JPS5891029A - ＳｉＣの連続製造法 - Google Patents
ＳｉＣの連続製造法Info
- Publication number
- JPS5891029A JPS5891029A JP56188977A JP18897781A JPS5891029A JP S5891029 A JPS5891029 A JP S5891029A JP 56188977 A JP56188977 A JP 56188977A JP 18897781 A JP18897781 A JP 18897781A JP S5891029 A JPS5891029 A JP S5891029A
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- JP
- Japan
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- furnace
- materials
- allowed
- exhaust gas
- vertical furnace
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、８ ｉｏｚま７’Ｃに８ ｉ０ｚ含有化合切
と炭糸とを原料として竪型炉を用いてＳｉＯを連続的に
装造する方法に関するものである。
と炭糸とを原料として竪型炉を用いてＳｉＯを連続的に
装造する方法に関するものである。
一般にＳｉＯを連続装造する鳩舎には、シリカ、例えば
ケイ石又ａ、シリカ含有化合−、例えはジルコンサンド
（Ｚｒ５ｉＵ４）、ムライ） （３ｉ１ｇＯｍ・２８ｉ
（ｈ ）、粘土（ｍＡｌ！Ｏａ 、 ｎｓｉｏｇが主成
分）、蛇紋岩（３ＳｉＯｚ・２Ｍｇ０が主成分）等の粉
末と、成木粉末とを混合して造粒し、との造粒物（ベレ
ット）を外周部（Ｃ設けられ友電気抵抗発熱体によＱ加
熱される竪型反応炉の上部より供給し、自重により降下
する過程でＳ ｉＯｚと０とを反応させ、生成したＳｉ
Ｏを炉下部より取出している。
ケイ石又ａ、シリカ含有化合−、例えはジルコンサンド
（Ｚｒ５ｉＵ４）、ムライ） （３ｉ１ｇＯｍ・２８ｉ
（ｈ ）、粘土（ｍＡｌ！Ｏａ 、 ｎｓｉｏｇが主成
分）、蛇紋岩（３ＳｉＯｚ・２Ｍｇ０が主成分）等の粉
末と、成木粉末とを混合して造粒し、との造粒物（ベレ
ット）を外周部（Ｃ設けられ友電気抵抗発熱体によＱ加
熱される竪型反応炉の上部より供給し、自重により降下
する過程でＳ ｉＯｚと０とを反応させ、生成したＳｉ
Ｏを炉下部より取出している。
上記反応において、ＳｉＯσベレット中で下式により生
成される。
成される。
５ｉｎ２＋３０＝８ｉ０＋２００ ・・・・・・・・
・・・・・・・ （１１したがってベレット中のｓｉｏ
ｇとＣとの配合は、モル比８１０２／ｃ−１／３を基準
としている。（以下第１法という） しかし、上記反応では、ベレット中で８ｉ０が生成され
るので含有する不純切か゛製品ＳｉＯ中に製部蓄積され
ＳｉＯの純度を下げる傾向かある。このため、高純度の
ＳｉＯを得るにはベレット中の７８１０ｚのモル比１／
ｌを基準としてベレットをつくり、これに粒状炭材（以
下外装炭という）を配合して上記竪型炉の上部に投入し
、炉内を徐々に降下さ？、この降下過程で、上記ベレッ
ト内の次式の反応が起り、 ５ｉ０２＋ Ｏ＝ ８ｉＯ＋００ ・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ （２）ＳｉＯおよび００が揮散
し、揮散したＳｉＯと配合した外装炭とが反応して（３
）式によって生成するＳｉＯを炉下部より取出す ＳｉＯ＋２０＝ＳｉＯ＋００ ・・・・・・・・・・
・・・・・ （３）方法も提案されている（以下第２法
という）。
・・・・・・・ （１１したがってベレット中のｓｉｏ
ｇとＣとの配合は、モル比８１０２／ｃ−１／３を基準
としている。（以下第１法という） しかし、上記反応では、ベレット中で８ｉ０が生成され
るので含有する不純切か゛製品ＳｉＯ中に製部蓄積され
ＳｉＯの純度を下げる傾向かある。このため、高純度の
