JPS589480A - イメ−ジセンサを用いる撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はイメージセンサを用いる撮像装置に関するもの
である。

最近、入力インピーダンスが高く電圧駆動形の特長を保
ちながら、出力電流が電圧の増加と共に次第に増加し、
三極管と同様に不飽和形の電流電圧特性を示すと共に、
大出力、低歪、低雑音特性を有する静電誘導トランジス
タ（５ｔａｔｉｃ　ＩｎｄｕｃｔｉｏｎＴｒａｎＳＩＳ
ｊＯｒ　ｉ以下頭文字をとってＳＩＴと称する）を用い
たＳＩＴイメージセンサが開発されている。

第１図ＡおよびＢはＳＩＴイメージセンサの７つのエレ
メントの一例の構成を示す断面図およびその等価回路図
を示すものである。このエレメントは読み出し用ＭＯＳ
形ＳＩＴ　／とホトトランジスタ２とから成り、増幅機
能を有する表面照射形で、浮遊領域により形成されたｎ
＋ｐ接合を含むものである。ＭＯ８形ＳＩ’［’　／お
よびホトトランジスターは分離用絶縁領域３で囲まれた
ｐ形」′導体基体ｌに形成され、ホトトランジスターは
表面透明電極ｓ１計層ｔ１ｐ−領域７、ｐ浮遊領域ｇお
よび耐浮遊領域９を有するフローティングエミッタ構造
となッテいる。ｎ浮遊領域９はホトトランジスターのエ
ミッタであると同時に読み出し川［０８形ＳＩＴ／のド
レイン電極ｌ／に接続されている。このドレイン電極ｌ
／上には絶縁層／２を介して導電層／３が被着され、こ
れらドレイン電極ｌ／、絶縁層／２および導電層／３に
より蓄積容量ＯＳを構成している。ＭＯ８形ＳＩＴ　／
のゲート領域（ｐチャンネル）／グはｎ＋浮遊領域９に
接合して形成され、このゲート領域／ｌＩの上方にはゲ
ート酸化膜／ｊを介してゲート電極／４が設けられてい
る。また、ｎ″−のソース領域１７はｐチャンネルのゲ
ート領域／ダに接合して形成され、このソース領域１７
にソース電極／Ｉｆが接続されている。なお、ドレイン
電極／／、導電層／３、ゲート電極／６およびソース電
極／Ｉｆは絶縁層１９により互いに絶縁されていると共
に、ＳＩＴ　／のドレイン電極ｌ／、導電層／３および
ホトトランジスターは絶縁層〃により絶縁されている。

ホトトランジスターの表面透明ｍ極ｓにはｐ−領域７が
空乏化するに十分な正のバイアス電圧■８（＋）が印加
される。また、ＭＯ８形ＳＩＴ　／のゲート電極ｌｌに
はホトトランジスタ２を介して蓄積容量ＯＳに記憶され
た電圧を読み出すための信号を供給するワードライン２
ノが接続され、ソース電極／ｌには読み出された電圧を
出力する読み出し用ビットラインｎが接続される。

以下、動作を説明する。ホトトランジスターの表面透明
電極Ｓにｐ−領域７が空乏化するに十分な正のバイアス
電圧■ｓ（＋）を印加した状態で、該表面透明電極Ｓに
入射光ｈνが入射すると、これにより励起された電子−
ホール対のうち、電子は表面のｎ＋層ｔに直ちに吸収さ
れ、ホールはｐ−領域７に加わっている強電界により加
速されてｐ浮遊領域ざに流れ込み、このｐ浮遊領域ｔを
正に帯電する。ｐ浮遊領域ｒが正に帯電すると、ｎ＋浮
遊領域９との間が順方向にバイアスされることになる。

すなわち、ｎ浮遊領域ワから電子がｐ浮遊領域ｒに注入
され、注入された電子はこのｐ浮遊領域ｔを通過し、高
抵抗のｐ−領域７をドリフト走行して表面のｎ＋Ｍｔに
吸収される。このようにｎ＋浮遊領域９から電子が流出
すると、この領域りも電子が不足して正に帯電されるこ
とになる。

