JPS5896706A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPS5896706A JPS5896706A JP56194400A JP19440081A JPS5896706A JP S5896706 A JPS5896706 A JP S5896706A JP 56194400 A JP56194400 A JP 56194400A JP 19440081 A JP19440081 A JP 19440081A JP S5896706 A JPS5896706 A JP S5896706A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気ｄＵ２録媒体に関し、時には超重密度記
録用の垂直磁気記録媒体に関するものである。
録用の垂直磁気記録媒体に関するものである。
超尚密度記録が可能な垂直磁気記録は近い将来の実用化
を１指して多方面で精力的な研究が進められている。従
来からの磁気記録媒体においては、基板上の磁性膜にお
いてリング型磁気ヘッドによって磁性膜水平方向の磁化
（面内方向の磁化）によって記録が行われている。水平
磁化による記録の場合、記録密度を増加していくと（Ｂ
性膜の反磁界が増して残留磁化の減衰と回転を生じ、内
生出力が著しく減少するため、記録密度の高密度化に限
界がある。そこで、磁性膜の面に垂１ａな方向即ち厚さ
方向に磁化を行う垂直磁気記録方式が水平磁気記録の高
密度化の壁を破るものとして提唱されている。垂直磁気
記録においては、原理的に、記録信号が短波長になる即
ち記＠密度を増大していくにつね、減＜ｍ界が小さくな
る性膜があるので、水平磁気記録より島密度ｉ己碌に有
利であると期待されているのである。
を１指して多方面で精力的な研究が進められている。従
来からの磁気記録媒体においては、基板上の磁性膜にお
いてリング型磁気ヘッドによって磁性膜水平方向の磁化
（面内方向の磁化）によって記録が行われている。水平
磁化による記録の場合、記録密度を増加していくと（Ｂ
性膜の反磁界が増して残留磁化の減衰と回転を生じ、内
生出力が著しく減少するため、記録密度の高密度化に限
界がある。そこで、磁性膜の面に垂１ａな方向即ち厚さ
方向に磁化を行う垂直磁気記録方式が水平磁気記録の高
密度化の壁を破るものとして提唱されている。垂直磁気
記録においては、原理的に、記録信号が短波長になる即
ち記＠密度を増大していくにつね、減＜ｍ界が小さくな
る性膜があるので、水平磁気記録より島密度ｉ己碌に有
利であると期待されているのである。
このような垂１１磁気記録に用いるｉ己録媒体としては
、スパッタ法により作成したＣｏ −Ｃｒ膜がきわめて
優れたものとして既に提案されている。スバッタ法は、
不活性ガスの低真空中でグロー放電を行ったとき陰極（
ターゲット）Ｋガスイオンが衝突することにより陰極材
料を原子またはその集団として気化させ、こうしてスパ
ッタされて飛出した金属原子を陽極近くに位置づけた基
板の表面上に付着せしめる方法であり、金属（−性薄膜
の製造方法の一つとして良く知られているものである。
、スパッタ法により作成したＣｏ −Ｃｒ膜がきわめて
優れたものとして既に提案されている。スバッタ法は、
不活性ガスの低真空中でグロー放電を行ったとき陰極（
ターゲット）Ｋガスイオンが衝突することにより陰極材
料を原子またはその集団として気化させ、こうしてスパ
ッタされて飛出した金属原子を陽極近くに位置づけた基
板の表面上に付着せしめる方法であり、金属（−性薄膜
の製造方法の一つとして良く知られているものである。
本発明者は、このＣｏ −Ｃｒ膜について実用化及び量
産化の観点から研究を進めてきたが、その過程で幾つか
の問題があることを知見した。即ち、第１に、スパッタ
装置を使用して高速成膜を実施する場合、膜面に垂直方
向の保磁力（）ｌｃ（１） ）が大きすぎ、実際にディ
ジタル記録を行う際充分なオーバーライ）％性が得られ
ないことであり、第２に保磁力（Ｈｃ（上））が成膜時
の基材の温度にきわめて大きな依存性を示すので、量産
のため連続して成膜した場合、ターゲットからの輻射熱
による基材温度の変化が不可避的に起り、それに伴って
保磁力（１（ｃ（１） ）が変化し、同一品質の成膜が
不可能となることである。
産化の観点から研究を進めてきたが、その過程で幾つか
の問題があることを知見した。即ち、第１に、スパッタ
