JPS5893149A - 電子増倍装置 - Google Patents

電子増倍装置

Info

Publication number
JPS5893149A
JPS5893149A JP57183603A JP18360382A JPS5893149A JP S5893149 A JPS5893149 A JP S5893149A JP 57183603 A JP57183603 A JP 57183603A JP 18360382 A JP18360382 A JP 18360382A JP S5893149 A JPS5893149 A JP S5893149A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dynode
electron multiplier
input
electron
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57183603A
Other languages
English (en)
Inventor
アンドリユ−・ジヨン・ゲスト
デレク・ワシントン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPS5893149A publication Critical patent/JPS5893149A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • H01J43/18Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/22Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind

Landscapes

  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、互いに絶縁された導電性シート状のfイ/−
)’の積層1体を有する積層チャネルプレート型の電子
増倍装置であって、チャネルが前記の積層体を羊の入力
ダイノードから出力ダイノードまで貫通しており、各チ
ャネルがダイノードにおいて整列された孔を有しており
、これら孔のすべての最大横断面寸法がほぼ同じであり
、少くとも前記の孔の壁部が、露出した二次電子放出面
を有しており、更に、入力ダイノードの外側面の付近に
リペリング電界を生ぜしめうる手段を具えた電子増倍装
置に関するものである。
また本発明は、積層チャネルプレート型電子増倍装置を
有する陰極線管にも関するものである。
このようなチャネルプレート型電子増倍装置お・よびそ
の製造方法は英国特許第1,484,05δ号;1・ 明細書に記載されている。使用に当っては、ダイ、ノー
ドtf1%入力側から出力側にかけて順次に増大する正
の直流電圧に保持される。電子がチャネルの入力ダイノ
ードの孔の壁部に当たることにょう多歇の二次電子が生
ぜしめられ、これらの二次電子がチャネルを通うで次の
より正のダイノードの孔の壁部に当たり、ここで更に二
次電子放出増倍作用が行なわれる。この作用が各チャ永
ルの長さ全体に亘って繰返され、入力電子流にほぼ比例
して着しく増大された出力電子流が生ぜしめられる。
チャネルプレートは、陰極線管の電子ビームの走査、例
えばう大声走査により供給される電子像を増強するのに
用いることができ、或いは放射像−を受ける充電陰極に
よって供給される電子像を増・・°強するのに用いるこ
とができ、後者の場合放射像によって光電子を励起し、
これら光電子が対応する電子像としてチャネルプレート
の入力面に供給される。これら゛のいずれの場合でも、
電子はチャネルプレートの第1ダイノードの入力面のう
ち、チャネル間に存在する部分に当たり、これにより二
次電子を励起し、゛これら二次型4手の放出エネルギー
および方向の広がりの為にこれら二次電子がチャネルプ
レートの前方の空間中の軌道をたどり、チャネルプレー
ト〜がこれら二次電子をこれらの発生点から離れたチャ
ネル内に運んでしまうおそれがある。従って、各チャネ
ルがある範囲の距離だけ離れたチャネルにおけるもとの
入力電子密度に比例する追加の入力電子を受けることに
より、像のコントラストおよび解像度が劣下する。
シート状のダイノードはアルミニウム・マグネシウム或
いは鋼・ベリリウムのような合金から造ることができ、
この合金は後に酸素雰囲気中で加熱することにより゛活
性化してダイノード全体に口っで二次電子放出係数の高
い表面が得られるようにする。従って、入力面はコント
ラストを劣下させる程度に不所望に高い二次電子放出係
数を有しでいる。或いはまた、ダイ−ノードは、−えは
二次電子放出係数を4或いは6とする為に氷晶石で被覆
したシート鋼か゛ら造ることができる。この場合も、氷
晶石の被覆を孔の内側のみに制限するのは実際的でなく
、入力面が不所望に高い二次電子放出係数を有するよう
になる。
英国特許第g、09G、049ム号明細書には、入力電
子が孔間の二次電子放出面に当たり、不所望な二次電子