ＳｉＯを得るにはベレット中の７８１０ｚのモル比１／
ｌを基準としてベレットをつくり、これに粒状炭材（以
下外装炭という）を配合して上記竪型炉の上部に投入し
、炉内を徐々に降下さ？、この降下過程で、上記ベレッ
ト内の次式の反応が起り、 ５ｉ０２＋ Ｏ＝ ８ｉＯ＋００ ・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ （２）ＳｉＯおよび００が揮散
し、揮散したＳｉＯと配合した外装炭とが反応して（３
）式によって生成するＳｉＯを炉下部より取出す ＳｉＯ＋２０＝ＳｉＯ＋００ ・・・・・・・・・・
・・・・・ （３）方法も提案されている（以下第２法
という）。
これら第１法及び第２法において、５ｉｎ２系化合吻、
例えばジルコンサンド（Ｚｒ３ｉ０４）笠を原料とする
こともできる。第２法の場合は気体８ｉ０が外装炭と反
応してＳｉＯが生成するので、原料中の不純物が生成Ｓ
ｉＯ中に入らない。このため、原料８ｉ０ｚの純度が低
くとも、生成する８ｉ０の純度を高くすることか出来る
長所を有す。そしてＺｒＳｉＯ４等のシリカ系化合′＋
ｉｌＪを原料とし、生成物をＳｉＯとＺｒ０ｚ ＠のＺ
ｒ化合物とに分離したい場合は第２法によりベレット中
にＺｒ化合物等を濃縮残留物として副生させ、また生成
しｆｃｓｉｏとＺｒ０ｚ等の含有吻を分離する必要がな
い場合には、ベレット中のＣの量を増加して、第１法に
よりＳｉＯとＺｒＯ２又はＺｒＯの混合物を生成さぜる
。
例えばジルコンサンド（Ｚｒ３ｉ０４）笠を原料とする
こともできる。第２法の場合は気体８ｉ０が外装炭と反
応してＳｉＯが生成するので、原料中の不純物が生成Ｓ
ｉＯ中に入らない。このため、原料８ｉ０ｚの純度が低
くとも、生成する８ｉ０の純度を高くすることか出来る
長所を有す。そしてＺｒＳｉＯ４等のシリカ系化合′＋
ｉｌＪを原料とし、生成物をＳｉＯとＺｒ０ｚ ＠のＺ
ｒ化合物とに分離したい場合は第２法によりベレット中
にＺｒ化合物等を濃縮残留物として副生させ、また生成
しｆｃｓｉｏとＺｒ０ｚ等の含有吻を分離する必要がな
い場合には、ベレット中のＣの量を増加して、第１法に
よりＳｉＯとＺｒＯ２又はＺｒＯの混合物を生成さぜる
。
上記第１法の場合も、反応式（１）において、中間的に
反応式（２）の反応があり、生成した８ｉ０ガスが１部
ベレット外に放出され、棟々のトラブルを起す。この５
ｉＯＵ、原料ベレットに外装炭を配合することによりか
なりの部分か外装炭と反応し、ＳｉＯとして捕捉できる
か、竪型炉内のガスの流れが下から上、即ち原料と向流
方向だとＳｉＯガスが外装炭で完全に捕捉されず１部炉
の上部の低温部で８１０ｘ等となって析出し、あるいは
５ｉＯｚのヒユームとして炉外に放出される。また、第
２法においては、反応式（２）によって生成、揮散する
ＳｉＯは、反応式（３）によって外装炭に捕捉されるが
、炉内ガスの流れが前記同様だと一部は低温部で析出あ
るいは００ガスとともにＩＩ’出される。これら８ｉ０
を含有する排ガスが炉外に排出されると、Ｓｉｎｇのヒ
ユームにより作業環境を悪化させるとともに省資源に反
する。
反応式（２）の反応があり、生成した８ｉ０ガスが１部
ベレット外に放出され、棟々のトラブルを起す。この５
ｉＯＵ、原料ベレットに外装炭を配合することによりか
なりの部分か外装炭と反応し、ＳｉＯとして捕捉できる
か、竪型炉内のガスの流れが下から上、即ち原料と向流
方向だとＳｉＯガスが外装炭で完全に捕捉されず１部炉
の上部の低温部で８１０ｘ等となって析出し、あるいは
５ｉＯｚのヒユームとして炉外に放出される。また、第
２法においては、反応式（２）によって生成、揮散する
ＳｉＯは、反応式（３）によって外装炭に捕捉されるが
、炉内ガスの流れが前記同様だと一部は低温部で析出あ
るいは００ガスとともにＩＩ’出される。これら８ｉ０
を含有する排ガスが炉外に排出されると、Ｓｉｎｇのヒ
ユームにより作業環境を悪化させるとともに省資源に反
する。
また、上記００を主体とする排ガスが炉上部より排出さ
れる場合、上記ＳｉＯを僅か含有する排ガスＣＯａ、炉
上部に投入された原料ベレットと炉上部の予熱部で接触
