JPS5893054A - Ｘ線転写用マスク - Google Patents
Ｘ線転写用マスクInfo
- Publication number
- JPS5893054A JPS5893054A JP56190821A JP19082181A JPS5893054A JP S5893054 A JPS5893054 A JP S5893054A JP 56190821 A JP56190821 A JP 56190821A JP 19082181 A JP19082181 A JP 19082181A JP S5893054 A JPS5893054 A JP S5893054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- alignment
- film
- transfer
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011301 petroleum pitch Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFJCIRLUMZQUOT-HPLJOQBZSA-N sirolimus Chemical compound C1C[C@@H](O)[C@H](OC)C[C@@H]1C[C@@H](C)[C@H]1OC(=O)[C@@H]2CCCCN2C(=O)C(=O)[C@](O)(O2)[C@H](C)CC[C@H]2C[C@H](OC)/C(C)=C/C=C/C=C/[C@@H](C)C[C@@H](C)C(=O)[C@H](OC)[C@H](O)/C(C)=C/[C@@H](C)C(=O)C1 QFJCIRLUMZQUOT-HPLJOQBZSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発＃ｉ鉱、マスクと被転写物との光学的なアライメン
シが可能なＸ１１転写用マスクに関する。
シが可能なＸ１１転写用マスクに関する。
磁気バブルメモリやＬ８Ｉなどの製造には、微細なパタ
ーンの転写技術が必要であり、そのため、従来は可視光
や紫外線を用い几転写技術が広く採用されていたが、サ
ブ１１ン領域でのパターンの転写にはさらＫ１１ｉ１／
％分解能が必ＩＲＫなるため、近年にいたり紫外線より
もさらに波長の短かい軟Ｘ線を用いた転写技−術が多用
されるようになってきた。
ーンの転写技術が必要であり、そのため、従来は可視光
や紫外線を用い几転写技術が広く採用されていたが、サ
ブ１１ン領域でのパターンの転写にはさらＫ１１ｉ１／
％分解能が必ＩＲＫなるため、近年にいたり紫外線より
もさらに波長の短かい軟Ｘ線を用いた転写技−術が多用
されるようになってきた。
Ｍ１図にこのようなＸ線転写技ｗ！において使用される
パターン転写用マスクの一例を示す。
パターン転写用マスクの一例を示す。
図において、１はＸ線吸収パターン、２はアライメント
用パターン、３は支持体膜、４は補強リングである。
用パターン、３は支持体膜、４は補強リングである。
Ｘ＠吸収パターン１は、Ｘａの吸収率が大で、しかも微
細な加工が容易な金などにより作られ、半導体ウェハな
どの被転写物に塗布したＸＩＩＩレジストに転写焼付け
るべきパターンに形成されたものである。なお、アライ
メント用パターン２４金などＫより同時に形成される。
細な加工が容易な金などにより作られ、半導体ウェハな
どの被転写物に塗布したＸＩＩＩレジストに転写焼付け
るべきパターンに形成されたものである。なお、アライ
メント用パターン２４金などＫより同時に形成される。
支持体１１！３としては、軽元緊から成り、Ｘ１１１透
過率が大きい窒化ホウ素、窒化ケイ素、ポリイミドなど
の薄ｙＩ！３−２と、チタンなどの薄膜３−１との資金
膜か用いられている。
過率が大きい窒化ホウ素、窒化ケイ素、ポリイミドなど
の薄ｙＩ！３−２と、チタンなどの薄膜３−１との資金
膜か用いられている。
補強リング４はシリコン、低熱膨張ガラス（商標名パイ
レツオス）、ステンレスなどの機械的強度が比較的大き
な材料で作られ、支持体膜３を常に緊張した状態に保つ
働きをする。
レツオス）、ステンレスなどの機械的強度が比較的大き
な材料で作られ、支持体膜３を常に緊張した状態に保つ
働きをする。
この纂１図に示したＸ１ｍ転写用マスクによれば、支持
体１ｊ１３がチタンなどの金属製の膜３−１を含む複合
膜となっているため、支持体膜３の形成が容易になり、
機械的強度が充分に得られ、かつ寸法安定性が高いなど
支持体膜として優れ几特性が得られるので、Ｘ線１写技
術に広く使用されているが、しかし、こりマスクでは支
持体１１３が光を全く通さない究め、目視によるアライ