を生ぜしめ、これら二次電子が入力ダイノードの表面に
亘って広がり、これら二次電子の発生点から離れたチャ
ネル内にこれら二次電子が入り込み、これにより、表示
すべき像のコントラストおよび解像度を劣下させる悪影
響を減少させる目的で、入力ダイノードの入力面゛の前
方に正或いは負の電界を生ぜしめる網状のグリッドを用
いることが記載されている。この−網状のグリッドによ
って生ぜしめられる電界はコントラストおよび解像度の
改善に有効に寄与しうるが、依然として他の改善策を求
めるのが望ましい。
これに関連して英国特許第2,080,016A号明細
書には、2.0よりも小さい二次電子放出係数を有する
材料の層を入力ダイノードの先細孔間でこの人力ダイノ
ードの最外側表面上に設けることにより積層チヤネ“ル
プレート型電子増倍装置のコントラストを改善すること
が記載されている。通常この材料は炭素であり、前記の
入)カダイノードの蛾外側表品と接触して配置されてい
る有孔キャリアシート上に堆積されている。この材料の
層は・発生する不所望な二次電子の数を減少せしめるも
、この不所望な二次1電子の発生を無くすことができな
い。従って、8よりも小さな二次電子放出係数を有する
材料の層を孔間の最外側表面上に設けた入力ダイノード
と相俟って、英国特許第2.090,049ム号明細書
に記載されたような正或いは負電界発生手段を用いて不
所望な二次電子の広がりを減少せしめるのが有利である
これらの技術は、人力ダイノードの最外側表面における
孔間の面から多数の二次電子が生じることによるコント
ラストの損失を減少せしめるのに大きな効果があるが、
漏洩二次電子が入力ダイノードにおいて内方に先細とな
った各孔の周縁から逃げて隣接チャネルに入るか或いは
チャネルに全く人らないようになるのを防止するには殆
んど効果がない。二次電子がこれらに関連する孔内に入
らないということは17.チャネルの利得が減少すると
ともに、空間情報の場合にはこの情報が正確に表示され
ないということを意味する。
本発明の目的′&ま上述した欠点を除去することにあり
、本発明は、リペリング電界を生ぜしめうる前記の手段
が、入力ダイノードの外側面から絶縁された有孔シート
を具え、この有孔シートの孔を入力ダイノードの孔と位
置合わせして配置するとともに人力ダイノードの外側面
における孔の開口部と少くとも同じ大きさとなるように
することにより、積層チャネルプレート型電子増倍装置
の利得を改善しうるという事実を確かめ、かかる認識を
基に成したものである。
有孔シートと入力ダイノードとの間に与えられるリペリ
ング電界(不所望な方向に進む二次電子を所望な方向に
戻す電界)は人力ダイノードの孔の表面で生じる二次電
子をこれらに関一連するチャネル内に向け、これにより
これら二次電子が人力ダイノードに亘って漏洩するのを
防止する。漏洩二次電子をこれらに関連するチャ、ネル
内に四けることにより、入力ダイノードの利得が着しく
良くなり、コントラストが可成り改善される。
所望に応じ、人力ダイノードの外側面における孔の開口
部間の領域或いは有孔シートの表面のうち人力ダイノー
ド側とは反対側の表面を、二次電子放出係数が−よりも
小さな材料でマスクすることができる。マスク材料を設
けることにより、漏洩二次電子の放出が、人力(第1)
ダイノードの孔の壁部のうち第2ダイノードの電界によ
ってほんのわずかたけ影響を受ける部分に殆んど制限さ
れるだけであるという利点が得られる。しかし、入力ダ
イノードの孔の壁部から放出される二次電子はリペリン
グ電界により戻されなければその80%よりも多くが漏
洩となるということを確かめた。
前記の材料の二次電子放出係数が小さくなればなる程、
コントラストの改善は多くなる。電子装置における二次
電子放出の抑圧(抑圧しなければ電子装置の作動に妨害
を及ぼす)は多数の技#者によって研究されている課題
であり、その概論がRe1nhold Publ、ia
hing 0orp、によって出版された本″Hand
book of’ Materials and Te
chniquesfor Vaouum Device
sg ”の第19章のlll569〜6フ1頁に記載”
されている。光学的に黒のいかなる置品質の層の二次電
子放出係数も平滑なコヒーレント層の二次電子放出係数
よりも着しく小さいということは知られている。グラフ
ァイト或いはすすの形態の炭素は小さな二次電子放出係
数を有するも、グラファイトおよびすすの双方はチャネ
ルプレート型の電子増倍装置に用いるのに望ましくない
。その理由は、炭素粒子がチャネル内に入り込むのを防
止するのが困雌である為である。チャネルプレート全体
で任意の数個のチャネルのみが劣下する場合には、撮像
装置の場合の増強像が許容しえない!il!に悪くなる
おそれがある。しかし、炭素をキャリアシートとして作
用する有孔シート上に電子ビーム蒸着層として設ける場
合には、高密度で強力に固着した炭素層が得られる。或
いはまた、−素層は気相成長により有孔シートに被着す
ることができる。