し、原料を加熱するとともに排ガスは降温する。このた
め含有する５ｉＯｉｊ析出し、ベレット間を固着して原
料詰りを起さき′ｆＣす、更には、排ガス抜出しパイプ
内等で析出してガス抜きを悪化させ、炉内圧を高めて反
応の進行を阻害するはかりでなく、排ガスの突出等も発
生することかある。
れる場合、上記ＳｉＯを僅か含有する排ガスＣＯａ、炉
上部に投入された原料ベレットと炉上部の予熱部で接触
し、原料を加熱するとともに排ガスは降温する。このた
め含有する５ｉＯｉｊ析出し、ベレット間を固着して原
料詰りを起さき′ｆＣす、更には、排ガス抜出しパイプ
内等で析出してガス抜きを悪化させ、炉内圧を高めて反
応の進行を阻害するはかりでなく、排ガスの突出等も発
生することかある。
これに対し、上記排ガスを炉下８から抜出す場合、Ｓｉ
Ｏを含有する排ガスは、下方の高温反応領域を通るので
殆どの８ｉ０がＯと反応して８ｉ０となる。排ガスを炉
下部より抜出す場合、排ガスを生成８ｉ０と一緒に排出
口から抜出し、ガスを回収することは装置を複雑とする
。また、この場合抜出し生成りの冷却とともに排ガスの
冷却も行なうことになるので、排ガスの顕熱分の冷却が
加算されることになる。さらに排ガスを原料の予熱等に
利用するＫはＳｉＯが８ｉＯ化した威はなるべく高い温
度で排ガスを抜き出すことが好ましい。これらの点より
排ガスは炉の下部側面で５００〜１２００℃の温度帯域
から抜き出すことが好ましい。
Ｏを含有する排ガスは、下方の高温反応領域を通るので
殆どの８ｉ０がＯと反応して８ｉ０となる。排ガスを炉
下部より抜出す場合、排ガスを生成８ｉ０と一緒に排出
口から抜出し、ガスを回収することは装置を複雑とする
。また、この場合抜出し生成りの冷却とともに排ガスの
冷却も行なうことになるので、排ガスの顕熱分の冷却が
加算されることになる。さらに排ガスを原料の予熱等に
利用するＫはＳｉＯが８ｉＯ化した威はなるべく高い温
度で排ガスを抜き出すことが好ましい。これらの点より
排ガスは炉の下部側面で５００〜１２００℃の温度帯域
から抜き出すことが好ましい。
本発明は、上記の事情に鑑み、原料の詰りゃ排ガス導管
の閉塞が発生せず、排ガスの抜出しが容易でかつ抜出す
排ガスの冷却を必要としない、ＳｉＯの連続線造法を提
供することを目的とするもので、竪型炉上部より投入さ
れた原料を徐々に降下さ１てＳｉＯを連続して製造する
場合、生成するＣｏ等の排ガスを上記原料と並行して流
すとともに竪型炉下部、好ましく１ｊ５００〜１２００
℃の帯域から抜出すようにしたものである。
の閉塞が発生せず、排ガスの抜出しが容易でかつ抜出す
排ガスの冷却を必要としない、ＳｉＯの連続線造法を提
供することを目的とするもので、竪型炉上部より投入さ
れた原料を徐々に降下さ１てＳｉＯを連続して製造する
場合、生成するＣｏ等の排ガスを上記原料と並行して流
すとともに竪型炉下部、好ましく１ｊ５００〜１２００
℃の帯域から抜出すようにしたものである。
以下本発明を説明する。
本発明においては、竪型炉を用い炉頂部をシールし、排
ガスを炉下部より抜取るので、反応域上部で発生したＳ
ｉＯを含有する００全量が必然的に炉中間部の反応領域
を通過するため、上記一部含有する未反応８ｉ０はすべ
て未反応のカーボンと反応し、排ガス中に含有されるＳ
ｉＯが無くなる。したがって、８ｉ００析出による詰り
かなくなりかつ作条環境が顕著に改善される。さらに排
ガスは、炉の下方、好ましく１−１５００〜１２００℃
の特定温度領域から抜出されるため、ガス顕熱分の冷却
は不安であり、排ガスを効果的に回収することが出来る
。
ガスを炉下部より抜取るので、反応域上部で発生したＳ
ｉＯを含有する００全量が必然的に炉中間部の反応領域
を通過するため、上記一部含有する未反応８ｉ０はすべ
て未反応のカーボンと反応し、排ガス中に含有されるＳ
ｉＯが無くなる。したがって、８ｉ００析出による詰り
かなくなりかつ作条環境が顕著に改善される。さらに排
ガスは、炉の下方、好ましく１−１５００〜１２００℃
の特定温度領域から抜出されるため、ガス顕熱分の冷却
は不安であり、排ガスを効果的に回収することが出来る
