JPS5897861A - 指向性を有するセンサ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はファクシミリ等の読取り装置に広く用いられて
いる薄膜センサーに関し、更に詳しく言えば、これ等の
薄膜センサーに入射する光を制限することにより、指向
性を持って光束に感するようにした薄膜センサーに関す
るものである。

近年１ｌ１１ｊｉＫセンサーとしてアモルファスシリコ
ンや０ｄ８ｅ等がコンパクトで長尺の原稿読取り糸に広
く用いられつつある。その代表的な応用例がファクシミ
リ等のデジタル画像装置である。

第１図は従来知られている薄膜センサーの構造の一例を
示す。第１図体）に於て、１はアモルファスシリコン等
の受光体、２ｍ、２１＋はアルミニウム等の金属電極、
３はガラス等の基板である。

薄膜センサーをデジタルラインセンサーとして構成した
ときの１ビツトの拡大平面図が第１図体）であり、第１
図（Ｅ）の断面４について示したのが第１図（４）の構
造である。電極２ａ及び２ｂには電圧が印加されており
、アモルファスシリコン層１の内、斜線を施こした領域
に光が入ると・出力電流の変化が起こり、光を感じる様
になっでいる。第１図（（転）で受光面が蛇行している
のは大きな出力電流を得るためである。第１図（島）で
示す様に、従来のセンサーの構造では、光がとの方向か
ら入射しても感度は余り変化がない。

つものを以下ではギャップタイプ（Ｇａｐ　’ｌ’ｙｐ
・）第１図、に示す７、オドセンサーを用いたファクシ
ミリ略の読取り系の一実施例を第２図体）申）に示す。

第２図に於いて５は原稿で、６ｍ、　６ｂ、　６ｅ。

６礁、６・は読み取られる原稿面で２列の千鳥状配列を
しており、結像系７ｍ、　７ｂ、　７ｃ、　７ｄ、　７
・　によってラインセンサー８ｍ、　８ｂ、　８・、８
ｄ、８・　にそれぞれ対応し分担して読みとられている
。結像系を第八 ２図（１）のよ、うに複眼構成にすることによって、原
稿面からセンサーまでの距離を短かくシ、フンバクトな
読取り系を実現している０尚、矢印ある。第２図（−）
に於ける結像系７ｍ、　７ｅ、　７ｄ　　は倒立等倍結
像の例を示しであるが一般には結像は縮小結像であって
もよい。第２図へ）に示すように、結像系が複眼倒立結
像であれば、本来読取るべき原稿面以外から隣の結像系
の論を通って迷光が入り、所脂ノイズとなる。このため
、９ａ。

９も９＠、　９ｇ　　および１０ａ、　１０ｅ、　１０
ｅ、　１０ｇに示すような遮光板を設ける必要が生じる
。例えば、第２な光は上記の遮光板がなければセンサー
８ａに入り好ましくない。従って通常の感度に指向性の
ないセンサーをこのような読取り系に応用する場合は、
遮光板９　ｍ、　９　ｊ　９　＠、　９　Ｋおよび１０
ａ、　１０ｃ　。

１０・、　’ｔｏｇが必要となる。その他、１０ａ〜１
０ｇの遮光板はセンサーの基板１２と結像系支持体およ
び結像系７＠、　７ｅ、　７・　の間で発生する内面散
乱等を防ぐ目的も兼ねてい−る。

このように、従来使用されているセンサー例えばＯＯＤ
　等の固体センサーや、アモルファスシリコン等の薄膜
センサーを使う場合、複眼系によって読み取り糸を構成
する場合には遮光の向伽が発生する。尚、第１図では２
列の千鳥状読取り配列について示したが、１列の読取り
系についても全く同様に遮光板が必要であることは論を
待たない。　　、。

本発明の目的は、その感度に指向性を持たせたセンサー
、特にアモルファスシリコン等に代表される薄膜センサ
ーを提供することにあり、斯様なセンサーを用いること
により上述した複眼の倒立結像系に要求される遮光板を
不要にしたり、更にセルフォック等の王立等倍結像系の
場合に於いても内面散乱等によって発生する迷光をおさ
え、読取り系の８／Ｎ比の向上を計るものである。以下
、図面を用いて本発明を詳述する。