このｎ＋浮遊領域りのｍ位ｖｎ（りは、ｐ浮遊領域ｒが
極めて薄い場合は、 となる。たくし、Ｃｆはｐ浮遊領域ｒの容量、ｑは単位
電荷、８は光子密度、Ｃは光速を表わす。上式から明ら
かなように、電位ｖｎ（ｔ）は入射光量および露光時間
ｔに比例し、Ｏｆに反比例する。したがって、ｐ浮遊領
域ｔの容ｋＩＣｆは小さい程、僅かなホールの流入で大
きな電圧変化を得ることができ、感度を向上させること
ができる。なお、ｎ＋浮遊領域９に接続された蓄積容量
Ｃ６は、フック構造の増幅作用によりＣ８にあまり依存
せずに浮遊ｎ＋ｐ接合が所定の順方向バイアスになるま
でｎ＋浮遊領域９から電子が流れ出すから、この領域り
の電圧値にあまり影響を与えない。

読み出しは破壊読み出しにも、非破壊読み出しにもでき
る。非破壊読み出しを行なう場合には、パルス電圧をワ
ードライン２／を介してＭＯ８形ＳＩＴ／のゲートに加
えて導通させる。ＭＯ８形ＳＩ’Ｉ’　／が導通ずると
、ソース領域／７からｐチャンネルのゲート領域／グを
介して電子がｎ＋浮遊領域ワに流れ込んでｎ＋浮遊領域
９の正電圧■ｎ（ｔ）を低下させるが、このときにはｐ
浮遊領域ｔの電位が増加して浮遊ｎ＋ｐ接合の順方向バ
イアスが深くなるから流れ込んだ電子は直ちに高抵抗の
ｐ−領域７に注入される。したがって、ビットライン刀
の寄生容量ＯＢに殆んどよらない読み出し電圧Ｖ。ｕｔ
を得ることができると共に、ｎ＋浮遊領域９の電位は７
回読み出しが行なわれて一旦低下しても、しばらく時間
が経過するとそれ以前とは（同じように増加し続ける。

このエレメントのリフレッシュは第、２図に示すように
、読み出し用ＭＯ８ｉ　ＳＩＴ　／とホトランジスタ２
との他にリフレッシュ用の５ＩＴｎを設け、このＳＩＴ
　、２Ｊのソースまたはドレイン領域をｐ浮遊領域ざに
接合して形成し、ドレインまたはソース電極をアースに
接続して、ゲート電極にリフレッシュライン２グを介し
て所要のリフレッシュ電圧を印加して５ＩＴ２３を導通
さぜることにより、蓄積容■Ｃ８および容ＪｊｔＣｆの
’ｒｔｊ荷を放電してリフレッシュすることができる。

ＳＩＴイメージセンサは第７図に示したエレメントを例
えば同一半導体基体にマ）　ＩＪツタス状に多数配列し
て構成することができる。第３図はその一例の構成を示
す斜視図である。このＳＩＴイメージセンサ３／は単一
の半導体基体３２に第１図に示すエレメントをマトリッ
クス状に多数配列して受光部３３を形成し、この受光部
３？の近傍に各エレメントに所要の信号を供給するため
の電極３グを設けたものである。このように構成したＳ
ＩＴイメージセンサは以下のような特長を有する。

（ｔ）　　Ｓ　Ｉ　Ｔが直線性の良い不飽和形の電流電
圧特性を有することから、蓄積容量ＯＳにアナログ的に
書き込まれた電圧に対し読み出し電圧を相当広い範囲に
亘って直線的に変化させることができ、したがってダイ
ナミックレンジを極めて広くすることができる。

