JPS5888976A - 電荷転送撮像装置 - Google Patents
電荷転送撮像装置Info
- Publication number
- JPS5888976A JPS5888976A JP56186354A JP18635481A JPS5888976A JP S5888976 A JPS5888976 A JP S5888976A JP 56186354 A JP56186354 A JP 56186354A JP 18635481 A JP18635481 A JP 18635481A JP S5888976 A JPS5888976 A JP S5888976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shift register
- charge
- vertical shift
- horizontal
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明状電荷転送装置を用いた撮は装置に関するもので
ある。
ある。
電荷転送装置は固体機１装置の特徴である小型軽量、低
消電力、高信頼性という観点から急速に開発が進められ
ている。
消電力、高信頼性という観点から急速に開発が進められ
ている。
しかし撮摩装置として電荷転送装置の利害得失を考える
と、先に述べ九固体撮１の利点の外に、雑音、残嫁焼き
付は等では現在使用されている撮慮管より優れているが
、高集積化が困難であるため分解能に大きな問題を残し
ている。
と、先に述べ九固体撮１の利点の外に、雑音、残嫁焼き
付は等では現在使用されている撮慮管より優れているが
、高集積化が困難であるため分解能に大きな問題を残し
ている。
電荷転送ｉ＆直を用すた撮絨装置は、フレーム転送方式
、インタ−２イン転送方式と呼ばれる方式が開発されて
いるが１本発明はインターライン転送方式の電荷転送装
置装置に関するものである。
、インタ−２イン転送方式と呼ばれる方式が開発されて
いるが１本発明はインターライン転送方式の電荷転送装
置装置に関するものである。
従来のインターライン転送方式による電荷転送撮鐵装置
は第り図に示すように同一電荷転送Ｘ極群で駆動する彼
数列の垂直シフトレジスタ１と、各垂直シフトレジスタ
のｍ−に隣接し、且つ互いに電気的に分離され、マトリ
ックス状に配列された光電変換部２と、垂直シフトレジ
スタと光電変換部間の信号電荷を制御する転送型［！３
と、各垂直シフトレジスタの一端に電気的に結合した電
荷転送水平シフトレジスタ４と、水平シフトレジスタの
一端に信号電荷を検出する装置（出力部）５から構成さ
れている。
は第り図に示すように同一電荷転送Ｘ極群で駆動する彼
数列の垂直シフトレジスタ１と、各垂直シフトレジスタ
のｍ−に隣接し、且つ互いに電気的に分離され、マトリ
ックス状に配列された光電変換部２と、垂直シフトレジ
スタと光電変換部間の信号電荷を制御する転送型［！３
と、各垂直シフトレジスタの一端に電気的に結合した電
荷転送水平シフトレジスタ４と、水平シフトレジスタの
一端に信号電荷を検出する装置（出力部）５から構成さ
れている。
２相駆−インターライン転送方式の単位セルの構成図を
＃１２図（ａ） Ｋ示す、単位セルは光電変換部ｌと、
転送電極３と、バリヤ領域６とストレージ領域７とから
なる垂直シフトレジスタｌと、隣接するセルを分離する
ため設けられたチャネルストップ領域８とから構成され
ている。即ち水平方向の１ピツチｔの間に光電変換部２
と、転送電極３と、−直シフトレジスタ１と、チャネル
ストップ領域８との４つ領域で構成されている。インタ
−２イン転送方式で水平方向の解は度を上げるため絵素
数を増すために紘、１ピツチＬのまま絵素数を単純に増
すか、ｌピッチＬを小さくして増す方法が考えられる。
＃１２図（ａ） Ｋ示す、単位セルは光電変換部ｌと、
転送電極３と、バリヤ領域６とストレージ領域７とから
なる垂直シフトレジスタｌと、隣接するセルを分離する
ため設けられたチャネルストップ領域８とから構成され
ている。即ち水平方向の１ピツチｔの間に光電変換部２
と、転送電極３と、−直シフトレジスタ１と、チャネル
ストップ領域８との４つ領域で構成されている。インタ
−２イン転送方式で水平方向の解は度を上げるため絵素
数を増すために紘、１ピツチＬのまま絵素数を単純に増
すか、ｌピッチＬを小さくして増す方法が考えられる。
ピッチを変えずに絵素数を増すとチップ面積が増大し歩
留や低下する。またピッチＬを小さくして絵素数を増加
させるためには光電変換部２と、転送型４１３と％垂直
シフトレジスタ１と、チャネルストップ領域８０４つ各
領域のパターン寸法を小さくしなければならない、パタ
ーン寸法の黴−化はプルセスと係〕あっていてパターン
寸法の微細化には限界がある。
留や低下する。またピッチＬを小さくして絵素数を増加
させるためには光電変換部２と、転送型４１３と％垂直