メント、いわゆる光学的アライメントメン可能で、マス
クと半導体ウェハなどの被転写物との高精度の位置合わ
せが極めて困難であるという欠点があった。
体１ｊ１３がチタンなどの金属製の膜３−１を含む複合
膜となっているため、支持体膜３の形成が容易になり、
機械的強度が充分に得られ、かつ寸法安定性が高いなど
支持体膜として優れ几特性が得られるので、Ｘ線１写技
術に広く使用されているが、しかし、こりマスクでは支
持体１１３が光を全く通さない究め、目視によるアライ
メント、いわゆる光学的アライメントメン可能で、マス
クと半導体ウェハなどの被転写物との高精度の位置合わ
せが極めて困難であるという欠点があった。
即ち、このようなパターンの支持体膜３としてチタンな
どの不透明材料を用いたマスクの場合には、マスクと半
導体ウェハなどの被転写物とを重ね合わせ、それらのア
ライメントパターンを同時に目視しながらそれらの重ね
合わせ一致状ＩＩＫよりアライメントを取ることができ
ず、第２１Ｖ（ａ）〜（Ｃ） Ｋ示すようＫｓ＆微鏡５
を用い、半導体ウェハ＠（被転写物）のアライメントパ
ターン７の位置を検出ＬＣ篇２図０）、ついでマスク８
をウェハ６ ノ上ｆ移動させ、マスク８の７ライメント
パターン２の位置を反射光により検出しく第２図Φ））
、それｋよってウェハ６とマスク８との位置ずれを求め
１マスク８を移動させることによりアライメントを取ら
なければならない（第２図（Ｃ〕）。
どの不透明材料を用いたマスクの場合には、マスクと半
導体ウェハなどの被転写物とを重ね合わせ、それらのア
ライメントパターンを同時に目視しながらそれらの重ね
合わせ一致状ＩＩＫよりアライメントを取ることができ
ず、第２１Ｖ（ａ）〜（Ｃ） Ｋ示すようＫｓ＆微鏡５
を用い、半導体ウェハ＠（被転写物）のアライメントパ
ターン７の位置を検出ＬＣ篇２図０）、ついでマスク８
をウェハ６ ノ上ｆ移動させ、マスク８の７ライメント
パターン２の位置を反射光により検出しく第２図Φ））
、それｋよってウェハ６とマスク８との位置ずれを求め
１マスク８を移動させることによりアライメントを取ら
なければならない（第２図（Ｃ〕）。
この之め、アライメントに対しては、ウェハとマスクに
ついての位置検出課差、マスクの移動に伴なう誤差など
種汝の誤差が入り込む余地を生じるととになり、サブミ
クロン領域パターンのアライメントなど高精度のアライ
メントは極めて困難になってしまうのである。
ついての位置検出課差、マスクの移動に伴なう誤差など
種汝の誤差が入り込む余地を生じるととになり、サブミ
クロン領域パターンのアライメントなど高精度のアライ
メントは極めて困難になってしまうのである。
本発明の目的は、上記し友従来技術の欠点を除き、複合
膜による支持体膜を用いても光学的アライメントが容易
に行なえ、高精度のアライメントが得られるようＫした
Ｘ＠転写用マスクを提供するにある。
膜による支持体膜を用いても光学的アライメントが容易
に行なえ、高精度のアライメントが得られるようＫした
Ｘ＠転写用マスクを提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は１不透明材料の薄膜
と光透過性材料の薄膜の複合膜からなる支持体膜を備え
たＸＩ！ｌｉ転写用マスクにおいて、求持体論のアライ
メントパターンが位置する部分の不透明材料薄＠ｍ、所
定の形状の開口部分を設けた点を特徴とする。
と光透過性材料の薄膜の複合膜からなる支持体膜を備え
たＸＩ！ｌｉ転写用マスクにおいて、求持体論のアライ
メントパターンが位置する部分の不透明材料薄＠ｍ、所
定の形状の開口部分を設けた点を特徴とする。
以下、本発明によるＸ線転写用マスクの実施例【図面に
ついて説明する。
ついて説明する。
１！３図は本発明の一実施例で、１は金などの薄膜から
形成したＸＩＩ吸収パターン、２は同じくアライメント
用パターン、３は厚さ０．４μ九のチタン薄膜３−１と
隼さｚμ翼のポリイミド薄ｌｌ３−２の複合膜からなる
支持体膜、４Ｆｉシリコンで作られた補強リング、Ｓは
チタンｆｉＩｓｓ−ＩＫ形成した円形の開口部である。
形成したＸＩＩ吸収パターン、２は同じくアライメント
用パターン、３は厚さ０．４μ九のチタン薄膜３−１と
隼さｚμ翼のポリイミド薄ｌｌ３−２の複合膜からなる
支持体膜、４Ｆｉシリコンで作られた補強リング、Ｓは
チタンｆｉＩｓｓ−ＩＫ形成した円形の開口部である。
この開口部９はアライメント用パターン２とはは同じ位
ＩＨＣ形成された直径が例え４０．２ｎのものである。
ＩＨＣ形成された直径が例え４０．２ｎのものである。
□
次に１このｓ３図に示した本発明によるＸ線転写用マス
クの製造方法の一例を第４図（ａ）〜ω）によって説明
する。
クの製造方法の一例を第４図（ａ）〜ω）によって説明