有孔シートは、この有孔シートを軟鋼とする場合にはガ
ラスのような絶縁離間材料によって入力ダイノードから
絶縁することができる。
以下図面につき説明する。
第1図はバー7ダイノード18の対よりなるダイノード
を有する従来のチャネルプレート型電子増倍装置lOを
示す断面図である。第2およびそれ以後のダイノードに
おける孔14は、英国特許第1.484,058号明細
書に記載されているようにダイノードの効率を最適にす
る為にたる状となっている。バー7ダイノード12にお
ける牛たる状の孔は腐食により形成することができ、こ
の場合テーパーを有する各半たる状の孔の壁部16には
、孔内に高二次電子放出の層を形成する処理の一部とし
て必要としうる蒸着層を設けつる。各列における孔14
は隣接の列における孔からずらして配置し、これらの孔
がデルタ(Δ)配置となるようにすることができる。バ
ー7ダイノード18の対と有孔絶縁分離層18とは積層
体として積重ねられている。使用に際しては、電位V、
 、 V、 。
、′、1ll V@ m −−−−−V rt夛:イノードに印加する
。v8はVに対して最も大きな正の電位であり、Vsは
vnに対して次に大きな正の電位であり、以下同様であ
る。隣接の電位間の差は代表的に800ボルトである。
電子増倍工程中電子がたどる軌道を一例として20で線
図的に示す。
電位vnが印加される第1すなわち入力ダイノード!8
は、テーパーを有する半たる状の孔の直径が大きい方を
到来電子24の方向に面するように配電した1つのバー
7ダイノードである。このバー7ダイノードに二次電子
放出被膜を形成すると、テーパーを有する半たる状の孔
9#11部と同様に平坦面にも二次電子放出被膜が形成
される。原理的には、二次電子放出被膜形成処理に際し
平坦面をマスクしておくことができるも、マスク処理を
省略した方が製造が容易となる。従って、平坦面は、半
たる状の孔の壁部と同一で意識的に高くした二次電子放
出係数を有する。従って、この平坦面上に当たる入力電
子24により可成り多数の二次電子を放出せしめるも、
これらの二次電子はその初期二本ルギーおよび方向の理
由で入力ダイノードS!の前方の空間中にそれてしまう
忌入力ダイノード2gの直前の空間における電界は一般
に低い。
例えば、英国特許第1,484,058号明細書に記・
載されているように螢光スクリーンの前方にチャネルプ
レート型の電子増倍装置を有する陰極線管においては、
チャネルプレートの入力側の方向に極めて弱い電界が向
いているだけである。その理由は、陰極線管の電子ビー
ムをその最終速度に加速するのを、チャネルプレート型
の電子増倍装置から離れたある距離の位置で行なってい
る為である。従って、人力ダイノードの外側の面から放
出された二次電子は入力ダイノードs2に戻りうるち、
これら二次電子は、入力ダイノード22を横方向に沿う
ように移動させる軌道をたどった後にのみ戻るものであ
る。従って、このような二次電子はこれら二次電子の発
生点から離れたチャネル内に入るおそれがある。この場
合、チャネルプレート型の電子増倍装置によって送出さ
れる電子像のコントラストおよび解像度は、ある距離範
囲のチャネルにおいて各チャネルが二次電子発生点のチ
ャネルの入力電子密度に比例して追加の入力電子を受け
ることによって劣下する。
この問題を軽減させる1つの方法は、電子増倍装置の作
動に当って平坦面をマスクし、実効的な二次電子放出係
数をできるだけ減少させることである。英国特許第g、
oso、o1aム号明細書では、第1図に破線で宗すよ
うにキャリアシー)[#!1ダイノー ド22の平坦な
外側面上に配置する方法が提゛案されている。このキャ
リアシート26は、第1ダイノード22の孔と一致し、
この第1ダイノードの入口孔を妨害しない孔を有してお
り、このキャリアシートの固体部分が第1ダイノードの
平坦面のほぼ全体をマスクするようにしている。
また、キャリアシート26の外側面には電子ビーム蒸着
した炭素の層28が設けられている。このような層28
は、キャリアシートのみの存在下で電子ビーム衝撃によ
り炭素片を真空中で極めて高い温度まで加熱することに
より形成する。この場□合、キャリアシート26上に炭
素が蒸着され、0.8〜1.8の二次電子放出係数を有
)し、高密度で固着性の強い炭素層が形成される。この
炭素層s8の二次電子放出係数はずす或いは粉末グラフ
ァイトのように低くならないが、この炭素層はすす或い
は粉末グラファイトのいずれよりも機械的にざらざらし
ており、しかもこの炭素層の二次電子放出係数は、孔の
壁部上に用いることができる例えば氷晶石の二次電子放
出係数(4〜5)よりも充分小さく、2よりも小さい。
作動に当っては、入射電子24を理想的には入力ダイノ
ード22における孔14の先細壁部16上に当てて二次
電子を生ぜしめ、第2ダイノード等に入射せしめるべき
これら二次電子をチャネル内に引き入れる。しかし、先
細壁部16上で、特に電子増倍面のうち第8ダイノード
′から最も遠くに位置する部分上で生じる二次電子部分
は、これらを入力ダイノードから外部に導く軌道を追従
