JPS5891636A - パタ−ン欠陥検査方法 - Google Patents
パタ−ン欠陥検査方法Info
- Publication number
- JPS5891636A JPS5891636A JP56190293A JP19029381A JPS5891636A JP S5891636 A JPS5891636 A JP S5891636A JP 56190293 A JP56190293 A JP 56190293A JP 19029381 A JP19029381 A JP 19029381A JP S5891636 A JPS5891636 A JP S5891636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- chips
- photoresist
- defect
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターン欠陥検査方法に関する。
近年、半導体集積回路装置の關密度化が進むにつれて、
微細パターンの形成方法が重要なものとなってきている
。この微細パターンを形成するための手段として最近開
発され九縮小投影無光装置は従来の装置に比べ、解像度
、アライメント精度に優れた性能を持っている。
微細パターンの形成方法が重要なものとなってきている
。この微細パターンを形成するための手段として最近開
発され九縮小投影無光装置は従来の装置に比べ、解像度
、アライメント精度に優れた性能を持っている。
しかしながら、無光方法が従来と異なり、ｌチ、プごと
に繰り返し露光する所謂、ステップ・アンド・リピート
方式である為に、レチクル上Ｋｍなどの異物がある場合
には、すべてのチップにこの異物が転写されて共通欠陥
となり、欠陥の大きさ、チップ内の位置によってはすべ
てのウェハが不良品となってしまう。
に繰り返し露光する所謂、ステップ・アンド・リピート
方式である為に、レチクル上Ｋｍなどの異物がある場合
には、すべてのチップにこの異物が転写されて共通欠陥
となり、欠陥の大きさ、チップ内の位置によってはすべ
てのウェハが不良品となってしまう。
従って、このマスク上の異物を高い信頼性をもって検出
することが、縮小投影無光装置を使用する上では、最も
重要な問題となってくる。
することが、縮小投影無光装置を使用する上では、最も
重要な問題となってくる。
これを検出する従来の方法としては、縮小投影無光装置
にて、転写したウェノ・を、数百倍程度の光学顕微鏡を
使用して、肉眼で（比較）検査する方法が用いられてき
た。
にて、転写したウェノ・を、数百倍程度の光学顕微鏡を
使用して、肉眼で（比較）検査する方法が用いられてき
た。
しかしながら、この方法は肉眼に頼る検査であるために
２作業者の不注意等による検査ミスを避けることは困難
であり、信頼性は甚だ低い。又。
２作業者の不注意等による検査ミスを避けることは困難
であり、信頼性は甚だ低い。又。
検査に長時間を景し、検査工数が多くなる欠点を持つ。
複数の作業者がこの検査を繰り返し行なうならば１信軸
性を高めることは出来るが、充分とは言えず、検査工数
が膨大なものとなってしまう。
性を高めることは出来るが、充分とは言えず、検査工数
が膨大なものとなってしまう。
特に微細パターンでしかも大きなチップの場合には、低
い信頼性、膨大な検査工数という２つの欠点は更に顕著
となってくる。
い信頼性、膨大な検査工数という２つの欠点は更に顕著
となってくる。
そこで１本発明の目的は、レチクル上の異物を信頼性よ
く検出し、工数の軽減化された検査方法を提供すること
にある。
く検出し、工数の軽減化された検査方法を提供すること
にある。
本発明は縮小投影麺光装置において、同一の複数個のチ
ップを有するレチクルを使用し、透過性を有する基板上
に形成されたフォトレジストに、鋏複数個のチップを繰
り返し転写する工程と、転写されｆｃ＃複数個の中の第
１のチックと、他の第２のチックとに核フォトレジスト
に対し、非透過性を有する光を照射し、比較検査する工
程とを含（ｔ、３□。２□。１あ、。 。
ップを有するレチクルを使用し、透過性を有する基板上
に形成されたフォトレジストに、鋏複数個のチップを繰
り返し転写する工程と、転写されｆｃ＃複数個の中の第
１のチックと、他の第２のチックとに核フォトレジスト
に対し、非透過性を有する光を照射し、比較検査する工
程とを含（ｔ、３□。２□。１あ、。 。
本発明は同一の複数個のチップを有するレチクル上に烏
等の異物が複数個存在する場合、第１のチップの異物と
全く同一形状の異物が他の任意の第２のチップ内の全く
同一位置に存在する確率はゼロに等しいという原理に基
づいている。
等の異物が複数個存在する場合、第１のチップの異物と
全く同一形状の異物が他の任意の第２のチップ内の全く
同一位置に存在する確率はゼロに等しいという原理に基
づいている。
本発明によれば、この原理により、異物が存在しても、
ステップ・アンド・リピート方式で転写され九チップに
は、異物が転与されたために生ずる同一形状、同一位置