装置を使用して高速成膜を実施する場合、膜面に垂直方
向の保磁力（）ｌｃ（１） ）が大きすぎ、実際にディ
ジタル記録を行う際充分なオーバーライ）％性が得られ
ないことであり、第２に保磁力（Ｈｃ（上））が成膜時
の基材の温度にきわめて大きな依存性を示すので、量産
のため連続して成膜した場合、ターゲットからの輻射熱
による基材温度の変化が不可避的に起り、それに伴って
保磁力（１（ｃ（１） ）が変化し、同一品質の成膜が
不可能となることである。
先ず、第１のオーバーライド特性については、少くとも
２６６に３以上必要であり、これを満足するに＆＠保磁
力（Ｈｅ（Ｌ） ）は６０００ｅ以下でなければならな
い。Ｃｏ −Ｃｒ膜の場合、実験案旧規模での低速成膜
（〈数百Ａ／分）時には基板の冷却を工夫しさえすれば
Ｈｃ（上）＜６０００６ とすることが可能ではある
が、実際の工業化を行う場合それが可能とされる数千へ
／分の高速成膜時にはどうしても６００ Ｏｅ以上とな
り、はなはだしい場合には１８００Ｕｅ にまでも達し
た。従って、Ｃ０−Ｃｒ 膜では実際にディジタル記
録を行うに充分のオーバーライド特性を工業化を許容す
る生産速度において実現しえない。
２６６に３以上必要であり、これを満足するに＆＠保磁
力（Ｈｅ（Ｌ） ）は６０００ｅ以下でなければならな
い。Ｃｏ −Ｃｒ膜の場合、実験案旧規模での低速成膜
（〈数百Ａ／分）時には基板の冷却を工夫しさえすれば
Ｈｃ（上）＜６０００６ とすることが可能ではある
が、実際の工業化を行う場合それが可能とされる数千へ
／分の高速成膜時にはどうしても６００ Ｏｅ以上とな
り、はなはだしい場合には１８００Ｕｅ にまでも達し
た。従って、Ｃ０−Ｃｒ 膜では実際にディジタル記
録を行うに充分のオーバーライド特性を工業化を許容す
る生産速度において実現しえない。
次に、保磁力（１（Ｃ（１） ）の基材温度依仔性の問
題であるが、（、’ｏ −Ｃｒ膜の場合、保磁力は基材
温度の上昇に対し３０Ｏｅ／１ｏ度以上の割合で増加す
ることが知見された。基板は王にターゲットからの輻射
熱により加熱されるが、連続生産の場合基板の温度は時
々刻々変化することが予想され、上記のような大きな温
度依仔性の下では同一特性の成膜が不可能である。
題であるが、（、’ｏ −Ｃｒ膜の場合、保磁力は基材
温度の上昇に対し３０Ｏｅ／１ｏ度以上の割合で増加す
ることが知見された。基板は王にターゲットからの輻射
熱により加熱されるが、連続生産の場合基板の温度は時
々刻々変化することが予想され、上記のような大きな温
度依仔性の下では同一特性の成膜が不可能である。
斯界では、Ｃｏ −Ｃｒ糸に第６成分として例えばロジ
ウムを脩加する等の試みもあるが、上目ピ間趙はいぜん
として解消しない。本発明は、以上の理由に鑑みて為さ
れたものであり、特に実用化や量産化に適した優れた超
高密度磁気記録用の垂直磁気記録媒体を提供することを
目的とする。
ウムを脩加する等の試みもあるが、上目ピ間趙はいぜん
として解消しない。本発明は、以上の理由に鑑みて為さ
れたものであり、特に実用化や量産化に適した優れた超
高密度磁気記録用の垂直磁気記録媒体を提供することを
目的とする。
コバルトは大きな結晶異方性エネルキーな有し、その六
方晶形の結晶′ａ造によって垂直磁化膜となる基本的元
素と考えられる。本発明者はコバルト系合金について広
範な検討の結果ｃｏ −ＭＯ−Ｖ台金が本発明の目的に
好適であることを見出した。
方晶形の結晶′ａ造によって垂直磁化膜となる基本的元
素と考えられる。本発明者はコバルト系合金について広
範な検討の結果ｃｏ −ＭＯ−Ｖ台金が本発明の目的に
好適であることを見出した。
本発明に従う垂１１磁化映は、７５〜９０重前％ｃ。
と、１５重ｔ％以下のＭＯと、残余が■及び不可避的に
随伴する不純物とから構成される。
随伴する不純物とから構成される。
本発明のＣｏ −Ｖ −ＭＯ展においては、垂直記録媒
体として最も重要なパラメータである（００２）面から
のＸ＃！反射ロッキング曲線の半値巾Δθ５゜の値は５
°以内であり、これはＣｏ −Ｃｒ ｙ４と同等である
。このＸ線反射ロッキング曲線とは膜の結晶構造のＣ軸
の分散度合を表わすものである。また、ディジタル記録
において充分なオーバーライド特性が得られるかどうか
を決定するＨＣ（Ｊ−）についても、Ｍ、ｏ の添加量
を調節することにより上限の６００ （Ｊｅ以下の範囲
で３００〜６ ｏ ｏ Ｏｅの値に制御可能である。史