シフトレジスタ１と、チャネルストップ領域８０４つ各
領域のパターン寸法を小さくしなければならない、パタ
ーン寸法の黴−化はプルセスと係〕あっていてパターン
寸法の微細化には限界がある。
そこで単位セルを角ＩＩｔＩだけ回転した場合を第２図
（ｂ）に示す、水平方向のピッチはＡ’＝ｊｓｉｎ＃と
なＣｓ１ｎ＃命ｌであることよシビッチ１１はＬより小
さくなる。すなわち単位セルを角度−だけ回転してマト
リックス状に配列すると同一チップ内で水平方向の寸法
は縮まる。ところが垂直方向のピッチ紘ｍ／ｓｉｎ＃（
ｍ：回転する麹の垂直方向のピッチ）と、１１）増加し
、垂直方向のチップ寸法が増加し問題となる。
（ｂ）に示す、水平方向のピッチはＡ’＝ｊｓｉｎ＃と
なＣｓ１ｎ＃命ｌであることよシビッチ１１はＬより小
さくなる。すなわち単位セルを角度−だけ回転してマト
リックス状に配列すると同一チップ内で水平方向の寸法
は縮まる。ところが垂直方向のピッチ紘ｍ／ｓｉｎ＃（
ｍ：回転する麹の垂直方向のピッチ）と、１１）増加し
、垂直方向のチップ寸法が増加し問題となる。
本発明の目的は上記の欠点をなくした新し一構造の固体
撮威装構を提供することＫＴｏる。
撮威装構を提供することＫＴｏる。
本発明によれば、半導体基板上に形成され、同−電荷転
送電極群で駆動でき、且つ互いに電気的に分離された複
数列の電荷転送装置から成る垂直シフトレジスタ詳と、
該各垂直シフトレジスタ間にチャネルストップ手段によ
って互いに電気的に分離され、マトリックス状に配置さ
れ、電荷の蓄積が可能な光電変換部と、前記各垂直シフ
トレジスタの一端に電気的に結合された電荷転送水平シ
フトレジスタと、前記水平シフトレジスタの一端に電荷
転送装置を有する電荷転送撮鐵装置において、前記光電
変換部と前記ｆｉ垂直シフトレジスタ電荷通過領域と電
荷蓄積領域とから成る単位セルが水平シフトレジスタに
対し角度−をＩｏ〈θ〈９ｏ０をもってマトリックス状
に配列されると共に、上記垂直シフトレジスタの電荷通
過領域の下縁か同一単位セルの垂直シフトレジスタの電
荷蓄積領域の上縁と一致し、かつ−転送前の単位セルの
垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域の下縁と一致し、さ
らＫｆｉ直シフトレジスタが前記水平シフトレジスタＫ
ｆｉ直となることを特徴とする電荷転送装置装置が得ら
れる。
送電極群で駆動でき、且つ互いに電気的に分離された複
数列の電荷転送装置から成る垂直シフトレジスタ詳と、
該各垂直シフトレジスタ間にチャネルストップ手段によ
って互いに電気的に分離され、マトリックス状に配置さ
れ、電荷の蓄積が可能な光電変換部と、前記各垂直シフ
トレジスタの一端に電気的に結合された電荷転送水平シ
フトレジスタと、前記水平シフトレジスタの一端に電荷
転送装置を有する電荷転送撮鐵装置において、前記光電
変換部と前記ｆｉ垂直シフトレジスタ電荷通過領域と電
荷蓄積領域とから成る単位セルが水平シフトレジスタに
対し角度−をＩｏ〈θ〈９ｏ０をもってマトリックス状
に配列されると共に、上記垂直シフトレジスタの電荷通
過領域の下縁か同一単位セルの垂直シフトレジスタの電
荷蓄積領域の上縁と一致し、かつ−転送前の単位セルの
垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域の下縁と一致し、さ
らＫｆｉ直シフトレジスタが前記水平シフトレジスタＫ
ｆｉ直となることを特徴とする電荷転送装置装置が得ら
れる。
次に本発明についてその実ル例を示す図面を用いて説明
する。
する。
第３図は本発明の固体撮慮装置を説明するための構造模
式図で、第４図は第３図の２つのセルを示す本発明の拡
大図Ｓ第５図砿本発明の他実施岡である。
式図で、第４図は第３図の２つのセルを示す本発明の拡
大図Ｓ第５図砿本発明の他実施岡である。
インターライン転送方式の電荷転送機１装置で水平方向
は光電変換部と、転送電極と、垂直シフトレジスタと、
チャネルストップ領域との４つ領域で構成され、ている
ため、水平方向の縮小は困難である。しかし単位セルを
角度−だけ回転させると水平方向にｓ−＃倍だけ縮小で
きるが、ｆｌ直方向はオ’／’ｓｉｎ＃倍に拡大される
ことは既に述べた。
は光電変換部と、転送電極と、垂直シフトレジスタと、
チャネルストップ領域との４つ領域で構成され、ている
ため、水平方向の縮小は困難である。しかし単位セルを
角度−だけ回転させると水平方向にｓ−＃倍だけ縮小で
きるが、ｆｌ直方向はオ’／’ｓｉｎ＃倍に拡大される
ことは既に述べた。
インターライン転送方式の垂直方向は光電変換部とチャ
ネルストップ領域、または垂直シフトレジスタはバリヤ
領域と、ストレージ領域とそれぞれ２つの領域よ）構成
されているので、水平方向と比較して縮小が可能である
。このことよりインターライン転送方式では単位セルを
水平シフトレジスタに対して角にθだけ回転させ、垂直