の欠陥が、レチクル内のチップ数に応じて、数チップご
とに規則正しく繰り返されるだけで、全チップの同一位
置に繰り返される同一形状の欠陥、所謂、共通欠陥は生
じないことになる。
ステップ・アンド・リピート方式で転写され九チップに
は、異物が転与されたために生ずる同一形状、同一位置
の欠陥が、レチクル内のチップ数に応じて、数チップご
とに規則正しく繰り返されるだけで、全チップの同一位
置に繰り返される同一形状の欠陥、所謂、共通欠陥は生
じないことになる。
従って、レチクル上に異物が存在しても、任意の位置に
任意の形状の欠陥がある１ｐＪ１のチップと、同−位１
ｉＫ同一形状の欠陥がない第２のチップとに分離するこ
とが出来、この第１及び第２のチップを比較検査するこ
とにより、両者の間に差異が生じて欠陥の存在を検出す
ることができる。
任意の形状の欠陥がある１ｐＪ１のチップと、同−位１
ｉＫ同一形状の欠陥がない第２のチップとに分離するこ
とが出来、この第１及び第２のチップを比較検査するこ
とにより、両者の間に差異が生じて欠陥の存在を検出す
ることができる。
更にこの発明の比較検査方法は透過性のある基板上にフ
ォトレジストの欠陥パターンを形成して。
ォトレジストの欠陥パターンを形成して。
このフォトレジストに対して、非透過性を有する光を照
射するために１充分なコントラストが得られ、又、人為
によらず、この光の増減を電気信号に変換し、自動的に
比較検査するために、高い信頼性と工数の軽減化が実現
できる。
射するために１充分なコントラストが得られ、又、人為
によらず、この光の増減を電気信号に変換し、自動的に
比較検査するために、高い信頼性と工数の軽減化が実現
できる。
次に本発明のＩＶｊ微をより良く理解するために、この
発明の実施例について図面を用いて説明するλ第１図な
いし第６図はこの発明の一実施例における主要工程図で
ある。
発明の実施例について図面を用いて説明するλ第１図な
いし第６図はこの発明の一実施例における主要工程図で
ある。
初めに、第１−に示すように、同一の複数チップの例と
して２つのチップ１０１．１０２を有するレチクル１０
３を用意する。このレチクル１０３上には異物１０４．
１０５及び回路パターン１０６がおるも−のとする。こ
の異物１０４，１０５のそれぞれのチップｌｒｉ 、ｔ
０２に対する位置及び形状は、Ｎ時に全く四−となる解
重はゼロに等しいことは明らかである。次に第２図の断
面図に示すように透過性のあるガラス板１０７を用意し
、上面に約１．８μｍ程度の７オトレジスト１０８を塗
布する。ガラス板１０７としては、彼達する照射光に対
する透過性を示すもので、例えば石英ガラスがある。
して２つのチップ１０１．１０２を有するレチクル１０
３を用意する。このレチクル１０３上には異物１０４．
１０５及び回路パターン１０６がおるも−のとする。こ
の異物１０４，１０５のそれぞれのチップｌｒｉ 、ｔ
０２に対する位置及び形状は、Ｎ時に全く四−となる解
重はゼロに等しいことは明らかである。次に第２図の断
面図に示すように透過性のあるガラス板１０７を用意し
、上面に約１．８μｍ程度の７オトレジスト１０８を塗
布する。ガラス板１０７としては、彼達する照射光に対
する透過性を示すもので、例えば石英ガラスがある。
フォトレジスト１０８としては、照射光に対して非透過
性を有するものを使用する。市販品としては、シラプレ
ー社ＡＺ１３５０Ｊ、ＡＺ１４５０Ｊ。
性を有するものを使用する。市販品としては、シラプレ
ー社ＡＺ１３５０Ｊ、ＡＺ１４５０Ｊ。
東京応化工業（株）、０ＦＰＲ８０（ｌがある。次に第
１図のレチクル１０３を縮小投影篇光装激の所定の場所
にセットし、第２図のガラス板１０７上の７オトレジス
ト１０８に、ステップ・アンド・リピート方式で農光後
、現像すると、レチクル１０３上の異物１０４，１０５
及び回路パターン１０６が転写されて、フォトレジスト
像１０９が形成される（第３図）。
１図のレチクル１０３を縮小投影篇光装激の所定の場所
にセットし、第２図のガラス板１０７上の７オトレジス
ト１０８に、ステップ・アンド・リピート方式で農光後
、現像すると、レチクル１０３上の異物１０４，１０５
及び回路パターン１０６が転写されて、フォトレジスト
像１０９が形成される（第３図）。
第４図は、フォトレジスト像１０９の平面図の一部であ
る。１１０，１１１はそれぞれチップ１０１１１０２の
、１１２，１１３，１１４はそれぞれ異物１０４，１０
５及び回路パターン１０６０転写像であるが、上述の方
法で転写像を形成すると、回路パターンの転写像１１４
は全チップに現われるが、異物の転写＄１１２，１１３
はそれぞれ２チツプごとにしか現われないことになる。
る。１１０，１１１はそれぞれチップ１０１１１０２の
、１１２，１１３，１１４はそれぞれ異物１０４，１０
５及び回路パターン１０６０転写像であるが、上述の方
法で転写像を形成すると、回路パターンの転写像１１４
は全チップに現われるが、異物の転写＄１１２，１１３
はそれぞれ２チツプごとにしか現われないことになる。
次に第３図のガラス板１０７を第５図のようにホルダー
１１５にセットして、チップ１１０の上部に対物レンズ
