JPS5895986A - インバ−タ装置 - Google Patents
インバ−タ装置Info
- Publication number
- JPS5895986A JPS5895986A JP56192867A JP19286781A JPS5895986A JP S5895986 A JPS5895986 A JP S5895986A JP 56192867 A JP56192867 A JP 56192867A JP 19286781 A JP19286781 A JP 19286781A JP S5895986 A JPS5895986 A JP S5895986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- self
- energy
- stored
- snubber
- extinguishing semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/505—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M7/515—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Ac Motors In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はインバータ装置に係り、特に自己消弧素子を使
用する場合に好適な転流エネルギー吸収回路を備えたイ
ンバータ装置に関する。
用する場合に好適な転流エネルギー吸収回路を備えたイ
ンバータ装置に関する。
第１図は従来この種のインバータ装置の回路図である。
この回路はインバータ（直流−交流変換器）に自己消弧
半導体素子を用いたものである。
半導体素子を用いたものである。
限流リアクトル１と自己消弧半導体素子２とが直列接続
され、この自己消弧半導体素子２には帰還ダイオード３
が並列に接続され、又、スナバダイオード４とスナバコ
ンデンサ５が直列接続されたものが並列に接続されてお
り、更に−スナバダイオード４にはスナバ抵抗器６が並
列に接続されている。このような自己消弧半導体素子２
を中心とした全く同一の回路が４個ブリッヂ接続されて
、インバータ装置の逆変換回路を形成している。この逆
変換回路の入力端子側には、直流電源７が平滑リアクト
ル８と平滑コンデンサ９とから構成される逆り形フィル
タを介して接続されている。更に逆変換回路の出力側に
は負荷１０が接続されている。
され、この自己消弧半導体素子２には帰還ダイオード３
が並列に接続され、又、スナバダイオード４とスナバコ
ンデンサ５が直列接続されたものが並列に接続されてお
り、更に−スナバダイオード４にはスナバ抵抗器６が並
列に接続されている。このような自己消弧半導体素子２
を中心とした全く同一の回路が４個ブリッヂ接続されて
、インバータ装置の逆変換回路を形成している。この逆
変換回路の入力端子側には、直流電源７が平滑リアクト
ル８と平滑コンデンサ９とから構成される逆り形フィル
タを介して接続されている。更に逆変換回路の出力側に
は負荷１０が接続されている。
このようなインバータ装置に用いられている自己消弧半
導体素子２は、従来使用されているサイリスクに比べて
スイッチング速度が速いため、回路内のインダクタンス
に蓄えられたエネルギーの処理の仕方が問題となる。即
ち、上記の回路では、自己消弧半導体素子２のターンオ
フ時にはスナバコンデンサ５にて前記エネルギーを吸収
蓄積し、り＝ンオン時にはスナバ抵抗器６にて前記蓄積
エネルギーを消費する構成となっている。そこで、自己
消弧半導体素子２を使用してスイッチング速度が速くな
った場合に起こる前述の問題を処理するためには、スナ
バコンデンサ５の容量を大きくしなければならない。
導体素子２は、従来使用されているサイリスクに比べて
スイッチング速度が速いため、回路内のインダクタンス
に蓄えられたエネルギーの処理の仕方が問題となる。即
ち、上記の回路では、自己消弧半導体素子２のターンオ
フ時にはスナバコンデンサ５にて前記エネルギーを吸収
蓄積し、り＝ンオン時にはスナバ抵抗器６にて前記蓄積
エネルギーを消費する構成となっている。そこで、自己
消弧半導体素子２を使用してスイッチング速度が速くな
った場合に起こる前述の問題を処理するためには、スナ
バコンデンサ５の容量を大きくしなければならない。
ここで自己消弧半導体素子２（容量をＣとする）のオフ
時の発生電圧Ｖを５００Ｖとし、スナバコンデンサ５の
容量を大きく設定して２μＦとした場合、蓄積されるエ
ネルギーは１／２Ｖ２＝０．２５（ジュール）となる。
時の発生電圧Ｖを５００Ｖとし、スナバコンデンサ５の
容量を大きく設定して２μＦとした場合、蓄積されるエ
ネルギーは１／２Ｖ２＝０．２５（ジュール）となる。