（２）集積度が高いので個々のエレメントの表面積を極
めて小さくでき、高解像度を得ることができる。

（Ｂ）　　破壊読み出し、非破壊読み出しのいずれも可
能である。

（４）　　増幅率が大きいから、光検出感度が高く、入
射光量が少なくても大きな信号が得られる。

（５）個々のエレメントを独立に駆動できるのでランダ
ムな読み出しが可能であると共に、個々のエレメントの
感度を調整することもできる。

（６）　　チャンネル中の電子の移動度が大きいことか
ら、書き込み／読み出しを高速度で行なうことができる
。

（７）　　リフレッシュ用のＳＩＴを同一基体に形成し
このリフレッシュ用ＳＩＴを選択的に駆動することによ
り容易にリフレッシュすることができる。

以上のようにＳＩＴイメージセンサにおいては、従来の
ＯＣＤイメージセンサやＭＯＳイメージセンサにない優
れた特長を有する。しかしながら、第１図にＳＩＴイメ
ージセンサ３／の受光部３３を拡大して示すように、受
光部３３を構成する各エレメント３には第１図からも明
らかなようにホトトランジスタ部分の受光領域ｎと、そ
の動作を制御するＳＩＴ部分の不感領域３ｇとから成り
、これら受光領域Ｉおよび不感領域３ｒはは〈等しい面
積を有する。このため、集積度によって解像度が制限さ
れ、所望の解像度が得られない場合がある。

本発明の目的は上述した不具合を解決し、高解像度の画
像情報が得られるよう適切に構成したイメージセンサを
用いる撮像装置を提供しようとするものである。

本発明の撮像装置は、各々が受光領域および不感領域を
有する多数の光電変換エレメントを配列した複数個のイ
メージセンサと、これらイメージセンサ上に同一の被写
体像を投影する手段とを具え、前記複数個のイメージセ
ンサをその各々の受光領域が他のイメージセンサの不感
領域を補完し合う位置に配置して、これら複数個のイメ
ージセンサを選択的に読み出すことにより高解像度の画
像情報を得るよう構成したことを特徴とするものである
。

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第５図は本発明の撮像装置の−・例の構成を示す線図で
ある。本例では被写体Ｆ／の同一像をレンズグ２および
ハーフミラーグ３を介して２個のＳ工Ｔイメージセンサ
、？／Ａおよび３／　Ｂに結像ζせる。ＳＩＴイメージ
センサＪ／Ａおよび３／　Ｂ・は第６図に示すようにそ
れぞれ第３図と同様に同一半導体基体３２人。

３２　Ｂにリフレッシュ機能を有するエレメントをマト
リックス状に多数配列して受光部、？、？Ａ、３７Ｂを
形成すると共に、受光部３３に、３３Ｂの近傍に各エレ
メントに所要の信号を供給するだめの電極３１に、３１
１Ｂを形成して構成するが、これらＢＩＴイメージセン
サ、？／Ａおよび３７Ｂは、第７図に拡大して示すよう
に一方のＳＩＴイメージセンサ３／Ａ（３／Ｂ）の多数
のニレメン）　ＪｇＡ（３ｇＢ　）のライン方向に並ぶ
受光領域ｆｆＡ　（３７Ｂ　）が他方のＳＩＴイメージ
センサ３／Ｂ（Ｊ／Ａ）の多数のニレメン）　３ｔＢ（
ＪｇＡ　）のライン方向に並ぶ不感領域３ｆＢ（３ｆＡ
）を補完し合う位置関係に配置する。

このように、２個のＳＩＴイメージセンサ３／Ａ。

Ｊ／Ｂをその各々の受光領域が他のＳＩＴイメージセン
サの不感領域を補完する位置関係に配置すれば、これら
２１固のＳＩＴイメージセンサ、？／Ａおよび、？／　
Ｂを選択的に読み出してその画像情報を合成することに
より解像度の高い画像情報を得ることができる。

第ｒ図は本発明の撮像装置の他の例の構成を示す線図で
ある。本例では２個のＳＩＴイメージセンサ３／　Ａお
よび３／　Ｂを第９図に平面図をも示すように同一半導
体基体３２の同一面に形成し、これらＳＩＴイメージセ
ンサ３／Ａ、、？／Ｂ上に被写体４（／の同一像を結像
させるようにしたものである。このため、レンズグ２か
らの撮像光束をハーフミラーグ３に導き、ハーフミラー
グ３を透過した光束を反射ミラー件およびグ５を介して
一方のＳＩＴイメージセンサ、？／Ａ上に結像させ、ハ
ーフミラーグ３で反射された光束を反射ミラー化を介し
て他方のＳＩＴイメージセンサ３／　Ｂ上に結像させる
よう構成する。勿論、この場合もＳＩＴイメージセンサ
３／Ａ、３／Ｂは上述した実施例と同様に第９図に示す
ように各々のライン方向の受光領域３７Ａ（ｆｆＢ）が
他のＳＩＴイメージセンサのライン方向の不感領域３ｇ
Ｂ（、？ＬＡ）を補完する位置関係に形成する。