第３図は本発明に係るセンサーの一実施例を示す図でセ
ンサーに垂直に入射する光を最大受光量とする指向性を
有する場合である。図中１６はＯｒ等の金職膜、１７は
ガラス等の膜、１８ａおよび１８ｂはアルミニウム等の
金ｉＩ４ｍ極、１９裔まアモルファスシリコン層・で、
斜線を糺こした領域１９ｍで光を感じる。２０はガラス
等の基板である。第３図（Ａ）の１１Ｉ造を冶する薄膜
センサー＆ま、例えば第１図（４）の上にガラス蒸着或
ｌ／）＆まイオンブレーティングで５ｓｏｚｌｉｋを設
け、更にその上にＣｒ展等のパターンを施すことによっ
て実現できる。第３図（Ａ）に於て、入射光１５ｍおよ
び入射光１５ｂの入射角をそれぞれＱｌ、Ｑｌとすると
、第３図（１）に示すように、入射光１５ｍは受光部に
入るが入射光１５ｂは受光部から外れてしまうためセン
サーに感じない。ここで、入射角を０としたときの、入
射角θと受光量との関係の実例をｊ、ｚくつか第３図ω
）に示す。第３図体）に於て、遮光！１１６のギャップ
を１ｍ　ｓ金属電極１８ム、１８Ｂ間のギャップをｔＩ
、膜１７の厚さをｄとするＯ第３図（Ｂ）に示す例に於
て、例１はｔ１＝３μｍ。

ａ＝ａμｍで入射側媒体が空気のときで、膜１７の屈折
率を１．５とした場合。例２は石＝３μｍ。

ｔ２＝６μ、、　　ｄ＝＝６μｍで入射側媒体が空気の
ときで、腺１７の屈折率を１．５としたとき。例３は石
＝３μｍ　、　ｔ２　＝　３μ＠　、　　ａ　＝　６ｐ
ｍで入射側媒体が膜１７と同じ屈折率のとき。例４は、
Ｌ、＝３ｐｍ　、　Ｌｘ　＝　６μｍ、、ｄ＝ａμｍで
入射側媒体が膜１７と同じ屈折率のときである。これら
４つの例より容易に判るように、ｔｌ、ｔ−およびｄを
適当に調整し、入射側の媒体との組合せによって、入射
角と受光量の相関性を多様に変えることができ、入射角
の小さい光のみ受け、入射角の太きい光には感じないセ
ンサーが実現できる。

第４図は、第３図体）に示す様に、センサーに垂直に入
射する光を最大の効率で受ける様なセンサーに於て、セ
ンサーに垂直に入射する光に対して角度θｊｉｍで入射
する光より受光量の落下がはじまり、ｏｆａａＸで入射
する光に対してセンサーが何も感じなくなる様な特性を
示している。

この場合の＃ａ＋ｉｍ　、及びθ■ＩＬＸの値は前記セ
ンサーを構成するパラメーター＊　ｔｓ＋　ｔｚ＋　’
及び前記ガラス等の腺１７の屈折率勤により定めること
が出来る。第３図（４）に示す、光の入射側の媒質の屈
折率をＮとすると、 である。同じくθｍ＆Ｘは、 である。ここで、この（１）　（２）式を用いて具体的
に設計を行う一例を以下に示す。

例えば、結像系のえが４．０のときは開口数は０．１２
５である。従って、このときのセンサーの受光角はθ＝
７．２°で、このときはｈａｉｖｒ　＝　７．２°とす
ればよい。外部媒質は空気でＮ＝１とする。

また、隣りのレンズを通ってセンサーに入ってくる光に
対して例えば０■ａｘ　＝　２３．６°で感じないよう
に設計した場合について考える。ところで、電極間距離
Ａｌの値は実際には以下のような制約によって寸法に制
限がつく、即ち ０　電極間距離が小さければ受光部のパターンを細かく
して、センサーの８／Ｎ比を上ける設計が可能である。

逆に、電極間距離が大きければセンサーの８１Ｎ比が小
さくなる。

■　電極間距離が小さくなると、極作時のパターニング
技術に高精度のものが要求され、バターニング技術によ
って微細化の限界が□。

決まってくる。

などの事情があり、これらのことを考慮すると、電極間
距離ｔ１の値としては２μ＜　１１＜　４２０μの範囲
にあることが望ましい。また、誘電体膜の膜常考えられ
る厚さである。これらのことを考えると、（ＩＬ　（２
）の式において、 Ｎ　＝　１　、　ｍ　＝　１．５　、　ｔｔ＝２μｍ　
、　５ｍ１ｍ　＝　７．２°ｌ＃ｍａｘ　＝　２３ｊ７
８゜ これより、１２　＝　３．７５５μｍ　、　　ｄ　＝　
１０．４９／ｚｍ　　となる。