。
なお、本発明の方法の原料としてケイ石の他シリカ含有
化合切としてＺｒＳｉＯ４、ムライト、粘土、蛇紋岩等
が使用される。この場合上記シリカ成分原料粉末と混合
造粒される内装炭の配合址は、含有する５ｉｎ２成分に
対し、第１法では理論量の１〜１．５培、第２法では理
論量の１〜１．２培が好ましい。また、上記混合造粒さ
れたベレットとともに竪型炉にフィードされる外装炭の
量は、第１法において１ｓｉＯｚ１モルに対してＱ、５
〜３モル、第２法においては、２〜５モルが好ましい。
化合切としてＺｒＳｉＯ４、ムライト、粘土、蛇紋岩等
が使用される。この場合上記シリカ成分原料粉末と混合
造粒される内装炭の配合址は、含有する５ｉｎ２成分に
対し、第１法では理論量の１〜１．５培、第２法では理
論量の１〜１．２培が好ましい。また、上記混合造粒さ
れたベレットとともに竪型炉にフィードされる外装炭の
量は、第１法において１ｓｉＯｚ１モルに対してＱ、５
〜３モル、第２法においては、２〜５モルが好ましい。
また、上記ベレットおよび外装炭は、竪型炉の上部にフ
ィードされ降下過程で反応して、炉下部より取出される
が、反応温度は、１６００〜１９００℃、上記温度域の
滞留時間は、０．５〜４■］「が適当である。
ィードされ降下過程で反応して、炉下部より取出される
が、反応温度は、１６００〜１９００℃、上記温度域の
滞留時間は、０．５〜４■］「が適当である。
次に実施例を示し本発明を説明する。
第１図は、本発明の方法において使用する竪型炉の一例
を示すものでおる。
を示すものでおる。
〔実施例１〕
４４μ以下のシリカとカーボンをモル比で１／１に混合
し、バインダとしてＯＭＯを用いパンペレタイザーで３
〜５闘ダに造粒した。同じようにしてカーボンブラック
ｔ−７〜９ｉｍ、＄に造粒した。上記造粒物中のシリカ
１モルに対しカーボンブラック造粒９２．５モルの割合
で混合した。この混合造粒物を上記竪型炉の上部より投
入した。投入は、上蓋１より行ない、蓋１を閉じた鎌ダ
ンパー２により下部に供給するようにし、シール状態を
保持して間欠的に供給した。この炉の反応筒３の外周に
は、断熱材４およびブスバー５を介して電熱加熱される
ヒータ６が設けられている。反応筒３に投入された原料
は、反応領域７で、上記反応式（２）および（３）に従
って順次反応し、炉下部の冷却部８を通って降温され、
コンベヤ９によって搬出された。また、発生したＣＯを
主体とする排ガスは、ガス取出口１０より導出した。
し、バインダとしてＯＭＯを用いパンペレタイザーで３
〜５闘ダに造粒した。同じようにしてカーボンブラック
ｔ−７〜９ｉｍ、＄に造粒した。上記造粒物中のシリカ
１モルに対しカーボンブラック造粒９２．５モルの割合
で混合した。この混合造粒物を上記竪型炉の上部より投
入した。投入は、上蓋１より行ない、蓋１を閉じた鎌ダ
ンパー２により下部に供給するようにし、シール状態を
保持して間欠的に供給した。この炉の反応筒３の外周に
は、断熱材４およびブスバー５を介して電熱加熱される
ヒータ６が設けられている。反応筒３に投入された原料
は、反応領域７で、上記反応式（２）および（３）に従
って順次反応し、炉下部の冷却部８を通って降温され、
コンベヤ９によって搬出された。また、発生したＣＯを
主体とする排ガスは、ガス取出口１０より導出した。
反応条件に、反応筒［：１８００℃、滞留時間：２ Ｈ
ｒとした。排出ガスは、温度８００℃の部分１０ａより
排ガス取出口１０を介して取出し炉外で燃焼さぜたが、
炎は青色を呈し粉塵の発生は見られなかった。また排ガ
スを分析したところ００：９７％、Ｈ！ ：３％であっ
た。生成ｗけ、黄緑色を呈しＸ線解析の結果β−８ｉＯ
と同定された。
ｒとした。排出ガスは、温度８００℃の部分１０ａより
排ガス取出口１０を介して取出し炉外で燃焼さぜたが、
炎は青色を呈し粉塵の発生は見られなかった。また排ガ
スを分析したところ００：９７％、Ｈ！ ：３％であっ
た。生成ｗけ、黄緑色を呈しＸ線解析の結果β−８ｉＯ
と同定された。
〔実施例２〕
４４μ以下のジルコンサンド（ＺｒＯ＊・８ ｉｏｚ：
９９％）とカーボンをモル比で１／ｌに混合し３〜５朋