このように２個のＳＩＴイメージセンサ３／　Ａおよび
３／　Ｂを同一半導体基体３２上に形成したものを用い
れば、レンズグツ等の光学系に対する位置出しが容易に
できると共に、Ｓ工Ｔイメージセンサ３／Ａおよび３／
　Ｂを含む光学系全体をコンパクトに構成することがで
き、またＳＩＴイメージセンサの量産性も向上すること
ができる等のメリットがある。

第１θ図および第１／図Ａ、Ｂは上述した２個のＳＩＴ
イメージセンサ３／　Ａおよび３／　Ｂから画像情報を
読み出す走査の一例を説明するための線図である。本例
ではＳＩＴイメージセンサ、？／Ａおよヒ３／　Ｂに第
１Ｉ図ＡおよびＢにそれぞれ示すような交互に繰り返す
垂直走査信号を供給することにより、一方のＳＩＴイメ
ージセンサ３１Ａを最上列から最下列まで順次走査して
一画面の走査が終了した後、他方のＳＩＴイメージセン
サ、？／Ｂを同様に最上列から最下列まで一画面走査し
、以後これらＳＩＴイメージセンサ３／　Ａおよび３／
　Ｂの一画面の走査を交互に繰り返し行なう。このよう
にすれば、一方のＳＩＴイメージセンサ３／　Ａを一回
一面走査したときには不感領域があるため、像の信号と
しては水平方向に一行おきに信号を取り込むことになる
が、次に他方のＳＩＴイメージセンサ３／Ｂを一回一面
走査することにより前のＳＩＴイメージセンサ、？／Ａ
の走査で得られなかった像の部分の信号を取り込むこと
ができる。すなわち、Ｓ工ＴイメージセンサＪ／Ａおよ
び３／　Ｂを一画面交互に走査することにより、互いの
不感領域を補完し合ったいわゆるインターレース走査を
行なうことになるから、完全に像を取り込むことができ
、したがって解像度の高い画像情報を得ることができる
と共に、これをモニタする場合にちらつきを少なくする
ことができる。

以上のように、２個の、Ｓ工ＴイメージセンサＪ／Ａお
よびｊ／Ｂの各画面を交互に走査することにより、高解
像度の画像情報を得ることができる。

しかしながら、各ＳＩＴイメージセンサにおいて二次元
的に配列したエレメントの数が多くなると、ＳＩＴイメ
ージセンサはリフレッシュ時間が１００μｓ程度と長い
ために、このリフレッシュ時間により各ラインの信号読
み出しのタイミングが制限されるという問題がある。例
えば、１つのＳＩ’Ｉ’イメージセンザの順次のライン
がそれぞれ５００個のエレメントで構成され、各エレメ
ントをｉｏｏ　ｎｓのビットパルスで順次に読み出し、
ｌラインの読み出し終了に同期して当該ラインを同時に
リフレッシュしようとすると、ｌラインの読み出しが５
ｏｐｓであるのに対し、リフレッシュが７００μｓと長
くかかるため、常に複数のラインがリフレッシュ状態と
なり、消費電力の増加およびこれに伴なう発熱等の点で
好ましくない。これを避けるためには、順次のラインの
読み出しを、あるラインのりフレッシュ終了後、次のラ
インの読み１１１シを開始するようにして順次のライン
においてリフレッシュ状態が重ならないようにすればよ
いが、このようにすると７画面の走査に長時間を要する
不具合がある。

以下、このような不具合を解決し、リフレッシュ時間に
影響きれることなく各エレメントを順次て説明する。

第７２図は１つのＳＩＴイメージセンサの等価回路の一
例を示すものである。第１２図において、各エレメント
３ｔは読み出し用５ＩＴ５／およびリフレッシュ用５Ｉ
Ｔ３２を接合形で構成した点以外は第２図と同様である
ので第２図と同一部分は同一符号を付して表わす。各エ
レメント３乙のワードラインおよびリフレッシュライン
はｌライン毎に共通のワードラインφＷおよびリフレッ
シュラインφＲにそれぞれ接続する。この場合ＶＣは、
ワードラインφ７を高レベルにした状態でｌラインのエ
レメントのビットラインφＢ工〜φＢｎを順次低レベル
にすることによりｌラインの各エレメント３乙の画素情
報を順次読み出すことができ、またリフレッシュライン
φＲを低レベルにすることにより、ｌラインの各エレメ
ント３≦を同時にリフレッシュすることができる。