するのに充分な二本ルギーを有し、従ってこれらの二次
電子の−゛部が他のチャネルに入ってしまうということ
管確かめた。このことは、コントラスト、ゎずtP&:
減少、し呵−4f tp’) ’t’。よヶ<1.ヤあ
ルの利得をある個所で減少させるとともに他の個所で増
大せしめるおそれもあるということを意味する。この状
態を第1図に示す電子増倍装置の左上部の孔内に示す。
入力ダイノード22における関連の孔を通らない軌道を
追従する二次電子部分はこの孔の壁部16から生じる二
次電子の80%よりも多くなるおそれがある。
この問題による悪影響を減少させ、チャネルプレー゛ト
型電子増倍装置の全利得を高める為←は、孔の一部16
から放出され入力ダイノード22の他の孔に導く軌道を
追従するおそれのある低エネルギーの二次電子を、これ
らに関連する孔を通るように^かす小さな負の電界(リ
ペリング電界)を入力ダイノードの前方に与えればよい
ということが確かめられている。
このような電界を与える簡単な方法は、グリッドを人力
ダイノード22の外側面かられずかの距−1例えば80
μ■の距離の位置に配置し、このグリッドに入力ダイノ
ード82に対してわずかに負の電圧、代表的には一10
V程度の電圧を印加する方法である。。しかし、電子増
倍装置lOの前方に簡単な網状のグリッドを設ける場合
、孔間の平坦面が前述したように不所望な二次電子を自
由・に放出するようにしている。
第8図は、孔間の平坦面を二次電子放出係数の小さい材
料でマスクしうるようにするとともに、入力ダイノード
の孔の壁部16から放出されるいかなる漏洩二次電子を
も・戻すようにする小さな負の電界を生ぜしめるように
した本発明装置の部分80を示す。
ダイノードの製造およびこれらダイノードを積層体とし
て組合せるのは第1図と同じであり、従ってこれらにつ
いてはここで再び説明しない。装置部分80は有孔キャ
リアシート8sを有し、このキャリアシートの孔のピッ
チを入力ダイノードの孔のピッチに一致させ、このキャ
リアシートの孔の直径寸法は入力ダイノード82の孔の
最大直径に一致させる。このキャリアシート8gの一方
の面には、二次電子放出係数が2よりも小さな真空蒸着
炭素のようなマスク材料より成る層84を設ける。この
キャリアシートの反対側の面上には電気絶縁性の離間材
料86、例えばガラスを設ける。この装置部分80は入
力ダイノード22に夕ランプ或いは接着させることがで
きる。作動に当っては、人力ダイノード22に対して代
表的にはlOポル)だけ負として、電圧Vgをキャリア
シートδ2と入力ダイノード2zとの間に印加する。
この追加のグリッドすな6ち装置部分8oにより#11
ダイノード22の利得が50%だけ高まり、更に第1ダ
イノード上にマスク層(炭素層)28を設けたちのく第
1図)に比べてわずかではあるが感知しうる程度にコン
トラストが増大するということを確かめた。
装置部分δ0を製造する方法は以下の通りである。
キャリアシート82の孔を積層体の入力面全体にIつで
人力ダイノードf2の孔と正確に位置合わせさせる為に
、キャリアシートの製造に対する出発点としてバー7ダ
イノードを用いる。ハーフダイノード自体は代表的には
・、・:ダイノードの積層体において対応する孔が互い
に位置合わせされるように親型を用いて孔を光化学的に
腐食形成したシート軟鋼から造る。先細孔を拡大してこ
れらの孔がシート材料の厚さ方向においてほぼ一定の断
面を有するようにする為に、二次電子放出層で被覆され
ていない有孔ハーフダイノードを、大きな直径の孔を有
する側で接着性のプラスチック材料のフィルムで被覆し
、次にこのハーフダイノードを反対側から腐食して小さ
な孔の直径を大きな孔の直径にほぼ等しくなるまで大き
くするとともに、その厚さを減少させる。次にこのフィ
ルムを除去する。
絶縁性の離間材料86はキャリアシートδ2の一方の面
に被着する。本例ではキャリアシートを軟鋼とした為、
適当な離間材料は、スクリーン印刷や、電気泳動や、沈
降によって被着しうるガラスである。被着後にこのガラ
スを加熱する。離間材料86を設けるに当っては、これ
をドツトとして或いは例えば直1!I又は曲がりくねっ
た線又は曲1 線とすることので、′きるラインとして或いはその双方
として被着することができる。キャリアシートをアルt
’=ウムとする場合には、陽極処理により絶縁性を得る
ことができる。
炭素層(マスク材料層)84は電子ビーム蒸着1により
キャリアシート8雪の他方の面に被着する。
この被着は層gs(Ilx図)につき前述したように1
常のようにして行なう為、ここに再び説明しない。
装゛一部分80は電子増倍装置10にクランプすること
ができるも、一般にはこの装置部分8oを入力ダイノー
ド22に接着してこれらの間が正確に離間された状態が
維持されるようにするのが好ましい。この接着は種々の
方法で1例えばポリイミド樹脂接着剤やシルバック(5
ilvao :商品名)めような高真空接着剤を用いる
ことにより、或いは離間材料86に対して用いたガラス
よりも軟化温度の低いガラスを用いることにより行なう