即ち、ｔｓ＝２μｍ　＋　Ｌｘ＝　３．７５５μｍ　、
　　＋＋１＝＝　１０．４９μｍ。

１：１５とした時＼θｍｉｍ　＝　７．２°、　　１■
ａｘ　＝　２３．６°の指向性をもったセンサーが得ら
れる。

第３図体）但）に示す様にセンサーに垂直に入射する光
を中心として受光量を最大とする場合とは異なり、第５
図（Ａ）　（Ｂ）に示すセンサーは、センサーに斜めか
ら入射する光を中心として受光量を最大とする場合の実
施例を示す為のものである。第５図体）に付した番号で
第３図（Ａ）に付、した番号と同じものは同じ部材を示
すのでここでは説明を省く。尚、ムは遮光膜１６の開口
の中心と電極（１８ｍ　、　１８ｂ　）の開口部の中心
との変位量である。第５図−）は、第５図（Ａ）のセン
サーの各パラメーターの値が、Ａｓ　＝　６μｍ　ＨＺ
！　”　６１’−＋１ｍ　＝　２μｗｍ　、　ｄ　＝　
１０μｍ　、　＊　＝　１．５　、　Ｎ　＝　１　　の
場合の光の入射角θに対する受光量の関係を示す図であ
る。

次に第５図に示す様に、センサーに対して斜めに入射す
る光に対して受光率が最大になる様す場合ノ、センサー
の一般的な構造に関して述べる。第６図は成る角度θＣ
の斜入射光を中心として光を受ける場合の、一般的な受
光感度特性曲線を示すもので、この様な受光感度特性を
示すセンサーの一般的な構成を第７図（Ａ）　ＣＢ）に
示す。

尚、第７図（Ａ）　（１３）に示すセンサーは第５図（
Ａ）に示すセンサーと同一形状のセンサーであり、第７
図（Ａ）では＃ｍａｘｌ　、　θｍａｘ２の光線を、第
７図（Ｂ）では５ｍ１ｍ１　、θｍｉｍ＋２の光線を示
している。第７図に示す構造のときは・光束の入射側の
媒質の屈折率をＮ１ガラス膜１７の屈折率を鳳とすると
＃ｍａｘｌ　、　ａｍ＊ｘ２　、５ｍ１ｍ１　、０ｍ１
ｎ２は以下の様に定まる。

ここで０ｍａｘ２はマイナス付号に対応させて表現しで
ある。ここでｄ　＝　１０．５．ｃａｎ　、　Ａｓ　＝
　２０μｍ　、　ｔ２　＝３．８μｍ　、　ｔｓ　＝　
１．０．ｕｎ　、　　ｍ＝　１．５　、　　Ｎ＝−１，
０と取ると、θ■ａｘｌ　　＝　　３１．５゜ θｍａｘ２　ｗ　−１５，５゜ θ１１＋１１１１　　＝　　１５．５゜０ｍ１ｍ２　　
＝　　０．８゜ なる指向性を有するセンサーが得られる。

この様な非対称な受光特性は、金属電極１８ａ。

１８ｂに対して遮光膜１６のパターンを変えることによ
り、自由に制御可能である。

上述した様に、垂直入射光又は成る角度を成す入射光に
分けて受光感度特性を持たせることは必要である。例え
ば第２図に示す様に、一つのセンサーアレーに入射する
光は、中央部のビットに入射する光と周辺部のビットに
入射する光の主光線の傾きは興なる。従って、中央部の
ビットは垂直入射光に対して最大の受光感度を又、周辺
部のビットは斜入射光に対して最大の受光感度を持たせ
ることが望ましい。・この様な設定は、電極及び遮光膜
が７オトリ７グラフイーの手法によって形成出来るため
、オリジナルマスク作成時に相対的な位置を加味して作
成しておけば良く、量産性に適した薄膜センサーを比較
的容易に製造出来る。

前記センサーに於いて、ガラス蒸着によって膜層１７を
構成する場合には２、膜厚ｄを余り大きくすると［９１
７の表面が微小な凹凸状を呈し光の散乱を生じて好まし
くないが、通常１０μｍ程度以下なら表面の良好な膜が
得られる。