第７３図は２つのＳＩＴイメージセンサ３／Ａおよび３
／　Ｂの具体的な結線を簡略化して示すものであり、一
方のＳＩＴイメージセンサ３／　ＡにおけるφＷａ−’
ｌ　ｌ−ドラインφＷに相当し、Ｓ工Ｔイメージセンサ
Ｊ／Ａに２けるφＢａ−１’φＢ’ａ−２’・・・、φ
Ｂａ−ｎおよびＳＩ’Ｉ’イメージセンサ３／　Ｂにお
けるφＢｂ−１１φＢｂ−２’・・・。

φＢｂ−ｎは第７２図のビットラインφＢｖＬｃ、−１
またＳＩＴイメージセンサ３／　ＡにおけるφＲａ−１
’φＲａ−２’・・・。

φＲａ−ｎおよびＳＩ’Ｉ’イメージセンザ３／　Ｂに
おけるφＦｊｂ−１’φＲｂ−２’・・・、φＲｂ−ｎ
は第１２図のリフレッシュライン軸にそれぞれ相当する
。

第１グ図は第７３図に示したＳ工ＴイメージセンサＪ／
Ａおよび３／Ｂの駆動回路の構成を示すブロック図でア
ル。ＳＩＴイメージセンサ３１Ａおよび３／Ｂの各ヒツ
トライン（第１３図においてφ　　〜φ１３ａ−１１３
ａ−ｎ　　Ｉ φＢｂ−０〜φＢｂ−ｎ　）にはビットラインパルス発
生器６／から所要のパルスを供給し、その画素情報は読
み出し回路ｇ２に供給する。また各センサＪ／Ａおよび
３／Ｂのワードライン（第１３図においてφＷａ−０〜
φＷａ−ｎ　＋　９’Ｗｂ−０〜φｗｂ−ｙｌ　）には
ワードラインパルス発生器≦３からワードラインゲート
６ＩＩおよび４ｊを介して所要のパルスを供給し、リフ
レツＸ　シュライン（第１３図においてφＲａ−１〜φ
Ｒａ−ｎ　。

φＲｂ−１〜φＲｂ−ｎ　）にはりフレッシュラインパ
ルス発生器≦６からりフレッシュラインゲート６７およ
び６ｔを介して所要のパルスを供給する。なお、リフレ
ッシュラインゲートｔ７およびｔｒはそれぞれワードラ
インゲート６ｑおよび討により駆動制御する。

次に第１４１図に示す駆動回路の動作を第１３図および
第Ｂ図Ａ、Ｂ、Ｏ，Ｄに示すタイミングチャートを参照
しながら説明する。なお、以下の説明では、各ＳＩＴイ
メージセンサＪ／Ａ　、　３／Ｂのｌラインの読み出し
時間がＳθμＢ、ＩＪフレッシュ時間が１００μｓとす
ると共に、ビットラインについては従来のイメージセン
サと変わらないので説明を省略する。先ずＳＩ’Ｉ’イ
メージセンサ、？／Ａの順次のワードラインφＷａ−１
〜φｗａ−ｎにワードラインパルス発生器ｔ３からワー
ドラインゲート６ケを介して、第１ｊ図Ａに示すように
あるラインの読み出し終了と次のラインの読み出し開始
とが同期するようにパルスＩ１％Ｉ　ｓθμｓのワード
パルスを順次供給し、これにより一画面の画像情報を読
み出し回路≦２で読み出す。ＳＩＴイメージセンサＪ／
Ａの最初の７ラインの読み出しの終了に同期して、ワー
ドラインゲートｔｌＩからリフレッシュラインゲート６
７に所要の信号を供給し、これによりリフレッシュライ
ンパルス発生器Ａ４からリフレッシュラインゲート乙７
を介してリフレッシュラインφＲａ−１〜φＲａ−ｎ　
ニｔＡ　／！；図Ｃに示すように第１ラインから最終ラ
インに向けて第１ｊ図Ａに示すワードパルスとは無関係
に前フレッシュの開始とが同期するようにパルス幅１０
０μｓのリフレッシュパルスを順次供Ｍ　ｔ　ル。