１１６を、チップ１１１の上部に対物レンズ１１７を配
置する。その彼、対物レンズ１１６．１１７を通して光
１１８をチップ１１０゜１１１上に照射する。この光１
１８としては、波長４００ ｎｍ程度のものを用いる。
１１５にセットして、チップ１１０の上部に対物レンズ
１１６を、チップ１１１の上部に対物レンズ１１７を配
置する。その彼、対物レンズ１１６．１１７を通して光
１１８をチップ１１０゜１１１上に照射する。この光１
１８としては、波長４００ ｎｍ程度のものを用いる。
第６図はこの笑施例で用いたフォトレジスト＋０８（１
！Ｖ品名シップレー社ＡＺ１３５０Ｊ）の分光感度曲線
であり、縦軸は透過率、横軸は波長を示す。第６図から
れかるように、波長４００ｎｍ程度ではフォトレジスト
１０８ははとんど光を透過せず、非透過性を有すること
になる。一方ガラス板１０７の材質。
！Ｖ品名シップレー社ＡＺ１３５０Ｊ）の分光感度曲線
であり、縦軸は透過率、横軸は波長を示す。第６図から
れかるように、波長４００ｎｍ程度ではフォトレジスト
１０８ははとんど光を透過せず、非透過性を有すること
になる。一方ガラス板１０７の材質。
石英ガラスは、この波長領域では光をほとんど透過する
ことは周知のφ実である。従って第５図において、光１
１８はフォトレジスト１０８が転写像として残っている
領域では、趣光され、それ以パ ４゜領つ”ｔ
’ａ、ａｉｒ□よ。、画像。有無によって充分な光の強
度比が得られる。次にガラス板１０７を：ｉｈ遇した光
をフォトマル１１９゜１２０で受信することによって２
つの電気信号に変換する。この２つの電気信号には上述
した理由により充分なコントラストが得られる。次に、
この２つの信号は増幅器１２１，１２２をそれぞれ経由
して差動増幅器１２３にし［いり、信号の比軟が行なわ
れて出力１２４に至る。出力１２４にはチップ１１０と
チップ１１３との間にパターンの差異がない場合、即ち
欠陥が存在しない場合には。
ことは周知のφ実である。従って第５図において、光１
１８はフォトレジスト１０８が転写像として残っている
領域では、趣光され、それ以パ ４゜領つ”ｔ
’ａ、ａｉｒ□よ。、画像。有無によって充分な光の強
度比が得られる。次にガラス板１０７を：ｉｈ遇した光
をフォトマル１１９゜１２０で受信することによって２
つの電気信号に変換する。この２つの電気信号には上述
した理由により充分なコントラストが得られる。次に、
この２つの信号は増幅器１２１，１２２をそれぞれ経由
して差動増幅器１２３にし［いり、信号の比軟が行なわ
れて出力１２４に至る。出力１２４にはチップ１１０と
チップ１１３との間にパターンの差異がない場合、即ち
欠陥が存在しない場合には。
差動増幅器１２３から信号は発生しないが、差異がある
場合、即ち欠陥が存在する場合に１，２つの信号間に差
異が生じ、これが差動増幅器１２３にて比較された後、
信号が発生して欠陥の存在を検出することができる。
場合、即ち欠陥が存在する場合に１，２つの信号間に差
異が生じ、これが差動増幅器１２３にて比較された後、
信号が発生して欠陥の存在を検出することができる。
次にとの比軟検査を、ホルダー１１５を紙面内の横方向
及び紙面に対して垂直方向に１かしながら行なうことに
よりチップ内全域の欠陥の存在、即ち、レチクル上の異
物の存在を検知することができる。
及び紙面に対して垂直方向に１かしながら行なうことに
よりチップ内全域の欠陥の存在、即ち、レチクル上の異
物の存在を検知することができる。
上述したように、この発明によれは、縮小投影島光装置
においてます同一の複数個のチップを有するレチクルを
用いることにより、レチクル上の異物が転写されたため
に生ずる欠陥は共通欠陥とならず、比較検査が可能とな
る。
においてます同一の複数個のチップを有するレチクルを
用いることにより、レチクル上の異物が転写されたため
に生ずる欠陥は共通欠陥とならず、比較検査が可能とな
る。
次にこのレチクルを透過性を有する基板上の非透過性を
有するフォトレジストに転写して、光を照射するために
充分なコントラストが得られ、この光の増減を電気信号
に変換して比較検査するために、従来の肉眼による検査
にしはしば見られる検査ミスが防止され、信頼性の高い
検出を行なうことができる。更に検査工程の自動化によ
り工数の動域化を実現できる。
有するフォトレジストに転写して、光を照射するために
充分なコントラストが得られ、この光の増減を電気信号
に変換して比較検査するために、従来の肉眼による検査
にしはしば見られる検査ミスが防止され、信頼性の高い
検出を行なうことができる。更に検査工程の自動化によ
り工数の動域化を実現できる。
第１図ないし第６図は本発明の一実施例における主要工
程図である。 尚、図において、１０１・・・・・・チップ、１０２・
・・・・・テップ、１０３・・・・・・レチクル、１０
４・・・・・・レチクル上の異物、１０５・・°°°°
レチクル上の異物、１０６・・・・・・レチクル上の回
路パターン、１０７・・・・・・透過性を有するガラス
板、１０８・・・・・・フォトレジスト、１０９・・・