ダに造粒した。同様に活性炭を７〜９龍にふるい分け、
上記造粒物中のジルコンサンド１モルに対して２．２モ
ルの割合で配合し、実施例１と同様の操作で反応を行な
わ♂た。
９９％）とカーボンをモル比で１／ｌに混合し３〜５朋
ダに造粒した。同様に活性炭を７〜９龍にふるい分け、
上記造粒物中のジルコンサンド１モルに対して２．２モ
ルの割合で配合し、実施例１と同様の操作で反応を行な
わ♂た。
その結果、排出ガスげ００：９７チ、Ｈ２：３饅であっ
た。また、生成Ｗσ、混合造粒物か灰色を呈し、ＸＩｌ
＋１解析の結果バデライトと同定された。
た。また、生成Ｗσ、混合造粒物か灰色を呈し、ＸＩｌ
＋１解析の結果バデライトと同定された。
活性炭に緑色を呈しβ−８ｉＯと同定された。
第１図は、本発明の方法を実施する竪型炉の一例を示す
縦断面図である。 １・・・上蓋、２・・・ダンパ、３・・・反応筒、４・
・・〜ｉ熱材、５・・・ブスバー、６・・・ヒータ、７
・・・反応領域、８・・・冷却部、９・・・コンベア、
１０・・・排ガス取出口、１０ａ・・・所定の温度部分
。 出願人昭和電工株式会社
縦断面図である。 １・・・上蓋、２・・・ダンパ、３・・・反応筒、４・
・・〜ｉ熱材、５・・・ブスバー、６・・・ヒータ、７
・・・反応領域、８・・・冷却部、９・・・コンベア、
１０・・・排ガス取出口、１０ａ・・・所定の温度部分
。 出願人昭和電工株式会社
Claims (1)
- シリカまたはシリカ含有化合−の粉末とｍｓ粉末とを混
合、造粒し、これに粒状炭材を配合して竪型炉にその上
部より供給し、炉内で加熱し、その加熱によって反応、
生成して上記造粒切から放出されたＳｉＯガスを前記粒
状炭材と反応させて８ｉ０となし、その生成切を竪型炉
の下部より取出すとともに生成した００等のガスを配合
原料と並行して流し、竪型炉の下部から抜出すことを特
徴とする８ｉ０の連続製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188977A JPS5891029A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | ＳｉＣの連続製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188977A JPS5891029A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | ＳｉＣの連続製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891029A true JPS5891029A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16233231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56188977A Pending JPS5891029A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | ＳｉＣの連続製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166709A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Ibiden Co Ltd | 炭化物の製造方法 |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56188977A patent/JPS5891029A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166709A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Ibiden Co Ltd | 炭化物の製造方法 |
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