ことができる(このような技術は英国特許第1.4(H
!、649号明細書に記載されている)。
装置部分♂Oの素子の相対寸法の一例として、中ヤリア
シート82の厚さを80および100μ禦間の厚さとし
、炭素より成るマスク層84の厚さを600人とし、ガ
ラスの離間材料86の厚さを・80#謹とする。
本発明の図示しない他の例では、第1図における炭素マ
スク層18から離間してグリッドを設けることができる
。しかし、このような構成のものは第2図につき説明し
たものに比べて造るのが一層複雑である。
積層構造のチャネルプレート型電子増倍装置は種々の公
費に適用でき、特にビデオ信号を表示する為に用いられ
る陰極線管に適用しうる。第8図は、電子銃44が゛内
部に設けられた頚部を有する容器4gと、積層チャネル
プレート型電子増倍装置10左、この電子増倍装置lO
に隣接するもこれから離間されて配置されている表示ス
クリーン46とを具える陰極線管40を示す。この陰極
線管の頚部上には、電子ビーム50を電子増倍装置lO
の入力面に亘って例えばラスタ状に偏向させる電磁偏向
習−り48が設けられている。電子ビーム60は通常の
表示管に比べてわずかなビームエネルギーを有し、従っ
て偏向磁界を弱くすることができる。この電子ビーム5
0は電子増惰装電1G内で電子流増倍作用を受け、この
電子増倍装置を離れるに際してスクリーン46の方向に
後段加速される。
【図面の簡単な説明】
111図は従来のチャネルプレー)51の電子増倍装置
の一列のチャネルの一部分をその中心を通る断面で示す
線図的断面図、 嬉2図は本発明によるチャネルプレート型の電子増倍装
置の一列のチャネルの一部分をその中心を通る断面で示
す線図的断面図、 嬉8図は本発明に↓るチャネルプレー)型ノll子増倍
装置を用いた陰極線管を示す縦断面図である。 10・・・チャネルプレート型電子増倍装置1m・・・
バー7ダイノード 14・・・孔        18・・・有孔絶縁分離
層ls・・・第1(入力)ダイノード   □86・・
・キャリアシート  28・・・炭素層88・・・キャ
リアシート  84・・・マス・り材料層重・・・・離
間材料     40・・・陰極線管42・・・容器 
      44・・・電子銃46・・・表示スクリー
ン 48・・・電磁偏向a−り  6o・・・電子ビーム。 U出111人   エヌ・ベー・フィリップス・フルー
イランベン7アブリケン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 l 互いに絶縁された導電性シート状のダイノードの積
    層体を有する積層チャネルプレート型の電子増倍装置で
    あって、チャネルが前記の積層体をその入力ダイノード
    から出力ダイノードまで貫通しており、各、チャネルが
    ダイノードにおいて整列された孔を有しており、これら
    孔のすべての最大横断面寸法がほぼ同・じてあり、少く
    とも前記の孔の壁部が、露出した二次電子放出面を有し
    ており、更に、入力5ダイノードの外側面の付近にリペ
    リング電界を生ぜしめつる手段を具えた電子増倍装置&
    :$5いて、〜リペリング電界を生ぜしめうる前′記の
    手段が、入力ダイノードの外側面から絶縁された有孔シ
    ートを具え、この有孔シートの孔を入力ダイノードの孔
    と位置合わせして配置するとともに入力ダイノードの外
    側面における孔の開口部と少くとも同じ大きざとし゛た
    ことを特徴とする電子増倍装置。 息 特許請求のIN!!1記載の電子増倍装置において
    、入力ダイノードの外側面における孔の開口部間の一城
    を、2よりも小さい二次電子放出係数を有する材料によ
    ってマスクしたことを特徴とする電子増倍装置。 龜 特許請求の範H1記載の電子増倍装置において、2
    よりも小ざい二次電子放出係数を有する材料を、前記の
    有孔シートの面のうち入力ダイノード側とは反対側の面
    上に堆積したことを特徴とする電子増倍装置。 を゛特徴とする電子増倍装置・ a 特許請求の範H4記載の電子増倍装置において、炭
    素を電子ビーム蒸着層として被着したことを特徴とする
    電子増倍装置。 a  411!請求の範囲ト4のいずれか1つに記載の
    電子増倍装置において、前記の有孔シートの面のうち入
    力ダイノード側の面正に絶縁性の離間材料を設けたこと
    を特徴とする電子増倍装置。 ! 特許請求の範囲6記載の電子増倍装置において、前
    記の有孔シートを軟鋼を以って形成し、前記の層間材料
    をガラスとしたlことを特徴とする電子増倍装置。 龜 特許請求の範囲1〜7のいずれか1つに記載の電子
    増倍装置において、入力ダイノード以外の各ダイノード
    が、互いに接触する一対のバー7ダイノードを有し、各
    ハーフダイノーyの孔のlllR口がこのバー7ダイノ
    ードのシー)の一方の側の面において他方の側の面にお