・・・フォトレジスト像、１１０−°印−チツブ１０１
の転写像、１１１・・・・・・チップ１０２の転写像％
１１２・°・・・・レチクル上の異物１０４の転写像
、１１３・・・・・・レチクル上の異物１０５０転写像
、１１４・・・・・・レチクル上の回路パターンの転写
像、１１５・・・・・・ホルダー、１１６・・・・・・
対物レンズ、１１７・パ・・・対物レンズ、１１８・・
・・・・光、１１９・・・・・・フォトマル、１２０・
・・・・・７オトマル、１２１・・・・・・増幅器、１
２２・・・・・・増幅器、１２３・・・・・・差動増幅
器、１２４・・・・・・出力である。 第１図 １θ５ 第２図 ０８ 第３図 ０７ 第４図 第５図 １８ ２１ 第６図 ５皮 長 （ｎｒｒＬ）
程図である。 尚、図において、１０１・・・・・・チップ、１０２・
・・・・・テップ、１０３・・・・・・レチクル、１０
４・・・・・・レチクル上の異物、１０５・・°°°°
レチクル上の異物、１０６・・・・・・レチクル上の回
路パターン、１０７・・・・・・透過性を有するガラス
板、１０８・・・・・・フォトレジスト、１０９・・・
・・・フォトレジスト像、１１０−°印−チツブ１０１
の転写像、１１１・・・・・・チップ１０２の転写像％
１１２・°・・・・レチクル上の異物１０４の転写像
、１１３・・・・・・レチクル上の異物１０５０転写像
、１１４・・・・・・レチクル上の回路パターンの転写
像、１１５・・・・・・ホルダー、１１６・・・・・・
対物レンズ、１１７・パ・・・対物レンズ、１１８・・
・・・・光、１１９・・・・・・フォトマル、１２０・
・・・・・７オトマル、１２１・・・・・・増幅器、１
２２・・・・・・増幅器、１２３・・・・・・差動増幅
器、１２４・・・・・・出力である。 第１図 １θ５ 第２図 ０８ 第３図 ０７ 第４図 第５図 １８ ２１ 第６図 ５皮 長 （ｎｒｒＬ）
Claims (1)
- 縮小投影無光装置において、同一の複数個のチップを有
するレチクルを使用し、透過性を有するｉ！＃板上に形
成されたフォトレジストに該複数個のチップを繰り返し
転写する工程と、転写された該複数個の中の第１のチッ
プと、他の第２のチップとに骸フォトレジストに対し、
非透過性を有する光を照射し、比較検査する工程とを含
むことを特徴とするパターン欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190293A JPS5891636A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | パタ−ン欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190293A JPS5891636A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | パタ−ン欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891636A true JPS5891636A (ja) | 1983-05-31 |
Family
ID=16255754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190293A Pending JPS5891636A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | パタ−ン欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891636A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358138A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-12 | Sony Corp | パタ−ン検査装置 |
| CN103630547A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-12 | 明基材料有限公司 | 具有周期性结构的光学薄膜的瑕疵检测方法及其检测装置 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56190293A patent/JPS5891636A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358138A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-12 | Sony Corp | パタ−ン検査装置 |
| CN103630547A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-12 | 明基材料有限公司 | 具有周期性结构的光学薄膜的瑕疵检测方法及其检测装置 |
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