に、基板温度の上昇に伴なう保磁力）ｌｃ（±）の増加
率も１ｏＯｅ／１ｏ度 以下とＣｏ −Ｃｒ Ｗの１／
３以下に抑えることができ、連続成膜の場合にターゲッ
トからの輻射熱による基板温度の変化に伴っての保磁力
変化を（、’ｏ −Ｃｒ膜の場合よりはるかに低くする
ことができる。
体として最も重要なパラメータである（００２）面から
のＸ＃！反射ロッキング曲線の半値巾Δθ５゜の値は５
°以内であり、これはＣｏ −Ｃｒ ｙ４と同等である
。このＸ線反射ロッキング曲線とは膜の結晶構造のＣ軸
の分散度合を表わすものである。また、ディジタル記録
において充分なオーバーライド特性が得られるかどうか
を決定するＨＣ（Ｊ−）についても、Ｍ、ｏ の添加量
を調節することにより上限の６００ （Ｊｅ以下の範囲
で３００〜６ ｏ ｏ Ｏｅの値に制御可能である。史
に、基板温度の上昇に伴なう保磁力）ｌｃ（±）の増加
率も１ｏＯｅ／１ｏ度 以下とＣｏ −Ｃｒ Ｗの１／
３以下に抑えることができ、連続成膜の場合にターゲッ
トからの輻射熱による基板温度の変化に伴っての保磁力
変化を（、’ｏ −Ｃｒ膜の場合よりはるかに低くする
ことができる。
本発明のＣｏ −Ｍｏ −Ｖｍにおいて、Ｃｏ は垂
直（ム化膜を実現する大きな結晶異方性を有する結晶構
造を形成する基本的元素として７５〜９５重敵チ必峨で
ある。７５％より少ないと所定の垂直磁化、が不足し、
他方９５％を越えると０和磁化が高くなりすぎる。残る
５〜２５ｋｋ％が１９０及び■で構成される。■のみを
添加した場合にはＣｏ −Ｃｒ 映におけるＣ「 と
同僚に飽和磁化Ａ４ｓを低下させ、ｊｉ、ｃ、ｐ構造を
安定化させ、異方性値界Ｈｋ〉４πＭｓ を満足する
ものの、垂直保磁力か低すぎまたロッキング曲線の半値
巾も広がる傾向を示すが、これにＭＯを添加することに
より前者か５００〜６００ （Ｊｅ の範囲でまた後者
が２８〜３４度の範囲で目的とする膜を得ることができ
る。
直（ム化膜を実現する大きな結晶異方性を有する結晶構
造を形成する基本的元素として７５〜９５重敵チ必峨で
ある。７５％より少ないと所定の垂直磁化、が不足し、
他方９５％を越えると０和磁化が高くなりすぎる。残る
５〜２５ｋｋ％が１９０及び■で構成される。■のみを
添加した場合にはＣｏ −Ｃｒ 映におけるＣ「 と
同僚に飽和磁化Ａ４ｓを低下させ、ｊｉ、ｃ、ｐ構造を
安定化させ、異方性値界Ｈｋ〉４πＭｓ を満足する
ものの、垂直保磁力か低すぎまたロッキング曲線の半値
巾も広がる傾向を示すが、これにＭＯを添加することに
より前者か５００〜６００ （Ｊｅ の範囲でまた後者
が２８〜３４度の範囲で目的とする膜を得ることができ
る。
ＭＯの添加けは少量でも相応の効果を生じるが、他方１
５％を越えると保磁力（１−（ｃ（上））の低下を示し
はじめる。そこでＭＯは１５市１％以下とされ、ＭＯの
添加量により保磁力（Ｉ］ｃ（１）を自在に制御するこ
とができる。残部は、■及び不Ｅｉｉ避的に随伴する不
純物から構成される。好ましい■添加量は６〜１６％そ
して好ましいＭＯ添加噴は３〜１５％の範囲であり、所
定の工程条件の下で目的とする成１１ｕ％性を得るべく
適宜組合せられる。
５％を越えると保磁力（１−（ｃ（上））の低下を示し
はじめる。そこでＭＯは１５市１％以下とされ、ＭＯの
添加量により保磁力（Ｉ］ｃ（１）を自在に制御するこ
とができる。残部は、■及び不Ｅｉｉ避的に随伴する不
純物から構成される。好ましい■添加量は６〜１６％そ
して好ましいＭＯ添加噴は３〜１５％の範囲であり、所
定の工程条件の下で目的とする成１１ｕ％性を得るべく
適宜組合せられる。
本発明の磁気記録媒体の製Ｊ外方法自体は、Ｈ「定の配
合比のターゲラトラ使用してスパッタ装置Ｎを用いて例
えばポリイミド等の基板に適宜のスパッタ乗↑」：の下
でスパッタを行うことにより作ｈ’＜ Ｌうる。基板温
度の」−昇を防ぐ為、マグネトロン型のスパッタ装［１
０使用も好都合である。
合比のターゲラトラ使用してスパッタ装置Ｎを用いて例
えばポリイミド等の基板に適宜のスパッタ乗↑」：の下
でスパッタを行うことにより作ｈ’＜ Ｌうる。基板温
度の」−昇を防ぐ為、マグネトロン型のスパッタ装［１
０使用も好都合である。
また、垂直磁化膜を高透磁率層で裏打ちする技術も既に
提唱されている（特開昭５４−５１８０４号）。これは
、補助（ｄ（極を用いなくとも率極型ヘッドによって効
率よく垂直騒気記録を行うことを１丁とするもので、本
発明においてもこのような高透磁率層を基板と垂面磁化