する。
まず、鏡面研磨面１１を有するシリコンウェハ１０を用
意しく第４１１ ＜１１） ）、この面１１に、蕪着法
で厚さ２μ雪の銅＠１２と厚さ０．４μｍのチタン膜３
−１を形成する（第４１給））。
意しく第４１１ ＜１１） ）、この面１１に、蕪着法
で厚さ２μ雪の銅＠１２と厚さ０．４μｍのチタン膜３
−１を形成する（第４１給））。
ポリイミドフェスをチタン膜３−１の上Ｋ ［１９１転
数２ｏｏｏｒｐｍでスピン塗布し、窒素雰囲気中で２５
０℃および３５０℃でそれぞれ３紛間キュアして厚さ２
μｍのポリイミドｌｌＧ１！３−２を形成する（第４図
（Ｃ））。
数２ｏｏｏｒｐｍでスピン塗布し、窒素雰囲気中で２５
０℃および３５０℃でそれぞれ３紛間キュアして厚さ２
μｍのポリイミドｌｌＧ１！３−２を形成する（第４図
（Ｃ））。
石油ピッチを主成分とするワックスをトリクロルエチレ
ンなどの有機溶媒に溶解し、ポリイミド＠３−２の全面
およびウェハ１０の裏面の周辺部約１ ｃｍ ＩＭ Ｋ
塗布してエツチングレジスト膜１３とする（第４図（ｄ
））。
ンなどの有機溶媒に溶解し、ポリイミド＠３−２の全面
およびウェハ１０の裏面の周辺部約１ ｃｍ ＩＭ Ｋ
塗布してエツチングレジスト膜１３とする（第４図（ｄ
））。
水酸化す） ＩＪウムの３０％水溶液を９０℃に保ち、
この液中で約５時間エツチングしてシリコンウェハ１０
に開口部１４を形成する（第４図（ｅ））。
この液中で約５時間エツチングしてシリコンウェハ１０
に開口部１４を形成する（第４図（ｅ））。
エラチンブレジス１−膜１３を溶解除去し、ついで銅膜
１２の開口部１４内Ｋｌｌ出した部分を、２００ＩＩ／
ノの過硫酸アンモニウム水溶液を用いて溶解除去する（
！４図（ｇ））。
１２の開口部１４内Ｋｌｌ出した部分を、２００ＩＩ／
ノの過硫酸アンモニウム水溶液を用いて溶解除去する（
！４図（ｇ））。
通常のホトエツチング法によりチタｙｌ！ａ−１の所定
の部分に円形の開口部９を形成する（第４図−））。
の部分に円形の開口部９を形成する（第４図−））。
ポリイミド１１３−２の上に金を約６００ＯＡの厚さに
蒸着して金膜１５を形成し、その上に電子線レジスト１
ｌｌｌｉを形成する（第４図（工））。
蒸着して金膜１５を形成し、その上に電子線レジスト１
ｌｌｌｉを形成する（第４図（工））。
電子線レジスジ膜１６に対して所定のパターンに電子ビ
ーム照射を行ない、現像とベークによりＸｌｌ＠収用と
アライメント用の電子線レジストノくターン１ｓ′を形
成する（纂４図０））。
ーム照射を行ない、現像とベークによりＸｌｌ＠収用と
アライメント用の電子線レジストノくターン１ｓ′を形
成する（纂４図０））。
イオ、ンミリング法により金１１１１’５をエツチング
して一パターン１５’を形成しく篤４図の））、ついで
電子線レジストパターン１６′を除来することニヨリＸ
Ｓ教収パターン１とアライメンシ用ノ（ターン２が支持
体膜３の上に形成され、しかもアライメント用パターン
２が形成された部分のチタン膜３−ＩＫ開口部９を有す
るＸ線転写用マスクを得友（第４−４））。
して一パターン１５’を形成しく篤４図の））、ついで
電子線レジストパターン１６′を除来することニヨリＸ
Ｓ教収パターン１とアライメンシ用ノ（ターン２が支持
体膜３の上に形成され、しかもアライメント用パターン
２が形成された部分のチタン膜３−ＩＫ開口部９を有す
るＸ線転写用マスクを得友（第４−４））。
この実施例によるＸ線転写用マスクによれば、支持体膜
３のアライメンシ用ノ（ターン２が位置する部分には、
この支持体ｌＩ３を構成するチタン族３−１に開口部９
が設けられて、この部分ではアライメント用パターン２
はポリイミドＩｌｌ！３−２だけで支持されている。
３のアライメンシ用ノ（ターン２が位置する部分には、
この支持体ｌＩ３を構成するチタン族３−１に開口部９
が設けられて、この部分ではアライメント用パターン２
はポリイミドＩｌｌ！３−２だけで支持されている。
従って１この実施例のマスクによれば、支持体膜３のア
ライメント用パターン２を有する部分が光透過性となっ
ているため、第５図に示すように１通常のＵＶ光による
転写マスクの場合と同じ先学的アライメントが可能で、
マスク８とウニ八６とを飼えば１０ｐ一度の間隙を保っ
て重ね合わせ１順微鏡５を用いてアライメントパターン
２と７を同じ視野内に保っての位置合わせにより、中エ
バ６に対するマスク８の位置合わせを高精度で行なうこ
とができる。
ライメント用パターン２を有する部分が光透過性となっ
ているため、第５図に示すように１通常のＵＶ光による
転写マスクの場合と同じ先学的アライメントが可能で、
マスク８とウニ八６とを飼えば１０ｐ一度の間隙を保っ
て重ね合わせ１順微鏡５を用いてアライメントパターン
