JPS589139A - レジスト膜 - Google Patents
レジスト膜Info
- Publication number
- JPS589139A JPS589139A JP56108404A JP10840481A JPS589139A JP S589139 A JPS589139 A JP S589139A JP 56108404 A JP56108404 A JP 56108404A JP 10840481 A JP10840481 A JP 10840481A JP S589139 A JPS589139 A JP S589139A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- laser beam
- pattern
- reflected
- light
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジスト膜材料の改善に関し、特にレーザ光を
用いて欠陥検査されるレジスト膜パターンを形成するレ
ジスト膜材料の改善に関する。
用いて欠陥検査されるレジスト膜パターンを形成するレ
ジスト膜材料の改善に関する。
半導体製造に不可欠なフォトリングフフイ技術は急速に
進歩して、半導体素子は微細化され、サブミクロン程度
のパターンも形成されるよう罠なってきたが、それを形
成するためのレジスト膜パターンあるいはフォトマスク
パターンは当然微細で複雑となってき苑ために、従来か
らの目視検査ではミスが生じやすく能率も良くないので
、最近はレーザ光によるパターン検査が行なわれるよう
になってきた。レーザ光を用いたゴミなどの微粒子や微
小欠陥の検出は、タングステンランプを光源とした検査
装置よシ検出精度が良くて半導体製造の各工程に利用さ
れているが、レジスト膜パターンの検査にも極めて有効
なものである。
進歩して、半導体素子は微細化され、サブミクロン程度
のパターンも形成されるよう罠なってきたが、それを形
成するためのレジスト膜パターンあるいはフォトマスク
パターンは当然微細で複雑となってき苑ために、従来か
らの目視検査ではミスが生じやすく能率も良くないので
、最近はレーザ光によるパターン検査が行なわれるよう
になってきた。レーザ光を用いたゴミなどの微粒子や微
小欠陥の検出は、タングステンランプを光源とした検査
装置よシ検出精度が良くて半導体製造の各工程に利用さ
れているが、レジスト膜パターンの検査にも極めて有効
なものである。
例えば、所望パターンを１０倍に拡大したレチク〜を作
って、これを観に縮少し、ウェハー上に繰り返し焼き付
ける縮少露光の工程においても、−レチクルは最初に検
査されて正常なパターンとして保証されてはいるが、ス
テップアンドレピータにレチク〜を取り付けた後、Ｖチ
クμ上にゴミ。
って、これを観に縮少し、ウェハー上に繰り返し焼き付
ける縮少露光の工程においても、−レチクルは最初に検
査されて正常なパターンとして保証されてはいるが、ス
テップアンドレピータにレチク〜を取り付けた後、Ｖチ
クμ上にゴミ。
汚れが付着しあるいは微小傷ができたシすることがらシ
、そのま＼焼き付けると、僅かのゴミの付着でも全て不
良チップとなる恐れがある。そのため、ステップアンド
レピータに取シ付けて、製品のウェハーを焼き付ける直
前に、レチクルの／（ターンは正常であるかどうかの検
査が必要になる。
、そのま＼焼き付けると、僅かのゴミの付着でも全て不
良チップとなる恐れがある。そのため、ステップアンド
レピータに取シ付けて、製品のウェハーを焼き付ける直
前に、レチクルの／（ターンは正常であるかどうかの検
査が必要になる。
その検査方法としては次のレーザ走査による自動検査方
法があるが、それは先づレチクμ上の２つの同一パター
ンを、レジスト膜が塗布された半導体ウェハー面に焼き
付は現像してレジメＦ膜パタ−ンに形成する。そして、
その２つのレジスト膜パターンの同一位置をレーザ光で
同時に走査して、反射光の強度信号を比較し、差異が検
出されると異常パターン、強度差が検出されないと正常
なパターンとする。
法があるが、それは先づレチクμ上の２つの同一パター
ンを、レジスト膜が塗布された半導体ウェハー面に焼き
付は現像してレジメＦ膜パタ−ンに形成する。そして、
その２つのレジスト膜パターンの同一位置をレーザ光で
同時に走査して、反射光の強度信号を比較し、差異が検
出されると異常パターン、強度差が検出されないと正常
なパターンとする。
このような自動検査が行われる場合、通常のレジスト膜
はレーザ光を吸収せずに、レジメ）膜内部を透過して、
半導体ウェハー表面から反射するため、レジスト膜パタ
ーンのない半導体ウェハー上からの反射光との強度差が
小さく（コントラストが小さく）、且つレジスト膜表面
からも反射し、又レジスト膜厚の表面と底部とで反射し
合うためにレジスト膜厚によって反射光の強度が異なり
、レジスト膜からも均一な光強度がえられないなどの問
題がある。第１図はそれを図示したもので、■は半導体
ウェハー１からの直接反射光、ｌはレジスト膜パターン
２からの反射光を示し、レジスト膜パターン有無の相異
が判然としない。
はレーザ光を吸収せずに、レジメ）膜内部を透過して、
半導体ウェハー表面から反射するため、レジスト膜パタ
ーンのない半導体ウェハー上からの反射光との強度差が
小さく（コントラストが小さく）、且つレジスト膜表面
からも反射し、又レジスト膜厚の表面と底部とで反射し