ＳＩＴイメージセンザ３／Ａの最終ラインの読み出しの
終了、すなわち第ｉｓ図Ａに示すワードラインφ　　へ
のワードパルスの立下りに同期して、ワａ−ｎ −ドラインパルス発生器名３からワードラインゲー−）
４３を介してＳＩＴイメージセンサ３／Ｂのワードライ
ンφｗｂ−０〜φｗｂ−□に第１３図Ｂに示すように第
１Ｓ図Ａの場合と同様に５θμｓのワードパルスを順次
供給してＳＩＴイメージセンサ３／Ｂの一画面の画像情
報を読み出し回路６２により読み出す。このＳＩＴイメ
ージセンサ３／Ｂのリフレッシュは、第１ｊｌＪ。

に示したＳＩＴイメージセンサｎＡの場合と同様に、Ｓ
ＩＴイメージセンサ３／Ｂの最初のｌラインの読み出し
の終了に同期して、ワードラインゲート６ｊからリフレ
ッシュラインゲートｔｒに所要の信号を供給し、これに
よりリフレッシュラインパルス発生器６ｇからリフレッ
シュラインゲートｔｔを介してリフレッシュラインφＲ
ｂ−１〜φＲｂ−ｎに第１ｊ図りに示すように、第１ラ
インから最終ラインに向けて第１ｊ図Ｂに示すワードパ
ルスとは無関係に前のラインのリフレッシュの終了と次
のラインのりフレッシュの開始とが同期するようにパル
ス幅１００μｓのリフレッシュパルスを順次供給して行
なう。

ＳＩＴイメージセンサ３／Ｂの一画面の読み出しが終了
した後は、その終了に同期してＳＩＴイメージセンサ、
？／Ａの読み出しを開始し、以後上述した動作を繰り返
し行なう。

上述したところから明らかなように、本実施例によれば
ｌラインの読み出し時間に比してリフレッシュ時間が長
い場合でも、一方のＳＩＴイメージセンサが鋤いている
間に他方のＳＩＴイメージサンサのリフレッシュを完了
させることにより、Ｓ工Ｔイメージセンサ−画面の読み
出し時間に何ら遅れを出すことなしに、しかもｌライン
のリフレッシュヲ同−Ｓ工Ｔイメージセンサの他のフィ
ンと重複してリフレッシュすることなく順次リフレッシ
ュすることができる。

なお、本発明は」二連した例にのみ限定されるものでは
なく、幾多の変形または変更が可能である。

例えば、上述した実施例では２個のＳＩＴイメージセン
サを用いたが、各エレメントにおいて受光領域よりも不
感領域の面積が大きいときには更に多くのＳＩＴイメー
ジセンサを用いてそれぞれの不感領域を他のＳＩＴイメ
ージセンサの受光領域で補完するようにすることもでき
る。また、上述した例でハイわゆるインターレース走査
により画像情報を読み出すようにしたが、−個のＳＩＴ
イメージセンサをライン毎交互に読み出すいわゆる順次
走査により画像情報を得ることもできる。更に、各ＳＩ
Ｔイメージセンサにおける受光領域および不感領域は必
ずしもラインに沿って配列する必要はない。

更にまた、本発明はＳＩＴイメージセンサのみならず、
ＯＣＤイメージセンサやＭＯＳイメージセンサ等を用い
ることもできる。

以上述べたように本発明によれば複数個のイメージセン
サを用い、その各々の不感領域を他のイメージセンサの
受光領域で補完するようにして、これら複数個のイメー
ジセンサを選択的に読み出すようにしたから高解像度の
画像情報を得ることができると共に、特に上述した実施
例のように２個のイメージセンサを交互にインターレー
ス走査して画像を映出する場合にはちらつきを少くする
ことができる。

