JPS5899009A - 振幅検波器 - Google Patents

振幅検波器

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JPS5899009A
JPS5899009A JP19819381A JP19819381A JPS5899009A JP S5899009 A JPS5899009 A JP S5899009A JP 19819381 A JP19819381 A JP 19819381A JP 19819381 A JP19819381 A JP 19819381A JP S5899009 A JPS5899009 A JP S5899009A
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JP
Japan
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diode
voltage
amplifier
cathode
amplitude detector
Prior art date
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Granted
Application number
JP19819381A
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English (en)
Other versions
JPH043125B2 (ja
Inventor
Mitsuhiro Iwasako
祝迫 光広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5899009A publication Critical patent/JPS5899009A/ja
Publication of JPH043125B2 publication Critical patent/JPH043125B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D1/00Demodulation of amplitude-modulated oscillations
    • H03D1/08Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear two-pole elements
    • H03D1/10Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear two-pole elements of diodes

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 この発明は広い温度範囲に亘って出力電圧の変動が極め
て少なく、特に、高周波信号の検波に有効な振幅検波器
に関する。
発明の技術的背景 近年、振幅検波素子としては殆んど半導体ダイオードが
使用されている。これは、他の素子、例えば2極管に比
較して、(a)整流効率の周波数特性が高い周波数まで
一定である。(b)カンードを熱するためのエネルゼー
が不要である。などの特長を有することによるものであ
る。また、ダイオードの特性は周知の如く(a)電圧を
少し印加しないと電流が流れ始めない。(b)第1図に
示す如く温度によって電圧−電流特性が大幅に変わる特
徴を有している。第1図において、点線は理想的な電流
特性を示すものであり、I=I、〔・xp(豫)−1〕 但し、11:逆方向飽和電流に 0.75 !IA)q
:電子の電荷(1,602刈Q   C)V:ダイオー
ドの端子間電圧 11:ダイオード固有の値(’a1.05)K:zルy
マy定数c13B刈0   JloK)丁:絶対温度(
0K) 使用ダイオード:HP 5082−2811である。i
た、aは電圧の変動分であり、ノqxm !R@(R1
はダイオードの直列抵抗)である。
そζで、温度変化による出方変動を少なくするため、特
性の揃ったダイオードを2個使用した振幅検波器が提案
されている。即ち、第2図において、1ノは交流信号源
であり、この信号源11は抵抗12を介してトランス1
3の・−次壱11114Vc接続される。このトランス
13の二次巻線ノ5の一端部および他端部にはそれぞれ
検波用第1の半導体ダイオード16および電圧発生用第
2の半導体ダイオード17のアノードが接続される。こ
のダイオード16のカソードKuコンデンサ18.19
およびコイル20からなるフィルタ回路2ノが接続され
、このフィルタ回路21を介して検波出力信号が取出さ
れる。また、ダイオ−#:″17のアノードおよびダイ
オード16.17のカソードにはそれぞれ可変抵抗22
、抵抗23.24を介して直流バイアス電圧(+)ve
 eおよび(−)V口が供給される。
さらに、ダイオ−゛ド17のアノードと接地間にはコン
ダンサ25が設けられる。
背景技術の問題点 上記振幅検波器において、ダイオード16゜17を例え
ばHP5082−2811.抵抗23゜24を470 
k4)、−y:yf=y+25を0.01 aF。
電源電圧vee l vzgをそれぞれ+15v。
−15V、 コンデンm + 19を56PF、:1イ
ル2oを220μH1信号#11の周波数を10 b/
m* 、変#14度mを0.3(100OHs)とした
場合、第4図にAで示す特性の如<−60cから+10
0℃で 直流(実a)の変化分:約2dB 交流(一点破線)の変化分:約0.3dBとかなり出力
変動を少なくすることが可能である。しかし、航空機搭
載用機器の如く使用m度範囲が広い用途や、測定器の如
く高精度を要する機器に適用するには依然として不満足
なものである。
また、この検波器では無信号時の出力電圧を0にする九
め、可変抵抗22を調整しておくが、常温で0であって
も温度の変化によって、nKT     I V = −Ln(ら+1) ;9.6X10   T なる出力電圧の変化が生ずる欠点を有している。
発明の目的 仁の発明は上記事情に基づいてなされたもので、°広い
温度範囲に亘って出力電圧特性を一定とすることが可能
であり、しかも、これを簡単な回路構成で実現し得る振
幅検波器を提供しようとするものである。
発明の概要 即ち、この発明では第2図における可変抵抗22に代え