そこで、自己消弧半導体素子２のスイッチング周波数を
４００Ｈ，とすると、スナバ抵抗器６で消費されるエネ
ルギーは１００Ｗにも達する。
４００Ｈ，とすると、スナバ抵抗器６で消費されるエネ
ルギーは１００Ｗにも達する。
従って、スナバコンデンサ５の容量を大きくすると、ス
ナバ抵抗器６で消費されるエネルギーが犬きぐなり、抵
抗器損失が増大して、装置の変換効率を悪化させる欠点
があった。
ナバ抵抗器６で消費されるエネルギーが犬きぐなり、抵
抗器損失が増大して、装置の変換効率を悪化させる欠点
があった。
本発明の目的は、上記の欠点を解消し、自己消弧半導体
素子を用いた効率の良いインバータ装置を提供すること
にある。
素子を用いた効率の良いインバータ装置を提供すること
にある。
本発明は、自己消弧半導体素子がターンオフした時の回
路インダクタンスに蓄えられるエネルギーをコンデンサ
に蓄え、ターンオフ時にはこの蓄積されたエネルギーを
電源に帰還させることにより、装置の効率の向上を図っ
たものである。
路インダクタンスに蓄えられるエネルギーをコンデンサ
に蓄え、ターンオフ時にはこの蓄積されたエネルギーを
電源に帰還させることにより、装置の効率の向上を図っ
たものである。
以下本発明のインバータ装置の一実施例を従来例と同部
品は同符号を用いて第２図により説明する。
品は同符号を用いて第２図により説明する。
直流電源７は平滑リアクトル８と平滑コンデンサ９によ
り構成される逆り形フィルタを介してＩＮＶＩとＩＮＶ
２が並列に接続されている逆変換部分の入力端子に給電
している。この逆変換部分ＩＮＶＩとＩＮＶ２の構成は
全く同一であるた・め、以下ＩＮＶＩの構成のみを説明
する。直流電源７の正極側は限流リアクトルＩＡを介し
て自己消弧半導体素子２Ａのアノード側に接続されてい
る。この自己消弧半導体素子２Ａには帰還ダイオード３
Ａが並列に接続され、またスナバダイオード４Ａとスナ
バコンデンサ５Ａとが直列に接続されたものが並列に接
続され、更に、スナバダイオード４Ａにはスナバ抵抗器
６Ａが並列に接続されている。自己消弧半導体素子２Ａ
のカソード側は自己消弧半導体素子２Ｂのアノード側に
接続され、この自己消弧半導体素子２Ｂには帰還ダイオ
ード３Ｂが並列に接続され、またスナバダイオード４Ｂ
とスナバコンデンサ５Ｂとが直列接続されたものが並列
に接続され、スナバダイオード４Ｂにはスナバ抵抗器６
Ｂが並列に接続されている。自己消弧半導体素子２Ｂの
カソード側は限流リアクトルＩＢを介して直流電源７の
負極側に接続されている。限流リアクトルＩＡと自己消
弧半導体素子２人との接続点にはコンデンサＩＩＡの一
方の端子が接続され、このコンデンサＩＩＡの他端子は
帰還ダイオード１２Ａのアノード側に接続され、□ こ
の帰還ダイオード１２Ａのカソード側は直流電源７の正
極側に接続されている。自己消弧半導体素子２Ｂと限流
リアク、トルＩＢとの接続点はコンデンサＩＩＢのｉ端
子に接続され、このコンデンサＩＩＢの他端子は帰還ダ
イオード１２Ｂのカソード側に接続され、この帰還ダイ
オード１２Ｂのアノード側は直流電源７の負極に接続さ
れている。
り構成される逆り形フィルタを介してＩＮＶＩとＩＮＶ
２が並列に接続されている逆変換部分の入力端子に給電
している。この逆変換部分ＩＮＶＩとＩＮＶ２の構成は
全く同一であるた・め、以下ＩＮＶＩの構成のみを説明
する。直流電源７の正極側は限流リアクトルＩＡを介し
て自己消弧半導体素子２Ａのアノード側に接続されてい
る。この自己消弧半導体素子２Ａには帰還ダイオード３
Ａが並列に接続され、またスナバダイオード４Ａとスナ
バコンデンサ５Ａとが直列に接続されたものが並列に接
続され、更に、スナバダイオード４Ａにはスナバ抵抗器
６Ａが並列に接続されている。自己消弧半導体素子２Ａ
のカソード側は自己消弧半導体素子２Ｂのアノード側に
接続され、この自己消弧半導体素子２Ｂには帰還ダイオ
ード３Ｂが並列に接続され、またスナバダイオード４Ｂ
とスナバコンデンサ５Ｂとが直列接続されたものが並列
に接続され、スナバダイオード４Ｂにはスナバ抵抗器６
Ｂが並列に接続されている。自己消弧半導体素子２Ｂの
カソード側は限流リアクトルＩＢを介して直流電源７の
負極側に接続されている。限流リアクトルＩＡと自己消
弧半導体素子２人との接続点にはコンデンサＩＩＡの一
方の端子が接続され、このコンデンサＩＩＡの他端子は
帰還ダイオード１２Ａのアノード側に接続され、□ こ
の帰還ダイオード１２Ａのカソード側は直流電源７の正
極側に接続されている。自己消弧半導体素子２Ｂと限流
リアク、トルＩＢとの接続点はコンデンサＩＩＢのｉ端
子に接続され、このコンデンサＩＩＢの他端子は帰還ダ
イオード１２Ｂのカソード側に接続され、この帰還ダイ
オード１２Ｂのアノード側は直流電源７の負極に接続さ
れている。