方向のパターン寸法を縮小することにより、同一〇チッ
プ面積で水平方向の絵素数を増加させることが可能であ
る。第３図は従来のインターライン転送装置を説明し九
ｆａ１図に対応するもので本発明の基本的な構成を示す
模式図である０本発明の電荷転送撮絨装置は半導体基板
上に形成され同−電荷転送極詳で駆動でき、且つ互いに
電気的に分離され九３タｕｏｍ直シフトレジスタ鴇〜−
１と該垂直シフトレジスタ間にチャネルストップＩＩＫ
よって互いに電気的に分離され、３×３のマトリックス
状に配置され、電荷の蓄積が可−な光電変換部８１１〜
８□と、ｆＩ直シフトレジスタと光電変換部の信号電荷
転送を制御する転送制御領域’Ｉ’ｔｓ〜Ｔ、と、各垂
直シフトレジスタ鳩〜九の一端に電気的に結合し九電荷
転送水平シフトレジスタと、水平シフトレジスタの一端
に信号電荷を検出する装置１０から構成されている。な
お、第３図には回向が複雑となるため垂直シフトレジス
タ鳩〜九を駆動する電荷転送電極は省略されている０本
発明の電荷転送機織装置における単位セルは同えば光電
変換部ｐＨと、転送制御領域Ｔ０と、電荷通過領域Ｂ１
ｍと、電荷蓄積領域８１１で構成されてお夛、水平シフ
トレジスタに対して角変０１だけ回転して配置されてい
ることが特徴である０本発明の電荷輌送撮藏装置から遠
慮出力を得るＫは、第３図において光電変換部８１１〜
８．て入射光量に応じて蓄積した信号電荷を転送制御領
域Ｔｌｌ〜Ｔ−を介してそれぞれ対応する垂直シフトレ
ジスタの電荷通過領域鳩１〜８．８に転送し、次いて垂
直シフトレジスタは順次転送すると共に、水平シフトレ
ジスタ９を通じて信号電荷を１水平走査毎に読み出す、
このようにすれば、水平シフトレジスタ９の出力部よｐ
目的の撮１出力が得られる。
ネルストップ領域、または垂直シフトレジスタはバリヤ
領域と、ストレージ領域とそれぞれ２つの領域よ）構成
されているので、水平方向と比較して縮小が可能である
。このことよりインターライン転送方式では単位セルを
水平シフトレジスタに対して角にθだけ回転させ、垂直
方向のパターン寸法を縮小することにより、同一〇チッ
プ面積で水平方向の絵素数を増加させることが可能であ
る。第３図は従来のインターライン転送装置を説明し九
ｆａ１図に対応するもので本発明の基本的な構成を示す
模式図である０本発明の電荷転送撮絨装置は半導体基板
上に形成され同−電荷転送極詳で駆動でき、且つ互いに
電気的に分離され九３タｕｏｍ直シフトレジスタ鴇〜−
１と該垂直シフトレジスタ間にチャネルストップＩＩＫ
よって互いに電気的に分離され、３×３のマトリックス
状に配置され、電荷の蓄積が可−な光電変換部８１１〜
８□と、ｆＩ直シフトレジスタと光電変換部の信号電荷
転送を制御する転送制御領域’Ｉ’ｔｓ〜Ｔ、と、各垂
直シフトレジスタ鳩〜九の一端に電気的に結合し九電荷
転送水平シフトレジスタと、水平シフトレジスタの一端
に信号電荷を検出する装置１０から構成されている。な
お、第３図には回向が複雑となるため垂直シフトレジス
タ鳩〜九を駆動する電荷転送電極は省略されている０本
発明の電荷転送機織装置における単位セルは同えば光電
変換部ｐＨと、転送制御領域Ｔ０と、電荷通過領域Ｂ１
ｍと、電荷蓄積領域８１１で構成されてお夛、水平シフ
トレジスタに対して角変０１だけ回転して配置されてい
ることが特徴である０本発明の電荷輌送撮藏装置から遠
慮出力を得るＫは、第３図において光電変換部８１１〜
８．て入射光量に応じて蓄積した信号電荷を転送制御領
域Ｔｌｌ〜Ｔ−を介してそれぞれ対応する垂直シフトレ
ジスタの電荷通過領域鳩１〜８．８に転送し、次いて垂
直シフトレジスタは順次転送すると共に、水平シフトレ
ジスタ９を通じて信号電荷を１水平走査毎に読み出す、
このようにすれば、水平シフトレジスタ９の出力部よｐ
目的の撮１出力が得られる。
本！ｌｉ明Ｏ構成模式図ｊ１３図を拡大したものを第４
図に示す、単位セルは光電変換部Ｐ纜と、転送領域Ｔ鱈
と＊ｉｉ直シフトレジスタの電荷蓄積領域Ｓ纜と、垂直
シフトレジスタの電荷通過領域Ｂｓｍと、チャネルスト
ップ領域１２とで構成されている。単位セルは水平シフ
トレジスタと角度−８だけ回転させておＣ，＊直方向に
関して垂直シフトレジスタの電荷通過領域に３．の寸法
を小さくしている。垂直シフトレジスタの電荷通過領域
〜は垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域Ｓ、と電荷蓄積
領域８．との信号電荷の通過領域としているため、チャ
ネル−、チャネル長とも小さくできる。
図に示す、単位セルは光電変換部Ｐ纜と、転送領域Ｔ鱈
と＊ｉｉ直シフトレジスタの電荷蓄積領域Ｓ纜と、垂直
シフトレジスタの電荷通過領域Ｂｓｍと、チャネルスト
ップ領域１２とで構成されている。単位セルは水平シフ
トレジスタと角度−８だけ回転させておＣ，＊直方向に
関して垂直シフトレジスタの電荷通過領域に３．の寸法
を小さくしている。垂直シフトレジスタの電荷通過領域