膜との間に介在させることは何ら妨げられるものでない
。高透磁率層としては例えばＭＯ−Ｆｅ −Ｎｉ 台
金が使用されうる。
提唱されている（特開昭５４−５１８０４号）。これは
、補助（ｄ（極を用いなくとも率極型ヘッドによって効
率よく垂直騒気記録を行うことを１丁とするもので、本
発明においてもこのような高透磁率層を基板と垂面磁化
膜との間に介在させることは何ら妨げられるものでない
。高透磁率層としては例えばＭＯ−Ｆｅ −Ｎｉ 台
金が使用されうる。
以下、実施列を示す。
実施？／ｌｌ
高速スパッタリング装置縦を用いて、Ｇｏ−ｖ−Ｍ。
の成分北本をかえて成膜を行い、得られた膜のＨｃ（１
−）および△０５０を測定した。スパッタ条件は、Ａｒ
ガス圧８． ＯＸ １０−３Ｔｏｒｒ、投入′取方３
〜５１（Ｗ、成極間距離ｉｏｏｍである。精米を比較例
と合わせて表１に示す。
−）および△０５０を測定した。スパッタ条件は、Ａｒ
ガス圧８． ＯＸ １０−３Ｔｏｒｒ、投入′取方３
〜５１（Ｗ、成極間距離ｉｏｏｍである。精米を比較例
と合わせて表１に示す。
表１
これから、本発明によるＣｏ−Ｖ −Ｍｏ ｙｔｐ−が
、工業化司能な高速成膜時においても、充分なオーバー
ライド特性の得られる保磁力（ＨＣ（１））＜ ６００
０ｅを実現しており、さらにＭＯの硝加量により保磁力
（）Ｉｃ（１） ）’＜３ ｏ Ｏ〜６０ ｏｄｅ の
範囲で任意に制御可能であるという利点がある。
、工業化司能な高速成膜時においても、充分なオーバー
ライド特性の得られる保磁力（ＨＣ（１））＜ ６００
０ｅを実現しており、さらにＭＯの硝加量により保磁力
（）Ｉｃ（１） ）’＜３ ｏ Ｏ〜６０ ｏｄｅ の
範囲で任意に制御可能であるという利点がある。
次に、基板の温度に対する成膜の付性変化列を以下の表
２及び添付グラフに示す。成膜速度は５２００Ａ／分と
した。
２及び添付グラフに示す。成膜速度は５２００Ａ／分と
した。
衣２
このように、本発明によるＣｏ −Ｖ −Ｍｏ膜におい
ては基板温度が２０℃から２１１０℃へと上昇してもＨ
ｃ（上）は１７００ｅ の上昇を示す程度であり、保磁
力温度依存性は１０（Ｊｅ／度と小さい。この事実は、
本発明によるＣｏ −Ｖ −Ｍｏ膜が、連続生産時にタ
ーゲットからの輻射熱によって基板温度が変化しても、
膜特性の変化はきわめて少なく電画に適した優れたもの
であることを示−づ−０この程度の保磁力変化は基板の
冷却技術等により神ｆＪ１５る。これに対し、Ｃｏ −
Ｃｒ ｇの場合、水冷時においてさえも保イｄ力（口Ｃ
（１））ｌ工６００ （Ｊｅ を越え、光分なオーバー
ライ）％件か得らゎないげがりか、基板温度に対して側
い依存性を示す。基板温度が２０℃から２００℃へと上
昇すると、ＩＣ（上）は６７００ｅ もの増大を示シ
、コレｆ？、 ５ （Ｓ Ｏｅ／Ｉ ｏ度もの保磁力上
昇率であり、本発明Ｃｏ −ｖ −ＭＯ膜の３倍以上で
ある。
ては基板温度が２０℃から２１１０℃へと上昇してもＨ
ｃ（上）は１７００ｅ の上昇を示す程度であり、保磁
力温度依存性は１０（Ｊｅ／度と小さい。この事実は、
本発明によるＣｏ −Ｖ −Ｍｏ膜が、連続生産時にタ
ーゲットからの輻射熱によって基板温度が変化しても、
膜特性の変化はきわめて少なく電画に適した優れたもの
であることを示−づ−０この程度の保磁力変化は基板の
冷却技術等により神ｆＪ１５る。これに対し、Ｃｏ −
Ｃｒ ｇの場合、水冷時においてさえも保イｄ力（口Ｃ
（１））ｌ工６００ （Ｊｅ を越え、光分なオーバー
ライ）％件か得らゎないげがりか、基板温度に対して側
い依存性を示す。基板温度が２０℃から２００℃へと上
昇すると、ＩＣ（上）は６７００ｅ もの増大を示シ
、コレｆ？、 ５ （Ｓ Ｏｅ／Ｉ ｏ度もの保磁力上
昇率であり、本発明Ｃｏ −ｖ −ＭＯ膜の３倍以上で
ある。
以上説明した通り、本発明は、新規なＣｏ−Ｖ−Ｍｏ
垂直磁気記録膜な提供することにより、従来提唱された
Ｃｏ −Ｃｒ系に固有の、ディジタル記録の際のオーバ
ーライ）％性、保磁力の基板温度依存性等についての問
題を解消し、充分に工業化が可能の垂直磁気記録膜を実
現したものであり、今後大きな進展を期待される超高密
度記録の分野に貢献するところきわめて犬である。
垂直磁気記録膜な提供することにより、従来提唱された
Ｃｏ −Ｃｒ系に固有の、ディジタル記録の際のオーバ
ーライ）％性、保磁力の基板温度依存性等についての問