第８図は上述した本発明に係るギャップタイプのセンサ
ーで、光が基板側よりより入射する場合の一実施例を示
す図である。第８図の構成を示す付番で、第３図（Ａ）
の付番と同一番号のものは同じ部材を表わすが、第８図
の構成は第３図体）に示す構成と多少、異っている。即
ち第８図に示す如くセンサーの構成は、ガラス等の透明
基板２０上にＯｒ１％の金属＃１６のパターンが遮光膜
として蒸着され、更にその上にはガラス蒸着膜１７を設
け、更にその上にはアモルファスシリコン等の受光体１
９及び電極１８が設けられた構成である。そして光線１
５１は受光体１９の光を感じる部分１９ｍに達するが、
光＠　１５ｂは１９ｍに到達せず検知されない。

上記ギャップタイプのセンサーは、紙面に含まれる面内
で指向性を持たせており、第２図に示す様なラインセン
サーとして使用する場合には、一方向のみについて指向
性があれば充分で、この場合は指向性の存在する面とラ
インセンサーのライン方向を平行にすれば良い。然しな
がら、斯様なギャップタイプの薄膜センサーは一次元方
向のみでなく２次元方向についても指向性をもたせるこ
とが可能であり、この事例を、第９図、第１０図及び第
１１図に示す。−第９図に於て、１６は遮光膜で斜線を
施こした部分が光を遮えきる部分である。１７はガラス
を蒸着あるいはイオンブレーティング等によ（ユ って設けた透明膜、１８は金Ｊ１１１に極、２０ガラハ ス等の基板である。第９図に於て、金属１４１４１１８
間に電位差を与えることによって、入射光を電流信号と
してとり出す訳であるが、金属１１極間の距離が小さい
程一定の入射光に対する電流餉は大きいため、第９図の
金属Ｉ１１極１Ｂのパターンにみられるように、電極間
が相近接している部分１９ｂが、離れている部分１９＠
よりも相対的に強い感度を示し実質上アモルファスシリ
コン等の感光体層１９の感光部の形状は矩形状をなし、
遮光膜１６の矩形状開口と組み合わせることによって、
総合的にｘ　−ｙ方向の２．方向について指向性をもた
せることが出来る。又、シリコン受光体１１１を細かく
矩形のパターン状にし、金属電極１Ｂのパターンを単純
化したものを第１０図に示す。第１−０図に示す様に受
光体１９を構成する各ビットは、１個づつ矩形状に独立
して形成されており、遮光膜１６のパターンと相俟って
センサーの指向性を出している。尚、第９図及び第と一
１０図に示すセンサーに於いては金属電極は透明電極で
あっても良い。

第１１図（４）（Ｂ）は二次元的に指向性を持つセンサ
ーの場合の例の実施例を示す図で、第１１図（Ａ）は斜
視図、第１１図（Ｂ）はその断面図である。

第１１図（Ａ）Φ）に示すセンサーに付された査号で第
９図及び第１θ図の付番と四−のものは−一の部材を示
すものである。第１１図＜Ｂ）に於て、遮光膜１６の内
側の径および外部の径をｄｌ、ｄｌ’又電極電極１８側
の径および外側の径をｄ、、ｄ、’とすると・例えば−
Ｎ＞ｄｔ’　かつｄｚ＞ｄｔとすればセンサーから有限
離距離れ、同心円状の電極およびマスクの中心に立てた
法線上に存在する点からの光を最も良く感じるような特
性をもつことになる。尚、電極１８は金属電極あるいは
透明電極どちらであってもよい。又、を極および遮光膜
の形状は同心円状だけでなく例えば楕円形状であっても
よい。更に、電極および遮光膜のパターンの中心は、い
ずれもシリコン受光体膜１９に垂直に立てた同一直線（
法線）上にあるが、一般には電極および遮光膜のそれぞ
れのパターンの中心を結ぶ直線はシリコン受光体１９に
垂直でなくともよく、そのような場合はレンズの結像で
いう軸外結像的な作用をもった指向性が発生する。

上記実施例はギャップタイプのセンサーを考えてきたが
、第１２ｖ！Ｊは本発明を適用した他のタイプのセンサ
ー（以後このセンサーをサンドイッチタイプのセンサー
と称す）を示す。