〜は垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域Ｓ、と電荷蓄積
領域８．との信号電荷の通過領域としているため、チャ
ネル−、チャネル長とも小さくできる。
このため同一のチップサイズにおいて、木樽ａｔ用いる
ことにより水平方向の絵素数を増加する仁とができる。
ことにより水平方向の絵素数を増加する仁とができる。
また電荷通過領域Ｂ纜の上級は、単位セルを回転しても
一転送前の垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域の下縁に
一致させる必要があｐ垂直シフトレジスタが水平シフト
レジスタに対し垂直に配置されていることも必要である
。信号電荷が喬直に転送されない場合、遠慮出力に異常
をきたすことになる。＃Ｉ４図に示す垂直シフトレジ〜
のチャネル幅が狭められていると狭チャネル効果により
常に電荷通過領域Ｂ、のチャネル電位社電荷蓄積領域の
チャネル電位より浅くなるためバリヤ領域の働きをして
信号電荷転送の方向性が出てくる。即ち２相駆動で動作
させることができる。また２相駆動の電荷転送の方向性
をつけるため電荷通過領域を基板半導体と異った導電灘
で形成しても喪い、駆動は２相だけでなくｌ〜ｎ相でも
駆動てきる。
一転送前の垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域の下縁に
一致させる必要があｐ垂直シフトレジスタが水平シフト
レジスタに対し垂直に配置されていることも必要である
。信号電荷が喬直に転送されない場合、遠慮出力に異常
をきたすことになる。＃Ｉ４図に示す垂直シフトレジ〜
のチャネル幅が狭められていると狭チャネル効果により
常に電荷通過領域Ｂ、のチャネル電位社電荷蓄積領域の
チャネル電位より浅くなるためバリヤ領域の働きをして
信号電荷転送の方向性が出てくる。即ち２相駆動で動作
させることができる。また２相駆動の電荷転送の方向性
をつけるため電荷通過領域を基板半導体と異った導電灘
で形成しても喪い、駆動は２相だけでなくｌ〜ｎ相でも
駆動てきる。
籐５図は本発明の他のセル形状の実施列を示す構成模式
図である。単位セルは光電変換部Ｐ１１と転送領域Ｔ１
８．垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域’１１と、−直
シフトレジスタの電荷通過領域Ｂ１１と、チャネルスト
ップ領域１１とで構成されている。第３図と異る点は光
電変換部のセル形状を楕円形にすることにより、嶌密度
した時感度が低下することをできるだけ少くできる形状
にしたというむとである。この様に単位セルが、第３図
に示す矩形のセル形状だけでなく、他の単位セル形状に
ついても本発明の実施が可能である。
図である。単位セルは光電変換部Ｐ１１と転送領域Ｔ１
８．垂直シフトレジスタの電荷蓄積領域’１１と、−直
シフトレジスタの電荷通過領域Ｂ１１と、チャネルスト
ップ領域１１とで構成されている。第３図と異る点は光
電変換部のセル形状を楕円形にすることにより、嶌密度
した時感度が低下することをできるだけ少くできる形状
にしたというむとである。この様に単位セルが、第３図
に示す矩形のセル形状だけでなく、他の単位セル形状に
ついても本発明の実施が可能である。
陶本発明において、単位セルの水平シフトレジスタに対
する角！＃は４５″のとき最％理想的になるが％Ｏ＠＜
θ＜９０°において好ましい結呆が得られる。また、半
導体基板はＮ塁、Ｐｉｊｌでもよく。
する角！＃は４５″のとき最％理想的になるが％Ｏ＠＜
θ＜９０°において好ましい結呆が得られる。また、半
導体基板はＮ塁、Ｐｉｊｌでもよく。
光電変換部はＭＣＪＳ型キャパシタ、Ｐ−Ｎ接合でモ嵐
く、垂直シフトレジスタは表面チャネル型。
く、垂直シフトレジスタは表面チャネル型。
埋込みチャネル型でも全く変プない動作が実現できる。
第１図は従来の電荷転送撮１装置の桝成図、第２図は本
発明の詳細な説明するための図、第３図は本発明による
電荷転送撮藏装置の構造模式図。 ＃Ｉ４図は第３図の部分的拡大図、第５図は他の応用的
を示す。 図において、１−・垂直シフトレジスタ、２−・光電変
換部、３・・・転送′ｋｔ極、４−水平シフトレジスタ
、５−・出力部、６−・バリヤ領域、７・−ストレージ
領域、８−チャネルストップ狽域、９−・水平シフトレ
ジスタ、１０・・・出力部、１１−チャネルストップ領
域％ １２・−チャネルストップ領域、１３゜１４−・
垂直シフトレジスタの転送電極、１５・−チャネルスト
ップ領域、１６−水平シフトレジスタ、１７−出力部、
Ｐ１□〜Ｐ、−光電変換部、８，１〜８ａｍ−画直シフ
トレジスタの電荷蓄積領域、Ｂ１１〜Ｂ。 −・膳直シフトレジスタの電荷通過１ｆ櫨ｓ ”１１〜
’Ｉｎ−・光電変換部から垂直シフトレジスタの電荷蓄
積領域へＯ転送制御領域である。 夢 ２ 図 （ｃＬ） （ｂ）