２と７を同じ視野内に保っての位置合わせにより、中エ
バ６に対するマスク８の位置合わせを高精度で行なうこ
とができる。
なお、このとき、支持体膜３の開口部９が存在する部分
では、第３図から明らかなように１支持体膜３がボリイ
主ド膜３−２だけとなっているため、この部分では他の
部分に比して平坦性が低下し易い。特にこの開口、％
１１の形状が正方形、長方形などの角を有ｙる形状にな
ってい友ときｋは、その角の部分に支持体９３の応力集
中を生じ易（、開口部９０部分でポリアミド膜３−２に
不規則な歪を生じて平坦性か低下することがある。
では、第３図から明らかなように１支持体膜３がボリイ
主ド膜３−２だけとなっているため、この部分では他の
部分に比して平坦性が低下し易い。特にこの開口、％
１１の形状が正方形、長方形などの角を有ｙる形状にな
ってい友ときｋは、その角の部分に支持体９３の応力集
中を生じ易（、開口部９０部分でポリアミド膜３−２に
不規則な歪を生じて平坦性か低下することがある。
しかしながら、上記実施例によれば、チタン膜３二１に
設けた開口部−の形状が円形となっているから、上記し
たような応力の集中を少くすることができ、平坦性が低
下したりする虞れはほとんど生ぜず、支持体ＩＩ３をチ
タン膜３−１とポリイミド膜３−２の複合膜としｔこと
の利点を充分に活かしながら光学的アライメントが可能
なＸ線転写用マスクを得ることができる。
設けた開口部−の形状が円形となっているから、上記し
たような応力の集中を少くすることができ、平坦性が低
下したりする虞れはほとんど生ぜず、支持体ＩＩ３をチ
タン膜３−１とポリイミド膜３−２の複合膜としｔこと
の利点を充分に活かしながら光学的アライメントが可能
なＸ線転写用マスクを得ることができる。
一例を示すと、本実施例においては、アライメント用の
開口部９の直径を１ｍの円形とし友場合でも、それＫよ
って生ずる支持体膜３のたわみ量を０．３μ雪以下にす
ることかできた。
開口部９の直径を１ｍの円形とし友場合でも、それＫよ
って生ずる支持体膜３のたわみ量を０．３μ雪以下にす
ることかできた。
また、この開口部９の形状は、円形に限らず角のない形
状ならば特に制限はないが、平坦性の点からは円形が最
も好しいといえる。
状ならば特に制限はないが、平坦性の点からは円形が最
も好しいといえる。
さらに１この開口部８の大きさＫついては、位置合わせ
の容易さの点からは大きい方が望ましく、一方、平坦性
を保つ上からは小さい方が好ましいが、実用上から社、
円形としたときの直径が０．０５〜５諺の範囲になり、
好ましくは０．１〜０．５諺である。
の容易さの点からは大きい方が望ましく、一方、平坦性
を保つ上からは小さい方が好ましいが、実用上から社、
円形としたときの直径が０．０５〜５諺の範囲になり、
好ましくは０．１〜０．５諺である。
なお、上記実施例では、複合膜からなる支持体膜３を形
成する一方の膜３−１をチタンで構成し友が、これはチ
タンに限らずＸＩＩ透過率、機械的強度、寸法安定性な
どの点からアルミニウム、りｐム、ベリリウム、！グネ
シウムなどが使用可能であり、その厚さも、Ｘ！ｌ透過
率からは薄い方がよく、一方、機械的強度、寸法安定性
、支持体膜形成の容易さなどの面からは厚い方がよいが
、実用上からは０．１〜０．５μｍとすればよい。
成する一方の膜３−１をチタンで構成し友が、これはチ
タンに限らずＸＩＩ透過率、機械的強度、寸法安定性な
どの点からアルミニウム、りｐム、ベリリウム、！グネ
シウムなどが使用可能であり、その厚さも、Ｘ！ｌ透過
率からは薄い方がよく、一方、機械的強度、寸法安定性
、支持体膜形成の容易さなどの面からは厚い方がよいが
、実用上からは０．１〜０．５μｍとすればよい。
また、支持体膜３を形成する他方の！１３−２としても
、上記のポリイミドに限らず、ポリエチレン、ポリエス
テル、ポリバラキシレンなどの使用が可能で、その膜厚
としても、上記の膜３−１の場合と同じ理由で０．５〜
１０μｍが適している。
、上記のポリイミドに限らず、ポリエチレン、ポリエス
テル、ポリバラキシレンなどの使用が可能で、その膜厚
としても、上記の膜３−１の場合と同じ理由で０．５〜
１０μｍが適している。
以上説明したように１本発明によれば１チタン膜などの
不ｉ明材料の膜とポリイミドなどの光透過性の材・料の
膜との複合膜でｘｓｇ＆収パターンの支持体膜を形成し
ても光学的アライメントが可能になり、アライメン）精
度を従来技術の０．８μｚ桐度から０．３μ筑程度へと
大幅に改善することができ、従来技術の欠点を除いてサ
ブミクロン領域でのパターンの転写が容易に行なえるよ
うｋした高精度のＸＩｉ［転写用マスクを提供すること
ができる。
不ｉ明材料の膜とポリイミドなどの光透過性の材・料の