題を解消し、充分に工業化が可能の垂直磁気記録膜を実
現したものであり、今後大きな進展を期待される超高密
度記録の分野に貢献するところきわめて犬である。
図面は本発明及び従来垂直磁気記録映について基板温度
へのくミ気特性の依存性を示すグラフである。 同 首 橋 −Ｉ−，。 基緩囁／Ｌ （’Ｃ） ゛手続袖正書 昭和５７年１ 月 ５１１ 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 事（’ｌの表示 昭和５６年特願第１９４４００ 号発
明の名称 磁気記録媒体 補１１°をする者 ・１（イ／１との関係 特許出願
人名称（５０６）東京電気化学工業株式会社代理人 〒１０３ 住 所 東京都中央区日本橋３」”目１３番１１号油
脂上業会館同 住所 同 １゜ 一′刺Ｆ１白でｆ槽りＪｌ汁′績Ｖ旧数パ袖＋Ｅの対象 ４書勾発期者祠１横トやＱ欄− 明細書の発明−の名負は特許請求の範囲・発明の詳細な
説明の欄浦正の内容 別紙の通り 特願昭５＜Ｓ−１９４４００号明細書を以下の通り補正
します。 ｔ 第６頁、下から６行及び３行それぞれに「基材」と
ある憂いずれも「基板」と訂正します。 ２ 第４頁、下から７行及び６行それぞれに「基材」と
あるをいずれも「基板」と訂正します。 五 第７頁、９行「（土）」と「を」との間に「）」を
挿入します。 ４、第１０頁、下から１０行「１００′！ｌ／度」とあ
るを「１０°０／１０度」と訂正します。 ２５−
へのくミ気特性の依存性を示すグラフである。 同 首 橋 −Ｉ−，。 基緩囁／Ｌ （’Ｃ） ゛手続袖正書 昭和５７年１ 月 ５１１ 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 事（’ｌの表示 昭和５６年特願第１９４４００ 号発
明の名称 磁気記録媒体 補１１°をする者 ・１（イ／１との関係 特許出願
人名称（５０６）東京電気化学工業株式会社代理人 〒１０３ 住 所 東京都中央区日本橋３」”目１３番１１号油
脂上業会館同 住所 同 １゜ 一′刺Ｆ１白でｆ槽りＪｌ汁′績Ｖ旧数パ袖＋Ｅの対象 ４書勾発期者祠１横トやＱ欄− 明細書の発明−の名負は特許請求の範囲・発明の詳細な
説明の欄浦正の内容 別紙の通り 特願昭５＜Ｓ−１９４４００号明細書を以下の通り補正
します。 ｔ 第６頁、下から６行及び３行それぞれに「基材」と
ある憂いずれも「基板」と訂正します。 ２ 第４頁、下から７行及び６行それぞれに「基材」と
あるをいずれも「基板」と訂正します。 五 第７頁、９行「（土）」と「を」との間に「）」を
挿入します。 ４、第１０頁、下から１０行「１００′！ｌ／度」とあ
るを「１０°０／１０度」と訂正します。 ２５−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板と、該基板上に形成される垂直方向に＜ｍ化容
易軸を有する磁気記録）＠とから成り、磁気記録＋ｉｋ
ｍカフ５〜９０重量％＜７）Ｃｏ と、１５１ｍ％以下
のＭｏ と、残部の■及び不可避的に随伴する不純物と
から成ることを特徴とする磁気記録媒体。 ２）基板と、該基板上の高ｆｐｉ磁率層と、該ｌ＃ｌ透
磁率増上に形成される垂直方向にイガ化容易軸を有する
磁気記＠層とから成り、磁気記録層が７５〜９０車量チ
のＣｏ と、１５重ｆ％以下のＭｏ と、残部のＶ及
び不可避的に随伴する不純物とから成ることを特徴とす
る磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194400A JPS5896706A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 磁気記録媒体 |
| US06/418,610 US4452864A (en) | 1981-12-04 | 1982-09-16 | Magnetic recording medium |
| DE3237232A DE3237232C2 (de) | 1981-12-04 | 1982-10-07 | Magnetisches Aufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56194400A JPS5896706A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896706A true JPS5896706A (ja) | 1983-06-08 |