合うためにレジスト膜厚によって反射光の強度が異なり
、レジスト膜からも均一な光強度がえられないなどの問
題がある。第１図はそれを図示したもので、■は半導体
ウェハー１からの直接反射光、ｌはレジスト膜パターン
２からの反射光を示し、レジスト膜パターン有無の相異
が判然としない。
したがって、パターン検査精度の信頼性は充分でなく、
本発明はとのよ、うな欠点を除去するとと波長を吸収す
る染料を予め混入せしめたウェハー検査用のレジス）膜
を提案するもので、以下詳細に説明する。
本発明はとのよ、うな欠点を除去するとと波長を吸収す
る染料を予め混入せしめたウェハー検査用のレジス）膜
を提案するもので、以下詳細に説明する。
普通、良く用いられるＶ−ザ光としてはヘリウム・ネオ
ン（Ｈｅ−Ｎｅ）ｖ−ザ光がチリ、その波長は６８２Ｂ
＆として知られている。この波長域の光を吸収する染料
としては、ダイレクトダークグリーンＢ、又はダイレク
トグリーンＢ、又はダイレクトグリーンＧがｌｊ）、Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザ光を利用してレジスト膜パターンを検査
する場合には、予めレジスＦ液にこれらの染料を数％入
れて、攪拌して均一に混合させる。第′２図は光の波長
と吸光度との図表を示し、紫外線用レジスト膜のみでは
実線ａの吸光度をもっていて８０００−４０００ Ａの
波長域の光しか吸光しないが、上記の染料を混入させる
と、破線すの吸光度曲線が現われて、６０００Ａ前後の
波長の光をも吸収するようになる。
ン（Ｈｅ−Ｎｅ）ｖ−ザ光がチリ、その波長は６８２Ｂ
＆として知られている。この波長域の光を吸収する染料
としては、ダイレクトダークグリーンＢ、又はダイレク
トグリーンＢ、又はダイレクトグリーンＧがｌｊ）、Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザ光を利用してレジスト膜パターンを検査
する場合には、予めレジスＦ液にこれらの染料を数％入
れて、攪拌して均一に混合させる。第′２図は光の波長
と吸光度との図表を示し、紫外線用レジスト膜のみでは
実線ａの吸光度をもっていて８０００−４０００ Ａの
波長域の光しか吸光しないが、上記の染料を混入させる
と、破線すの吸光度曲線が現われて、６０００Ａ前後の
波長の光をも吸収するようになる。
このようにしたレジスト膜を用いそ、第８図に示すよう
に膜厚約１μｍのレジスト膜パターン３を形成し、Ｈｅ
−Ｎｅレーザを照射すると、そのレーザ光の大半は吸収
されて、レジスト膜パターン８の表面かられず゛かにレ
ーザ光量が反射するのみと々る。そのため、半導体ウェ
ハー１上からの直接反射光Ｉとは蓄しい反射光の対比（
コントラスト大）が得られ、又レジスト膜の膜厚による
反射光の差もなくなる。
に膜厚約１μｍのレジスト膜パターン３を形成し、Ｈｅ
−Ｎｅレーザを照射すると、そのレーザ光の大半は吸収
されて、レジスト膜パターン８の表面かられず゛かにレ
ーザ光量が反射するのみと々る。そのため、半導体ウェ
ハー１上からの直接反射光Ｉとは蓄しい反射光の対比（
コントラスト大）が得られ、又レジスト膜の膜厚による
反射光の差もなくなる。
又、このようにして混入させる染料は、照射するＶ−ザ
光の種類によって変える必要があシ、例えばヘリウム・
カドミニウム（Ｈｅ−Ｃｄ）レー！光は、波長が４４０
０人程度であるから上記し九Ｈｅ−Ｎｅレーザ光用の７
・−料では役立たないし、又、第２図の、／ 図表からレジスト膜そのものでも吸収されるが不充分で
おるから、第２図に示す点線Ｃの吸光度をもった染料、
オーラミンコンク、又はオーラミンコンクを混入させる
。そうすれば、レジスト膜パターンからの反射は著しく
減少して、基板面とのコントラストが大となる。。かよ
うな染料の混入量は１０％程度あるいはそれ以下で充分
であり、その量は露光、現像その他の反応に影響を及ぼ
さない。
光の種類によって変える必要があシ、例えばヘリウム・
カドミニウム（Ｈｅ−Ｃｄ）レー！光は、波長が４４０
０人程度であるから上記し九Ｈｅ−Ｎｅレーザ光用の７
・−料では役立たないし、又、第２図の、／ 図表からレジスト膜そのものでも吸収されるが不充分で
おるから、第２図に示す点線Ｃの吸光度をもった染料、
オーラミンコンク、又はオーラミンコンクを混入させる
。そうすれば、レジスト膜パターンからの反射は著しく
減少して、基板面とのコントラストが大となる。。かよ
うな染料の混入量は１０％程度あるいはそれ以下で充分
であり、その量は露光、現像その他の反応に影響を及ぼ
さない。
以上は縮少露光方法の一実施例で説明したが、これから
判るように、本発明はレーザ光を走査し、その信号から
欠陥を検出する自動検査装置が使用される場合、その製
造工程に用いるレジスト膜として有効であシ、検査の信
頼度が良くなって、検査精度が一定化され、それによシ
製作される半導体装置の歩留並びに品質向上に極めて貢
献するものである。
判るように、本発明はレーザ光を走査し、その信号から
欠陥を検出する自動検査装置が使用される場合、その製
造工程に用いるレジスト膜として有効であシ、検査の信
頼度が良くなって、検査精度が一定化され、それによシ
製作される半導体装置の歩留並びに品質向上に極めて貢
献するものである。
第１図は従来のレジスト膜パターンからの反射光を示す
図、第２図は染料及びレジスト膜の吸光波長を示す図表
、第３図は本発明Ｋか−るレジスト膜パターンからの反
射光を示す図である。図中、ｌは半導体ウェハー、２は