    けるよりも大きく、ハーフダイノードの対の大きい方の
    開口がこの対において互いに対向し、入力ダイノードが
    、大きい方の断面開口が外方に向くように配置された1
    つのハーフダイノードを有するよ、うにしたことを特徴
    とする電子増倍装置。
JP57183603A 1981-10-19 1982-10-19 電子増倍装置 Pending JPS5893149A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8131399 1981-10-19
GB08131399A GB2108314A (en) 1981-10-19 1981-10-19 Laminated channel plate electron multiplier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5893149A true JPS5893149A (ja) 1983-06-02

Family

ID=10525234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57183603A Pending JPS5893149A (ja) 1981-10-19 1982-10-19 電子増倍装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4544860A (ja)
EP (1) EP0078078B1 (ja)
JP (1) JPS5893149A (ja)
CA (1) CA1194083A (ja)
DE (1) DE3268586D1 (ja)
GB (1) GB2108314A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2143078A (en) * 1983-07-08 1985-01-30 Philips Electronic Associated Cathode ray tube with electron multiplier
GB2144902A (en) * 1983-07-08 1985-03-13 Philips Electronic Associated Cathode ray tube with electron multiplier
DE3408849A1 (de) * 1984-03-10 1985-09-19 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zur herstellung geschichteter vielkanalplatten aus metall fuer bildverstaerker
EP0204198B1 (de) * 1985-05-28 1988-10-05 Siemens Aktiengesellschaft Kanalstruktur eines Elektronenvervielfachers
EP0622828B1 (en) * 1993-04-28 1997-07-09 Hamamatsu Photonics K.K. Photomultiplier
JP3401044B2 (ja) * 1993-04-28 2003-04-28 浜松ホトニクス株式会社 光電子増倍管
JP3260901B2 (ja) * 1993-04-28 2002-02-25 浜松ホトニクス株式会社 電子増倍管
DE69404079T2 (de) * 1993-04-28 1997-11-06 Hamamatsu Photonics Kk Photovervielfacher
TWI224352B (en) * 2003-06-17 2004-11-21 Ind Tech Res Inst Field emission display

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4041343A (en) * 1963-07-12 1977-08-09 International Telephone And Telegraph Corporation Electron multiplier mosaic
GB1090406A (en) * 1963-08-19 1967-11-08 Mullard Ltd Improvements in or relating to image intensifiers and the like
DE2165703A1 (de) * 1971-12-30 1973-07-12 Hitachi Ltd Lochmasken fuer farbbildroehren
GB1434053A (en) * 1973-04-06 1976-04-28 Mullard Ltd Electron multipliers
GB1446774A (en) * 1973-04-19 1976-08-18 Mullard Ltd Electron beam devices incorporating electron multipliers