膜との複合膜でｘｓｇ＆収パターンの支持体膜を形成し
ても光学的アライメントが可能になり、アライメン）精
度を従来技術の０．８μｚ桐度から０．３μ筑程度へと
大幅に改善することができ、従来技術の欠点を除いてサ
ブミクロン領域でのパターンの転写が容易に行なえるよ
うｋした高精度のＸＩｉ［転写用マスクを提供すること
ができる。
纂１図はＸＳ転写用マスクの従来例を示す断面図、第２
図（ａ）〜（Ｃ）はそれによるアライメントを示す説明
図、第３−は本発明によるＸ線転写用マスクの一実施例
を示す断面図、第４図（ａ）〜Ｕ）はその製造工程を示
す説明図、馬５図は本発明によるＸ線転ずマスクのアラ
イメントを示す説明図である。 １・・・・・・ＸＩ［＠収パターン、２・・・・・・ア
ライメント用ハターン、３・・・・・・支持体膜、３−
１・・・・・・チタン族、３〒２ ・・・・・・ポリイ
ミド膜、Ｓ・・・・・・開口部第１０ 第２図 ｆ：ｉ（ 第３図 第４図 ３４０− 第５図
図（ａ）〜（Ｃ）はそれによるアライメントを示す説明
図、第３−は本発明によるＸ線転写用マスクの一実施例
を示す断面図、第４図（ａ）〜Ｕ）はその製造工程を示
す説明図、馬５図は本発明によるＸ線転ずマスクのアラ
イメントを示す説明図である。 １・・・・・・ＸＩ［＠収パターン、２・・・・・・ア
ライメント用ハターン、３・・・・・・支持体膜、３−
１・・・・・・チタン族、３〒２ ・・・・・・ポリイ
ミド膜、Ｓ・・・・・・開口部第１０ 第２図 ｆ：ｉ（ 第３図 第４図 ３４０− 第５図
Claims (1)
- 不透明材料からなる薄膜と光透過性材料からなる薄膜と
の複合膜によりＸｌｌ吸収パターンを保持するようｋし
たＸ１Ｍ転写用マスクにおいて、上記不透明材料からな
る薄膜の一部に所定の形状の開口部を設け、光学的アテ
イメンＦを可能に構成したことを特徴とするＸ線転写用
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190821A JPS5893054A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | Ｘ線転写用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190821A JPS5893054A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | Ｘ線転写用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893054A true JPS5893054A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16264314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190821A Pending JPS5893054A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | Ｘ線転写用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893054A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5427709A (en) * | 1977-08-03 | 1979-03-02 | Pioneer Electronic Corp | Signal compander |
| JPS5487223A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Dainippon Printing Co Ltd | Mask for soft x rays lithography and its preparation |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56190821A patent/JPS5893054A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5427709A (en) * | 1977-08-03 | 1979-03-02 | Pioneer Electronic Corp | Signal compander |