また、イメージセンサの７ラインの読み出し時間に比し
てリフレッシュ時間が長い場合でも、複数個のイメージ
センサを用いることによりあるイメージセンサが榊いて
いる間に他のイメージセンサのリフレッシュを完了させ
ることができるから、読み出し時間に何ら遅れを出すこ
となしに、しかも／ラインのリフレッシュを同一イメー
ジセンサの他のラインと重複してリフレッシュすること
なく、順次リフレッシュすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ＡおよびＢはＳＩ’Ｉ’イメージセンサの７個の
エレメントの一例の構成を示す断面図およびその等価回
路図、 第２図はリフレッシュ機能を有するＳＩＴイメ−第３図
はＳＩＴイメージセンサの外観斜視図、第１図は第３図
に示すＳＩＴイメージセンサの受光部の一部を拡大して
示す図、 第３図は本発明の撮像装置の一例の構成を示す線図、 第を図は第３図に示す撮像装置に用いる２個のＳＩＴイ
メージセンサの外観斜視図、 第７図は第を図に示す２個のＳＩＴイメージセンサのそ
れぞれの受光部の一部を拡大して示す図、第ｒ図は本発
明の撮像装置の他の例の構成を示す線図、 第９図は第に図に示す２個のＳＩＴイメージセンサの構
成を示す平面図、 第１θ図および第１／図Ａ、Ｂは第Ｓ図および第を図と
おいて２個のＳＩＴイメージセンサから画像情報を読み
出す走査の一例を説明するための線図、第７２図はＳＩ
Ｔイメージセンサの等価回路図、第７３図は２個のＳＩ
Ｔイメージセンサの配線状態を簡略化して示す線図、 第１グ図は第７３図に示す２個のＳＩＴイメージセンサ
の駆動回路の一例の構成を示すブロック図、第１ｊ図Ａ
、Ｂ　、ＯおよびＤはその動作を説１νＪするための信
号波形図である。 ／・・・読み出し用ＳＩＴ、、２・・・ホトトランジス
タ、〃・・・ワードライン、ｎ・・・ビットライン、ｎ
・・・リフレッシュ用ＳＩＴ　、　ｘｑ・・・リフレッ
シュライン、３１゜、？／Ａ　、　３／Ｂ・・・ＳＩＴ
イメージセンサ、３２　、　、？、２Ａ　、　３２Ｂ・
・・半導体基体、３３　、３３Ａ、　３３Ｂ・・・受光
部、３グ、３グＡ３’ｌＢ−・・電極、３６．　、？、
＜Ａ　、　ＪＯＢ　・・・、Ｉ　Ｌ、メント、ｎ。 、？７Ａ　、　Ｊ７Ｂ・・・受光領域、３ｇ　、　３ｇ
ｋ　、　ｊｇＢ・・・不感領域、ｌＩｌ…被写体、グ２
・・・レンズ、グ３・・・ハーフミラ−１件。 ａＳ　、　Ｕ・・・反射ミラー、３／・・・読み出し用
ＳＩＴ　、　見・・・リフレッシュ用ＳＩＴ、４／・・
・ビットラインパルス発生器、６２・・・読み出し回路
、６３・・・ワードラインパルス発生器、４４（、ｔ！
…ワードラインゲート、ｚ６・・・リフレッシュライン
パルスＪＩＪ［、に７．乙に・・・リフレッシュライン
ゲート。 第１図 ｒＡ＞ （Ｂ） 第５図 第６図　ゴｄ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　各々が受光領域および不感領域を有する多数の光電
   変換エレメントを配列した複数個のイメージセンサと、
   これらイメージセンサ上に同一の被写体像を投影する手
   段とを具え、前記複数個のイメージセンサをその各々の
   受光領域が他のイメージセンサの不感領域を補完し合う
   位置に配置して、これら複数個のイメージセンサを選択
   的に読み出すことにより高解像度の画像情報を得るよう
   構成したことを特徴とするイメージセンサを用いる撮像
   装置。 ＆　前記複数個のイメージセンサの各々を、各イメージ
   センサの複数の画素列を所定の画素列から順次読み出す
   手段と、前記所定の画素列の読み出し終了に同期して当
   該所定の画素列から順次の画素列を互いに重複しないよ
   うに画素列毎にリフレッシュする手段とを設けたことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメージセンサ
   を用いる撮像装置。