また、帰環ダイオード１２Ａのアノード側と帰還ダイオ
ード１２Ｂのカソード側は接続されている。
ード１２Ｂのカソード側は接続されている。
なお、自己消弧半導体素子２Ａと２Ｂの接続点は負荷１
０に接続され、負荷１０の他端子はＩＮＶ２の同様の場
所に接続されている。
０に接続され、負荷１０の他端子はＩＮＶ２の同様の場
所に接続されている。
次に本実施例の動作について説明するが、ＩＮＶｌとＩ
ＮＶ２が並列接続されてなる逆変換部分の動作について
は既に公知なので説明を省略し、以下本実施例の特徴部
分のみを説明する。但し、動作については自己消弧半導
体素子２人を代表して説明する。
ＮＶ２が並列接続されてなる逆変換部分の動作について
は既に公知なので説明を省略し、以下本実施例の特徴部
分のみを説明する。但し、動作については自己消弧半導
体素子２人を代表して説明する。
今、自己消弧半導体素子２Ａがターンオフする直前の負
荷電流を１０、限流リアクトルＩＡと配線インダクタン
スの合成値をＬとすると、回路エネルギーは１／２ Ｌ
Ｉ％となる。このエネルギーはコンデ／す１１Ａ（そ
の容量をＣとする）に蓄えられ、この蓄えられた時のコ
ンデンサＩＩＡの端子電圧Ｖｏが直流電源７の電圧Ｅｄ
より高くなるようにコンデンサ容量Ｃが選定されている
。即しである。このため、コンデンサＩＩＡに充電され
たエネルギーは帰還ダイオード１２Ａを通して直流電源
７に帰還させることができる。なお、帰還ダイオード１
２Ａは直流電源７からの電流°がコンデンサＩＩＡに逆
流しないように設けられている。
荷電流を１０、限流リアクトルＩＡと配線インダクタン
スの合成値をＬとすると、回路エネルギーは１／２ Ｌ
Ｉ％となる。このエネルギーはコンデ／す１１Ａ（そ
の容量をＣとする）に蓄えられ、この蓄えられた時のコ
ンデンサＩＩＡの端子電圧Ｖｏが直流電源７の電圧Ｅｄ
より高くなるようにコンデンサ容量Ｃが選定されている
。即しである。このため、コンデンサＩＩＡに充電され
たエネルギーは帰還ダイオード１２Ａを通して直流電源
７に帰還させることができる。なお、帰還ダイオード１
２Ａは直流電源７からの電流°がコンデンサＩＩＡに逆
流しないように設けられている。
本実施例によれば、逆変換部を構成する。自己消弧半導
体素子２Ａ（２Ｂ）に一端が接続され、他端が帰還ダイ
オード１２Ａ（１２Ｂ）を介して直流電源７側に接続さ
れるコンデンサＩＩＡ（ＩＩＢ）を設けることにより、
自己消弧半導体素子２Ａ（２Ｂ）がターンオフした時の
回路インダクタンスに蓄積されたエネルギーをコンデン
サＩＩＡ（ＩＩＢ）に蓄え、この蓄えたエネルギーを直
流電源７側に帰還させることにより、スナノ（コンデン
サ５Ａ（５Ｂ）を比較的小さな容量のコンデンサとする
ことができ、従って、このスナバコンデンサ５Ａ（５Ｂ
）に蓄えられたエネルギーを消費するスナバ抵抗器６Ａ
（６Ｂ）にて消費するエネルギーを小さくして、抵抗損
失を大幅に低減し得る効果があり、装置全体の効率を向
上させることができる。ちなみに、本実施例によれば従
来例と比べてスナバコンデンサ５Ａ（５Ｂ）の容量は１
／１０位に低減させることができ、従ってスナバ抵抗器
６Ａ（６Ｂ）の損失も１／１０程に低減させることがで
きた。
体素子２Ａ（２Ｂ）に一端が接続され、他端が帰還ダイ
オード１２Ａ（１２Ｂ）を介して直流電源７側に接続さ
れるコンデンサＩＩＡ（ＩＩＢ）を設けることにより、
自己消弧半導体素子２Ａ（２Ｂ）がターンオフした時の
回路インダクタンスに蓄積されたエネルギーをコンデン
サＩＩＡ（ＩＩＢ）に蓄え、この蓄えたエネルギーを直
流電源７側に帰還させることにより、スナノ（コンデン
サ５Ａ（５Ｂ）を比較的小さな容量のコンデンサとする
ことができ、従って、このスナバコンデンサ５Ａ（５Ｂ
）に蓄えられたエネルギーを消費するスナバ抵抗器６Ａ
（６Ｂ）にて消費するエネルギーを小さくして、抵抗損
失を大幅に低減し得る効果があり、装置全体の効率を向
上させることができる。ちなみに、本実施例によれば従
来例と比べてスナバコンデンサ５Ａ（５Ｂ）の容量は１
／１０位に低減させることができ、従ってスナバ抵抗器
６Ａ（６Ｂ）の損失も１／１０程に低減させることがで
きた。
以上記述した如く本発明のインバータ装置によれば、自
己消弧半導体素子を用いた効率の良いインバータ装置を
提供することができる。
己消弧半導体素子を用いた効率の良いインバータ装置を
提供することができる。
第１図は従来の自己消弧半導体素子を用いたイ／・・−
夕装置の回路図、第２図は本発明のインバータ装置の一
実施例を示す回路図である。 ２Ａ、２Ｂ・・・自己消弧半導体素子、３Ａ、３Ｂ。 １２Ａ、１２Ｂ・・・帰還ダイオード、４Ａ、４Ｂ・・
・スナバダイオード、５Ａ、５Ｂ・・・スナバコンデン
サ、６Ａ、６Ｂ・・・スナバ抵抗器、７・・・直流電源
、第１ 口