| JPS5487223A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Dainippon Printing Co Ltd | Mask for soft x rays lithography and its preparation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5908719A (en) | Radiation mask adapted to be aligned with a photoresist layer and method of making the same | |
| US5553110A (en) | X-ray mask structure, process for production thereof, apparatus and method for X-ray exposure with the X-ray mask structure, and semiconductor device produced by the X-ray exposure method | |
| Smith et al. | X-ray lithography: A complementary technique to electron beam lithography | |
| US4978421A (en) | Monolithic silicon membrane device fabrication process | |
| US20060292459A1 (en) | EUV reflection mask and method for producing it | |
| Price | X-ray microscopy using grazing-incidence reflections optics | |
| US5115456A (en) | Mask for exposing wafer with radiation and its exposing method | |
| US20040089818A1 (en) | Multi-foil optic | |
| US9645484B2 (en) | Reflective masks for use in extreme ultraviolet lithography apparatus and methods of manufacturing the same | |
| JPS5893054A (ja) | Ｘ線転写用マスク | |
| Achenbach et al. | Polymer-based X-ray masks patterned by direct laser writing | |
| JP4924135B2 (ja) | 荷電粒子線露光用マスクの製造方法および荷電粒子線露光用マスク | |
| JPH09306807A (ja) | Ｘ線露光用マスク構造体の製造方法 | |
| JPH10247622A (ja) | Ｘ線マスク及びその製造方法 | |
| US5314768A (en) | Thin film mask for use in an x-ray lithographic process and its method of manufacture by forming opaque pattern of ions in a diamond layer | |
| JPH0613292A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| Bruenger et al. | E‐beam metrology of chromium master masks and of masks for x‐ray lithography | |
| JP3450631B2 (ja) | マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体 | |
| KR20060029593A (ko) | 전사 마스크 블랭크, 전사 마스크 및 그 전사 마스크를이용한 전사 방법 | |
| Buckley et al. | X‐Ray Lithography Mask Technology | |
| JPS63166224A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH03274718A (ja) | Ｘ線露光用マスクの支持膜及びｘ線露光用マスク | |
| JP3354900B2 (ja) | Ｘ線マスクおよびその製造方法 | |
| JPS6365621A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| JPH0334412A (ja) | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |