速くなるので、エツチング液の寿命が短かくなるという
問題点があった。
本発明は、前述した従来のものにおける問題点を克服し
、エツチング液の液温を一定に維持することのできるエ
ツチング装置を提供することを目的とする。
、エツチング液の液温を一定に維持することのできるエ
ツチング装置を提供することを目的とする。
前ｉボした目的は、本発明によれば、エツチング槽に、
このエツチング槽内に冷却ガスを供給するための冷却ガ
ス供給装置を連設したことにより達成される。
このエツチング槽内に冷却ガスを供給するための冷却ガ
ス供給装置を連設したことにより達成される。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を図面に示す実施例により説１明する。な
お、前述した従来のものと同一の構成については、図面
中に同一の符号を付し、その説明は省略する。
お、前述した従来のものと同一の構成については、図面
中に同一の符号を付し、その説明は省略する。
第３図は本発明の実施例を示すものであり、エツチング
槽コの外部にはガス冷却装置１０が配設されている。こ
のガス冷却装置ＩＯは、ガス供給源（図示せず）から供
給されたアルゴンガスなどのガスを冷却するものである
。このガス冷却装置／θは前記エツチング槽コの下部と
管路／／を介して接続されており、エツチング槽ユ内へ
冷却ガスを供給するようになっている。また、エツチン
グ槽ａ内には、前記管路／／より多少上方の位置に多孔
板／２が張設されている。この多孔板１２は、ウニハゲ
の表面のエツチングむらをｈくすだめと、槽３内の液全
体を冷却するためのものであり、第を図に示すように、
１０ｗｎ以下の中心間距離をもって直径／１１ｍ以下
の小径孔／、３ 、 ／３ 、・・・が多数整列状に穿
設されている。
槽コの外部にはガス冷却装置１０が配設されている。こ
のガス冷却装置ＩＯは、ガス供給源（図示せず）から供
給されたアルゴンガスなどのガスを冷却するものである
。このガス冷却装置／θは前記エツチング槽コの下部と
管路／／を介して接続されており、エツチング槽ユ内へ
冷却ガスを供給するようになっている。また、エツチン
グ槽ａ内には、前記管路／／より多少上方の位置に多孔
板／２が張設されている。この多孔板１２は、ウニハゲ
の表面のエツチングむらをｈくすだめと、槽３内の液全
体を冷却するためのものであり、第を図に示すように、
１０ｗｎ以下の中心間距離をもって直径／１１ｍ以下
の小径孔／、３ 、 ／３ 、・・・が多数整列状に穿
設されている。
（３）
前述した構成によれば、ガス冷却装置１０内において熱
電対デの検出したエツチング液／の液温に応じて適当温
度に冷却されたアルゴンガスなどのガスが管路／／を介
してエツチング槽コ内に供給され、多孔板／コの小径孔
１３を通過して細かい気泡となってエツチング液／内を
上昇するので、エツチング液／は良好に冷却される。し
たがって、第Ｓ図に示すように、時間が鋒過しても工５
．チング液／の液温は定温に維持され、この結果、エツ
チング液の寿命は従来のものと比較して大幅に長く力る
。
電対デの検出したエツチング液／の液温に応じて適当温
度に冷却されたアルゴンガスなどのガスが管路／／を介
してエツチング槽コ内に供給され、多孔板／コの小径孔
１３を通過して細かい気泡となってエツチング液／内を
上昇するので、エツチング液／は良好に冷却される。し
たがって、第Ｓ図に示すように、時間が鋒過しても工５
．チング液／の液温は定温に維持され、この結果、エツ
チング液の寿命は従来のものと比較して大幅に長く力る
。
以上説明したように、本発明に係るエツチング装置は、
エツチング槽に、このエツチング構内に冷却ガスを供給
するための冷却ガス供給装置を連設したので、エツチン
グ液は良好に冷却され、エツチング液の寿命を大幅に伸
ばすことができる。
エツチング槽に、このエツチング構内に冷却ガスを供給
するための冷却ガス供給装置を連設したので、エツチン
グ液は良好に冷却され、エツチング液の寿命を大幅に伸
ばすことができる。
第１図は従来のエツチング装置の説明図、第コ（ｌＩ）
図は第１図の装置θにおけるエツチング液の液温の変化
を示すグラフ、第３図は本発明に係るエツチング装置の
実施例を示す説明図、第ｑ図は第３図の多孔板の平面図
、第Ｓ図は第３図の装６におけルエッチンク液ノ液温の
変化を示すグラフである。 ハ・・エツチング液１．２・・・エツチング槽、３・・
・ウェハキャリヤ、弘・・・ウェハ、Ｓ・・・回転軸、
ｑ・・・熱電対、 １０・・・ガス冷却装着、７．２・
・・多孔板。 出願人代理人 猪 股 清第１図 １ 第２図 ｐ床’Ｃ） ３８７− 第３図 ■ 第４図
を示すグラフ、第３図は本発明に係るエツチング装置の
実施例を示す説明図、第ｑ図は第３図の多孔板の平面図
、第Ｓ図は第３図の装６におけルエッチンク液ノ液温の
変化を示すグラフである。 ハ・・エツチング液１．２・・・エツチング槽、３・・
・ウェハキャリヤ、弘・・・ウェハ、Ｓ・・・回転軸、
ｑ・・・熱電対、 １０・・・ガス冷却装着、７．２・
・・多孔板。 出願人代理人 猪 股 清第１図 １ 第２図 ｐ床’Ｃ） ３８７− 第３図 ■ 第４図
Claims (1)
- エツチング槽に、このエツチング槽内に冷却ガスを供給
するための冷却ガス供給装置を連設したことを特徴とす
るエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22052382A JPS59110782A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22052382A JPS59110782A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59110782A true JPS59110782A (ja) | 1984-06-26 |
Family
ID=16752343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22052382A Pending JPS59110782A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59110782A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04151837A (ja) * | 1990-10-16 | 1992-05-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エッチング装置 |
-
1982
- 1982-12-16 JP JP22052382A patent/JPS59110782A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04151837A (ja) * | 1990-10-16 | 1992-05-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エッチング装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6303526B1 (en) | Temperature controlled spin chuck | |
| JP3252960B2 (ja) | 原子層エピタキシー工程のための半導体薄膜蒸着装置 | |
| US4980017A (en) | Method for recirculating high-temperature etching solution | |
| JPH05243191A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| EP1000705A2 (en) | A scalable multipad design for improved CMP process | |
| JPS61214520A (ja) | 塗布装置 | |
| JPS59110782A (ja) | エツチング装置 | |
| CN110733139B (zh) | 一种晶棒切割装置及方法 | |
| JP3745140B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH062948B2 (ja) | 被処理体の処理方法 | |
| US5938943A (en) | Near Substrate reactant Homogenization apparatus | |
| JPH07161674A (ja) | 半導体ウエハの処理装置およびその処理方法 | |
| WO2003063221A1 (en) | Method and apparatus for reming photoresist using sparger | |
| JPS62216229A (ja) | スピンチヤツク | |
| JPS58123730A (ja) | 半導体ウエハ−エツチング装置 | |
| KR910003772A (ko) | 도포방법 및 장치 | |
| JPH08243915A (ja) | 化学的機械研磨装置 | |
| JP2002151449A (ja) | 加工装置のバキューム生成機構 | |
| KR19980022573A (ko) | 반도체 습식 식각장치의 냉각수 절수 시스템 및 방법 | |
| JPS587709B2 (ja) | エツチング装置 | |
| JP2001015476A (ja) | 半導体ウェーハの片面エッチング方法およびその装置 | |
| JPH0144012B2 (ja) | ||
| CN113937029A (zh) | 一种晶圆片处理装置及其送气装置、晶圆片处理方法 | |
| JPS63143814A (ja) | 光加熱処理装置 | |
| JPH0969508A (ja) | 基板処理装置 |