US4051403A (en) * 1976-08-10 1977-09-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Channel plate multiplier having higher secondary emission coefficient near input
GB2080016A (en) * 1980-07-09 1982-01-27 Philips Electronic Associated Channel plate electron multiplier

Also Published As

Publication number Publication date
US4544860A (en) 1985-10-01
EP0078078A1 (en) 1983-05-04
CA1194083A (en) 1985-09-24
GB2108314A (en) 1983-05-11
EP0078078B1 (en) 1986-01-15
DE3268586D1 (de) 1986-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4482836A (en) Electron multipliers
US4051403A (en) Channel plate multiplier having higher secondary emission coefficient near input
JP3378041B2 (ja) イメージ増倍管
US4041343A (en) Electron multiplier mosaic
JPH0251212B2 (ja)
JPS5893149A (ja) 電子増倍装置
US3260876A (en) Image intensifier secondary emissive matrix internally coated to form a converging lens
US3673457A (en) High gain storage target
US3976905A (en) Channel electron multipliers
US5359187A (en) Microchannel plate with coated output electrode to reduce spurious discharges
US3519870A (en) Spiraled strip material having parallel grooves forming plurality of electron multiplier channels
US4886996A (en) Channel plate electron multipliers
US6198090B1 (en) Night vision device and method
US4511822A (en) Image display tube having a channel plate electron multiplier
US6040000A (en) Method and apparatus for a microchannel plate having a fissured coating
JPH03155036A (ja) 光電子増倍管
US6215232B1 (en) Microchannel plate having low ion feedback, method of its manufacture, and devices using such a microchannel plate
GB1566852A (en) Image intensifier tube
US3449582A (en) Electron multiplier device having an electrically insulating secondary emission control surface
US5495141A (en) Collimator application for microchannel plate image intensifier resolution improvement
US3555345A (en) Radiation pickup device incorporating electron multiplication
US9105459B1 (en) Microchannel plate assembly
US3534207A (en) Secondary emission conductivity target comprising plural laminations of different porous materials
US4150315A (en) Apparatus for X-ray radiography
US4126813A (en) Direct view device