て増@素子を設け、両ダイオード16.17に同一の電
圧を供給して検波出力電圧を一定にしようとするもので
ある。
発明の実施例 以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。尚、第3図において第2図と同一部分には同一符
号を付す。
第3図において、第2図と異なるのは可変抵抗22に代
えてダイオード17の両端に増幅素子例えば演算増幅器
30を設けた点である。即ち、この演算増幅器30の負
入力端はダイオード11のカソードに接続され、正入力
端は接地される。この演算増幅器30には電源vecお
よびVlmが供給され、出力端はダイオード17のアノ
ードに接続される。この演算増幅器30は一定の電流に
対応し、温度に依存する電圧をダイオード17の両端に
生じさせ、これをダイオード16にバイアス電圧として
供給するものである。つまり、演算増幅器30の正入力
端は接地、即ち0電位であるから負入力端も0電位とな
るように動作する。し九がって、抵抗24に流れる電流
は一定となる。演算増幅器30の入力端には電流が流れ
込まないから、この一定の電流はダイオード17を流れ
、これに対応する電圧がダイオードJ6に印加される。
尚、第2図と同様の回路素子を用いた場合、前記ダイオ
ードノアに流れる順方向電流は約0、03 mAとなり
、第1図から判るように温度によって電圧は大幅に変化
する。しかし、演算増幅器30として例えばμA740
を設けることにより、第4図にBで示す如く一60℃か
ら+100℃の範囲で 直流(実線)の変化分:約0.4dB 交流(一点破線)の変化分:約0.1dBと非常に小さ
な値とすることができる。
また、増幅素子は演算増幅器だけに限るものではなく他
の増幅器でもよい。
発明の効果 以上、詳述したようにこの発明によれば、増幅素子によ
って第2のダイオードの出力電圧を検出し、温度変化に
対応した電圧を発生してこれを第1.第2のダイオード
に供給することにより、広い温度範囲に亘って出力特性
を一定とすることが可能であり、しかも、これを簡単な
回路構成で実境し得る振幅検波器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はダイオードの温度に対する特性を示す図、第2
図は従来の振幅検波器の一例を示、す回路構成図、第3
図はこの発明に係わる振幅検波器の一実施例を示す回路
構成図、第4図は従来およびこの発明に係わる振幅検波
器の温度に対する出力電圧の特性を示す図である。 11・・・交流信号源、16.17・・・ダイオード、
21・・・フィルタ回路、3o・・・演算増幅器、VC
CIv震璽°°°電源電圧。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 検波用の第1の半導体ダイオードおよび電圧発生用の第
    2の半導体ダイオードを用いて成る振幅検波器において
    、前記第2の半導体ダイオードの両端間に設けられこの
    ダイオードの出力電圧を検出し温度変化に対応した電圧
    を発生して第1.第2の半導体ダイオードにバイアス電
    圧として供給する増幅素子とを具備したことを特徴とす
    る振幅検波器。
JP19819381A 1981-12-09 1981-12-09 振幅検波器 Granted JPS5899009A (ja)

Priority Applications (1)

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JP19819381A JPS5899009A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 振幅検波器

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JP19819381A JPS5899009A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 振幅検波器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5899009A true JPS5899009A (ja) 1983-06-13
JPH043125B2 JPH043125B2 (ja) 1992-01-22

Family

ID=16387013

Family Applications (1)

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JP19819381A Granted JPS5899009A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 振幅検波器

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0291345A2 (en) * 1987-05-15 1988-11-17 Nec Corporation A temperature stabilized RF detector
EP0297848A2 (en) * 1987-07-02 1989-01-04 Nec Corporation Temperature stabilized RF detector

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5619210A (en) * 1979-07-25 1981-02-23 Mitsubishi Electric Corp Wave detecting circuit

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EP0297848A2 (en) * 1987-07-02 1989-01-04 Nec Corporation Temperature stabilized RF detector

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Publication number Publication date
JPH043125B2 (ja) 1992-01-22

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