発明の詳細な説明するための図、第３図は本発明による
電荷転送撮藏装置の構造模式図。 ＃Ｉ４図は第３図の部分的拡大図、第５図は他の応用的
を示す。 図において、１−・垂直シフトレジスタ、２−・光電変
換部、３・・・転送′ｋｔ極、４−水平シフトレジスタ
、５−・出力部、６−・バリヤ領域、７・−ストレージ
領域、８−チャネルストップ狽域、９−・水平シフトレ
ジスタ、１０・・・出力部、１１−チャネルストップ領
域％ １２・−チャネルストップ領域、１３゜１４−・
垂直シフトレジスタの転送電極、１５・−チャネルスト
ップ領域、１６−水平シフトレジスタ、１７−出力部、
Ｐ１□〜Ｐ、−光電変換部、８，１〜８ａｍ−画直シフ
トレジスタの電荷蓄積領域、Ｂ１１〜Ｂ。 −・膳直シフトレジスタの電荷通過１ｆ櫨ｓ ”１１〜
’Ｉｎ−・光電変換部から垂直シフトレジスタの電荷蓄
積領域へＯ転送制御領域である。 夢 ２ 図 （ｃＬ） （ｂ）
Claims (1)
- 半導体基板上に形成され、同−電荷転送装置で駆動でき
、且つ互いに電気的に分離された複数列の電荷転送装置
から成る垂直シフトレジスタ群と該各垂直シフトレジス
タ間にチャネルストップ手ＲＫよって互いに電気的に分
離され、マトリックス状に配置され、電荷の蓄積が可能
な光電変換部と、前記各垂直シフトレジスタの一端に電
気的に結合され九電荷転送水平シフトレジスタと、前記
水平シフトレジスタの一端に電荷検出製置を有する電荷
転送装置装置において、前記光電変換部と前記垂直シフ
トレジスタの電荷通過領域と電荷蓄積領域とから成る単
位セルが水平シフトレジスタに対し角［＃を０°＜ １
９ ＜ ９０°をもってマトリックス状に配列されると
共に１上記垂直シフトレジスタの電荷通過領域の下縁が
同一単位セルのｆｉｉｉｉシフトレジスタの電荷蓄積領
域の上縁と一致し、かつ転送前の単位セルの垂直シフト
レジスタの電荷蓄積領域の下縁とも一致し、さらに垂直
シフトレジスタが前記水平シフトレジスタに垂直となる
ことを特徴とする電荷転送撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186354A JPS5888976A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 電荷転送撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186354A JPS5888976A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 電荷転送撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888976A true JPS5888976A (ja) | 1983-05-27 |
| JPH0318389B2 JPH0318389B2 (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16186890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56186354A Granted JPS5888976A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 電荷転送撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5888976A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613575A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
| US5488239A (en) * | 1994-07-14 | 1996-01-30 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Solid state image sensor with shaped photodiodes |
| US5793071A (en) * | 1996-09-27 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-State imaging device |
| US6037643A (en) * | 1998-02-17 | 2000-03-14 | Hewlett-Packard Company | Photocell layout for high-speed optical navigation microchips |