−第１２５１に於いて、２５は金属電極、２６は了モル
７アスシリコン等の受光体、２７は透明電極、２８はガ
ラス蒸着膜、２９はＯｒ等の遮光膜、３０はガラス基板
である。第１２図に示す構成に於いて、受光体２６で光
を感じる部分は、金属電極２５と透明電極２７の間で電
圧がかがる部分、即ち受光体２６の内、斜線を施こした
部分２６ｍのみである。故に、入射光３４ｍは受光体で
検知されるが、２４ｂは検知されない。この様にサンド
インチタイプのセンサーでは、金属電極２５と遮光＃２
９の相互のパターンを選択することにより、先に示した
ギャップタイプと同様、光の入射方向によって感度の大
幅に異なるセンサーを実現することが出来る。尚、受光
体２６はシリコンに限らすＯａ８・等であっても良いし
、又、ガラス蒸着膜はＺｎ８等の他の透明な膜でも良い
。

第１３図（４）（Ｂ）は−次元方向に指向性を有するサ
ンドインチタイプのセンサーの一実施例を示すものであ
る。

第１３図（蜀に於て、３１は金属１１＆Ｉ、３２はアモ
ルファスシリコン受光体換気３３は透明電極膜、３４は
ガラス蒸着膜の′ような比較的厚い透明膜、３５はＯｒ
のような遮光膜、３６はガラス基板である。金属電極３
１は細長い多数列のパターンを成している状況を示して
いる。第１３図（Ｂ）は遮光板３５の平面図を示したも
ので、Ｘ−ｙ方向の方向性は金属型１ＩＡ３１と相対応
して構成されており、この場合センサーはｙ方向につい
て指向性があり、Ｘ方向については指向性は存在しない
。尚、第１３図体）に於て、斜線を示した部分が光を遮
断する領域である。

第１４図（Ａ）　（Ｂ）　（０）は、二次元方向に指向
性を有するサンドイッチタイプのセンサーの一実施例を
示すものである。第１４図体）を構成する部材は第１３
図（Ａ）に示す部材と同じで、３１は金属電極、３２は
アモルファスシリコン受光体膜、３３は透明電極膜、３
４はガラス蒸着膜、３５はＯｒ等の遮光膜、３６はガラ
ス基板である。Ｏｒの遮光膜３５についての１ビット全
体の平面図を第１４図（Ｂ）および第１４図（Ｇｌ）に
示す。第ｉ４図体）は光が透過するパターンが矩形をし
ている場合であり、第１４図（０）は光が通過するパタ
ーンが円形状をなしている場合の例について示す。

センサーの２次元アレイ状の感光部の各中心と、遮光板
の光の透過域の各パターンの中心を一致させると、Ｘ方
向、ｙ方向それぞれについて指向特性は対称になり、し
かもｘ、ｙ各方向ともに指向性を持たせることができる
。又、センサーの２次元アレイ状の感光部の各中心と、
遮光板の光の透過域の各パターンの中心をずらせると、
Ｘ方向、ｙ方向それぞれについて指向特性は非対称にな
る。従って、入射光の入射角度に応じて指向特性をもた
せることが可能である。

上述したサンドイッチ型センサーの実施例に於いては、
受光体の一方に設けられる電極を金属電極としたが、こ
れは透明電極であっても良い０ 以上示したギャップタイプ、及びサンドインチタイプの
各センサーに於いては、ガラス蒸着膜の層は１層の場合
のみについて示したが、一般にはガラス蒸着膜の上に誘
電体層を設けて、その上に更に遮光膜とガラス蒸着膜と
言う様にガラス蒸着膜と遮光展層を多層重ねても良い。

次に本発明のセンサーを適用した読取り装置の実施例を
第１５図〜第１８図に示す。第１５図及び第１６図に示
す読取り装置は、千鳥状に原稿を読み取る場合の実施例
で、第１５図は倒立像で、第１６図は正立像で読み取る
場合を示している。第１５図及び第１６図に於いて、４
１は原稿、４２ａ〜４２・は原稿面の読み取られるべき
書画、４３ａ〜４３・は各々本発明に係るセンサーアレ
ー、４４ａ〜４４＠は前記原稿面書画の像である。第１
５図に示す装置では結像系は４５ａ〜４５・で示す様に
１群で、第１６図に示す装置では結像系は４６ａ〜４６
０．４７ａ〜４７・、４８１〜４８−で示す如く３群構
成であり、４７８〜４７−はフィールドレンズとしての
機能を有している。本発明に係るセンサーを用いること
により、一つのレンズ系が受は持つ受光角は２θをカバ
ー出来る程度であり、斜めから入射する光束４９に対し
て光を感じない。この様なセンサーを用いれば従来使用
していた遮光体を必要としなくなる。