従来のレジスト膜、８は染料が混入されたレジスト膜を
示す。
図、第２図は染料及びレジスト膜の吸光波長を示す図表
、第３図は本発明Ｋか−るレジスト膜パターンからの反
射光を示す図である。図中、ｌは半導体ウェハー、２は
従来のレジスト膜、８は染料が混入されたレジスト膜を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザ光の固有波長を吸収する染料を、混入せ櫟 しめたことを物量とするウェハー検査用のレジスト膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108404A JPS589139A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | レジスト膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108404A JPS589139A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | レジスト膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589139A true JPS589139A (ja) | 1983-01-19 |
Family
ID=14483889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56108404A Pending JPS589139A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | レジスト膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589139A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154545A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Kyowa Gokin Kk | Manufacture of spheroidal graphite steel |
| JPS6027104A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | ロ−ム株式会社 | チツプ抵抗器の製造方法 |
| JPS6076606A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | マスクの欠陥検査方法 |
| JPS6327830A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-05 | Daicel Chem Ind Ltd | 蛍光性光硬化組成物 |
| JPH04355901A (ja) * | 1991-07-12 | 1992-12-09 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS495480B1 (ja) * | 1970-12-30 | 1974-02-07 | ||
| JPS566146A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | Detector for defective pellet |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56108404A patent/JPS589139A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS495480B1 (ja) * | 1970-12-30 | 1974-02-07 | ||
| JPS566146A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | Detector for defective pellet |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154545A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Kyowa Gokin Kk | Manufacture of spheroidal graphite steel |
| JPS6027104A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | ロ−ム株式会社 | チツプ抵抗器の製造方法 |
| JPS6076606A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | マスクの欠陥検査方法 |
| JPS6327830A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-05 | Daicel Chem Ind Ltd | 蛍光性光硬化組成物 |
| JPH04355901A (ja) * | 1991-07-12 | 1992-12-09 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
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