| JP2007244774A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Brother Ind Ltd | パターン縫いミシンの送り装置 |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56186354A patent/JPS5888976A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613575A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像装置 |
| US5488239A (en) * | 1994-07-14 | 1996-01-30 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Solid state image sensor with shaped photodiodes |
| US5793071A (en) * | 1996-09-27 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-State imaging device |
| US6037643A (en) * | 1998-02-17 | 2000-03-14 | Hewlett-Packard Company | Photocell layout for high-speed optical navigation microchips |
| JP2007244774A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Brother Ind Ltd | パターン縫いミシンの送り装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318389B2 (ja) | 1991-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5167799B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
| JP4777798B2 (ja) | 固体撮像装置とその駆動方法 | |
| JP2000165750A (ja) | 高速撮像素子 | |
| US20060072026A1 (en) | Solid-state image pickup device and method for driving the same | |
| JP2597600B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5888976A (ja) | 電荷転送撮像装置 | |
| JP3928840B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3322078B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| JP2876838B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0682813B2 (ja) | 赤外線検出固体撮像素子の製造方法 | |
| JPS60170255A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0424873B2 (ja) | ||
| JPS6042666B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0767153B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JP3466660B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04257263A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0150156B2 (ja) | ||
| JP2666684B2 (ja) | 電荷転送撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH04134982A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3367852B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60244063A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3867124B2 (ja) | 撮像素子及び該撮像素子を備える撮影装置 | |
| JPS58209271A (ja) | 二次元固体撮像装置 | |
| US4727406A (en) | Pre-multiplexed detector array | |
| JPS63185058A (ja) | 固体撮像素子 |