第１７図及び第１８図に示す読取り装置は、千鳥状配列
の読み取りとは興なり、通常の一例で読み取る場合の装
置を示すものである。第１７図に示す装置は第１５図に
示す装置と同じく原稿面を倒立像で読み取る場合、第１
８図は同立像で読み取る場合を示す６第１７図及び第１
８図の装置に施こした付番で第１５図及び第１６図と同
じものは同じ部材を示すので、ここでは説明を省く。第
１７図及び第１８図に示す装置では、センサー５０は長
尺センサーである。これ等の場合にも、センサーの受光
角が２θをカバーシ、更に斜入射光４９に対して、上述
した如くセンサーが感じない様にすれば、遮光体なしに
読み取り系が構成出来る。

以上の第１５図、第１６図、第１７図、第ｆ８図の実施
例は結像系が通常のレンズ（屈折率が一定の媒１体に曲
率をもたせることによって結像作用をもたらす手段）の
場合を示したが、実際には通常のレンズのみに限らず、
結像作用をもつものならいずれについても適用でき、例
えば、ゾーンプレートのような位相レンズ、あるいはセ
ル７オツクのような不均質レンズ、更には分布屈折率平
板マイクロレンズアイ（昭和５６年度電子通信学金総合
全国大会、９９２、伊賀健−他５名）であってもよい。

このうち、ゾーンブレ−ンが輌作されるので、モノリッ
クな構成に適しており、本発明の薄膜センサーがモノリ
ックに構成できるところに特長をもつ点と相俟って、コ
ンパクトで量産性の良い読取り装置を実現するめに好都
合である。また一般的には、現在使用されているファク
シミリの様な１次元の読取り装置に限らず、２次元の読
取り装置についても適用出来ることは言うまでもない。

以上示した様に本発明に係るアモルファスシリコン等に
代表される薄膜センサーに於いてはその感光方向に指向
性を持たせることにより、ラインセンサーの中央のビッ
トと周辺のビットで感光特性を所望の特性に取ることが
出来たり、ファクシミリ等のデジタル画像装置に於ける
複眼の結像系に要求される遮光板を不要としたり、セル
７オツク等の正立等倍結像系の場合に於いても内面散乱
等によって発生する迷光を抑え、８７Ｎ比の良好な読取
り装置が得られるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）　（ＩＩ）は従来のギャップタイプのセン
サーを説明する為の図、第２図（Ａ）　（Ｂ）は従来の
複眼読取り装置の一実施例を示す図、第３図体）ψ）及
び第４ｖ！Ｊは各々本発明を適用したギャップタイプの
センサーの一実施例を説明する為の図、第５図（２）俤
）、第６図及び第７図（Ａ）　ＣＢ）は各々本発明を適
用した他のタイプのギャップセンサーを説明する為の図
、第８図は本発明を適用した他のタイプのギャップセン
サーを示す図、第９図。 第１０図及び第１１図（Ａ）　ＣＢ）は各々、本発明に
係る二次元方向に指向性を有するギャップタイプセンサ
ーの実施例を示す図、第１２図は本発明を適用したサン
ドイッチタイプのセンサーを説明する為の図、第１３図
（Ａ）　ＣＢ）は各々、本発明を適用した一次元方向に
指向性を有するサンドインチタイプセンサーの実施例を
示す図。第１４図（Ａ）ψバＣ）は各々、本発明を適用
した二次元方向に指向性を有するサンドイッチタイプセ
ンサーの実施例を示す図、第１，５図、第１６図、第１
７図Ｊび第１８図は各々本発明に係るセンサーを用いた
複眼光学系を示す図。 １５ｍ、１５ｂ・・・入射光束、１６・・・遮光膜、１
７・・・ガラス蒸着膜、１８ｍ、　１８１＋・・・電極
、１９・・・受光体、２０・・・基板。 窮５図（Ｂ） ２４μ ｍ２９２−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　センサーを構成する単位ビット内で受光可能
   な領域を電極パターンで制限し、更に該電極パターンと
   相俟って前記受光可能な領域への光束を規制する不透明
   膜を備えた事を特徴とする指向性を有するセンサー。