夕装置の回路図、第２図は本発明のインバータ装置の一
実施例を示す回路図である。 ２Ａ、２Ｂ・・・自己消弧半導体素子、３Ａ、３Ｂ。 １２Ａ、１２Ｂ・・・帰還ダイオード、４Ａ、４Ｂ・・
・スナバダイオード、５Ａ、５Ｂ・・・スナバコンデン
サ、６Ａ、６Ｂ・・・スナバ抵抗器、７・・・直流電源
、第１ 口
Claims (1)
- １、 スナバコンデンサとスナバ抵抗器とを直列接続し
たもの等を、自己消弧半導体素子に並列に接続したもの
から成る回路が、各辺を形成するようにブリッヂ接続さ
れて逆変換部を構成し、この逆変換部の入力端子に直流
電源を接続することにより、出力側に接続された負荷に
交流電流を供給するインバータ装置において、自己消弧
半導体素子に一端が接続され、他端がダイオードを介し
て直流入力端子側に接続されるコンデンサを、前記ブリ
ッヂを構成する各辺毎に４個を設け、回路内のインダク
タンスに蓄えられたエネルギーをこのコンデンサに一旦
蓄積した後、このエネルギーを直流電源側に帰還させる
ことを特徴とするインバータ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192867A JPS5895986A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | インバ−タ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192867A JPS5895986A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | インバ−タ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895986A true JPS5895986A (ja) | 1983-06-07 |
Family
ID=16298287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192867A Pending JPS5895986A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | インバ−タ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895986A (ja) |
-
1981
- 1981-12-02 JP JP56192867A patent/JPS5895986A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000116120A (ja) | 電力変換装置 | |
| JPS5895986A (ja) | インバ−タ装置 | |
| JPH01295675A (ja) | 直流電源装置用スナバ回路 | |
| JPH1198832A (ja) | 低損失スナバ回路付きスイッチング電源装置 | |
| JPS586078A (ja) | インバ−タ | |
| JPS6215023B2 (ja) | ||
| JP3070964B2 (ja) | インバータ装置 | |
| JPH09252576A (ja) | 直流−直流変換装置のスナバ回路 | |
| JP2529659B2 (ja) | 自己消弧形スイッチング素子のスナバ回路 | |
| JPH11146648A (ja) | 直流−直流変換装置 | |
| JP2000184710A (ja) | トランス絶縁型ｄｃ−ｄｃコンバータ | |
| JPH09312973A (ja) | 直流−直流変換装置 | |
| JPH0336221Y2 (ja) | ||
| JP3821275B2 (ja) | スナバエネルギー回生回路 | |
| JP2528811B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH0759360A (ja) | 無停電電源装置 | |
| JPH0347437Y2 (ja) | ||
| JP2002218653A (ja) | 電気二重層キャパシタを適用した電力変換装置 | |
| KR920006429Y1 (ko) | 스너버 회로 | |
| JP2538699Y2 (ja) | フルブリッジ型インバータ | |
| JP3250222B2 (ja) | インバータ装置 | |
| JPS62217864A (ja) | インバ−タのスナバ回路 | |
| JPS63154070A (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH07264877A (ja) | インバ−タ回路における半導体スイッチのサ−ジ抑制装置 | |
| JPS61106068A (ja) | 電力変換装置 |