| JPH0340491B2 JPH0340491B2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=16323963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56194400A Granted JPS5896706A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4452864A (ja) |
| JP (1) | JPS5896706A (ja) |
| DE (1) | DE3237232C2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149706A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| US4645719A (en) * | 1984-06-18 | 1987-02-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Soft magnetic thin film having uniaxial magnetic anisotropy |
| US4587176A (en) * | 1985-01-14 | 1986-05-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Layered coherent structures for magnetic recording |
| US5023148A (en) * | 1987-12-30 | 1991-06-11 | Seagate Technology, Inc. | Tine film cobalt-containing recording medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451804A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Shiyunichi Iwasaki | Magnetic recording medium |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837616B2 (ja) * | 1976-04-27 | 1983-08-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製造法 |
| US4277809A (en) * | 1979-09-26 | 1981-07-07 | Memorex Corporation | Apparatus for recording magnetic impulses perpendicular to the surface of a recording medium |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP56194400A patent/JPS5896706A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-16 US US06/418,610 patent/US4452864A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-10-07 DE DE3237232A patent/DE3237232C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451804A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Shiyunichi Iwasaki | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3237232C2 (de) | 1994-05-26 |
| US4452864A (en) | 1984-06-05 |
| JPH0340491B2 (ja) | 1991-06-19 |
| DE3237232A1 (de) | 1983-06-09 |
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